JP2019186501A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7071175B2 (ja) * 2017-04-18 2022-05-18 東京エレクトロン株式会社 被処理体を処理する方法
JP7296855B2 (ja) * 2019-11-07 2023-06-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP7336365B2 (ja) * 2019-11-19 2023-08-31 東京エレクトロン株式会社 膜をエッチングする方法及びプラズマ処理装置
CN114121641A (zh) * 2020-08-28 2022-03-01 东京毅力科创株式会社 晶片处理方法和等离子体处理装置
US11361971B2 (en) * 2020-09-25 2022-06-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. High aspect ratio Bosch deep etch
JP7714633B2 (ja) 2021-02-24 2025-07-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0927479A (ja) * 1995-07-13 1997-01-28 Sony Corp ドライエッチング方法
JP3403374B2 (ja) * 2000-05-26 2003-05-06 松下電器産業株式会社 有機膜のエッチング方法、半導体装置の製造方法及びパターンの形成方法
JP2002319574A (ja) * 2001-04-23 2002-10-31 Nec Corp 窒化シリコン膜の除去方法
JP4123428B2 (ja) 2001-11-30 2008-07-23 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US20090275202A1 (en) * 2006-11-22 2009-11-05 Masahiko Tanaka Silicon structure having an opening which has a high aspect ratio, method for manufacturing the same, system for manufacturing the same, and program for manufacturing the same, and method for manufacturing etching mask for the silicon structure
US8999856B2 (en) * 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US20130034666A1 (en) * 2011-08-01 2013-02-07 Applied Materials, Inc. Inductive plasma sources for wafer processing and chamber cleaning
JP5893864B2 (ja) * 2011-08-02 2016-03-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法
US9666414B2 (en) * 2011-10-27 2017-05-30 Applied Materials, Inc. Process chamber for etching low k and other dielectric films
JP5932599B2 (ja) * 2011-10-31 2016-06-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマエッチング方法
TWI497586B (zh) * 2011-10-31 2015-08-21 日立全球先端科技股份有限公司 Plasma etching method
JP6096438B2 (ja) * 2012-08-27 2017-03-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
JP2014209515A (ja) * 2013-04-16 2014-11-06 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US10297459B2 (en) * 2013-09-20 2019-05-21 Lam Research Corporation Technique to deposit sidewall passivation for high aspect ratio cylinder etch
JP6405958B2 (ja) * 2013-12-26 2018-10-17 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、記憶媒体及びエッチング装置
JP6327970B2 (ja) * 2014-06-19 2018-05-23 東京エレクトロン株式会社 絶縁膜をエッチングする方法
KR101745686B1 (ko) * 2014-07-10 2017-06-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판의 고정밀 에칭을 위한 방법
JP6315809B2 (ja) * 2014-08-28 2018-04-25 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
CN105448635B (zh) * 2014-08-28 2018-01-09 北京北方华创微电子装备有限公司 原子层刻蚀装置及采用其的原子层刻蚀方法
JP6328524B2 (ja) * 2014-08-29 2018-05-23 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP6320282B2 (ja) * 2014-12-05 2018-05-09 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US9576811B2 (en) * 2015-01-12 2017-02-21 Lam Research Corporation Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch)
JP2016136606A (ja) * 2015-01-16 2016-07-28 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP2016157793A (ja) * 2015-02-24 2016-09-01 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP6462477B2 (ja) * 2015-04-27 2019-01-30 東京エレクトロン株式会社 被処理体を処理する方法
JP6670672B2 (ja) * 2016-05-10 2020-03-25 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP6788400B2 (ja) * 2016-07-08 2020-11-25 東京エレクトロン株式会社 被処理体を処理する方法
JP6671262B2 (ja) * 2016-08-01 2020-03-25 東京エレクトロン株式会社 窒化膜の形成方法および形成装置
US10658194B2 (en) * 2016-08-23 2020-05-19 Lam Research Corporation Silicon-based deposition for semiconductor processing
CN106856163A (zh) * 2016-11-22 2017-06-16 上海华力微电子有限公司 一种高深宽比图形结构的形成方法
JP6804280B2 (ja) * 2016-12-07 2020-12-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US10297458B2 (en) * 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10304677B2 (en) * 2017-09-29 2019-05-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Low-k feature formation processes and structures formed thereby

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