JP2019047098A - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、第1実施形態の半導体製造装置の構成を示す断面図と上面図である。図1(a)が断面図に相当し、図1(b)が上面図に相当する。
図3は、第2実施形態の半導体製造装置の動作を説明するための模式図である。
11:第1遮断部材、11a:対向部、11b:介在部、
12:第2遮断部材、12a:対向部、12b:介在部、
13:薬液ノズル、14:第1ガスノズル、15:第2ガスノズル、16:回転部、
17:支持部、18:制御部、19:上面ノズル、20:下面ノズル、
21:第1タンク、21a:入口配管、21b:出口配管、21c:ヒーター、
22:第2タンク、22a:入口配管、22b:出口配管、22c:ヒーター、
23:第1流量制御部、24:第2流量制御部
Claims (11)
- ウェハを支持する支持部と、
前記ウェハの上面の第1領域に対向する第1部分と、前記ウェハと前記第1部分との間に介在する第2部分とを有する第1部材と、
前記ウェハの上面の第2領域に対向する第3部分と、前記ウェハと前記第3部分との間に介在する第4部分とを有する第2部材と、
前記ウェハを処理する第1液体を前記第1領域に供給する第1液体供給部と、
前記ウェハと前記第1部分との間に第1ガスを供給する第1ガス供給部と、
前記ウェハと前記第2部分との間に第2ガスを供給する第2ガス供給部と、
を備える半導体製造装置。 - 前記第1領域は、前記ウェハの中心部側に位置し、前記第2領域は、前記ウェハの外周部側に位置する、請求項1に記載の半導体製造装置。
- 前記第1部分と前記第3部分は、環状の形状を有し、前記第2部分と前記第4部分は、筒状の形状を有する、請求項1または2に記載の半導体製造装置。
- 前記第1および第2部材を独立に回転させる回転部をさらに備える、請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体製造装置。
- 前記第1液体供給部は、前記ウェハ上の膜をエッチングする前記第1液体を供給し、
前記第1ガス供給部は、前記エッチングの速度を増加させる前記第1ガスを供給し、
前記第2ガス供給部は、前記エッチングの速度を減少させる前記第2ガスを供給する、
請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体製造装置。 - 前記第1および第2ガス供給部はそれぞれ、前記第1液体中のエッチング剤と同じエッチング剤を含有する前記第1および第2ガスを供給する、請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体製造装置。
- 前記第1ガス中の前記エッチング剤の濃度を調整する第1調整部と、
前記第2ガス中の前記エッチング剤の濃度を調整する第2調整部と、
をさらに備える請求項6に記載の半導体製造装置。 - 前記ウェハに第2液体を供給する第2液体供給部をさらに備え、
前記第2液体供給部は、前記ウェハの上面の前記第2領域に前記第2液体を供給する上面供給部を含む、請求項1から7のいずれか1項に記載の半導体製造装置。 - 前記第2液体供給部はさらに、前記ウェハの下面に前記第2液体を供給する下面供給部を含む、請求項8に記載の半導体製造装置。
- 前記上面および下面供給部は、前記ウェハの端部に前記第2液体を供給する、請求項9に記載の半導体製造装置。
- ウェハを支持部により支持し、
前記ウェハの上方に、前記ウェハの上面の第1領域に対向する第1部分と、前記ウェハと前記第1部分との間に介在する第2部分とを有する第1部材を配置し、
前記ウェハの上方に、前記ウェハの上面の第2領域に対向する第3部分と、前記ウェハと前記第3部分との間に介在する第4部分とを有する第2部材を配置し、
前記ウェハを処理する第1液体を第1液体供給部から前記第1領域に供給し、
前記ウェハと前記第1部分との間に第1ガス供給部から第1ガスを供給し、
前記ウェハと前記第2部分との間に第2ガス供給部から第2ガスを供給する、
ことを含む半導体装置の製造方法。
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