JP2019151583A - エピガロカテキンを含むオリゴマーおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)下記一般式(VI)(式中、R1〜R23はフェノール性水酸基の保護基として使用される基の中からそれぞれ独立して選択される任意の保護基または水素、X1〜X2はアルコール性水酸基の保護基として使用される基の中からそれぞれ独立して選択される任意の保護基または水素、nは1以上10以下の整数)で表される化合物。
(2)前記R1〜R23が、それぞれ独立して、芳香族炭化水素基又は脂肪族炭化水素基である、(1)に記載の化合物。
(3)前記X1およびX2が、それぞれ独立して、アシル基、置換アシル基、ベンジル基、置換ベンジル基、アルキル基、アリールアルキル基又は置換アリールアルキル基である、(1)または(2)に記載の化合物。
(4)下記一般式(VII)で表される、(1)に記載の化合物。
(5)(1)に記載の化合物を製造する製造方法であって、下記一般式(I)(式中、R1〜R10はフェノール性水酸基の保護基として使用される基の中からそれぞれ独立して選択される任意の保護基、X1〜X2はアルコール性水酸基の保護基として使用される基の中からそれぞれ独立して選択される任意の保護基、Yは脱離基)で表される化合物を、下記一般式(V−1)または(V−2)(式中、R11〜R24はフェノール性水酸基の保護基として使用される基の中からそれぞれ独立して選択される任意の保護基、nは1以上9以下の整数)で表される化合物と縮合させる工程を含む、製造方法。
(7)前記Yがエチレングリコールである、(6)に記載の製造方法。
(8)前記縮合をルイス酸の存在下で行う、(5)〜(7)のいずれかに記載の製造方法。
(9)前記ルイス酸はイッテルビウムトリフラート(Yb(OTf)3)である、(8)に記載の製造方法。
(10)前記縮合を0°C以上23°C以下で行う、(5)〜(9)のいずれかに記載の製造方法。
(11)前記R1〜R24及び前記X1〜X2で表される保護基を脱保護する反応工程を更に含む、(5)に記載の製造方法。
(12)下記一般式(III)(式中、R1〜R14はフェノール性水酸基の保護基として使用される基の中からそれぞれ独立して選択される任意の保護基または水素、X1〜X2はアルコール性水酸基の保護基として使用される基の中からそれぞれ独立して選択される任意の保護基または水素、波線で表される結合は実線または破線のくさび形結合)で表される化合物。
(14)前記X1およびX2が、それぞれ独立して、アシル基、置換アシル基、ベンジル基、置換ベンジル基、アルキル基、アリールアルキル基又は置換アリールアルキル基である、(12)または(13)に記載の化合物。
(15)前記Zが、水酸基、又は水素である、(12)〜(14)のいずれかに記載の化合物。
(16)下記一般式(IV)で表される、(12)に記載の化合物。
(19)前記縮合をルイス酸の存在下で行う、(17)または(18)に記載の製造方法。
(20)前記ルイス酸はイッテルビウムトリフラート(Yb(OTf)3)である、(19)に記載の製造方法。
(21)前記縮合を0°C以上23°C以下で行う、(17)〜(20)のいずれかに記載の製造方法。
(22)前記R1〜R14及び前記X1〜X2で表される保護基を脱保護する反応工程を更に含む、(17)に記載の製造方法。
本実施形態に係る化合物は、下記一般式(VI)で表される。ここで、式(VI)中、R1〜R23はフェノール性水酸基の保護基として使用される基の中からそれぞれ独立して選択される任意の保護基または水素、X1〜X2はアルコール性水酸基の保護基として使用される基の中からそれぞれ独立して選択される任意の保護基または水素、nは1以上の整数、を表す。なお、本実施形態において、エピガロカテキン4、5量体に限定されることはない。
本実施形態に係る製造方法は、例えば、下記一般式(I)で表される化合物を、下記一般式(V−1)または(V−2)で表される化合物と縮合させる工程を含む。ここで、式(I)中、R1〜R10はフェノール性水酸基の保護基として使用される基の中からそれぞれ独立して選択される任意の保護基、X1〜X2はアルコール性水酸基の保護基として使用される基の中からそれぞれ独立して選択される任意の保護基、Yは脱離基、を表す。また、式(V−1)または(V−2)中、R11〜R24はフェノール性水酸基の保護基として使用される基の中からそれぞれ独立して選択される任意の保護基、nは1以上の整数、を表す。
