JP2019119935A5

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Publication number: JP2019119935A5
Application number: JP2018247473A
Authority: JP
Filing date: 2018-12-28
Publication date: 2019-09-26
Anticipated expiration: 2038-12-28

Description

二種類の光線検査システムは、研磨特性の確定に適用される。図１３Ａに示す第一システムは、単方向照明システム１５０である。図１３Ａに示すように、照明光源１５４からの照明光１５２は、試料１５６に垂直な軸から測定した角度βで試料１５６にあたり、角度βは４５°±２°であり、反射光１５８は、法線方向（０°）または角度θに位置する光レセプター１５９で捕獲する。角度θは０±１０°である。単方向照明システムは一つの方向のみ照明を提供する。

第二システムは、図１３Ｂに示し、拡散照明積分球システム１５１である。このシステム１５１は、積分球１５３を使用して全方向から試料１５６を均一に照明または観察する。積分球１５３は、球状装置であり、その内表面に例えば硫酸バリウムである白い材料で塗布されることにより、光を均一に拡散させる。照明光源１５４は、積分球１５３の内表面１５５に照射される照明光１５２を放射する。拡散光１５７は、試料１５６に照射し、光レセプター１５９により反射かつ捕獲される。光レセプター１５９は、試料１５６の法線方向（０±１０°）から反射光１５８を捕獲することができる。システムのＳＣＥ／ＳＣＩ機能により、鏡面角度±５°からの反射光を含むは排除することができる。しかしながら、捕獲された光は混合光であって、表面形態の特徴を区別することができない。線状光源を使用して銅箔表面の配向、すなわち、ノジュールの配向を線形または非線形に区別する。ゆえに、これは、発明者が、拡散照明積分球システム１５１ではなく、単方向照明システム１５０を使用して表面形態を区別する理由である。

表面処理
［酸洗処理］
まず、電解銅箔（処理されていないので、未処理銅箔とも呼ばれ）を酸洗処理に導入した。酸洗処理において、酸洗タンク内に１３０ｇ／Ｌの硫酸銅と５０ｇ／Ｌの硫酸とを有する電解液を充填し、電解液の温度を２７℃に維持した。未処理銅箔を電解液に３０秒浸して、未処理銅箔表面の油、脂肪と酸化物を除去し、そして未処理銅箔を水で洗浄した。

［被覆処理］
さらに、銅ノジュール層の剥離を防止するために、被覆処理することで銅めっき層を形成した。被覆処理において、硫酸銅と硫酸の濃度はそれぞれ３２０ｇ／Ｌと１００ｇ／Ｌである硫酸銅溶液を使用し、電解液の温度を４０℃に維持し、電流密度を１５Ａ／ｄｍ²にした。

［亜鉛パッシベーション処理］
そして、被覆処理を完了したとき、第一パッシベーション層を形成した。このパッシベーション処理において、亜鉛をパッシベーション元素として使用され、また、銅ノジュール層の表面だけではなく、電解銅箔のレジスト面にも同時にパッシベーションされることにより、それぞれ第一パッシベーション層を形成した。硫酸亜鉛溶液を電解液として使用され、硫酸亜鉛濃度を１００ｇ／Ｌに維持し、溶液のｐＨを３．４にし、液温を５０℃に設定され、および電流密度を４Ａ／ｄｍ²に設定された。

［ニッケルのパッシベーション処理］
亜鉛のパッシベーション処理完了したとき、水で洗浄を行った。第二パッシベーション処理は、第一パッシベーション処理に使用された元素以外の元素を選択して第二パッシベーション層を形成する。耐酸（ａｃｉｄ−ｐｒｏｏｆｉｎｇ）のために、ノジュールで処理されたドラム面の亜鉛のパッシベーション層上のみに電解ニッケルのパッシベーションをした。亜鉛のパッシベーション層（亜鉛層とも呼ばれる）に電解によりニッケルのパッシベーション層（ニッケル層とも呼ばれる）を形成した。電解条件は次の通りである：硫酸ニッケル七水和物（ＮｉＳＯ₄・７Ｈ₂Ｏ）：１８０ｇ／Ｌ、ホウ酸（Ｈ₃ＢＯ₃）：３０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム（ＮａＨ₂ＰＯ₂）：３．６ｇ／Ｌ、温度：２０℃、電流密度：０．２Ａ／ｄｍ²、時間：３秒、ｐＨ：３．５。そして、表面処理銅箔は、銅箔の積層面とレジスト面との両面に形成された亜鉛の第一パッシベーション層を有し、また、銅箔の積層面のみに形成されたニッケルの第二パッシベーション層を有することにより、銅箔のノジュールで処理されたパッシベーション面が形成された。

［クロメートのパッシベーション処理］
第二パッシベーション処理を完了した後、水で洗浄を行った。なお、防錆（ｒｕｓｔｐｒｏｏｆｉｎｇ）のために、亜鉛およびニッケルのパッシベーション層の上に電解クロメートのパッシベーションをした。ニッケルおよび亜鉛のパッシベーション層に電解によりクロメート層を形成した。電解条件は下記の通りである：クロム酸：５ｇ／Ｌ、ｐＨ：１１．５、液温：３５℃、および電流密度：１０Ａ／ｄｍ²。この電解クロメートのパッシベーションは、銅ノジュール層のニッケルのパッシベーションの表面だけではなく、第一パッシベーション元素または亜鉛層を含む銅箔のレジスト面（積層面／粗面）にも同時に行う。ニッケルのパッシベーション処理した後、銅箔の両側ともにクロメートのパッシベーションが現れる。

