JP2019119935A - 銅箔付き高速プリント回路基板製品用の表面処理銅箔及び製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】１００ＭＨｚまたはより高い程度の高速回路用の表面処理銅箔および銅張積層板からのプリント回路基板（ＰＣＢ）を形成する方法。【解決手段】電解銅箔３０のドラム面３８に銅ノジュールを有する反転処理層を含有することで積層面６０を形成し、当該積層面を誘電材料に積層させた銅張積層板を形成する表面処理銅箔。例えば、パソコンと、携帯電話およびウェアラブルを含む移動通信装置と、自動車およびトラックを含む車両と、飛行機、無人機、ミサイルを含む有人と無人の乗り物を含む航空装置と、人工衛星、宇宙船、宇宙ステーションおよび地球外の生息地を含む宇宙機器など、高速信号が使用され電子デバイスに適用することができる銅張積層板およびＰＣＢ。【選択図】図６

Description

本開示は、１００ＭＨｚ程度またはより高い高周波電気信号を直ちに送信し、電流が導体の表面のみを通過する表皮効果（ｓｋｉｎ ｅｆｆｅｃｔ）を低減する銅箔を開示する。また、前記銅箔および電子回路を組み込むプリント回路基板（ＰＣＢ）および前記銅箔を組み込む装置も開示する。前記銅箔の製造方法および前記銅箔を組み込む製品の製造方法も開示する。

より高い周波高速信号は、新たな電子装置に求められており、例えば、パソコンと、携帯電話とウェアラブルを含む移動通信装置と、自動車およびトラックを含む車両と、飛行機、無人機、ミサイルを含む有人と無人の乗り物を含む航空装置と、人工衛星、宇宙船、宇宙ステーションおよび地球外の生息地を含む宇宙機器とが挙げられる。電気信号は１０ＭＨｚ程度で従来の銅箔を通過するとき、信号経路は、通常、図１に示すように銅箔本体を通過する。電流は、表面プロファイル下にトンネルし、導体全体を通過することができる。ただし、図２に示すように、電気信号の周波数が１００ＭＨｚまたはそれ以上まで増加する場合、電流が導体の表面のみを通過する表皮効果は顕著になる。ここで、電流は、表面プロファイルの各ピークおよびトラフに行進するように強制されるので、経路の長さと抵抗と両者とも増加してしまう。

電解銅箔の製造において、ドラムは、その下の部分を液体電解タンクに浸漬させるように、水平軸を中心に回転する。電解タンクは、銅を含む溶液を包含する。電流を前記タンクに印加する場合、陽極として不溶性金属（ｉｎｓｏｌｕｂｌｅ ｍｅｔａｌ ａｎｏｄｅ）及び陰極としてドラムを使用すると、図３に示すように、溶液中の銅はドラムの外表面にメッキされ、また、銅箔としてドラムから分離する。従来の電解銅箔は、通常「ドラム面」（すなわち、銅箔形成において銅箔がドラムと隣接する部分）を有すると説明する。当該「ドラム面」は、当技術分野において、たまに「光沢面」と呼ばれる場合もある。電解銅箔のドラム面の反対面は、「析出面」と呼ばれる（「析出面」は、銅箔のドラム面が反映するドラム表面と異なり、固体表面を持たず、液体電解タンクに形成するため、当業者に時々「粗面」と呼ばれる）。したがって、図４に概略的に示すように、析出面の表面構造は、通常ドラム面に対してより不規則である。この不規則性は「表面粗度」と呼ばれ、測定できる。表面粗度を測定できる他のシステムもあるが、本明細書及び請求の範囲にわたって、表面粗度はＲｚ標準として測定して表示している。すべての表面粗度の測定システムが同様であるというわけはない。この標準により、その測定結果は１０ポイント（ｐｏｉｎｔ）の平均値で示す。

銅張積層板（ＰＣＢの前駆体）に組み込むための通常処理された銅箔は、銅箔とポリマー材料との接着をサポートするために、その析出面に添加されているノジュールを付加しており、銅箔は銅張積層板のポリマー材料に積層している。図５Ａに概略的に示すように、銅箔とポリマー材料と接着している銅箔の析出面を「積層面」と呼ぶ。図５Ａに概略的に示すように、ノジュールは、銅箔の析出面の表面の不規則の上昇部分（「ピーク」）に析出する傾向がある。パターンに形成されるレジストは銅箔のレジスト面に置かれるため、銅箔との反対面（すなわち、積層面に対する銅箔のドラム面）は「レジスト面」と呼ばれ、当該レジスト面は、酸性あるいはアルカリ溶液で銅箔の暴露部（すなわち、銅箔のレジストに被覆されてない部分）の一部分をエッチングすることにより、ＰＣＢプリント回路を形成する。ただし、図５Ｂに示すように、先行技術において、１００ＭＨｚ程度またはより高い高周波信号の表皮効果が、ノジュールで処理された析出面を有する銅箔および当該銅箔を含むいずれのＰＣＢを通過させようとするとき、電気信号経路は表皮効果により、かなり弱くなる。

したがって、先行技術は、銅箔、当該銅箔を含むＰＣＢおよび当該ＰＣＢを含む電子製品を通して、１００ＭＨｚ程度またはより高い高周波信号を送信する効率的な方法が欠けている。

本明細書に開示の実施例は、先行技術における長期にわたって求められているニーズに対する解決方法を提供する。

本発明の実施例に係る「反転処理」銅箔（「ＲＴＦ」）は、銅箔のドラム面にノジュールが析出している。銅箔のノジュールで処理されたドラム面は、これから「積層面」、あるいは銅張積層板のポリマー成分と接触する面になる。銅箔の対向する析出面は、これからレジストを施される面になるため、図６に示すように、レジスト面と呼ばれる。

