JP2019054244A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 第１の絶縁体と、
   前記第１の絶縁体上の第２の絶縁体および第３の絶縁体と、
   前記第２の絶縁体と、前記第３の絶縁体と、の間に配置された第４の絶縁体と、
   前記第１乃至前記第４の絶縁体を覆うように形成された酸化物と、
   前記酸化物上の第５の絶縁体と、
   前記第２の絶縁体と、前記第４の絶縁体の間に位置し、且つ前記第５の絶縁体と接する第１の導電体と、
   前記第３の絶縁体と、前記第４の絶縁体の間に位置し、且つ前記第５の絶縁体と接する第２の導電体と、
   前記第４の絶縁体と重畳する第３の導電体と、を有し、
   前記酸化物、前記第５の絶縁体、および前記第１の導電体は、第１のトランジスタを構成し、
   前記酸化物、前記第５の絶縁体、および前記第２の導電体は、第２のトランジスタを構成し、
   前記第３の導電体は、前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタと、の間に配置され、かつ、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方および前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と接続され、
   前記第１のトランジスタのチャネル長は、前記第１の導電体の短辺の長さよりも長く、
   前記第２のトランジスタのチャネル長は、前記第２の導電体の短辺の長さよりも長い、半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第３の導電体上に配置された第４の導電体と、
   前記第１のトランジスタ上に配置された第５の導電体と、
   前記第２のトランジスタ上に配置された第６の導電体と、
   前記第５の導電体上に配置された第１の容量素子と、
   前記第６の導電体上に配置された第２の容量素子と、を有し、
   前記第４の導電体は前記第３の導電体と接続され、
   前記第５の導電体は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方と接続され、かつ、前記第１の容量素子の一方の電極と接続され、
   前記第６の導電体は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方と接続され、かつ、前記第２の容量素子の一方の電極と接続される、半導体装置。
3. 請求項２において、
   前記第１のトランジスタ上および前記第２のトランジスタ上に設けられた第６の絶縁体と、
   前記第６の絶縁体上に設けられた第７の絶縁体と、を有し、
   前記第６の絶縁体は、前記酸化物を露出する第１の開口を有し、
   前記第６の絶縁体および前記第７の絶縁体は、前記酸化物を露出する第２の開口および第３の開口を有し、
   前記第１の開口内に前記第３の導電体が設けられ、
   前記第２の開口内に前記第５の導電体が設けられ、
   前記第３の開口内に前記第６の導電体が設けられ、
   前記第６の絶縁体上および前記第３の導電体上に、配線として機能する前記第４の導電体を有する、半導体装置。
4. 請求項３において、
   前記第４の導電体は、前記第４の導電体の長辺と、前記第１の導電体の長辺および前記第２の導電体の長辺と、が概略直交して設けられ、
   前記酸化物は、前記酸化物の長辺と、前記第４の導電体の長辺と、のなす角度が、２０°以上７０°以下で設けられる、半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記酸化物は、Ｉｎと、元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を含む、半導体装置。