図1に本発明の実施形態における縮合反応の機構を示す。図1において、まずルイス酸がアセチル基及び求電子部位であるアルコキシル基の酸素原子に配位し、アルコキシ基を活性化して脱離する。次に、アセチル基の隣接基関与により立体選択的に求電子部位が活性化され、電子密度の高い求核体の8位が求電子体の4’位を攻撃することで、オリゴマーが生成される。
本実施形態に係る製造方法は、任意の工程として、第一縮合工程で得られた一般式(VI)で表される化合物のフェノール性水酸基の保護基及びアルコール性水酸基の保護基を脱保護すること(以下「脱保護工程」ともいう)により、一般式(VII)で表される化合物が製造される。ここで、一般式(VII)中、括弧内の構造の繰り返しであるnは1または2以上の整数を表す。
本発明の第2の実施形態に係る化合物は、例えば、一般式(III)で表される。
まずは自己縮合2量体である求電子体を系内(フラスコ内)で調製するが、調整例1では、便宜上4量体の合成方法を説明した(後述)図3を流用して説明する。図3において、一般式(a)で表されるエピガロカテキンガレート(EGCG)より3工程で調製したエピガロカテキン誘導体(1量体)を製造原料として用い、一般式(b)で表されるような2量体が生成される。反応触媒として2.0当量のZn(OTf)2を用いて室温下(20°C)に2時間反応させた。さらに、調製した生成物を単離・精製せずにone−potで2当量のYb(OTf)3を用いて活性化し、室温下(20°C)に20時間エピガロカテキン由来の求核剤と反応させることによりエピガロカテキン3量体縮合物が2工程51%の収率で得られた。
反応触媒と反応時間を以下の条件にそれぞれ換えたことを除き、調製例1と同様の条件でエピガロカテキン3量体を調製した。換えた条件と得られた結果をまとめて以下の表1に示す。
表1より、反応触媒として2当量のYb(OTf)3を用いることにより、収率が上ることが明らかになった。
調整例1の場合と同様、一般式(a)で表されるエピガロカテキンガレ−ト(EGCG)より3工程で調製したエピガロカテキン誘導体(1量体)を製造原料として用い、反応触媒として2.0当量のZn(OTf)2を用いて室温下(20°C)に2時間反応させることにより、自己縮合2量体である求電子体を系内(フラスコ内)で調製できる。調製した生成物を単離・精製せずにone−potで2当量のZn(OTf)2を用いて活性化し、室温下(20°C)に20時間カテキン由来の求核剤と反応させることによりエピガロカテキン−エピガロカテキン−カテキン縮合物が2工程47%の収率で得られた。
反応触媒と反応時間を以下の条件にそれぞれ換えたことを除き、調製例2と同様の条件でエピガロカテキン−エピガロカテキン−カテキンを調製した。換えた条件と得られた結果をまとめて以下の表2に示す。
調整例1の場合と同様、一般式(a)で表されるエピガロカテキンガレ−ト(EGCG)より3工程で調製したエピガロカテキン誘導体(1量体)を製造原料として用い、反応触媒として2.0当量のZn(OTf)2を用いて室温下(20°C)に2時間反応させることにより、自己縮合2量体である求電子体を系内(フラスコ内)で調製できる。この化合物を単離・精製せずにone−potで2当量のYb(OTf)3を用いて活性化し、室温下(20°C)に20時間エピカテキン由来の求核剤と反応させることによりエピガロカテキン−エピガロカテキン−エピカテキン縮合物が2工程42%の収率で得られた。
図3に示すように、一般式(a)で表されるエピガロカテキンガレ−ト(EGCG)より3工程で調製したエピガロカテキン誘導体(1量体)を製造原料として用い、反応触媒として0.8当量のZn(OTf)2を用いて室温下(20°C)に2時間反応させることにより、自己縮合2量体である求電子体を調製できる。この化合物を単離・精製し、5当量のYb(OTf)3を用いて活性化し、室温下(20°C)に20時間エピガロカテキン由来の求核剤(c)と反応させることにより一般式(d)で表されるエピガロカテキン4量体縮合物が45%の収率で得られた。
反応触媒と反応時間を以下の条件にそれぞれ換えたことを除き、調製例4と同様の条件でエピガロカテキン4量体を調製した。換えた条件と得られた結果をまとめて以下の表3に示す。
図4に示すように一般式(a)で表されるエピガロカテキンガレ−ト(EGCG)より3工程で調製したエピガロカテキン誘導体(1量体)を製造原料として用い、反応触媒として0.8当量のZn(OTf)2を用いて室温下(20°C)に2時間反応させることにより、自己縮合2量体である求電子体を調製できる。この化合物を単離・精製し、5当量のYb(OTf)3を用いて活性化し、室温下(20°C)に20時間エピガロカテキン3量体の求核剤(e)と反応させることにより一般式(f)で表されるエピガロカテキン5量体縮合物が30%の収率で得られた。