鋭意研究した結果、本発明者らは、１．５〜３．１μｍの範囲にある表面粗度（Ｒｚ）を有し、１５％〜３０％の範囲にある５７０ｎｍと６１０ｎｍとの反射率の差を有する、ドラム面にノジュール処理を有する銅箔は、前記信号損失問題を解決できることを発見した。特定の実施例において、５７０ｎｍと６１０ｎｍとの反射率の差は２０％〜３０％の範囲にある。この特定なタイプの銅箔を製造するために、銅箔のノジュールで処理されたドラム面は、低表面粗度（Ｒｚ）を有することが必要であることだけではなく、反転処理された銅箔により、銅箔のドラム面に形成されたノジュールの分布は、ランダムになることが必要である。銅箔のドラム面を製造するためのドラム表面の表面形態は重要な要素である。非ランダムまたは配向のノジュールは、信号損失が顕著に増加してしまうので、ノジュールの分布はランダムでなければならない。ゆえに、銅箔のドラム面を形成するドラムの表面形態と連結する銅箔のドラム面におけるノジュールの非ランダム分布は、信号損失に寄与し、信号損失をもたらす可能性がある。本開示の実施例は、信号損失につながる二つの原因を解消する。

通常、ドラムは純チタニウで製造される。ただし、酸を含むタンクに使うとき、ドラムの表面に不純物、例えば酸化して形成された酸化チタン（ＴｉＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ₂）およびそれらの組み合わせが累積するので、ドラムの表面平滑度が劣化してしまう。不定長の銅箔を製造する過程において、ドラムの表面平滑度を維持するために、発明者は、研磨バフを制御する方式で、ドラムの表面に断続的に適用することで、系統的（ｓｙｓｔｅｍａｔｉｃ ｍａｎｎｅｒ）に不純物を除去する方法を図った。研磨バフは、銅箔を形成する過程に適用できるが、研磨バフを利用して表面不純物を除去する制御方式は、ドラムがオフラインであるとき、例えば工場が定期なメンテナンスのために休むとき、あるいは、ドラムが銅箔を製造しない他のときも適用できる。表面不純物を効果的に除去するために、研磨バフをドラムに制御方式で適用する必要があるだけではなく、研磨バフの適用は、必ず、ドラムまたはドラム表面自身にくぼみあるいは他のタイプの不純物の配向を生じさせてはならず、銅箔のドラム面に適用し、最終的に箔のドラム面に形成されるノジュールに適用することができる。研磨バフをドラムに適用してドラムの表面から不純物を除去する際に、ドラムに異方性またはランダム表面を形成することが好ましい。

ここで開示する銅箔の製造方法は、実施例に係る銅箔の他の表面処理を含む。

銅張積層板の形成方法、および当該銅張積層板を組み込むＰＣＢ、ならびに当該ＰＣＢを組み込む電子製品も開示する。

先行技術による銅箔を通過する１０ＭＨｚ信号の信号経路を概略的に示す。 先行技術による銅箔を通過する１００ＭＨｚ信号の信号経路を概略的に示す。 銅箔を電解形成するための従来の装置の概略図を概略的に示す。 銅箔のドラム面に対して銅箔の析出面の相対粗度を概略的に示す。 ノジュールが施された積層面（析出面）を有する先行技術により製造された銅箔であって、銅箔の積層面およびレジスト面を概略的に示す。 図５Ａの銅箔を１００ＭＨｚ程度である周波数で通過する信号経路を概略的に示す。 本開示による反転処理された銅箔（「ＲＴＦ」）を概略的に示す。 銅箔のドラム面に均一に分布されたノジュールを概略的に示すとともに均一に分布された銅ノジュールの顕微鏡写真である。 銅箔のドラム面に不均一に分布されたノジュールを概略的に示すとともに不均一に分布された銅ノジュールの顕微鏡写真である。 ドラムの平滑表面に形成された電解銅箔の顕微鏡写真である。 図９Ａに示す電解銅箔に形成されたノジュールの顕微鏡写真である。 ドラムの不規則な表面から形成された電解銅箔の顕微鏡写真である。 図１０Ａに示す電解銅箔に形成されたノジュールの顕微鏡写真である。 銅箔を形成する過程において、陰極ドラムに研磨バフを利用することを概略的に示す。 銀、金および銅の金属の反射波長のグラフ表示である。 研磨特性を区別するために使用される単方向照明システム（Ｕｎｉｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ）を概略的に示す。 研磨特性を区別するために使用される拡散照明積分球システム（Ｄｉｆｆｕｓｅｄ Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｎｇ Ｓｐｈｅｒｅ Ｓｙｓｔｅｍ）を概略的に示す。 一つの実施例において、銅箔のドラム面を一次的に処理するために電極を設置することで、表面処理銅箔の製造方法を概略的に示す。

すべての図面において、同様な要素はほかの図に同じ符号を使用することができる。本明細書において、「電解銅箔」という用語は、未処理銅箔（ｂａｒｅ ｃｏｐｐｅｒ ｆｏｉｌ）であって、銅含有溶液から電流の作用でドラムに電解析出で形成された銅箔を分離したものである。未処理銅箔は、これから下記のように様々な表面処理に施されることができる。

図１に示すように、矢印１１は銅箔１２を通過する信号経路の方向を示し、電流は、矢印１０に示すように、銅箔１２の本体をトンネルすることができ、通常、信号の周波数が１０ＭＨｚ程度である場合は、銅箔１２本体を通過する。しかしながら、図２に示すように、銅箔２２中の信号の周波数が１００ＭＨｚまたはそれより高いである場合、電流は銅箔２２の本体を通過しない。図２に示すように、矢印１９は信号経路の方向を示す。ここで、電流は銅箔２２の表皮を通過する傾向がある。図２における銅箔２２の表皮は、ドラムの表面２６および析出面２４の表面を示す。したがって、図２に示すように、電流は矢印２０に示すように、ドラムの表面２６に沿って流通し、また、矢印２１に示すように、析出面２４の表面にも沿って流通する。ドラム面２６の表面粗度に対して、析出面２４の相対的に大きい粗度は、矢印２１に示す電流が通過する距離を増加させるため、信号損失を引き起こす。

