JP2019032532A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019032532A5 JP2019032532A5 JP2018156164A JP2018156164A JP2019032532A5 JP 2019032532 A5 JP2019032532 A5 JP 2019032532A5 JP 2018156164 A JP2018156164 A JP 2018156164A JP 2018156164 A JP2018156164 A JP 2018156164A JP 2019032532 A5 JP2019032532 A5 JP 2019032532A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- shielding film
- film
- mask
- content
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 4
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 claims 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016025622 | 2016-02-15 | ||
| JP2016025622 | 2016-02-15 | ||
| JP2017567992A JP6396611B2 (ja) | 2016-02-15 | 2017-01-17 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017567992A Division JP6396611B2 (ja) | 2016-02-15 | 2017-01-17 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019032532A JP2019032532A (ja) | 2019-02-28 |
| JP2019032532A5 true JP2019032532A5 (https=) | 2020-02-06 |
| JP6929822B2 JP6929822B2 (ja) | 2021-09-01 |
Family
ID=59624890
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017567992A Active JP6396611B2 (ja) | 2016-02-15 | 2017-01-17 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP2018156164A Active JP6929822B2 (ja) | 2016-02-15 | 2018-08-23 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017567992A Active JP6396611B2 (ja) | 2016-02-15 | 2017-01-17 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20190040516A1 (https=) |
| JP (2) | JP6396611B2 (https=) |
| KR (1) | KR102703442B1 (https=) |
| TW (1) | TWI676859B (https=) |
| WO (1) | WO2017141605A1 (https=) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102429244B1 (ko) * | 2017-02-27 | 2022-08-05 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크 및 임프린트 몰드의 제조 방법 |
| JP6808566B2 (ja) * | 2017-04-08 | 2021-01-06 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP7231094B2 (ja) * | 2018-12-12 | 2023-03-01 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法 |
| CN113614636A (zh) * | 2019-03-07 | 2021-11-05 | Hoya株式会社 | 掩模坯料、转印用掩模的制造方法、及半导体器件的制造方法 |
| JP7313166B2 (ja) * | 2019-03-18 | 2023-07-24 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| US20210262077A1 (en) * | 2020-01-03 | 2021-08-26 | University Of Maryland, College Park | Tantalum pentoxide based low-loss metasurface optics for uv applications |
| WO2023037731A1 (ja) * | 2021-09-08 | 2023-03-16 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスク及び半導体デバイスの製造方法 |
| WO2025142703A1 (ja) * | 2023-12-27 | 2025-07-03 | Hoya株式会社 | 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
| JP2025174339A (ja) * | 2024-05-17 | 2025-11-28 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5230971A (en) * | 1991-08-08 | 1993-07-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photomask blank and process for making a photomask blank using gradual compositional transition between strata |
| EP0943427A4 (en) * | 1997-08-22 | 2001-10-17 | Mitsui Chemicals Inc | MULTILAYER FILMS CONTAINING POLY (4-METHYL-1-PENTEN) AND THEIR USE |
| KR100322537B1 (ko) * | 1999-07-02 | 2002-03-25 | 윤종용 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 위상 반전 마스크 제조방법 |
| TW480367B (en) * | 2000-02-16 | 2002-03-21 | Shinetsu Chemical Co | Photomask blank, photomask and method of manufacture |
| JP2001305713A (ja) | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスク用ブランクス及びフォトマスク |
| JP3956103B2 (ja) * | 2002-02-26 | 2007-08-08 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びフォトマスクブランクの評価方法 |
| JP2003322954A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-11-14 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| JP2002287330A (ja) * | 2002-03-01 | 2002-10-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスク用ブランクス及びフォトマスク |