［光沢度］
光沢度は、ＪＩＳＺ８７４１に準じて光沢計（ＢＹＫ社製、ＭｏｄｅｌＮｏ．ｍｉｃｒｏ−ｇｌｏｓｓ６０°型）を使用し、すなわち、６０°の光を横方向（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅｄｉｒｅｃｔｉｏｎ、ＴＤ）に入射することにより、ノジュールで処理されたドラム面の光沢度を測量した。

［信号損失（送信損失）］
表面処理銅箔を誘電基板（ＩＴＥＱ社製のＩＴ−１５０ＧＳ、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０Ｎｏ．２．５．５．１３の標準条件でテストして、１０ＧＨｚではＤｋ＜３．９とＤｆ＜０．０１２を有し）に積層され、マイクロストリップ構造が形成された。信号損失は、ＡｇｉｌｅｎｔＰＮＡＮ５２３０Ｃネットワーク・アナライザにより、周波数１０ＧＨｚで、掃引回数：６４０１点、校正：ＴＲＬ、ＩＦ：３０ｋＨｚ、温度：２５℃、テスト方法：ＣｉｓｃｏＳ３方法で測量した。前記マイクロストリップ構造は、厚さ２１０μｍ、導体長さ１０２ｍｍ、導体厚さ１８μｍ、導体回路幅２００μｍ、特性インピーダンス５０Ωを有し、かつ、被覆膜を有しない。これらの測量値において、１０ＧＨｚの周波数に対応する送信損失ｅｓ（ｄＢ／ｍ）は、光研磨銅箔（比較例１に示される最低のＤ_max値である）の送信損失を１００として説明する。

Claims

ドラム面および析出面を有する電解銅箔、および
表面処理銅箔のノジュールで処理されたドラム面を形成するために、電解銅箔のドラム面にのみ直接に析出されたノジュール層を含み、
前記表面処理銅箔のノジュールで処理されたドラム面は、１．５〜３．１μｍの範囲にある表面粗度（Ｒｚ）を有し、
前記表面処理銅箔のノジュールで処理されたドラム面の５７０ｎｍと６１０ｎｍとの反射率の差は、１５％〜３０％の範囲にある、
高速プリント回路基板用の表面処理銅箔。
前記ノジュールで処理されたドラム面の５７０ｎｍにおける反射率は、２０％〜３０％の範囲にある、請求項１に記載の表面処理銅箔。
前記ノジュールで処理されたドラム面の６１０ｎｍにおける反射率は、４４％〜５１％の範囲にある、請求項１に記載の表面処理銅箔。
前記ノジュールで処理されたドラム面の６０°における光沢度は、０．５〜５．１の範囲にある、請求項１に記載の表面処理銅箔。
前記ノジュール層の上に銅めっき層をさらに含む、請求項１に記載の表面処理銅箔。
前記銅めっき層および前記電解銅箔の析出面の上に、それぞれ亜鉛層をさらに含む、請求項５に記載の表面処理銅箔。
前記銅めっき層上の前記亜鉛層に、ニッケル層をさらに含む、請求項６に記載の表面処理銅箔。
シランカップリング剤で表面処理銅箔を処理することにより形成されたシランカップリング処理層をさらに含む、請求項１に記載の表面処理銅箔。
前記シランカップリング剤は、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランを含む、請求項８に記載の表面処理銅箔。
前記シランカップリング剤は３−アミノプロピルトリエトキシシランを含む、請求項８に記載の表面処理銅箔。
前記ノジュール層における前記ノジュールは、３μｍより小さい直径を有する、請求項１に記載の表面処理銅箔。
前記ノジュールは、２μｍより小さい直径を有する、請求項１１に記載の表面処理銅箔。
少なくとも１００ＭＨｚの高周波信号を処理するための高速プリント回路基板用の表面処理銅箔であって、ドラム面および析出面を有する電解銅箔、および表面処理銅箔のノジュールで処理されたドラム面を形成するために、電解銅箔のドラム面にのみ直接に析出された銅ノジュールのめっき層を含み、
前記表面処理銅箔のノジュールで処理されたドラム面は、１．５〜３．１μｍの範囲にある表面粗度（Ｒｚ）を有し、
前記表面処理銅箔のノジュールで処理されたドラム面の５７０ｎｍと６１０ｎｍとの反射率の差は、１５％〜３０％の範囲にある、高速プリント回路基板用の表面処理銅箔。
請求項１に記載の表面処理銅箔および誘電樹脂を含み、前記誘電樹脂は、ＩＰＣ−ＴＭ６５０Ｎｏ．２．５．５．１３により測定され、Ｄｋ＜３．９およびＤｆ＜０．０１２を示す、銅張積層板。
請求項１４に記載の銅張積層板を含むプリント回路基板。
請求項１５に記載のプリント回路基板を含む電子部品。
前記電子部品は、少なくとも１００ＭＨｚの高周波信号を処理する、請求項１６に記載の電子部品。
請求項１６に記載の電子部品を含む電子装置。
前記電子装置は、少なくとも１００ＭＨｚの高周波信号を処理する、請求項１８に記載の電子装置。