JP2019186562A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019186562A5 JP2019186562A5 JP2019112867A JP2019112867A JP2019186562A5 JP 2019186562 A5 JP2019186562 A5 JP 2019186562A5 JP 2019112867 A JP2019112867 A JP 2019112867A JP 2019112867 A JP2019112867 A JP 2019112867A JP 2019186562 A5 JP2019186562 A5 JP 2019186562A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reactor
- purging
- purge gas
- introducing
- halide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 7
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N precursor Substances N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 125000006273 (C1-C3) alkyl group Chemical group 0.000 claims 4
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 claims 4
- 125000004435 hydrogen atoms Chemical group [H]* 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
Claims (4)
- ａ．反応器中に基材を提供する工程と、
ｂ．以下の式Ｉ及びＩＩ、
Ｉ．Ｒ3-nＸnＳｉ−Ｏ−ＳｉＸnＲ3-n
ＩＩ．Ｒ3-nＸnＳｉ−Ｏ−ＳｉＸmＲ1 pＲ2-m-p−Ｏ−ＳｉＸnＲ3-n
（式中、Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩであり、Ｒ及びＲ1が、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ1〜Ｃ3アルキル基から選択され、ｎ＝１、２、又は３であり、ｍ＝０、１、又は２であり、及びｐ＝０又は１である）を有する化合物の群から選択される、少なくとも１つのハライドシロキサン前駆体を、反応器中に導入する工程と、
ｃ．パージガスで反応器をパージする工程と、
ｄ．反応器中に酸素源を導入する工程と、
ｅ．パージガスで反応器をパージする工程と
を含む、基材の少なくとも表面上に酸化ケイ素膜を堆積するための方法であって、
所望の厚さの酸化ケイ素が堆積されるまで、工程ｂ〜ｅが繰り返され、
プロセスが、約６５０〜１０００℃の範囲の１つ又は複数の温度で行われる、方法。 - ａ．反応器中に基材を提供する工程と、
ｂ．以下の式Ｉ及びＩＩ、
Ｉ．Ｒ3-nＸnＳｉ−Ｏ−ＳｉＸnＲ3-n
ＩＩ．Ｒ3-nＸnＳｉ−Ｏ−ＳｉＸmＲ1 pＲ2-m-p−Ｏ−ＳｉＸnＲ3-n
（式中、Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩであり、Ｒ及びＲ1が、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ1〜Ｃ3アルキル基から選択され、ｎ＝１、２、又は３であり、ｍ＝０、１、又は２であり、及びｐ＝０又は１である）を有する化合物の群から選択される少なくとも１つのハライドシロキサン前駆体を、反応器中に導入する工程と、
ｃ．パージガスで反応器をパージする工程と、
ｄ．反応器中に酸素源を導入する工程と、
ｅ．パージガスで反応器をパージする工程と、
ｆ．ヒドロキシル含有源を反応器中に導入する工程と、
ｇ．パージガスで反応器をパージする工程と
を含む、酸化ケイ素膜を堆積するための方法であって、
所望の厚さが堆積されるまで工程ｂ〜ｇが繰り返され、プロセスの温度が６５０℃〜１０００℃の範囲であり、圧力が５０ミリＴｏｒｒ（ｍＴ）〜７６０Ｔｏｒｒの範囲である、方法。 - ａ．反応器中に基材を提供する工程と、
ｂ．以下の式Ｉ及びＩＩ、
Ｉ．Ｒ3-nＸnＳｉ−Ｏ−ＳｉＸnＲ3-n
ＩＩ．Ｒ3-nＸnＳｉ−Ｏ−ＳｉＸmＲ1 pＲ2-m-p−Ｏ−ＳｉＸnＲ3-n
（式中、Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩであり、Ｒ及びＲ1が、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ1〜Ｃ3アルキル基から選択され、ｎ＝１、２、又は３であり、ｍ＝０、１、又は２であり、及びｐ＝０又は１である）を有する化合物の群から選択される、少なくとも１つのハライドシロキサン前駆体を、反応器中に導入する工程と、
ｃ．パージガスで反応器をパージする工程と、
ｄ．反応器中に酸素源を導入する工程と、
ｅ．パージガスで反応器をパージする工程と
を含む、酸化ケイ素膜を堆積するための方法であって、
所望の厚さが堆積されるまで工程ｂ〜ｅが繰り返され、
前記方法の温度が６５０〜１０００℃の範囲であり、圧力が５０ミリＴｏｒｒ（ｍＴｏｒｒ）〜７６０Ｔｏｒｒの範囲であり、前記前駆体が、Ｓｉ−Ｍｅ又はＳｉ−Ｃｌ基を含む少なくとも１つのアンカー官能基及び不動態化官能基を含む、方法。 - 以下の式Ｉ及びＩＩ、
Ｉ．Ｒ3-nＸnＳｉ−Ｏ−ＳｉＸnＲ3-n
ＩＩ．Ｒ3-nＸnＳｉ−Ｏ−ＳｉＸmＲ1 pＲ2-m-p−Ｏ−ＳｉＸnＲ3-n
（式中、Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、又はＩであり、Ｒ及びＲ1が、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ1〜Ｃ3アルキル基から選択され、ｎ＝１、２、又は３であり、ｍ＝０、１、又は２であり、及びｐ＝０又は１である）を有する化合物の群から選択される、少なくとも１つのハライドシロキサン前駆体を含むケイ素含有膜を堆積するのに使用するための、組成物。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201662280886P | 2016-01-20 | 2016-01-20 | |
| US62/280,886 | 2016-01-20 | ||
| US15/404,376 US10283348B2 (en) | 2016-01-20 | 2017-01-12 | High temperature atomic layer deposition of silicon-containing films |
