CN102265711A - 电子电路用的压延铜箔或电解铜箔及使用它们形成电子电路的方法 - Google Patents

电子电路用的压延铜箔或电解铜箔及使用它们形成电子电路的方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其通过蚀刻进行电路形成，其特征在于，具有在该压延铜箔或电解铜箔的蚀刻面一侧形成的蚀刻速度比铜低的镍或镍合金层以及在该镍或镍合金层上形成的包含锌或锌合金或它们的氧化物的耐热层。本发明的课题在于，在通过对覆铜箔层压板的铜箔进行蚀刻来形成电路时，可以防止由于蚀刻而产生的下弯，可以形成目标电路宽度均匀的电路，可以尽可能地缩短通过蚀刻形成电路的时间，并且可以尽力减小镍或镍合金层的厚度，并且可以在受热时抑制氧化，并防止通称“烧灼”的变色，并且可以提高图案蚀刻中的蚀刻性，防止短路或电路宽度不良的产生。

Description

电子电路用的压延铜箔或电解铜箔及使用它们形成电子电路的方法
技术领域
本发明涉及通过蚀刻进行电路形成的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔以及使用它们形成电子电路的方法。
背景技术
在电子设备和电气设备中广泛使用印刷电路用铜箔，该印刷电路用铜箔，一般通过胶粘剂、或者不使用胶粘剂而是在高温高压下胶粘到合成树脂板或薄膜等基板上来制造覆铜箔层压板，之后，为了形成目标电路，通过抗蚀剂涂布及曝光工序印刷电路，并且经过将铜箔的不需要部分除去的蚀刻处理，再焊接各种元件，由此形成电子器件用的印刷电路。
这样的印刷电路中使用的铜箔，根据其制造方法的种类的不同大致分为电解铜箔和压延铜箔，两种铜箔均可以根据印刷电路板的种类或品质要求来使用。
这些铜箔，具有与树脂基板胶粘的面和非胶粘面，各自实施特殊的表面处理(トリ一ト処理)。另外，也有时象多层印刷布线板的内层中使用的铜箔那样，双面具有与树脂胶粘的功能(ダブルトリ一ト処理)。
电解铜箔一般是通过使铜电沉积在旋转鼓上并将其连续地剥离而制造铜箔，该制造时与旋转鼓接触的面为光泽面，其相反侧的面具有许多凹凸(粗糙面)。但是，在这样的粗糙面上，为了进一步提高与树脂基板的胶粘性，一般附着约0.2μm～约3μm的铜粒子。
另外，在加强这样的凹凸的基础上为了防止铜粒子的脱落，有时也形成薄镀层。这一系列工序称为粗糙化处理。这样的粗糙化处理，不仅电解铜箔需要，而且压延铜箔也需要，在压延铜箔上也实施同样的粗糙化处理。
使用以上的铜箔通过热压法或连续法制造覆铜箔层压板。例如以热压法为例，该层压板经过如下工序制造：合成环氧树脂、在纸基材中浸渗酚醛树脂并进行干燥而制造预浸料坯，再将该预浸料坯和铜箔组合并使用压机进行热压成形，等。除此以外，还有在铜箔上将聚酰亚胺前体溶液干燥并固化，从而在所述铜箔上形成聚酰亚胺树脂层的方法。
为了形成目标电路，这样制造的覆铜箔层压板，利用抗蚀剂涂布及曝光工序印刷电路，并且经过除去铜箔的不需要部分的蚀刻处理，但是，在进行蚀刻以形成电路时，存在该电路不能达到拟定的宽度的问题。
这是由于：蚀刻后的铜箔电路的铜部分，从铜箔的表面向下、即朝向树脂层的方向，以末端变宽的方式被蚀刻(产生下弯(ダレ))。产生大的“下弯”的情况下，在树脂基板附近有时铜电路短路，从而产生不合格品。
需要尽力地减少这样的“下弯”，为了防止这样的末端变宽的蚀刻不良，也考虑了延长蚀刻时间，从而更多地进行蚀刻，以减少该“下弯”。
但是，此时产生的问题是，当存在已经达到规定宽度尺寸的部位时，该部分被进一步蚀刻，因此该铜箔部分的电路宽度变得非常窄，从而不能得到电路设计上的目标均匀线宽(电路宽度)，特别是在该部分(细线化的部分)会发热，并根据情况产生断线。
电子电路的精细图案化在进一步进展当中，目前这样的蚀刻不良所引起的问题更明显地出现从而在电路形成方面成为大的问题。
本发明人为了改善这些方面，提出了在蚀刻面侧的铜箔上形成有蚀刻速度比铜低的金属或合金层的铜箔(参考专利文献1)。作为此时的金属或合金，为镍、钴及它们的合金。
在电路设计时，蚀刻液从抗蚀剂涂布侧、即铜箔的表面浸渗，因此如果在紧接在抗蚀剂下面具有蚀刻速度低的金属或合金层，则其附近的铜箔部分的蚀刻受到抑制，而其它铜箔部分的蚀刻进行，因此具有可以减少“下弯”、可以形成宽度更均匀的电路的效果。结果，从现有技术来看，是很大的进步。
在此，在进行进一步改善的阶段，又产生了几个问题。这些问题是：在形成电路后，需要除去树脂、并且需要通过软蚀刻除去用于防止“下弯”而形成的蚀刻速度低的金属或合金层；另外，在以带有所述蚀刻速度低的金属或合金层(镍或镍合金层)的铜箔作为覆铜箔层压板形成电子电路的工序中，需要在树脂的粘贴等工序中对铜箔进行高温处理。
关于前者，为了尽可能缩短蚀刻除去的时间，并且干净地除去，需要使镍或镍合金层的厚度尽可能薄。另外，后者的情况下，由于受热，镍或镍合金层被氧化(由于变色，因此通称为“烧灼(ヤケ)”)、抗蚀剂的涂布性(均匀性、密合性)不良或蚀刻时的界面氧化物的过量蚀刻等，由此存在产生图案蚀刻中的蚀刻性、短路、电路宽度的控制性等不良的问题，因此要求进一步进行改良或者置换为其它材料。
在此，铜箔受热的情况下，可以看到几项发明中为了抑制耐热氧化性而在印刷电路用铜箔的光泽面上形成锌或锌合金等。例如，专利文献2、专利文献3、专利文献4、专利文献5、专利文献6、专利文献7。另外，还提出了不在蚀刻侧而是在与树脂胶粘的一侧覆盖镍、镍合金的方法。
但是，这些技术的提出并非是在进行基于蚀刻的铜箔电路设计时，为了防止或抑制铜箔的蚀刻部分从铜箔的表面向下以末端变宽的方式被蚀刻(产生下弯)的问题，因此不能解决上述问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-176242号公报
专利文献2：日本特开平5-140765号公报
专利文献3：日本特开平6-85416号公报
专利文献4：日本特开平6-85417号公报
专利文献5：日本特开平6-280047号公报
专利文献6：日本特开平7-74464号公报
专利文献7：日本特开平7-278883号公报
专利文献8：日本特开2005-15861号公报
专利文献9：日本特开2006-261270号公报