| JP3956116B2 (ja) * | 2002-07-16 | 2007-08-08 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクの選定方法 |
| TWI259329B (en) * | 2003-04-09 | 2006-08-01 | Hoya Corp | Method of manufacturing a photomask, and photomask blank |
| JP2005284216A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 成膜用ターゲット及び位相シフトマスクブランクの製造方法 |
| JP4834203B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2011-12-14 | Ｈｏｙａ株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
| JP4509050B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2010-07-21 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
| JP5009590B2 (ja) * | 2006-11-01 | 2012-08-22 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランクの製造方法及びマスクの製造方法 |
| KR20160138586A (ko) * | 2008-09-30 | 2016-12-05 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 그 제조 방법과, 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| KR20110016739A (ko) * | 2009-08-12 | 2011-02-18 | 주식회사 에스앤에스텍 | 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조방법 |
| US9091934B2 (en) * | 2010-12-24 | 2015-07-28 | Hoya Corporation | Mask blank, method of manufacturing the same, transfer mask, and method of manufacturing the same |
| JP6100096B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2017-03-22 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスク、これらの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
| JP6005530B2 (ja) | 2013-01-15 | 2016-10-12 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法 |
| JP6544943B2 (ja) * | 2014-03-28 | 2019-07-17 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および半導体デバイスの製造方法 |
| JP6080915B2 (ja) * | 2014-08-25 | 2017-02-15 | エスアンドエス テック カンパニー リミテッド | 位相反転ブランクマスク及びフォトマスク |
| JP2016188958A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び、半導体デバイスの製造方法 |
| KR102368405B1 (ko) * | 2015-11-06 | 2022-02-28 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
-
2017
- 2017-01-17 US US16/076,384 patent/US20190040516A1/en not_active Abandoned
- 2017-01-17 WO PCT/JP2017/001343 patent/WO2017141605A1/ja not_active Ceased
- 2017-01-17 JP JP2017567992A patent/JP6396611B2/ja active Active
- 2017-01-17 KR KR1020187021041A patent/KR102703442B1/ko active Active
- 2017-01-24 TW TW106102574A patent/TWI676859B/zh active
-
2018
- 2018-08-23 JP JP2018156164A patent/JP6929822B2/ja active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2019032532A5 (https=) | ||
| TWI646386B (zh) | 光罩毛胚 | |
| TWI684059B (zh) | 半色調相位移光罩基板及半色調相位移光罩 | |
| KR102195696B1 (ko) | 하프톤 위상 시프트형 포토마스크 블랭크 | |
| KR102140572B1 (ko) | 포토 마스크 블랭크, 포토 마스크의 제조 방법 및 마스크 패턴 형성 방법 | |
| JP6398927B2 (ja) | フォトマスクブランク、その製造方法及びフォトマスク | |
| TWI752019B (zh) | 具有多層遮光層的光罩 | |
| JP2016189002A5 (https=) | ||
| KR102493632B1 (ko) | 위상 시프트형 포토마스크 블랭크 및 위상 시프트형 포토마스크 | |
| JP2012078441A5 (https=) | ||
| JP2017049312A5 (https=) | ||
| TW201928093A (zh) | 空白光罩及光罩之製造方法 | |
| JP2012113297A5 (https=) | ||
| JP2018180170A5 (https=) | ||
| TW200937111A (en) | Mask blank and method of manufacturing mask | |
| US9057961B2 (en) | Systems and methods for lithography masks | |
| KR20200084206A (ko) | 극자외선 리소그래피용 펠리클 및 그의 제조방법 | |
| US11156912B2 (en) | Lithography mask and method for manufacturing the same | |
| US10663854B2 (en) | Method of fabricating a photomask | |
| US20070015089A1 (en) | Method of making a semiconductor device using a dual-tone phase shift mask | |
| KR20180000552A (ko) | 블랭크 마스크, 위상반전 포토마스크 및 그의 제조 방법 | |
| KR101539499B1 (ko) | 적층형 마스크 | |
| KR102757115B1 (ko) | 포토마스크의 제조 방법 및 포토마스크 블랭크 | |
| KR20100013975A (ko) | 반사형 마스크, 그 제조방법 및 그를 이용한 반도체 소자의패턴 형성방법 | |
| Yamamoto et al. | New double exposure technique without alternating phase-shift mask |