反応触媒と反応時間を以下の条件にそれぞれ換えたことを除き、調製例5と同様の条件でエピガロカテキン5量体を調製した。換えた条件と得られた結果をまとめて以下の表に示す。
Claims (22)
- 下記一般式(VI)(式中、R1〜R23はフェノ−ル性水酸基の保護基として使用される基の中からそれぞれ独立して選択される任意の保護基または水素、X1〜X2はアルコ−ル性水酸基の保護基として使用される基の中からそれぞれ独立して選択される任意の保護基または水素、nは1以上10以下の整数)で表される化合物。
- 前記R1〜R23が、それぞれ独立して、芳香族炭化水素基又は脂肪族炭化水素基である、請求項1に記載の化合物。
- 前記X1およびX2が、それぞれ独立して、アシル基、置換アシル基、ベンジル基、置換ベンジル基、アルキル基、アリ−ルアルキル基又は置換アリ−ルアルキル基である、請求項1または2に記載の化合物。
- 下記一般式(VII)で表される、請求項1に記載の化合物。
- 請求項1に記載の化合物を製造する製造方法であって、
下記一般式(I)(式中、R1〜R10はフェノ−ル性水酸基の保護基として使用される基の中からそれぞれ独立して選択される任意の保護基、X1〜X2はアルコ−ル性水酸基の保護基として使用される基の中からそれぞれ独立して選択される任意の保護基、Yは脱離基)で表される化合物を、下記一般式(V−1)または(V−2) (式中、R11〜R24はフェノ−ル性水酸基の保護基として使用される基の中からそれぞれ独立して選択される任意の保護基、nは1以上9以下の整数)で表される化合物と縮合させる工程を含む、製造方法。
- 前記Yが、アルキルオキシ基、アルキルオキシアルキルオキシ基又はアリ−ルアルキルオキシ基である、請求項5に記載の製造方法。
- 前記Yがエチレングリコ−ルである、請求項6に記載の製造方法。
- 前記縮合をルイス酸の存在下で行う、請求項5〜7のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記ルイス酸はイッテルビウムトリフラ−ト(Yb(OTf)3)である、請求項8に記載の製造方法。
- 前記縮合を0℃以上23℃以下で行う、請求項5〜9のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記R1〜R24及び前記X1〜X2で表される保護基を脱保護する反応工程を更に含む、請求項5に記載の製造方法。
- 下記一般式(III)(式中、R1〜R14はフェノ−ル性水酸基の保護基として使用される基の中からそれぞれ独立して選択される任意の保護基または水素、X1〜X2はアルコ−ル性水酸基の保護基として使用される基の中からそれぞれ独立して選択される任意の保護基または水素、波線で表される結合は実線または破線のくさび形結合)で表される化合物。
- 前記R1〜R14が、それぞれ独立して、芳香族炭化水素基又は脂肪族炭化水素基である、請求項12に記載の化合物。
- 前記X1およびX2が、それぞれ独立して、アシル基、置換アシル基、ベンジル基、置換ベンジル基、アルキル基、アリ−ルアルキル基又は置換アリ−ルアルキル基である、請求項12または13に記載の化合物。
- 前記Zが、水酸基、又は水素である、請求項12〜14のいずれか一項に記載の化合物。
- 下記一般式(IV)で表される、請求項12に記載の化合物。
- 請求項12に記載の化合物を製造する方法であって、
下記一般式(I) (式中、R1〜R10はフェノ−ル性水酸基の保護基として使用される基の中からそれぞれ独立して選択される任意の保護基、X1〜X2はアルコ−ル性水酸基の保護基として使用される基の中からそれぞれ独立して選択される任意の保護基、Yは脱離基)で表される化合物を、単離・精製することなく、下記一般式(II) (式中、R11〜R14はフェノ−ル性水酸基の保護基として使用される基の中からそれぞれ独立して選択される任意の保護基、Zは水酸基または水素、波線で表される結合は実線又は破線のくさび形結合) で表される化合物と縮合させる工程を含む、製造方法。
- 前記Yが、アルキルオキシ基、アルキルオキシアルキルオキシ基又はアリ−ルアルキルオキシ基である、請求項17に記載の化合物。
- 前記縮合をルイス酸の存在下で行う、請求項17または18に記載の製造方法。
- 前記ルイス酸はイッテルビウムトリフラ−ト(Yb(OTf)3)である、請求項19に記載の製造方法。
- 前記縮合を0℃以上23℃以下で行う、請求項17〜21のいずれか一項に記載に記載の製造方法。
- 前記R1〜R14及び前記X1〜X2で表される保護基を脱保護する反応工程を更に含む、請求項17に記載の製造方法。
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