发明内容
本发明的课题在于提供电子电路用的压延铜箔或电解铜箔以及使用它们形成电子电路的方法，所述铜箔在通过蚀刻对覆铜箔层压板进行电路形成时，可以防止蚀刻造成的下弯，形成目标电路宽度均匀的电路，尽可能缩短通过蚀刻形成电路的时间，并且可以尽力使镍或镍合金层的厚度减小从而通过软蚀刻容易地除去，并且可以防止蚀刻后覆盖层的溶解残留物，以及可以在受热时抑制氧化，防止通称“烧灼”的变色，并且可以提高图案蚀刻中的蚀刻性，可以防止产生短路或电路宽度的不良。
本发明人发现，通过在压延铜箔或电解铜箔的蚀刻面形成多个层，来调节铜箔的厚度方向的蚀刻速度，会形成无下弯的电路宽度均匀的电路，并且可以在受热时防止氧化，可以防止称为“烧灼”的变色，其它设计电子电路时的几个问题可以同时解决。
基于该发现，本发明提供：
1.一种电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其通过蚀刻进行电路形成，其特征在于，具有在该压延铜箔或电解铜箔的蚀刻面侧形成的蚀刻速度比铜低的镍或镍合金层(A)以及在该镍或镍合金层(A)上形成的包含锌或锌合金或它们的氧化物的耐热层(B)。
2.如上述1所述的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其特征在于，所述耐热层(B)是包含锌或锌合金的层，该锌合金含有选自镍、钴或铬中的至少一种以上元素作为合金元素。
3.如上述1或2所述的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其特征在于，所述蚀刻速度比铜低的合金为镍合金时，该镍合金层(A)中的镍比率超过50重量％。
另外，本发明提供：
4.如上述1～3中任一项所述的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其特征在于，所述蚀刻速度比铜低的合金为镍合金时，该镍合金中所含的合金成分为锌或钴。
5.如上述1～4中任一项所述的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其特征在于，所述耐热层(B)及镍合金层(A)中所含的合计锌含量以金属锌换算为30μg/dm2～1000μg/dm2，并且不超过镍的合计量。
另外，本发明提供：
6.如上述1～5中任一项所述的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其特征在于，所述镍或镍合金层(A)中所含的镍量为100μg/dm2～3000μg/dm2。
7.如上述1～6中任一项所述的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其特征在于，在所述耐热层(B)上，还具有铬层或铬酸盐层和/或硅烷处理层。
另外，本发明提供：
8.如上述7所述的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其特征在于，具有所述铬层或铬酸盐层时，铬量以金属铬换算为100μg/dm2以下。
9.如上述7所述的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其特征在于，具有所述硅烷处理层时，以硅单质换算为20μg/dm2以下。
另外，本发明提供：
10.一种形成电子电路的方法，通过对包含压延铜箔或电解铜箔的覆铜箔层压板的该铜箔进行蚀刻而形成电子电路，其特征在于，在铜箔的蚀刻面侧形成作为蚀刻速度比铜低的金属或合金的镍或镍合金层(A)，然后，在该镍或镍合金层(A)上形成包含锌或锌合金或它们的氧化物的耐热层(B)，然后，使用氯化铁水溶液或氯化铜水溶液对该铜箔进行蚀刻，将铜的不需要部分除去，从而形成铜的电路。
另外，本发明提供：
11.一种形成电子电路的方法，通过对包含压延铜箔或电解铜箔的覆铜箔层压板的该铜箔进行蚀刻而形成电子电路，其特征在于，使用氯化铁水溶液或氯化铜水溶液对上述1～9的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔进行蚀刻，将铜的不需要部分除去，从而形成铜的电路。
发明效果
本发明具有如下效果：在通过蚀刻对覆铜箔层压板进行电路形成时，可以形成目标电路宽度更均匀的电路。另外，本发明具有如下效果：可以防止蚀刻导致的下弯的产生，可以缩短通过蚀刻形成电路的时间，并且可以尽力使镍或镍合金层的厚度减小从而通过软蚀刻容易地除去，并且可以防止蚀刻后的覆盖层的溶解残留物，并且可以在受热时抑制氧化，可以防止通称为“烧灼”的变色。
由此，本发明具有如下效果：可以提供能够提高图案蚀刻中的蚀刻性，可以防止产生短路或电路宽度的不良的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，可以提供优良的电子电路的形成方法。
附图说明
图1是蚀刻因子(EF)的计算方法的概略说明图。
图2是在深度方向上测定的镍、锌、铜的浓度分布的示意图。
具体实施方式
本发明的通过蚀刻进行电路形成的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，具有在压延铜箔或电解铜箔的蚀刻面侧形成的作为蚀刻速度比铜低的金属或合金的镍或镍合金层；和在该镍或镍合金层上形成的包含锌或锌合金或它们的氧化物的耐热层。
将该压延铜箔或电解铜箔与树脂接合得到覆铜箔层压板。该铜箔可以应用电解铜箔及压延铜箔中的任意一种。另外，也同样可以应用粗糙化面(M面)或光泽面(S面)。通常使用光泽面侧。压延铜箔中存在高纯度铜箔或者使强度提高的合金铜箔，本发明包括全部这些铜箔。
用于抑制蚀刻的镍或镍合金，位于与铜箔上的抗蚀剂部分接近的位置，抗蚀剂侧的铜箔的蚀刻速度被该镍或镍合金的层抑制，相反，随着远离镍或镍合金的层，铜的蚀刻以通常的速度进行。由此，从铜电路的侧面的抗蚀剂侧朝向树脂基板侧基本垂直地进行蚀刻，从而形成矩形的铜箔电路。
这样，在进行电路的蚀刻时，蚀刻液从抗蚀剂涂布侧、即铜箔的表面渗透，因此在铜箔上形成锌或锌合金层的情况下，并不具备与镍或镍合金同等的功能。倒是在设计电路的情况下，锌或锌合金层容易被蚀刻，因此从技术常识来看认为，这会使上述的“下弯”增加，从而对宽度均匀的电路设计造成妨碍。