図３は、（未処理）銅箔３０を電解形成するための従来装置を示し、陰極として回転ドラム３２（矢印Ｂの方向により回転する）は、部分的に銅を含有する液体の電解液３４の溶液に浸漬される。陰極ドラム３２に銅箔を析出させるために、不溶性陽極３６を使用することで、電解液３４を通過する電流を印加する。銅箔３０は二つ主要な表面があり、そのなか、「ドラム面」３８は、ドラム３２に対して形成される銅箔３０の表面であり、また、「析出面」３９は、その形成において液体の電解液３４に面することによって、形成過程に固体表面によってサポートされていない銅箔の表面である。剥離ロール３１、３３は、ドラム３２から銅箔３０を剥離することができ、また、スプール３５に伝送することができる。

図４の拡大概略図に示すように、ドラム面３８を有する銅箔３０は、ピーク４１、４３、４５などおよびトラフ４６、４７、４８などを含有する析出面３９に対して、より低い表面粗度を有し、図５Ａに概略的に示めす先行技術において、ノジュール４０、４２などは、通常処理された銅箔の析出面３９に析出することにより、銅箔３０の析出面３９（「積層面」５０とも呼ばれ）がポリマー成分（図５Ａに図示せず）に積層される場合、この面との接着に寄与する。しかしながら、実際に、電流の影響で銅含有溶液（図５Ａに未図示）からノジュールも析出するので、ノジュール４０、４２などは、銅箔３０の析出面３９の高い部分あるいは「ピーク」４１、４３などに析出する傾向がある。図５Ｂに示すように、１００ＭＨｚ程度またはより高い高周波数信号が銅箔または当該銅箔を含むプリント回路基板（「ＰＣＢ」）を通過する場合、導電経路５５の表皮効果をさらに増加する。より長経路は信号損失を引き起こす。同じめっき方法によって、ノジュールのサイズはあまり変わらない。より低い信号損失のために、ノジュールの直径は、３μｍより小さく、好ましくは２μｍより小さい。超低信号損失基板として用いられる代表的な材料は、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、炭化水素材料、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を含むが、これらに限らない。中程度の信号損失基板に対して、好適な材料として、２官能または多官能のビスフェノールＡまたはビスフェノールＦ樹脂、エポキシ‐ノボラック樹脂、臭素化エポキシ樹脂、アラミド強化エポキシ樹脂、ガラス繊維強化エポキシ樹脂、または紙強化エポキシ樹脂（例えば、ＦＲ４）などのエポキシ樹脂または変性されたエポキシ樹脂；ガラス繊維強化プラスチック材料、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）、ポリアリルエーテルケトン（ＰＡＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリイミド樹脂、シアネートエステル、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、ナイロン、ビニルエステル樹脂、ポリエステル、ポリエステル樹脂、ポリアミド、ポリアニリン、フェノール樹脂、ポリピロール、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンジオキシチオフェン、フェノール樹脂被覆アラミド紙、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、メラミン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、アリル化ポリフェニレンエーテル（ＡＰＰＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリスルホン（ＰＳＵ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアリールアミド（ＰＡＡ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン（ＡＢＳ）、アクリロニトリル−スチレンアクリレート（ＡＳＡ）、スチレンアクリロニトリル（ＳＡＮ）、および前記ポリマーの２種以上の混合物（ブレンド）を含むが、これらに限らず、様々な形式で存在してもよい。

銅箔の積層面と基板との間の接着性を向上させるために、好適なカップリング剤を使用することができる。このようなカップリング剤は、シランを含有することができる。これらのカップリング剤は、銅箔の積層面に直接適用することができる。ある場合において、層銅箔の積層面にさらなる層を提供することができ、このさらなる層にカップリング剤を適用することができる。このさらなる層はパッシベーション層であってもよいが、これに限らない。パッシベーション層を形成するための好適な材料は、亜鉛、クロム、ニッケルおよびそれらの組み合わせを含み、異なる金属の複数層を含む。前記カップリング剤は、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミンの部分加水分解物、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン塩酸塩、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン塩酸塩、トリス−（トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、３−ウレイドプロピルトリアルコキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、および３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランを含んでもよいが、これらに限らない。

図６に示す本開示の実施例の反転処理された銅箔（「ＲＴＦ」）に基づいて、ドラム面３８と、析出面３９とを有する銅箔３０は、ノジュールがドラム面３８にランダムに析出することによって形成されたノジュール層６２を有する。ドラム面３８の表面粗度（Ｒｚ）は、析出面３９の表面粗度（Ｒｚ）より小さいので、図５Ａに示すように、ノジュール層６２におけるノジュールはピークおよびトラフの構成を示さない。また、ノジュール層６２におけるノジュールは、ピークに集合して積層面にノジュールの非均一分布を形成する傾向もない。図６において、「積層面」６０（ＰＣＢ（図６に図示せず）のポリマー材料と隣接するノジュールを含有する銅箔のドラム面）は、図５Ａの積層面５０に比べて、より低い表面粗度（Ｒｚ）を有する。銅箔の厚さにかかわらず、銅箔のドラム面の表面粗度の差は大きくない。ゆえに、本開示によれば、約９μｍ〜約１０５μｍの厚さを有する銅箔を製造することができる。

１００ＭＨｚ程度またはより高い周波数の高周波信号損失にかかわる他の要素は、銅箔３０におけるノジュールの分布均一性である。図８Ａに示すような銅箔３０のドラム面３８に分布が不均一のノジュール８０、８１、８２、８３などが形成された導電経路８５に対して、図７Ａに示すような銅箔３０のドラム面３８に分布が均一のノジュール７０、７１、７２、７３などは、より短い導電経路７５を形成する。図７Ｂの顕微鏡写真は、図７Ａの分布が均一のノジュールを描き、図８Ｂの顕微鏡写真は、図８Ａのノジュールの異方性、非指向性および非配向性（以下「ノジュールの非均一分布」と称する）を描く。このことから、図７Ａと７Ｂに使用された銅箔３０のドラムの表面３８、および図８Ａと８Ｂに使用された銅箔３０のドラムの表面３８は、同じ表面粗度を有することを証明する。