| US15/404,376 | 2017-01-12 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017008324A Division JP6856388B2 (ja) | 2016-01-20 | 2017-01-20 | ケイ素含有膜の高温原子層堆積 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019186562A JP2019186562A (ja) | 2019-10-24 |
| JP2019186562A5 true JP2019186562A5 (ja) | 2020-02-27 |
| JP7092709B2 JP7092709B2 (ja) | 2022-06-28 |
Family
ID=57860744
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017008324A Active JP6856388B2 (ja) | 2016-01-20 | 2017-01-20 | ケイ素含有膜の高温原子層堆積 |
| JP2019112867A Active JP7092709B2 (ja) | 2016-01-20 | 2019-06-18 | ケイ素含有膜の高温原子層堆積 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017008324A Active JP6856388B2 (ja) | 2016-01-20 | 2017-01-20 | ケイ素含有膜の高温原子層堆積 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10283348B2 (ja) |
| EP (1) | EP3196336A1 (ja) |
| JP (2) | JP6856388B2 (ja) |
| KR (1) | KR102013412B1 (ja) |
| CN (2) | CN112899648A (ja) |
| SG (1) | SG10201700452RA (ja) |
| TW (2) | TWI639723B (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016205196A2 (en) * | 2015-06-16 | 2016-12-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Halidosilane compounds and compositions and processes for depositing silicon-containing films using same |
| US9786492B2 (en) | 2015-11-12 | 2017-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| US9786491B2 (en) | 2015-11-12 | 2017-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| KR102378021B1 (ko) * | 2016-05-06 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 박막의 형성 |
| US11591692B2 (en) * | 2017-02-08 | 2023-02-28 | Versum Materials Us, Llc | Organoamino-polysiloxanes for deposition of silicon-containing films |
| US10847529B2 (en) | 2017-04-13 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by the same |
| US10504901B2 (en) | 2017-04-26 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured using the same |
| US11158500B2 (en) | 2017-05-05 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of oxygen containing thin films |
| US10950454B2 (en) * | 2017-08-04 | 2021-03-16 | Lam Research Corporation | Integrated atomic layer passivation in TCP etch chamber and in-situ etch-ALP method |
| US10991573B2 (en) | 2017-12-04 | 2021-04-27 | Asm Ip Holding B.V. | Uniform deposition of SiOC on dielectric and metal surfaces |
| WO2019118019A1 (en) * | 2017-12-12 | 2019-06-20 | Dow Silicones Corporation | Method of depositing a silicon-containing film on a substrate using organo(halo) siloxane precursors |
| US10431695B2 (en) | 2017-12-20 | 2019-10-01 | Micron Technology, Inc. | Transistors comprising at lease one of GaP, GaN, and GaAs |
| US10825816B2 (en) | 2017-12-28 | 2020-11-03 | Micron Technology, Inc. | Recessed access devices and DRAM constructions |
| US10319586B1 (en) * | 2018-01-02 | 2019-06-11 | Micron Technology, Inc. | Methods comprising an atomic layer deposition sequence |
| US10734527B2 (en) | 2018-02-06 | 2020-08-04 | Micron Technology, Inc. | Transistors comprising a pair of source/drain regions having a channel there-between |
| US11521849B2 (en) * | 2018-07-20 | 2022-12-06 | Applied Materials, Inc. | In-situ deposition process |
| US20200040454A1 (en) * | 2018-08-06 | 2020-02-06 | Lam Research Corporation | Method to increase deposition rate of ald process |