但是，预想不到的是，在铜箔上形成作为蚀刻速度低的金属或合金的镍或镍合金层，并在该镍或镍合金层上形成锌或锌合金层的情况下，即通过将两者组合使用，得到如下确证：可以防止烧灼，并且在此基础上可以形成目标电路宽度均匀的电路。这是具有极显著的效果的发明。
覆铜箔层压板在形成电子电路的树脂粘贴等工序中需要进行高温处理，此时，镍或镍合金层被氧化，容易产生抗蚀剂的涂布性(均匀性、密合性)不良。另外，蚀刻时，加热时形成的界面氧化物容易产生蚀刻的变动，成为引起短路或电路宽度不均匀的原因。
在中，提出了控制氧浓度的覆铜箔层压板的制造工序，认为今后会进一步寻求针对高温处理的耐氧化性。在此，在铜箔与镍或镍合金层上形成的锌或锌合金层，是具有耐热氧化性的材料，因此，仅仅通过薄薄地覆盖该材料，就可以提供显著提高耐热氧化、防变色的效果。
通过形成厚的镍或镍合金层，可以防止热氧化的影响，但是，形成厚层本身存在问题。这意味着在蚀刻后必须除去镍，而该除去工序要花时间。
不过，通过薄薄地形成上述锌或锌合金层，可以进一步得到能够减小镍或镍合金层的厚度的显著效果。由此，通过软蚀刻可以容易地除去镍或镍合金层。
可见，镍或镍合金作为蚀刻速度比铜低的金属层特别有效，对于一般用于在覆铜层压板上形成电子电路图案的蚀刻液(氯化铜水溶液、氯化铁水溶液等)，如果是以镍为主成分的合金，则蚀刻速度与镍相同程度，或者虽然比镍大但也比铜小，因此具有改善蚀刻因素的效果。
如上所述，锌是容易被蚀刻的金属，因此从量上来说需要减小。本申请发明中，原则上说，使电路的蚀刻宽度均匀从而使得不产生“下弯”是主要目的，因此必须避免锌等容易腐蚀的金属的量多。从该意义上来说，为镍合金，并且以镍为主成分是必要的。
另外，关于辨别由蚀刻速度低的金属层(A)、耐热层(B)这两层构成的方法，由于铜箔的表面处理非常薄，因此难以明确地分辨层结构，但是，作为一例，以下介绍蚀刻比铜低的金属或合金层(A)和耐热层(B)的区分方法。
(装置)Kratos制AXIS-HS
·氩气溅射条件：加速电压15kV、发射电流10mA
·溅射速度：以二氧化硅计相当于3nm/分钟
·测定频率：2点/分钟
(判断)通过镍、锌、蚀刻速度低的合金层(A)中所含的元素、耐热层(B)中所含的元素的原子％的峰位置的不同，可以综合地确认为两层。
另外，该测定中，确认蚀刻速度低的金属层或合金层(A)的原子％，并换算为重量％，计算镍比率，可以确认镍比率是否超过50重量％。
这样，作为蚀刻速度比电子电路用的压延铜箔或电解铜箔低的合金的镍合金中所含的合金成分如果是通常已知的合金，则可以使用任意一种。例如，可以确认，与选自锌、磷、硼、钼、钨或钴的至少一种以上的合金，其蚀刻速度比铜低，具有改善蚀刻因子的效果。
特别期望为与锌的合金。此时，镍合金中所含的锌不仅是金属锌，而且包括氢氧化锌或氧化锌状态的锌。
另外，所述耐热层为锌或锌合金，该锌合金期望含有镍或钴中的一种或两种作为合金元素。在所述镍或镍合金层上，可以进一步形成铬层或铬酸盐层或硅烷处理层。此时，有可能产生对图案蚀刻液的蚀刻速度的差异，但是，通过适当选择其量，同样地可以抑制镍或镍合金的表面氧化，因此可以形成稳定的电路宽度的图案。
本发明的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔中所述耐热层及镍合金层中所含的合计锌含量以金属锌换算期望为30μg/dm2～1000μg/dm2，并且不超过镍的合计量。
低于30μg/dm2时，无耐氧化性(烧灼性改善)效果。另外，超过1000μg/dm2时，效果饱和，并且抵消镍或镍合金的效果。另外，锌层过厚的情况下，铜箔与抗蚀剂间的锌层优先被蚀刻，并且铜层也被蚀刻，因此正常的电路难以形成。因此，以金属锌换算期望设定为30μg/dm2～1000μg/dm2。
另外，电子电路用的压延铜箔或电解铜箔中所述镍或镍合金层中所含的镍量期望设定为100μg/dm2～3000μg/dm2。这是抑制电路蚀刻时产生下弯，进行均匀的电路蚀刻所必需的量。低于100μg/dm2时，该效果不存在。优选为200μg/dm2以上。
另外，上限设定为3000μg/dm2。过多的情况下，在进行软蚀刻时，除去镍或镍合金层的工序的负荷变大，根据情况会产生处理残留物，成为铜电路设计上的障碍。因此，需要设定为上述范围。
另外，本发明的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔中，在设计所述铬层或铬酸盐层的情况下，以金属铬换算的铬量设定为100μg/dm2以下。另外，在形成所述硅烷处理层的情况下，以硅单质换算期望设定为20μg/dm2以下。这是为了抑制产生对图案蚀刻液的蚀刻速度的差异。
但是，适度的量对于防止镍或镍合金层的热氧化是有效的。
另外，本发明可以提供一种电子电路的形成方法，通过对包含压延铜箔或电解铜箔的覆铜箔层压板的该铜箔进行蚀刻而形成电子电路，其特征在于，在铜箔的蚀刻面侧形成作为蚀刻速度比铜低的金属或合金的镍或镍合金层，然后，在该镍或镍合金层上形成包含锌或锌合金或它们的氧化物的耐热层，然后，使用氯化铁水溶液或氯化铜水溶液对该铜箔进行蚀刻而形成电路。
蚀刻液可以使用任意一种，特别是氯化铁水溶液是有效的。这是因为：细微电路的蚀刻耗时，氯化铁水溶液比氯化铜水溶液的蚀刻速度更快。
另外，本发明可以提供一种形成电子电路的方法，通过对包含压延铜箔或电解铜箔的覆铜箔层压板的该铜箔进行蚀刻而形成电子电路，其特征在于，使用氯化铁水溶液或氯化铜水溶液对上述的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔进行蚀刻，将铜的不需要部分除去，从而形成铜的电路。该方法中，可以使用上述的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔中的任意一种。
以下例示优良的镀敷条件。
(镀镍)
Ni：10～40g/L
pH：2.5～3.5
温度：常温～60℃
电流密度Dk：2～50A/dm2
时间：1～4秒
(镀镍-锌合金、其一)
此时，基本上得到金属、合金状态的镀膜。
Ni：5～40g/L