本発明者は、銅箔のドラムの表層面におけるノジュールの分布均一性または欠如は、信号損失に影響を与えるだけではなく、ノジュールのランダム分布は、ノジュールの配向性に対して、１００ＭＨｚ程度またはより高い高周波信号が銅箔または当該銅箔を含むＰＣＢを通過するときの信号損失にも影響を与えることを発見した。

図９Ａの顕微鏡写真に示すように、ドラムから形成された未処理銅箔のドラム面９０は、均一に調整された平滑表面を有する。図９Ｂの顕微鏡写真には、図９Ａにおける未処理銅箔のドラムの表層面にあるノジュール９２によるランダム分布を示す。

これに対して、図１０Ａは、過度に調整されたドラムから形成された未処理銅箔のドラム面１００の顕微鏡写真であって、未処理銅箔のドラムの表面に明確なくぼみとピークが残っている。図１０Ａの未処理銅箔のドラム面の上にノジュール１０２を形成するために、これから処理される場合、図１０Ｂの顕微鏡写真から明らかにノジュールは配向である。視学的比較から、図９Ｂの顕微鏡写真は、図１０Ｂにおけるノジュール１０２の配向分布に対して、より明確にノジュール９２の分布ランダム性を描く。ノジュール１０２の配向は図９Ｂの低い信号損失に対して、信号経路の長さに悪影響を与えるで、図１０Ｂの銅箔はより大きい信号損失を引き起こす。

不定長の銅箔を製造する期間内、回転陰極ドラム１１０を連続状態に維持するために、発明者は、図１１に概略的に示す装置および方法を考案した。通常、純チタニウムから製造した回転陰極ドラム１１０は銅を含有する液体の電解液１１２の溶液に部分的に浸漬される。ゲージ１１６で部分的に囲まれる研磨バフ１１４は、陰極ドラム１１０の外表面１１１と接着する位置に定期的に移動されるように位置する。液体の電解液１１２を通過する電流（図１１に図示せず）の作用で、銅は陰極ドラム１１０の外表面１１１に析出し、陰極ドラム１１０からスプール１１９の協力で分離されて、未処理銅箔１１８を得た。研磨バフ１１４は、矢印Ｄに示す方向に沿って回転し、陰極ドラム１１０の回転方向は、矢印Ｃで示す。陰極ドラム１１０はチタニウムで製造するものにもかかわらず、銅箔を製造する過程において、陰極ドラム１１０の外表面１１１は、未処理銅箔１１８を形成する電解過程の影響で、不純物に汚染されることになる。当該不純物は、ＴｉＯ、ＴｉＯ₂およびそれらの混合物などのチタニウムの酸化物と、電解液タンクからの汚染物質とを含むことができる。未処理銅箔１１８の製造過程において、研磨バフ１１４を間欠的に外表面１１１と接触させることにより、制御の方式で不純物および汚染物質を除去する。間欠の時間は、陰極ドラム１１０の回転スピードによって決定することができ、また、作られる未処理銅箔１１８の厚さによって決定することもできる。発明者は、通常、８，０００〜１０，０００メートル銅箔を製造する場合、研磨バフ１１４を外表面１１１と接触できることを発見した。他の時間の設定は、作ろうとする銅箔の長さに依存することではなく、陰極ドラム１１０の回転数、あるいは陰極ドラム１１０の外表面１１１が液体の電解液１１２に存在する時間によって決定する。研磨バフ１１４を外表面１１１と接触することだけでは、外表面１１１に良好な研磨を作ることができない可能性がある。したがって、いくつかの相互関連のあるパラメータは、研磨バフ１１４と外表面１１１との間の接触結果に影響を及ぼす。まず、研磨バフ１１４は、研磨中に外表面１１１を傷つけたり損傷してはならない。傷つけられたまたは損傷された外表面１１１は、その上に電着する銅箔が高表面粗度（Ｒｚ）を有することを引き起こす。次に、外表面１１１は、研磨バフ１１４で研磨する過程に、形態または配向を発生してはならない。研磨過程において、外表面１１１の配向は、外表面１１１に電着する銅箔に対応する形態と配向を有することを引き起こす。第三、軽すぎる研磨は、外表面１１１から表面不純物を除去することができないので、研磨の効果がない。これは、有効な研磨処理を生成するためのこれらの異なるパラメータの相互作用の結果である。

Ｄ_max数値は、研磨バフが汚染された陰極ドラム１１０の外表面１１１に提供する研磨程度であり、下記の関係を満たさなければならない：

研磨を効率的にするために、負荷電流として特定の圧力下、研磨バフを陰極ドラム１１０の外表面１１１と接触させる。しかしながら、ただ一つのパラメータから良好な研磨効果を確認できない。三つのパラメータは全体として考える必要があるので、Ｄ_maxを要求する範囲内に制御することで良好な研磨を達成することができる。表面形態が破壊されない場合でも、Ｄ_maxが低くなると、研磨の程度が少なく、かつ不純物は完全に除去されることができないことを意味し、すなわち、不純物は依然として陰極ドラム１１０の外表面１１１に残留して、ドラムが依然として使用できないので、純導電性をもたらし、かつ銅箔粗度および形態に影響を及ぼす。

研磨線は小さくて研磨方向により配列されるので、研磨特性は助けがない肉眼で決定することはできない。したがって、研磨特性を特定するためにリニア光線検査システムを使用する必要がある。図１２に示すように、光線は、銀、金および銅のような金属から反射することができる。低反射率と高反射率の間で反射する光線の波長は、金属がその特有の色を有すると考えられる。銅として、それらの波長は５７０ｎｍから６１０ｎｍに転換する。これらの波長は、様々な分光光度計で決定できる。

二種類の光線検査システムは、研磨特性の確定に適用される。図１３Ａに示す第一システムは、単方向照明システム１５０である。図１３Ａに示すように、照明光源１５４からの照明光１５２は、試料１５６に垂直な軸から測定した角度βで試料１５６にあたり、角度βは４５o±２oであり、反射光１５８は、法線方向（０o）または角度θに位置する光レセプター１５９で捕獲する。角度θは０±１０oである。単方向照明システムは一つの方向のみ照明を提供する。

