JP2019169579A5 - - Google Patents
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Claims (9)
- 銅を主成分とし、厚さが５μｍ以上５０μｍ未満の第１の電極パッドと、
銅を主成分とし、厚さが５μｍ以上５０μｍ未満の電極層と、
前記第１の電極パッドと前記電極層との間に設けられた半導体層と、
を備える半導体装置。 - 前記第１の電極パッドの端部の厚さが中央部の厚さより厚い請求項１記載の半導体装置。
- 前記第１の電極パッド及び前記電極層が、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、及び、ニッケル（Ｎｉ）から成る群から選ばれる少なくともいずれか一つの元素を含む請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
- 前記第１の電極パッド及び前記電極層の中の前記元素の含有量が０．０１原子％以上０．４原子％以下である請求項３記載の半導体装置。
- 銅（Ｃｕ）を主成分とし、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、及び、ニッケル（Ｎｉ）から成る群から選ばれる少なくともいずれか一つの元素を含み、厚さが５μｍ以上５０μｍ未満の第１の電極パッドと、
電極層と、
前記第１の電極パッドと前記電極層との間に設けられた半導体層と、
を備える半導体装置。 - 前記第１の電極パッドの中の前記元素の含有量が０．０１原子％以上０．４原子％以下である請求項５記載の半導体装置。
- 第１の面と第２の面とを有する半導体基板の前記第１の面の側にレジストパターンを形成し、
電界めっき装置を用い電解めっき法により、前記第１の面の側に銅（Ｃｕ）を主成分とし厚さが５μｍ以上５０μｍ未満の第１の金属膜と、前記第２の面の側に銅を主成分とし厚さが５μｍ以上５０μｍ未満の第２の金属膜とを同時に形成する半導体装置の製造方法。 - 前記電解めっき法により、前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜を形成する際に、電界めっき液中に、鉄イオン、コバルトイオン、及び、ニッケルイオンから成る群から選ばれる少なくともいずれか一つのイオンを添加する請求項７記載の半導体装置の製造方法。
- 前記電界めっき液の中の３価の前記イオンの濃度をモニタし、モニタした結果に基づき２価の前記イオンの供給を行う請求項８記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018055445A JP2019169579A (ja) | 2018-03-23 | 2018-03-23 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US15/998,401 US10985104B2 (en) | 2018-03-23 | 2018-08-15 | Semiconductor device having electrode pad and electrode layer intervening semiconductor layer inbetween and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018055445A JP2019169579A (ja) | 2018-03-23 | 2018-03-23 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019169579A JP2019169579A (ja) | 2019-10-03 |
| JP2019169579A5 true JP2019169579A5 (ja) | 2020-03-05 |
Family
ID=67984320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018055445A Pending JP2019169579A (ja) | 2018-03-23 | 2018-03-23 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10985104B2 (ja) |
| JP (1) | JP2019169579A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024058144A1 (ja) * | 2022-09-16 | 2024-03-21 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 半導体装置および実装基板 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2085406B1 (ja) | 1970-04-17 | 1973-10-19 | Elf | |
| US3892092A (en) | 1974-05-17 | 1975-07-01 | Buehler Ltd | Automatic polishing apparatus |
| KR0144821B1 (ko) | 1994-05-16 | 1998-07-01 | 양승택 | 저전원전압으로 작동가능한 갈륨비소 반도체 전력소자의 제조 방법 |
| JP2004071886A (ja) | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Renesas Technology Corp | 縦型パワー半導体装置およびその製造方法 |
| WO2004053971A1 (ja) | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Nec Corporation | 配線用銅合金、半導体装置、配線の形成方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP4745251B2 (ja) * | 2004-12-22 | 2011-08-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP2008305948A (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2010092895A (ja) * | 2008-10-03 | 2010-04-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| KR101254407B1 (ko) | 2008-08-07 | 2013-04-15 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 무전해도금에 의해 구리 박막을 형성한 도금물 |
| JP5045613B2 (ja) | 2008-08-25 | 2012-10-10 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板及びその製造方法 |
| TW201015718A (en) | 2008-10-03 | 2010-04-16 | Sanyo Electric Co | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP5428362B2 (ja) | 2009-02-04 | 2014-02-26 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2011077460A (ja) | 2009-10-02 | 2011-04-14 | Toyota Motor Corp | 半導体装置と、その製造方法 |
| US8502274B1 (en) * | 2012-04-06 | 2013-08-06 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit including power transistor cells and a connecting line |
| CN104350604B (zh) * | 2012-06-29 | 2017-02-22 | 松下知识产权经营株式会社 | 太阳能电池组件和太阳能电池组件的制造方法 |
| JPWO2015029152A1 (ja) | 2013-08-28 | 2017-03-02 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| US10109609B2 (en) * | 2014-01-13 | 2018-10-23 | Infineon Technologies Austria Ag | Connection structure and electronic component |
| JP2015231033A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP6338937B2 (ja) * | 2014-06-13 | 2018-06-06 | ローム株式会社 | パワーモジュールおよびその製造方法 |
| CN106796891B (zh) * | 2014-09-02 | 2020-07-17 | 株式会社Flosfia | 层叠结构体及其制造方法、半导体装置、以及晶体膜 |
| DE102016104256B3 (de) * | 2016-03-09 | 2017-07-06 | Infineon Technologies Ag | Transistorzellen und Kompensationsstruktur aufweisende Halbleitervorrichtung mit breitem Bandabstand |
-
2018
- 2018-03-23 JP JP2018055445A patent/JP2019169579A/ja active Pending
- 2018-08-15 US US15/998,401 patent/US10985104B2/en active Active
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