Zn：4～25g/L
pH：3～3.7
温度：常温～60℃
电流密度Dk：2～50A/dm2
时间：1～4秒
(镀镍-锌合金、其二)
此时，Zn包括0价的金属状态和2价的氧化状态(氧化物或氢氧化物)，该镍-锌镀层中合计锌中的0价金属状态的锌的比率为50％以下。另外，镀后通过在浴中保持约1秒～约20秒来控制Zn的化学状态(金属锌/氧化锌比)。
Ni：10～40g/L
Zn：0.5～7g/L
H2SO4：2～20g/L
温度：常温～60℃
电流密度Dk：10～50A/dm2
时间：1～4秒
(镀镍-钴合金)
Ni：1～20g/L
Co：1～20g/L
温度：常温～60℃
电流密度Dk：1～15A/dm2
时间：1～10秒
(镀镍-磷合金)
Ni：50～100g/L
P：1～25g/L
HBO3：0～30g/L
pH：0.5～2.5
温度：常温～95℃
电流密度Dk：5～40A/dm2
时间：1～10秒
(镀镍-钼合金)
Ni：5～25g/L
Mo：0.01～5g/L
Na2P2O7：160g/L
pH：8～9
温度：常温～40℃
电流密度Dk：1～5A/dm2
时间：1～10秒
(镀镍-钨合金)
Ni：1～10g/L
W：20～50g/L
柠檬酸：60g/L
pH：8～9
温度：常温～50℃
电流密度Dk：0.1～5A/dm2
时间：1～10秒
(镀锌)
Zn：1～20g/L
pH：3～3.7
温度：常温～60℃
电流密度Dk：1～15A/dm2
时间：1～10秒
(镀锌-钴合金)
Zn：10～40g/L
Co：10～40g/L
pH：1～4
温度：常温～60℃
电流密度Dk：10～50A/dm2
时间：1～4秒
(镀锌-镍合金)
Zn：0.1～30g/L
Ni：0.1～25g/L
pH：3～4
温度：40～50℃
电流密度Dk：0.5～5A/dm2
时间：1～3秒
(无电镀镍-硼合金)
硫酸镍：25～35g/L
二甲胺硼烷：2～3g/L
乙醇酸：25～35g/L
乙酸：15g/L
pH：6～7
温度：50℃～70℃
(镀铬的条件)
K2Cr2O7(Na2Cr2O7或CrO3)
Cr：40～300g/L
H2SO4：0.5～10.0g/L
浴温：40～60℃
电流密度Dk：0.01～50A/dm2
时间：1～100秒
阳极：Pt-Ti板、不锈钢板、铅板等
(铬酸盐处理条件)
(a)电解铬酸盐处理例
CrO3或K2Cr2O7：1～12g/L
Zn(OH)2或ZnSO4·7H2O：0(0.05)～10g/L
Na2SO4：0(0.05)～20g/L
pH：2.5～12.5
温度：20～60℃
电流密度：0.5～5A/dm2
时间：0.5～20秒
(硅烷处理条件)
从以下各种系列的硅烷中选择。
浓度为0.01重量％～5重量％
种类：烯烃类硅烷、环氧类硅烷、丙烯酸类硅烷、氨基硅烷、巯基类硅烷
将溶解于醇中的硅烷用水稀释到规定的浓度，并涂布到铜箔表面。
(镍的附着量分析方法)
为了分析镍的处理面，用FR-4树脂压制制作相反面，进行掩蔽。将该样品用浓度30％的硝酸溶解直到表面处理被膜溶解，将烧杯中的溶解液稀释到10倍，通过原子吸光分析进行镍的定量分析。
(锌、铬的附着量分析方法)
为了分析处理面，用FR-4树脂压制制作相反面，进行掩蔽。将该样品用浓度10％的盐酸煮沸3分钟使处理层溶解，利用原子吸光分析对该溶液进行锌、铬的定量分析。
另外，关于锌，规定为蚀刻速度低的金属层(A)、耐热层(B)这两层的合计锌量，因此，分析值直接就是两层的锌量。另一方面，关于镍，规定为镍或镍合金层(A)中所含的镍量。耐热层(B)如果为不含镍的锌合金，则通过所述分析方法得到的分析值为镍或镍合金层(A)中所含的镍量。但是，耐热层(B)为含镍的锌合金的情况下，本发明中，以下述方式计算镍或镍合金层(A)中所含的镍量。
作为上述的蚀刻速度低的金属层或合金层(A)与耐热层(B)的区分方法，通过Kratos制造的AXIS-HS得到的深度方向的浓度分布中，例如，图2所示的浓度分布的示意图中，基于以下信息：镍的浓度最大值(峰值)为外(表面)侧、锌的浓度最大值(峰值)为内(铜)侧，可以看出，镍或镍合金层(A)为外，耐热层(B)为内。另外，除O、C以外的元素中，将镍超过50重量％的部分看作镍或镍合金层(A)，镍为50重量％以下的部分看作耐热层(B)，并且由铜为最主要元素的部位看作基础箔。关于镍或镍合金层(A)的镍量，设定从最外层起镍超过50重量％的部分、耐热层(B)的镍量为从镍截止至50重量％的部位直到铜为最主要元素的部位，求出两层的镍量的比率，并由通过分析求出的镍量计算镍或镍合金层(A)的镍量。
(热影响的考虑)
在覆铜箔层压板(CCL)的制造阶段，铜箔受热。由于该热量，设置在铜箔表层的蚀刻改善处理层向铜层扩散。因此，具有最初期待的蚀刻改善效果减弱，蚀刻因子减少的倾向。因此，为了获得与不扩散状态同等的效果，需要考虑CCL制作时铜箔受到的热量，将改善处理层的附着量增至约1.1倍～约2倍。
覆铜箔层压板的铜箔进行蚀刻时，在铜箔的蚀刻面侧形成蚀刻速度比铜低的金属或合金层后，使用氯化铜水溶液或氯化铁水溶液对该铜箔进行蚀刻。
通过在上述条件下进行蚀刻，可以将蚀刻因子调节至2以上，即将铜箔电路的蚀刻侧面与树脂基板间的倾斜角度调节至63度以上。期望可以调节至70度以上。特别期望的倾斜角度为85～90度的范围。由此，可以形成无下弯的矩形蚀刻电路。
(软蚀刻性)
一般而言，关于软蚀刻性，在硫酸-过氧化氢混合体系中浸渍2分钟，并通过外观检查镀敷物是否被除去。作为软蚀刻液的例子，例如使用：硫酸165g/L、过氧化氢21g/L。而且，通常在35℃下进行处理。作为外观观察，将完全除去的情况评价为良好，将观察到除去残留物的情况评价为不良。
软蚀刻中特别应该注意的方面是Ni合金层残留的情况。这样的Ni合金层残留时，有可能镀敷性发生变化。从这样的观点考虑，也需要对软蚀刻性多加注意。
实施例
以下，对本发明的实施例和比较例进行说明。另外，本实施例毕竟仅仅是一个例子，本发明并不限于该例。即，在本发明的技术构思范围内，还包括实施例以外的方式或者变形。
(实施例1)