第二システムは、図１３Ｂに示し、拡散照明積分球システム１５１である。このシステム１５１は、積分球１５３を使用して全方向から試料１５６を均一に照明または観察する。積分球１５３は、球状装置であり、その内表面に例えば硫酸バリウムである白い材料で塗布されることにより、光を均一に拡散させる。照明光源１５４は、積分球１５３の内表面１５５に照射される照明光１５２を放射する。拡散光１５７は、試料１５６に照射し、光レセプター１５９により反射かつ捕獲される。光レセプター１５９は、試料１５６の法線方向（０±１０o）から反射光１５８を捕獲することができる。システムのＳＣＥ／ＳＣＩ機能により、鏡面角度±５oからの反射光を含むは排除することができる。しかしながら、捕獲された光は混合光であって、表面形態の特徴を区別することができない。線状光源を使用して銅箔表面の配向、すなわち、ノジュールの配向を線形または非線形に区別する。ゆえに、これは、発明者が、拡散照明積分球システム１５１ではなく、単方向照明システム１５０を使用して表面形態を区別する理由である。

異なる材料は異なる光を反射するので、物体に異なる色を表現させる。例えば、金属である銀、金および銅はそれぞれ異なる色を表現する。図１２を参照し、この異なる色の表現は反射された光からの結果である。銀はほぼすべての可視光を反射するので、すべて可視光の波長を一緒に混合する。一方、金は緑から黄色の範囲の可視スペクトラムを反射する。銅は黄色から赤の範囲の可視スペクトラムを反射する。金属は明らかに、それぞれ異なる光を反射することにもかかわらず、銅は約５７０ｎｍから６１０ｎｍの範囲である可視光を反射する。発明者は、波長が５７０ｎｍと６１０ｎｍとの反射光の差は、試料の表面形態を判定できることを発見した。

発明者は、この現象を利用し、処理されたノジュールを含む銅箔のドラム面に異なる光波長を適用して、ドラムにおける研磨が良い表面および研磨が悪い表面を区別する。同じサンプルに、二つ異なる波長（５７０ｎｍおよび６１０ｎｍ）で銅箔のドラム面におけるノジュールで処理された表面の反射率の差を計量することにより、ドラム表面の研磨線の程度を確定することができる。

実施例１ 研磨バフによるドラムの研磨
ドラムスピード：１．０〜５．０ｍ／ｍｉｎ。
研磨バフスピード：１５０〜５５０ｒｐｍ、（＃１５００、日本特殊研砥株式会社）
負荷電流：０．５〜１．５Ａ

電解銅箔（未処理銅箔）の製造
銅線を５０ｗｔ％の硫酸水溶液に溶解させ、３２０ｇ／Ｌの硫酸銅五水和物（ＣｕＳＯ₄・５Ｈ₂Ｏ）と１００ｇ／Ｌの硫酸とを含む硫酸銅電解液を製造した。硫酸銅電解液１リットル当たり、２０ｍｇ塩素イオン、および０．３５ｍｇゼラチン（ＤＶ、株式会社ニッピ）を添加した。その後、液温５０℃および電流密度７０Ａ／ｄｍ²で、厚さが１８μｍである電解銅箔（未処理銅箔）を製造した。

電解銅箔を製造するための典型的な装置は、金属陰極ドラムと不溶性金属陽極とを含有し、図３に示すように、前記金属陰極ドラムは、一般的には中心軸に沿って回転し、鏡面研磨面を有する。前記不溶性金属陽極は、前記金属陰極ドラムのほぼ下半部に配置され、前記金属陰極ドラムの周囲を囲む。前記装置により、前記陰極ドラムと前記陽極との間に銅電解液を流させ、電流を印加して、所定の厚さを得られるまで銅を陰極ドラムに電着することで、銅箔を連続に製造した。

このように製造された電解銅箔は、ドラム面（陰極ドラムに形成した銅箔表面）および析出面（液体銅電解溶液と接触する銅箔表面）を有し、析出面はドラム面と対向する銅箔表面である。

表面処理
［酸洗処理］
まず、電解銅箔（処理されていないので、未処理銅箔とも呼ばれ）を酸洗処理に導入した。酸洗処理において、酸洗タンク内に１３０ｇ／Ｌの硫酸銅と５０ｇ／Ｌの硫酸とを有する電解液を充填し、電解液の温度を２７oＣに維持した。未処理銅箔を電解液に３０秒浸して、未処理銅箔表面の油、脂肪と酸化物を除去し、そして未処理銅箔を水で洗浄した。

［粗面化処理］
銅ノジュール層は、銅箔のドラム面の表面に電着で形成された。銅ノジュール層を形成するために、硫酸銅と硫酸の濃度がそれぞれ７０ｇ／Ｌと１００ｇ／Ｌであって、液温が２５℃の硫酸銅溶液を使用し、電流密度１０Ａ／ｄｍ²で１０秒の電解を行った。粗面化処理した後、ノジュールで処理された銅箔は、ノジュールで処理されたドラム面とレジスト面と定義される反対面とを含有する。

［被覆処理］
さらに、銅ノジュール層の剥離を防止するために、被覆処理することで銅めっき層を形成した。被覆処理において、硫酸銅と硫酸の濃度はそれぞれ３２０ｇ／Ｌと１００ｇ／Ｌである硫酸銅溶液を使用し、電解液の温度を４０oＣに維持し、電流密度を１５Ａ／ｄｍ²にした。

［亜鉛パッシベーション処理］
そして、被覆処理を完了したとき、第一パッシベーション層を形成した。このパッシベーション処理において、亜鉛をパッシベーション元素として使用され、また、銅ノジュール層の表面だけではなく、電解銅箔のレジスト面にも同時にパッシベーションされることにより、それぞれ第一パッシベーション層を形成した。硫酸亜鉛溶液を電解液として使用され、硫酸亜鉛濃度を１００ｇ／Ｌに維持し、溶液のｐＨを３．４にし、液温を５０oＣに設定され、および電流密度を４Ａ／ｄｍ²に設定された。