| WO2020072874A1 (en) * | 2018-10-05 | 2020-04-09 | Versum Materials Us, Llc | High temperature atomic layer deposition of silicon-containing films |
| KR102157137B1 (ko) * | 2018-11-30 | 2020-09-17 | 주식회사 한솔케미칼 | 실리콘 전구체 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막의 제조방법 |
| JP7227122B2 (ja) | 2019-12-27 | 2023-02-21 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
| JP7386732B2 (ja) * | 2020-03-06 | 2023-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
| JP7254044B2 (ja) * | 2020-03-25 | 2023-04-07 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
| KR102364476B1 (ko) * | 2020-05-08 | 2022-02-18 | 주식회사 한솔케미칼 | 실리콘 전구체 및 이를 이용한 실리콘 함유 박막의 제조방법 |
| KR20230034217A (ko) * | 2020-06-03 | 2023-03-09 | 램 리써치 코포레이션 | 인-피처 (in-feature) 습식 에칭 레이트 비 감소 |
| CN116917535A (zh) * | 2021-03-02 | 2023-10-20 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 硅介电膜的选择性淀积 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3642851A (en) | 1968-12-27 | 1972-02-15 | Union Carbide Corp | Preparation of linear halosiloxanes and compounds derived therefrom |
| JP3229419B2 (ja) * | 1993-02-10 | 2001-11-19 | ダウ・コ−ニング・コ−ポレ−ション | 酸化ケイ素膜の形成方法 |
| JPH08165294A (ja) | 1994-12-15 | 1996-06-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | １，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンの製造方法 |
| US5989998A (en) * | 1996-08-29 | 1999-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming interlayer insulating film |
| US6013740A (en) | 1998-08-27 | 2000-01-11 | Dow Corning Corporation | Sheet and tube polymers with pendant siloxane groups |
| KR100505668B1 (ko) | 2002-07-08 | 2005-08-03 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착 방법에 의한 실리콘 산화막 형성 방법 |
| US7084076B2 (en) * | 2003-02-27 | 2006-08-01 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Method for forming silicon dioxide film using siloxane |
| TWI262960B (en) * | 2003-02-27 | 2006-10-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Method for forming silicon dioxide film using siloxane |
| US7022864B2 (en) * | 2003-07-15 | 2006-04-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | Ethyleneoxide-silane and bridged silane precursors for forming low k films |
| JP2006060066A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Mitsubishi Electric Corp | シリコン酸化膜の成膜方法および成膜装置 |
| KR20060019868A (ko) * | 2004-08-30 | 2006-03-06 | 삼성코닝 주식회사 | 이중 유기 실록산 전구체를 이용한 절연막의 제조방법 |
| JP5019742B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2012-09-05 | 東ソー株式会社 | 環状シロキサン化合物、Ｓｉ含有膜形成材料、およびその用途 |
| JP4341560B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2009-10-07 | 東ソー株式会社 | Ｓｉ含有膜形成材料、Ｓｉ含有膜、Ｓｉ含有膜の製法、及び、半導体デバイス |
| US8084294B2 (en) * | 2005-02-18 | 2011-12-27 | Nec Corporation | Method of fabricating organic silicon film, semiconductor device including the same, and method of fabricating the semiconductor device |
| KR100660890B1 (ko) | 2005-11-16 | 2006-12-26 | 삼성전자주식회사 | Ａｌｄ를 이용한 이산화실리콘막 형성 방법 |
| US7498273B2 (en) | 2006-05-30 | 2009-03-03 | Applied Materials, Inc. | Formation of high quality dielectric films of silicon dioxide for STI: usage of different siloxane-based precursors for harp II—remote plasma enhanced deposition processes |