使用箔厚18μm的压延铜箔。该压延铜箔的表面粗糙度Rz为0.7μm。在上述镀镍条件下，在该压延铜箔上形成1100μg/dm2的镍镀层。然后，在上述的镀锌条件下，在该镍镀层上形成作为耐热层的锌200μg/dm2。
然后，将设置有该锌镀层及镍镀层的面的相反侧作为胶粘面，将铜箔胶粘在树脂基板上。
然后，通过抗蚀剂涂布及曝光工序，印刷10个电路，并且实施用于除去铜箔的不需要部分的蚀刻处理。蚀刻条件、电路形成条件、蚀刻因子的测定条件和烧灼试验如下所述。
(蚀刻条件)
氯化铁水溶液(37重量％、波美度：40°)
液温：50℃
喷雾压力：0.15MPa
(电路形成条件)
电路间距：30μm间距、50μm间距两种，根据铜箔的厚度而变化。本实施例1的情况下，使用18μm厚的铜箔，因此为以下条件。
(50μm间距电路形成)
抗蚀剂L/S＝33μm/17μm，成品电路顶部(上部)宽度：15μm，蚀刻时间：105秒左右
(蚀刻因子的测定条件)
蚀刻因子是指：在以末端变宽的方式进行蚀刻的情况(产生下弯的情况)下，以假定电路被垂直地蚀刻的情况下的从铜箔上表面引的垂线与树脂基板的交点为P点，从该P点开始的下弯长度的距离为a时，该a与铜箔的厚度b之比：b/a。该数值越大，则表示倾斜角越大，不残留蚀刻残渣，并且下弯小。
蚀刻因子(EF)的计算方法的概略如图1所示。如该图1所示，以EF＝b/a进行计算。通过使用该蚀刻因子，可以简单地判断蚀刻性的优劣。
(烧灼试验)
在大气气氛中，在240℃下保持10分钟，确认有无变色。设想的条件为：将设置有该锌镀层及镍镀层的铜箔作为蚀刻侧与树脂基板胶粘，从而得到覆铜箔层压板的条件。
在上述条件下进行蚀刻。结果，从铜电路的侧面的抗蚀剂侧朝向树脂基板侧，基本垂直地进行蚀刻，形成矩形的铜箔电路。然后，测定蚀刻后的铜箔的倾斜角度(该测定值为长100μm的电路中的倾斜角的最小值)。
另外，考查蚀刻因子及镍镀面的氧化变色(烧灼)。以上的结果如表1所示。
如表1所示，左右的倾斜角的平均值为73度，形成大致矩形的铜箔电路。蚀刻因子对于50μm间距而言为3.3。
结果，得到良好的蚀刻电路。另外，镍镀面的氧化变色(烧灼)完全没有观察到。这被认为是，通过在铜箔上的镍镀层上形成的锌镀层，可以防止由与树脂胶粘的工序中的加热引起的镍镀层的氧化变色。
另外，由于该锌镀层的存在，蚀刻因子没有变差，这一点是需要特别指出的。
(实施例2)
使用5μm的电解铜箔。该电解铜箔的表面粗糙度Rz为3μm。在上述镀镍条件下，在该电解铜箔的光泽(S)面上形成850μg/dm2的镍镀层。然后，在上述的镀锌-钴合金条件下，在该镍镀层上形成作为耐热层的锌700μg/dm2。将设置有该镍镀层及锌镀层的铜箔作为蚀刻侧，胶粘在树脂基板上。
然后，与实施例1同样地通过抗蚀剂涂布及曝光工序，印刷10个电路，并且实施用于除去铜箔的不需要部分的蚀刻处理。
除电路形成条件以外，蚀刻条件、蚀刻因子的测定条件和烧灼试验与实施例1同样地实施。关于与实施例1同样的条件，省略记载。
(30μm间距电路形成)
本实施例2的情况下，使用5μm厚的铜箔，因此为如下条件。
抗蚀剂L/S＝25μm/5μm，成品电路顶部(上部)宽度：10μm，蚀刻时间：48秒左右
在上述条件下进行蚀刻。结果，从铜电路的侧面的抗蚀剂侧朝向树脂基板侧，基本垂直地进行蚀刻，形成矩形的铜箔电路。然后，测定蚀刻后的铜箔的倾斜角度(为长100μm的电路中的倾斜角的最小值)。
另外，考查蚀刻因子及镍镀面的氧化变色(烧灼)。以上的结果如表1所示。
如表1所示，左右的倾斜角的平均值为74度，形成大致矩形的铜箔电路。蚀刻因子对于30μm间距而言为3.5。
结果，得到良好的蚀刻电路。另外，镍镀面的氧化变色(烧灼)完全没有观察到。这被认为是，通过在铜箔上的镍镀层上进一步形成的锌镀层，可以防止由与树脂胶粘的工序中的加热引起的镍镀层的氧化变色。
另外，由于该锌镀层的存在，与实施例1同样地，蚀刻因子没有变差。
(实施例3)
使用9μm的压延铜箔。该压延铜箔的表面粗糙度Rz为0.5μm。在上述镀镍-锌合金条件(其一)下，在该压延铜箔面上形成镀层。然后，在上述的镀锌-镍合金条件下，在该镍合金层上形成耐热层。通过分析以及由深度方向的浓度分布计算的两层的比率，得到镍合金层(A)的镍量为1100μg/dm2。另外，镍合金层(A)和耐热层(B)的合计锌量为320μg/dm2。将设置有该镍镀层及锌镀层的面的相反侧作为胶粘面而将铜箔胶粘在树脂基板上。
然后，与实施例1同样地通过抗蚀剂涂布及曝光工序，印刷10个电路，并且实施用于除去铜箔的不需要部分的蚀刻处理。
除电路形成条件以外，蚀刻条件、蚀刻因子的测定条件和烧灼试验与实施例1同样地实施。关于与实施例1同样的条件，省略记载。
(30μm间距电路形成)
抗蚀剂L/S＝25μm/5μm，成品电路顶部(上部)宽度：10μm，蚀刻时间：48秒左右
在上述条件下进行蚀刻。结果，从铜电路的侧面的抗蚀剂侧朝向树脂基板侧，基本垂直地进行蚀刻，形成矩形的铜箔电路。然后，测定蚀刻后的铜箔的倾斜角度(为长100μm的电路中的倾斜角的最小值)。
另外，考查蚀刻因子及镍镀面的氧化变色(烧灼)。以上的结果如表1所示。
如表1所示，左右的倾斜角的平均值为72度，形成大致矩形的铜箔电路。蚀刻因子对于30μm间距而言为3.1。
结果，得到良好的蚀刻电路。另外，镍镀面的氧化变色(烧灼)完全没有观察到。这被认为是，通过在铜箔上的镍镀层上进一步形成的锌镀层，可以防止由与树脂胶粘的工序中的加热引起的镍镀层的氧化变色。
另外，由于该锌镀层的存在，与实施例1同样地，蚀刻因子没有变差。
(实施例4)
使用18μm的压延铜箔。该压延铜箔的表面粗糙度Rz为0.7μm。在上述镀镍-锌合金条件(其二)下，在该压延铜箔面上形成530μg/dm2的镍镀层。然后，在上述的锌-铬酸盐条件下，在该镍合金镀层上形成耐热层。另外，镍合金层(A)和耐热层(B)的合计锌量为120μg/dm2。将设置有该镍镀层及锌镀层的面的相反侧作为胶粘面来将铜箔胶粘在树脂基板上。
然后，与实施例1同样地通过抗蚀剂涂布及曝光工序，印刷10个电路，并且实施用于除去铜箔的不需要部分的蚀刻处理。
除电路形成条件以外，蚀刻条件、蚀刻因子的测定条件和烧灼试验与实施例1同样地实施。关于与实施例1同样的条件，省略记载。
(50μm间距电路形成)