［ニッケルのパッシベーション処理］
亜鉛のパッシベーション処理完了したとき、水で洗浄を行った。第二パッシベーション処理は、第一パッシベーション処理に使用された元素以外の元素を選択して第二パッシベーション層を形成する。耐酸（ａｃｉｄ−ｐｒｏｏｆｉｎｇ）のために、ノジュールで処理されたドラム面の亜鉛のパッシベーション層上のみに電解ニッケルのパッシベーションをした。亜鉛のパッシベーション層（亜鉛層とも呼ばれる）に電解によりニッケルのパッシベーション層（ニッケル層とも呼ばれる）を形成した。電解条件は次の通りである：硫酸ニッケル七水和物（ＮｉＳＯ₄・７Ｈ₂Ｏ）：１８０ｇ／Ｌ、ホウ酸（Ｈ₃ＢＯ₃）：３０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム（ＮａＨ₂ＰＯ₂）：３．６ｇ／Ｌ、温度：２０oＣ、電流密度：０．２Ａ／ｄｍ²、時間：３秒、ｐＨ：３．５。そして、表面処理銅箔は、銅箔の積層面とレジスト面との両面に形成された亜鉛の第一パッシベーション層を有し、また、銅箔の積層面のみに形成されたニッケルの第二パッシベーション層を有することにより、銅箔のノジュールで処理されたパッシベーション面が形成された。

［クロメートのパッシベーション処理］
第二パッシベーション処理を完了した後、水で洗浄を行った。なお、防錆（ｒｕｓｔｐｒｏｏｆｉｎｇ）のために、亜鉛およびニッケルのパッシベーション層の上に電解クロメートのパッシベーションをした。ニッケルおよび亜鉛のパッシベーション層に電解によりクロメート層を形成した。電解条件は下記の通りである：クロム酸：５ｇ／Ｌ、ｐＨ：１１．５、液温：３５oＣ、および電流密度：１０Ａ／ｄｍ²。この電解クロメートのパッシベーションは、銅ノジュール層のニッケルのパッシベーションの表面だけではなく、第一パッシベーション元素または亜鉛層を含む銅箔のレジスト面（積層面／粗面）にも同時に行う。ニッケルのパッシベーション処理した後、銅箔の両側ともにクロメートのパッシベーションが現れる。

［シランカップリング処理］
クロメートのパッシベーション処理を完了した後、水で洗浄し、また、銅箔のノジュールで処理されたパッシベーション面を形成するために、銅箔表面を乾燥されずに、シランカップリング処理タンクにおいて、銅ノジュール層のＺｎ／Ｎｉ／Ｃｒのパッシベーション層のみにシランカップリング剤を直ちに吸着させることにより、ポリマー誘電材料の基板にパッシベーションされたノジュールで処理された銅箔のドラム面（積層面と呼ぶ）をカップリングした。この処理において、溶液は、濃度が０．２５ｗｔ．％の３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランである。吸着処理は溶液をノジュールで処理された銅箔表面のみにスプレーすることで行った。
［測量］

［表面粗度］
表面粗度は、α−型表面粗度測定機および輪郭測量装置（Ｋｏｓａｋａ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ Ｌｔｄ製、ＭｏｄｅｌＳＥ１７００）を使用し、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４を使用しに準じて測定され、Ｒｚ標準として表示している。

［光沢度］
光沢度は、ＪＩＳ Ｚ ８７４１に準じて光沢計（ＢＹＫ社製、ＭｏｄｅｌＮｏ．ｍｉｃｒｏ−ｇｌｏｓｓ６０o型）を使用し、すなわち、６０oの光を横方向（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ、ＴＤ）に入射することにより、ノジュールで処理されたドラム面の光沢度を測量した。

［反射率］
反射率は、手持ち式分光光度計（Ｋｏｎｉｃａ Ｍｉｎｏｌｔａ製、ＭｏｄｅｌＮｏ．ＣＭ−２５００ｃ）を使用して測量され、すなわち、５７０ｎｍ波長と６１０ｎｍ波長下でノジュールで処理されたドラム面のの反射率をそれぞれ測量した。

［信号損失（送信損失）］
表面処理銅箔を誘電基板（ＩＴＥＱ社製のＩＴ−１５０ＧＳ、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０ Ｎｏ．２．５．５．１３の標準条件でテストして、１０ＧＨｚではＤｋ＜３．９とＤｆ＜０．０１２を有し）に積層され、マイクロストリップ構造が形成された。信号損失は、ＡｇｉｌｅｎｔＰＮＡ Ｎ５２３０Ｃネットワーク・アナライザにより、周波数１０ＧＨｚで、掃引回数：６４０１点、校正：ＴＲＬ、ＩＦ：３０ｋＨｚ、温度：２５°Ｃ、テスト方法：ＣｉｓｃｏＳ３方法で測量した。前記マイクロストリップ構造は、厚さ２１０μｍ、導体長さ１０２ｍｍ、導体厚さ１８μｍ、導体回路幅２００μｍ、特性インピーダンス５０Ωを有し、かつ、被覆膜を有しない。これらの測量値において、１０ＧＨｚの周波数に対応する送信損失ｅｓ（ｄＢ／ｍ）は、光研磨銅箔（比較例１に示される最低のＤ_max値である）の送信損失を１００として説明する。

実施例１−１３および比較例１−１４のドラムの研磨条件および得られた表面処理銅箔の特性の結果は、下記表１と２に示す。

光沢度は、銅箔のノジュールで処理されたドラム面の表面を評価するもう一つ重要な数値である。多くのノジュールによる分散は、高くない光沢度をもたらすが、未処理銅箔の表面は良好研磨されたドラムから得られると、上記表１に示すように、光沢度は、依然として、不良研磨されたドラムの光沢度に対して相対的に高い。