| US8129555B2 (en) * | 2008-08-12 | 2012-03-06 | Air Products And Chemicals, Inc. | Precursors for depositing silicon-containing films and methods for making and using same |
| US7935643B2 (en) * | 2009-08-06 | 2011-05-03 | Applied Materials, Inc. | Stress management for tensile films |
| JP2011165657A (ja) * | 2010-01-15 | 2011-08-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 蓄電装置 |
| US8592294B2 (en) * | 2010-02-22 | 2013-11-26 | Asm International N.V. | High temperature atomic layer deposition of dielectric oxides |
| US9460912B2 (en) | 2012-04-12 | 2016-10-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | High temperature atomic layer deposition of silicon oxide thin films |
| JP6415808B2 (ja) | 2012-12-13 | 2018-10-31 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
| US9796739B2 (en) * | 2013-06-26 | 2017-10-24 | Versum Materials Us, Llc | AZA-polysilane precursors and methods for depositing films comprising same |
| US20150275355A1 (en) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions and methods for the deposition of silicon oxide films |
| JP6545093B2 (ja) * | 2015-12-14 | 2019-07-17 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
-
2017
- 2017-01-12 US US15/404,376 patent/US10283348B2/en active Active
- 2017-01-19 TW TW106101964A patent/TWI639723B/zh active
- 2017-01-19 SG SG10201700452RA patent/SG10201700452RA/en unknown
- 2017-01-19 TW TW107120415A patent/TW202018116A/zh unknown
- 2017-01-20 CN CN202110169653.2A patent/CN112899648A/zh active Pending
- 2017-01-20 EP EP17152346.7A patent/EP3196336A1/en active Pending
- 2017-01-20 JP JP2017008324A patent/JP6856388B2/ja active Active
- 2017-01-20 KR KR1020170009657A patent/KR102013412B1/ko active IP Right Grant
- 2017-01-20 CN CN201710047967.9A patent/CN106992114B/zh active Active
-
2019
- 2019-06-18 JP JP2019112867A patent/JP7092709B2/ja active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2019186562A5 (ja) | ||
| US11515149B2 (en) | Deposition of flowable silicon-containing films | |
| TWI722301B (zh) | 在金屬材料表面上沉積阻擋層的方法 | |
| TWI739263B (zh) | 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及程式 | |
| US20160307766A1 (en) | Cyclic doped aluminum nitride deposition | |
| WO2020163359A8 (en) | Deposition of carbon doped silicon oxide | |
| JP2011522120A5 (ja) | ||
| JPH07147251A (ja) | 結晶性炭化ケイ素膜の成長方法 | |
| JP2014236220A (ja) | バッチ反応器中での環状窒化アルミニウム蒸着 | |
| JP2016147861A5 (ja) | ||
| JP2009545884A5 (ja) | ||
| JP2009152551A5 (ja) | ||
| JP2013082986A (ja) | 薄膜の形成方法及び成膜装置 | |
| TWI692032B (zh) | 鍺沈積技術 | |
| JP2007531304A5 (ja) | ||
| JP2008510076A5 (ja) | ||
| US9196476B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium | |
| JP2008147644A5 (ja) | ||
| WO2012176291A1 (ja) | シリコンオキシナイトライド膜の形成方法およびそれにより製造されたシリコンオキシナイトライド膜付き基板 | |
| JP2010523458A5 (ja) | ||
| TW201828365A (zh) | 硬式遮罩及其製造方法 | |
| JP2015065447A (ja) | 薄膜の形成方法及び成膜装置 | |
| JP2011044493A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TW202242208A (zh) | 碳化矽塗佈基底基板、其之碳化矽基板、及其方法 | |
| TW202118769A (zh) | 用於原子層沉積和氣相沉積的基板表面改質劑及利用該改質劑的基板表面改質方法 |