抗蚀剂L/S＝33μm/17μm，成品电路顶部(上部)宽度：15μm，蚀刻时间：105秒左右
在上述条件下进行蚀刻。结果，从铜电路的侧面的抗蚀剂侧朝向树脂基板侧，基本垂直地进行蚀刻，形成矩形的铜箔电路。然后，测定蚀刻后的铜箔的倾斜角度(为长100μm的电路中的倾斜角的最小值)。
另外，考查蚀刻因子及镍镀面的氧化变色(烧灼)。以上的结果如表1所示。
如表1所示，左右的倾斜角的平均值为72度，形成大致矩形的铜箔电路。蚀刻因子对于50μm间距而言为3.0。
结果，得到良好的蚀刻电路。另外，镍镀面的氧化变色(烧灼)完全没有观察到。这被认为是，通过在铜箔上的镍镀层上进一步形成的锌镀层，可以防止由与树脂胶粘的工序中的加热引起的镍镀层的氧化变色。
另外，由于该锌镀层的存在，与实施例1同样地，蚀刻因子没有变差。
(实施例5～实施例8)
以下，在表1所示的条件下，对于实施例5使用5μm厚的电解铜箔、对于实施例6使用9μm厚的压延铜箔、对于实施例7使用18μm厚的压延铜箔、对于实施例8使用5μm厚的电解铜箔，实施蚀刻速度比铜低的各种镍合金镀、作为耐热层的镀锌。对于这些镀镍合金和镀锌，在上述条件下实施。镍合金层(A)的镍量以及镍合金层(A)与耐热层(B)的合计锌量如表1所示。另外，除表1所示的条件以外，在与实施例1同样的条件下实施。
结果，从铜电路的侧面的抗蚀剂侧朝向树脂基板侧，基本垂直地进行蚀刻，形成矩形的铜箔电路。然后，测定蚀刻后的铜箔的倾斜角度(为长100μm的电路中的倾斜角的最小值)。另外，考查蚀刻因子及镍镀面的氧化变色(烧灼)。以上的结果如表1所示。
如表1所示，左右的倾斜角的平均值为68度～75度，形成大致矩形的铜箔电路。蚀刻因子对于30μm间距而言为2.7～3.7，对于50μm间距而言为2.5。结果，得到良好的蚀刻电路。
另外，镍合金镀面的氧化变色(烧灼)完全没有观察到。这被认为是，通过在镍合金镀层上形成的锌镀层，可以防止由与树脂胶粘的工序中的加热引起的镍镀层的氧化变色。另外，由于该锌镀层的存在，与实施例1同样地，蚀刻因子没有变差。
另外，在上述实施例中，实施软蚀刻，对镀残渣进行了观察，但是均未发现残渣，得到良好的结果。
(实施例9～实施例10)
以下，在表1所示的条件下，对于实施例9使用18μm厚的压延铜箔、对于实施例10使用9μm厚的压延铜箔，实施蚀刻速度比铜低的表1所示的镍合金镀、作为耐热层的镀锌。对于这些镀镍合金和镀锌，在上述条件下实施。镍合金层(A)的镍量以及镍合金层(A)与耐热层(B)的合计锌量如表1所示。另外，表1所示的条件以外，在与实施例1同样的条件下实施。
结果，从铜电路的侧面的抗蚀剂侧朝向树脂基板侧，基本垂直地进行蚀刻，形成矩形的铜箔电路。然后，测定蚀刻后的铜箔的倾斜角度(为长100μm的电路中的倾斜角的最小值)。另外，考查蚀刻因子及镍镀面的氧化变色(烧灼)。以上的结果如表1所示。
如表1所示，左右的倾斜角的平均值在实施例9中为72度，在实施例10中为71度，形成大致矩形的铜箔电路。蚀刻因子对于实施例9的50μm间距而言为3.1，对于实施例10的30μm间距而言为2.9。结果，得到良好的蚀刻电路。
另外，镍合金镀面的氧化变色(烧灼)完全没有观察到。这被认为是，通过在镍合金镀层上形成的锌镀层，可以防止由与树脂胶粘的工序中的加热引起的镍镀层的氧化变色。另外，由于该锌镀层的存在，与实施例1同样地，蚀刻因子没有变差。
另外，在上述实施例中，实施软蚀刻，对镀残渣进行了观察，但是均未发现残渣，得到良好的结果。
(比较例1)
使用9μm的压延铜箔。在上述的条件下实施镀镍。该压延铜箔的表面粗糙度Rz为0.5μm。在该压延铜箔上，不实施镀锌，而在上述镀镍条件下形成550μg/dm2的镍镀层。另外，将设置有该镍镀层的面的相反侧作为胶粘面将铜箔胶粘在树脂基板上。
然后，与实施例1同样地通过抗蚀剂涂布及曝光工序，印刷10个电路，并且实施用于除去铜箔的不需要部分的蚀刻处理。
除电路形成条件以外，蚀刻条件、蚀刻因子的测定条件和烧灼试验与实施例1同样地实施。关于与实施例1同样的条件，省略记载。
(30μm间距电路形成)
抗蚀剂L/S＝25μm/5μm，成品电路顶部(上部)宽度：10μm，蚀刻时间：76秒左右
在上述条件下进行蚀刻。结果，从铜电路的侧面的抗蚀剂侧朝向树脂基板侧，基本垂直地进行蚀刻，但是稍微末端变宽地形成铜箔电路。然后，测定蚀刻后的铜箔的倾斜角度(为长100μm的电路中的倾斜角的最小值)。
另外，考查蚀刻因子及镍镀面的氧化变色(烧灼)。以上的结果如表1所示。
如表1所示，左右的倾斜角的平均值为68度，形成大致矩形的铜箔电路。蚀刻因子对于30μm间距而言为2.5。
结果，得到稍微良好的蚀刻电路。但是明显观察到镍镀面的氧化变色(烧灼)。其可能成为作为后续的处理的、图案蚀刻中的蚀刻性不良、短路或电路宽度不良产生的原因。
(比较例2)
使用18μm的压延铜箔。该压延铜箔的表面粗糙度Rz为0.7μm。在该压延铜箔上，形成270μg/dm2的锌镀层。不形成镍镀层，将形成有该锌镀层的铜箔作为蚀刻侧，胶粘在树脂基板上。
然后，与实施例1同样地通过抗蚀剂涂布及曝光工序，印刷10个电路，并且实施用于除去铜箔的不需要部分的蚀刻处理。
除电路形成条件以外，蚀刻条件、蚀刻因子的测定条件和烧灼试验与实施例1同样地实施。关于与实施例1同样的条件，省略记载。
(50μm间距电路形成)
抗蚀剂L/S＝33μm/17μm，成品电路顶部(上部)宽度：15μm，蚀刻时间：105秒左右
在上述条件下进行蚀刻。结果，从铜电路的侧面的抗蚀剂侧朝向树脂基板侧进行蚀刻，但是末端变宽地形成铜箔电路。然后，测定蚀刻后的铜箔的倾斜角度(为长100μm的电路中的倾斜角的最小值)。
另外，考查蚀刻因子及铜箔的氧化变色(烧灼)。以上的结果同样如表1所示。如表1所示，左右的倾斜角的平均值为48度，形成蚀刻性差的梯形的铜箔电路。蚀刻因子对于50μm间距而言为1.1，不良。但是，无铜箔面的氧化变色(烧灼)。
(比较例3)
使用5μm的电解铜箔。该电解铜箔的表面粗糙度Rz为3μm。在该电解铜箔的光泽(S)面上，形成240μg/dm2的锌镀层。在其上不形成镍镀层，将形成有锌镀层的面的相反侧作为胶粘面，将铜箔胶粘在树脂基板上。