銅張積層板、ＰＣＢ、および銅張積層板を含む電子装置への組み込みに適した銅箔を製造する製造方法は、図１４において説明する。図１４に示すように、スプール１８１から得た析出面３９およびドラム面３８を有する未処理銅箔３０は、洗浄タンク１８３内の洗浄液を通過して、銅箔３０表面のドラム面３８と析出面３９におけるすべての油、油脂および酸化物を洗浄する。次に、洗浄された銅箔は、硫酸中の硫酸銅溶液を有する電解液１８５を含む粗面化タンク１８４に入れる。二つの陽極１８６、１８７は、銅箔３０のドラム面３８のみに作用し、銅箔３０は、陰極として作用し、その上に銅ノジュール（図１４に図示せず）が形成された。他の硫酸銅溶液１８９を含むコーティングタンク１８８は、再び陽極１９０、１９１の間に発生した電流の影響で、銅箔を再び陰極として作用し、ノジュールで処理された銅箔のドラム面３８のノジュールのみに銅コーティング層をめっきする。前記コーティング層は、銅ノジュールの剥離を防止する。次に、銅箔３０は硫酸亜鉛溶液を含む合金タンク１９２を通過することで、銅箔をパッシベーションさせる。タンク１９２内に二つの陽極１９３、１９４を配置し、銅箔３０を陰極として作用して、電流の作用で銅箔３０のノジュールで処理されたドラム面をパッシベーションする。同時に、陽極１９５は、銅箔３０の析出面３９をパッシベーションさせる。電流を陽極１９６の間に転送させ、銅箔３０は陰極として作用し、また、クロム防錆タンク１９８に含まれるクロム酸溶液１９７を通過することにより、銅箔３０のパッシベーションされたノジュール処理のドラム面３８に、クロムの防錆層形成された。同時に、陽極１９９を通過する電流の効果によって作用する陽極１９９および陰極として作用する銅箔３０は、析出面３９上の亜鉛のパッシベーション層にクロム層が形成された。最後、ノジュールで処理されたドラム面３８は、シラン処理タンク２００を通過し、そのなか、スプレーされたシラン２０１、２０２は、銅箔３０のノジュールで処理されたドラム面３８のみに作用する。オーブン２０３を通過した後、表面処理銅箔２０４をスプール２０５に巻き上がる。

表面処理銅箔はいくつかの種類のプリント回路基板に適用することができるが、高周波信号（１００ＭＨｚまたはより高い周波数）が銅箔または当該銅箔より形成される回路を通過する場合には特に有効である。

表面処理銅箔の特徴を利用するために、それを張り合う必要があり、通常、圧力ロールのニップで、一般的な誘電材料である基板に積層することにより、銅張積層板を形成する。しかしながら、ＰＣＢにおける信号損失は概ね二つの部分に分けられる。一つは導電損失であって、銅箔に起因する損失を意味する。もう一つは誘電損失であって、基材に起因する損失を意味する。通常、信号損失を減少するために、Ｄｋ（誘電定数）とＤｆ（損失正接）とをできるだけ低くすることが望ましい。ゆえに、Ｄｆ＜０．００１およびＤｋ＜３．９を有するポリマー材料が好ましい。表面処理銅箔と基板との間の積層は、いつでも銅箔の積層面に発生する。この場合において、ドラム面は銅箔のドラム面にノジュール層を有する。銅箔のもう一つ側はレジスト面と呼ばれる。表面処理銅箔のレジスト面（析出面）でその場（ｉｎ ｓｉｔｕ）でパターンが形成され得るレジスト（ポジティブワーキングまたはネガティブワーキングに分類され）は、様々な材料であってもよい。たくさんのこのようなレジストは、この技術分野に知られており、かつ、本発明における特定のレジストと表面処理銅箔との使用は本発明の範囲外ではない。好適なレジストは、割合が低い感光性分子（活性化剤または増感剤）を有する線形ポリマーを含む。活性化剤は、入射輻射を吸収し、ポリマーの架橋を促進することにより、それの分子量を増加して、その部分のレジストを不溶化させる。現像剤は、露光されていない部分のために適用し、また、露光されていない部分を洗浄する。ポジティブワーキングレジストは、２５％までのインヒビターを含有するポリマーであって、現像剤の濡れおよび侵食を防止する。光の照明下、インヒビターが破壊され、かつ、露光される部分は可溶になり、現像剤は、アルカリ水溶媒ポリマー。ポリ（ビニルシンナメート）（ネガティブワーキングレジスト）などは、キノンジアジドまたはテトラアリールボレートの解離されたポジティブワーキングレジストに依存することも言及される。他は当該技術分野において周知である。好適には、マスク（好ましくはコンピューターで制御された光スポットまたは電子ビームにより形成されたもの）をフォトレジストに乗せて、マスクと露光されたフォトレジストを光に暴露させ、レジストにパターンを形成して、マスクを除去する。こうして除去されたレジスト部分（ネガティブ−またはポジティブ−ワーキング）は、銅箔のレジスト表面を露出させる。そして、通常は酸性溶液であるエチング剤を適用して、銅箔を所定の方法でエチング（除去）して回路を形成する。様々な誘電材料は、超低損失値（０．００５レベルのＤｆ）が作られるが、０．０１０＜Ｄｆ＜０．０１５を有する中損失誘電に比べて、それらの材料のコストは増加する。

このように製造されたプリント回路基板は、他の部品（例えばリード、ホール）とを組み立て、少なくとも１００ＭＨｚの高速信号を使用して、様々な電子装置を形成することができる。前記装置はパソコンと、携帯電話とウェアラブルを含む移動通信装置と、自動車およびトラックを含む車両と、飛行機、無人機、ミサイルを含む有人と無人の乗り物を含む航空装置と、人工衛星、宇宙船、宇宙ステーションおよび地球外の生息地と車両を含む航空装置を含んでもよい。

上記において明細書、図面および実施例に関連して、特定の好ましい実施形態を説明するが、それらは例示的な説明に過ぎず、本開示を限定するものではない。成分または工程の順番は、開示する好ましい実施例または添付の特許請求の範囲の順番により推論されていない。当業者は、本開示における詳細の内容から、本開示の趣旨及び範囲から逸脱しない限り、明確に開示されたそれらの材料、工程および製品は様々な代替材料、工程および製品に置き換えることができる。