然后，与实施例1同样地通过抗蚀剂涂布及曝光工序，印刷10个电路，并且实施用于除去铜箔的不需要部分的蚀刻处理。
除电路形成条件以外，蚀刻条件、蚀刻因子的测定条件和烧灼试验与实施例1同样地实施。关于与实施例1同样的条件，省略记载。
(30μm间距电路形成)
抗蚀剂L/S＝25μm/5μm，成品电路顶部(上部)宽度：15μm，蚀刻时间：48秒左右
在上述条件下进行蚀刻。结果，从铜电路的侧面的抗蚀剂侧朝向树脂基板侧进行蚀刻，但是末端变宽地形成铜箔电路。然后，测定蚀刻后的铜箔的倾斜角度(为长100μm的电路中的倾斜角的最小值)。
另外，考查蚀刻因子及铜箔的氧化变色(烧灼)。以上的结果同样如表1所示。如表1所示，左右的倾斜角的平均值为54度，形成蚀刻性差的梯形的铜箔电路。蚀刻因子对于30μm间距而言为1.4，不良。但是，无铜箔面的氧化变色(烧灼)。
(比较例4)
使用9μm的压延铜箔。该压延铜箔的表面粗糙度Rz为3μm。在上述的镀锌-钴合金条件下，在该压延铜箔上形成270μg/dm2的锌镀层。在其上不形成镍镀层，将形成有锌镀层的面的相反侧作为胶粘面，将铜箔胶粘在树脂基板上。
然后，与实施例1同样地通过抗蚀剂涂布及曝光工序，印刷10个电路，并且实施用于除去铜箔的不需要部分的蚀刻处理。
除电路形成条件以外，蚀刻条件、蚀刻因子的测定条件和烧灼试验与实施例1同样地实施。关于与实施例1同样的条件，省略记载。
(30μm间距电路形成)
抗蚀剂L/S＝25μm/5μm，成品电路顶部(上部)宽度：10μm，蚀刻时间：76秒左右
在上述条件下进行蚀刻。结果，从铜电路的侧面的抗蚀剂侧朝向树脂基板侧进行蚀刻，但是末端变宽地形成铜箔电路。然后，测定蚀刻后的铜箔的倾斜角度(为长100μm的电路中的倾斜角的最小值)。
另外，考查蚀刻因子及铜箔的氧化变色(烧灼)。以上的结果同样如表1所示。如表1所示，左右的倾斜角的平均值为59度，形成蚀刻性差的梯形的铜箔电路。蚀刻因子对于30μm间距而言为1.8，不良。但是，无铜箔面的氧化变色(烧灼)。
(比较例5)
使用18μm的压延铜箔。该压延铜箔的表面粗糙度Rz为0.7μm。在该压延铜箔上形成500μg/dm2的镍镀层，并且在其上形成20μg/dm2的锌镀层。将形成有该镍镀层和锌镀层的面的相反侧作为胶粘面，将铜箔胶粘在树脂基板上。
然后，与实施例1同样地通过抗蚀剂涂布及曝光工序，印刷10个电路，并且实施用于除去铜箔的不需要部分的蚀刻处理。
除电路形成条件以外，蚀刻条件、蚀刻因子的测定条件和烧灼试验与实施例1同样地实施。关于与实施例1同样的条件，省略记载。
(50μm间距电路形成)
抗蚀剂L/S＝33μm/17μm，成品电路顶部(上部)宽度：15μm，蚀刻时间：105秒左右
在上述条件下进行蚀刻。结果，从铜电路的侧面的抗蚀剂侧朝向树脂基板侧进行蚀刻，但是末端变宽地形成铜箔电路。然后，测定蚀刻后的铜箔的倾斜角度(为长100μm的电路中的倾斜角的最小值)。
另外，考查蚀刻因子及镍镀面的氧化变色(烧灼)。以上的结果同样如表1所示。如表1所示，左右的倾斜角的平均值为68度，形成大致矩形的铜箔电路。蚀刻因子对于50μm间距而言为2.5。
结果，得到稍好的蚀刻电路。但是，由于锌量少，因此镍镀面的氧化变色(烧灼)显著显现。这可能会成为作为后续的处理的、图案蚀刻中的蚀刻性不良、短路或电路宽度不良产生的原因。
(比较例6)
在比较例6中，使用5μm厚的电解铜箔。通过上述镀镍-锌合金条件(其一)，在该电解铜箔上形成80μg/dm2的镍镀层，再在其上形成锌镀层。镍合金层(A)与耐热层(B)的合计锌量为100μg/dm2。将形成有该镍镀层和锌镀层的面的相反侧作为胶粘面，将铜箔胶粘在树脂基板上。
然后，与实施例1同样地通过抗蚀剂涂布及曝光工序，印刷10个电路，并且实施用于除去铜箔的不需要部分的蚀刻处理。
除电路形成条件以外，蚀刻条件、蚀刻因子的测定条件和烧灼试验与实施例1同样地实施。关于与实施例1同样的条件，省略记载。
(30μm间距电路形成)
抗蚀剂L/S＝33μm/17μm，成品电路顶部(上部)宽度：15μm，蚀刻时间：105秒左右
在上述条件下进行蚀刻。结果，从铜电路的侧面的抗蚀剂侧朝向树脂基板侧进行蚀刻，但是末端变宽地形成铜箔电路。然后，测定蚀刻后的铜箔的倾斜角度(为长100μm的电路中的倾斜角的最小值)。
另外，考查蚀刻因子及镍镀面的氧化变色(烧灼)。以上的结果同样如表1所示。如表1所示，铜箔面无氧化变色(烧灼)，但是，左右的倾斜角的平均值为58度，形成蚀刻性差的梯形的铜箔电路。蚀刻因子对于30μm间距而言为1.6，不良。
这被认为是由于锌的合计量比Ni量多，从而产生蚀刻不良。因此，锌量需要进行适度限制。
(比较例7)
在比较例7中，使用9μm厚的压延铜箔。在该压延铜箔上形成1000μg/dm2的镍镀层，并且在其上形成1500μg/dm2的锌镀层。将形成有该镍镀层和锌镀层的面的相反侧作为胶粘面，将铜箔胶粘在树脂基板上。
然后，与实施例1同样地通过抗蚀剂涂布及曝光工序，印刷10个电路，并且实施用于除去铜箔的不需要部分的蚀刻处理。
除电路形成条件以外，蚀刻条件、蚀刻因子的测定条件和烧灼试验与实施例1同样地实施。关于与实施例1同样的条件，省略记载。
(50μm间距电路形成)
抗蚀剂L/S＝33μm/17μm，成品电路顶部(上部)宽度：15μm，蚀刻时间：105秒左右
在上述条件下进行蚀刻。结果，不能通过蚀刻进行电路形成。这是因为，由于锌层过厚，因此铜箔与抗蚀剂间的锌层被优先蚀刻，为了再使铜层也被蚀刻，正常的电路难以做到。因此，锌量需要适度地限制。
(比较例8)
在比较例8中，使用18μm厚的压延铜箔。在该压延铜箔上形成3500μg/dm2的镍镀层，并且在其上形成100μg/dm2的锌镀层。将形成有该镍镀层和锌镀层的面的相反侧作为胶粘面，将铜箔胶粘在树脂基板上。
然后，与实施例1同样地通过抗蚀剂涂布及曝光工序，印刷10个电路，并且实施用于除去铜箔的不需要部分的蚀刻处理。
除电路形成条件以外，蚀刻条件、蚀刻因子的测定条件和烧灼试验与实施例1同样地实施。关于与实施例1同样的条件，省略记载。
(50μm间距电路形成)
抗蚀剂L/S＝33μm/17μm，成品电路顶部(上部)宽度：15μm，蚀刻时间：105秒左右
在上述条件下进行蚀刻。结果，从铜电路的侧面的抗蚀剂侧朝向树脂基板侧进行蚀刻。然后，测定蚀刻后的铜箔的倾斜角度(为长100μm的电路中的倾斜角的最小值)。
另外，考查蚀刻因子及镍镀面的氧化变色(烧灼)。以上的结果同样如表1所示。如表1所示，铜箔面无氧化变色(烧灼)，左右的倾斜角的平均值为74度，蚀刻因子对于50μm间距而言为3.6，良好。
但是，软蚀刻性不良。这可以确认是由于Ni量过量存在。因此，镍量需要进行适度限制。
(比较例9)
在比较例9中，使用5μm厚的电解铜箔。在该电解铜箔上形成300μg/dm2的镍-锌合金镀层，再在其上形成锌镀层。镍合金层(A)与耐热层(B)的合计锌量为800μg/dm2。将形成有该镍合金镀层和锌镀层的面的相反侧作为胶粘面，将铜箔胶粘在树脂基板上。
然后，与实施例1同样地通过抗蚀剂涂布及曝光工序，印刷10个电路，并且实施用于除去铜箔的不需要部分的蚀刻处理。
除电路形成条件以外，蚀刻条件、蚀刻因子的测定条件和烧灼试验与实施例1同样地实施。关于与实施例1同样的条件，省略记载。
(30μm间距电路形成)
抗蚀剂L/S＝33μm/17μm，成品电路顶部(上部)宽度：15μm，蚀刻时间：105秒左右
在上述条件下进行蚀刻。结果，从铜电路的侧面的抗蚀剂侧朝向树脂基板侧进行蚀刻，末端变宽地形成铜箔电路。然后，测定蚀刻后的铜箔的倾斜角度(为长100μm的电路中的倾斜角的最小值)。另外，考查蚀刻因子及镍镀面的氧化变色(烧灼)。
以上的结果如表1所示。如表1所示，铜箔面无氧化变色(烧灼)，软蚀刻性也良好，但是，左右的倾斜角的平均值为56度，蚀刻因子对于30μm间距而言为1.5，不良。这被认为是由于镍合金层(A)中的Ni比率少的缘故。因此，可以确认，Ni比的适度值是必要的。
从表1可知，在具有在铜箔上形成的蚀刻速度比铜低的镍或镍合金层、以及在其上形成的包含锌或锌合金或它们的氧化物的耐热层的情况下，压延铜箔或电解铜箔均可以形成大致矩形的铜箔电路，得到极其良好的蚀刻电路。
与此相对，如果不满足本申请发明的条件，则下弯大，形成梯形的铜箔电路，蚀刻不良。另外，如果不设置锌或锌合金层，则观察到产生烧灼。
在实施例中，确认了镍层和镍合金层有效。与合金层相比，镍单独层的镀敷液及镀敷条件的管理更容易。
Figure BPA00001391812600341
产业实用性
本发明具有如下效果：在通过铜箔的蚀刻形成电路时，可以形成目标电路的宽度更均匀的电路；防止产生蚀刻造成的下弯，可以缩短通过蚀刻形成电路的时间，并且，可以尽力地减小镍或镍合金层的厚度，从而可以通过软蚀刻容易地将其除去，并且可以防止蚀刻后的覆盖层的溶解残留物，并且可以在受热时抑制氧化，可以防止通称“烧灼”的变色。由此，可以提高图案蚀刻中的蚀刻性，可以防止短路或电路宽度不良的产生，因此，可以应用于覆铜箔层压板(硬质和软质)，用于形成印刷基板的电子电路。

Claims (11)

1.一种电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其通过蚀刻进行电路形成，其特征在于，具有在该压延铜箔或电解铜箔的蚀刻面侧形成的蚀刻速度比铜低的镍或镍合金层(A)以及在该镍或镍合金层(A)上形成的包含锌或锌合金或它们的氧化物的耐热层(B)。
2.如权利要求1所述的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其特征在于，所述耐热层(B)是包含锌或锌合金的层，该锌合金含有选自镍、钴或铬中的至少一种以上元素作为合金元素。
3.如权利要求1或2所述的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其特征在于，所述蚀刻速度比铜低的合金为镍合金时，该镍合金层(A)中的镍比率超过50重量％。
4.如权利要求1～3中任一项所述的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其特征在于，所述蚀刻速度比铜低的合金为镍合金时，该镍合金中所含的合金成分为锌或钴。
5.如权利要求1～4中任一项所述的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其特征在于，所述耐热层(B)及镍合金层(A)中所含的合计锌含量以金属锌换算为30μg/dm2～1000μg/dm2，并且不超过镍的合计量。
6.如权利要求1～5中任一项所述的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其特征在于，所述镍或镍合金层(A)中所含的镍量为100μg/dm2～3000μg/dm2。
7.如权利要求1～6中任一项所述的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其特征在于，在所述耐热层(B)上，还具有铬层或铬酸盐层和/或硅烷处理层。
8.如权利要求7所述的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其特征在于，具有所述铬层或铬酸盐层时，铬量以金属铬换算为100μg/dm2以下。
9.如权利要求7所述的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔，其特征在于，具有所述硅烷处理层时，以硅单质换算为20μg/dm2以下。
10.一种形成电子电路的方法，通过对包含压延铜箔或电解铜箔的覆铜箔层压板的该铜箔进行蚀刻而形成电子电路，其特征在于，在铜箔的蚀刻面侧形成作为蚀刻速度比铜低的金属或合金的镍或镍合金层(A)，然后，在该镍或镍合金层(A)上形成包含锌或锌合金或它们的氧化物的耐热层(B)，然后，使用氯化铁水溶液或氯化铜水溶液对该铜箔进行蚀刻，将铜的不需要部分除去，从而形成铜的电路。
11.一种形成电子电路的方法，通过对包含压延铜箔或电解铜箔的覆铜箔层压板的该铜箔进行蚀刻而形成电子电路，其特征在于，使用氯化铁水溶液或氯化铜水溶液对权利要求1～9的电子电路用的压延铜箔或电解铜箔进行蚀刻，将铜的不需要部分除去，从而形成铜的电路。
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