１０、１１、１９、２０、２１、Ｂ、Ｃ、Ｄ 矢印
１２、２２、３０、２０４ 銅箔
２４、３９ 析出面
２６、３８、９０、１００ ドラム面
３１、３３ 剥離ロール
３２、１１０ ドラム
３４、１１２、１８５ 電解液
３５、１１９、１８１、２０５ スプール
３６、１８６、１８７、１９０、１９１、１９３、１９４、１９５、１９９ 陽極
４０、４２、７０、７１、７２、７３、８０、８１、８２、８３、９２、１０２ ノジュール
４１、４３、４５ ピーク
４６、４７、４８ トラフ
５０、６０ 積層面
５５、７５、８５ 導電経路
６２ ノジュール層
１１１ 外表面
１１４ 研磨バフ
１１６ ゲージ
１１８ 未処理銅箔
１５０ 単方向照明システム
１５１ 拡散照明積分球システム
１５２ 照明光
１５３ 積分球
１５４ 照明光源
１５５ 内表面
１５６ 試料
１５７ 拡散光
１５８ 反射光
１５９ 光レセプター
１８３ 洗浄タンク
１８４ 粗面化タンク
１８８ コーティングタンク
１８９ 硫酸銅溶液
１９２ 合金タンク
１９７ クロム酸溶液
１９８ クロム防錆タンク
２００ シラン処理タンク
２０１、２０２ シラン
２０３ オーブン

Claims (20)

1. ドラム面および析出面を有する電解銅箔、および
   表面処理銅箔のノジュールで処理されたドラム面を形成するために、ドラム面にのみ析出されたノジュール層を含み、
   前記表面処理銅箔のノジュールで処理されたドラム面は、１．５〜３．１μｍの範囲にある表面粗度（Ｒｚ）を有し、
   前記表面処理銅箔のノジュールで処理されたドラム面の５７０ｎｍと６１０ｎｍとの反射率の差は、１５％〜３０％の範囲にある、
   高速プリント回路基板用の表面処理銅箔。
2. 前記ノジュールで処理されたドラム面の５７０ｎｍにおける反射率は、２０％〜３０％の範囲にある、
   請求項１に記載の表面処理銅箔。
3. 前記ノジュールで処理されたドラム面の６１０ｎｍにおける反射率は、４４％〜５１％の範囲にある、
   請求項１に記載の表面処理銅箔。
4. 前記ノジュールで処理されたドラム面の６０°における光沢度は、０．５〜５．１の範囲にある、
   請求項１に記載の表面処理銅箔。
5. 前記ノジュール層の上に銅めっき層をさらに含む、
   請求項１に記載の表面処理銅箔。
6. 前記銅めっき層および前記電解銅箔の析出面の上に、それぞれ亜鉛層をさらに含む、
   請求項５に記載の表面処理銅箔。
7. 前記銅めっき層上の前記亜鉛層に、ニッケル層をさらに含む、
   請求項６に記載の表面処理銅箔。
8. シランカップリング剤の処理により形成されたシランカップリング処理層をさらに含む、
   請求項１に記載の表面処理銅箔。
9. 前記シランカップリング剤は、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランを含む、
   請求項８に記載の表面処理銅箔。
10. 前記シランカップリング剤は３−アミノプロピルトリエトキシシランを含む、
    請求項８に記載の表面処理銅箔。
11. 請求項１に記載の表面処理銅箔および誘電樹脂を含み、前記誘電樹脂は、ＩＰＣ−ＴＭ６５０ Ｎｏ．２．５．５．１３により測定され、Ｄｋ＜３．９およびＤｆ＜０．０１２を示す、
    銅張積層板。
12. 請求項１１に記載の銅張積層板を含むプリント回路基板。
13. 請求項１２に記載のプリント回路基板を含む電子部品。
14. 請求項１３に記載の電子部品を含む電子装置。
15. 金属電着用のドラムの表面を調整する方法であって、
    前記ドラムは外表面を有し、
    前記方法は、
    圧力下で、相対的に前記ドラムおよび研磨バフを回転して、前記研磨バフを前記ドラムの外表面に入り込むこと、
    負荷電流が指示する前記圧力により、前記研磨バフを前記ドラムに向けること、
    前記研磨バフが前記ドラムの外表面に入り込む最大距離および前記負荷電流は、下記の関係を満たすことを含む、
    方法。
    ここで、Ｄ_maxが０．００６１〜０．０１７５の範囲にある。
16. 前記ドラムおよび前記研磨バフは互いに向かって回転する、
    請求項１５に記載の方法。
17. 前記ドラムは純チタニウムで製造されたものであり、
    前記ドラム表面は、酸化チタン、二酸化チタンおよびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる一つを含む、
    請求項１５に記載の方法。
18. 前記ドラムを間欠方式で調整することをさらに含む、
    請求項１５に記載の方法。
19. 銅を含む電解液に部分的に浸漬する回転ドラムに、銅箔を電着する工程と、
    前記電解銅箔と前記ドラムを分離して、ドラム面および析出面を有する未処理銅箔を得る工程と、
    前記未処理銅箔のドラム面のみにノジュールを電めっきして、前記未処理銅箔に対して表面処理することにより、前記未処理銅箔のドラム面のみにノジュール層を形成することで、ノジュールで処理されたドラム面を形成し、前記銅箔の反対面をレジスト面とする工程と、
    前記ノジュールで処理されたドラム面を銅めっきすることにより、前記ノジュール層をカバーする工程と、
    前記銅箔の前記銅めっきおよび前記レジスト面を第一パッシベーション元素でパッシベーションして、第一パッシベーション層を形成する工程と、
    そして、前記第一パッシベーション元素と異なる第二パッシベーション元素で第二パッシベーション工程を行って、前記ノジュールで処理されたドラム面のみに第二パッシベーション層を形成する工程と、
    前記第一および第二パッシベーション層に電解クロメートパッシベーションを行う工程と、
    前記銅箔のノジュールで処理されたパッシベーション面のみに、シランカップリング剤を吸収する工程と、を含む
    表面処理銅箔を製造する方法。
20. 前記パッシベーション元素は、亜鉛、ニッケルおよびクロムからなる群から選ばれる少なくとも一つである、
    請求項１９に記載の方法。