JP2019009333A - セラミックス−金属接合体の製造方法、セラミックス回路基板の製造方法及びセラミックス−金属接合体 - Google Patents
セラミックス−金属接合体の製造方法、セラミックス回路基板の製造方法及びセラミックス−金属接合体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019009333A JP2019009333A JP2017124986A JP2017124986A JP2019009333A JP 2019009333 A JP2019009333 A JP 2019009333A JP 2017124986 A JP2017124986 A JP 2017124986A JP 2017124986 A JP2017124986 A JP 2017124986A JP 2019009333 A JP2019009333 A JP 2019009333A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- base material
- ceramic base
- metal
- scribe line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 214
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 173
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 173
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 25
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 207
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 17
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 claims description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010953 base metal Substances 0.000 abstract 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018566 Al—Si—Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010002329 Aneurysm Diseases 0.000 description 1
- 229910018594 Si-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008465 Si—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0044—Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
- H05K3/0052—Depaneling, i.e. dividing a panel into circuit boards; Working of the edges of circuit boards
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/0008—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
- B23K1/0016—Brazing of electronic components
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/008—Soldering within a furnace
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/19—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering taking account of the properties of the materials to be soldered
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/20—Preliminary treatment of work or areas to be soldered, e.g. in respect of a galvanic coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
- B23K26/402—Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
- C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
- C04B37/023—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used
- C04B37/026—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used consisting of metals or metal salts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
- H05K3/0061—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates onto a metallic substrate, e.g. a heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/42—Printed circuits
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/08—Non-ferrous metals or alloys
- B23K2103/10—Aluminium or alloys thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/18—Dissimilar materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
- B23K2103/52—Ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/12—Metallic interlayers
- C04B2237/121—Metallic interlayers based on aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/12—Metallic interlayers
- C04B2237/126—Metallic interlayers wherein the active component for bonding is not the largest fraction of the interlayer
- C04B2237/128—The active component for bonding being silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/40—Metallic
- C04B2237/402—Aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/64—Forming laminates or joined articles comprising grooves or cuts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
- C04B2237/706—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the metallic layers or articles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
- C04B2237/708—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the interlayers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09009—Substrate related
- H05K2201/0909—Preformed cutting or breaking line
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/15—Position of the PCB during processing
- H05K2203/1572—Processing both sides of a PCB by the same process; Providing a similar arrangement of components on both sides; Making interlayer connections from two sides
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
- H05K3/0026—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation
- H05K3/0029—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of inorganic insulating material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
Description
この特許文献1に記載のパワーモジュール用基板の製造方法では、複数のパワーモジュール用基板を形成可能な広い面積を有するセラミックス母材の表面にレーザ光を照射して、セラミックス母材を各パワーモジュール用基板の大きさに区画するようにスクライブライン(分割溝)を予め設けておき、このセラミックス母材の両面にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属板をAl−Si系のろう材を用いて接合した後、スクライブライン上の金属部分を除去するようにエッチングをし、その後、このスクライブラインに沿ってセラミックス基板を分割することにより個片化し、個々のパワーモジュール用基板を製造している。また、その接合時には、セラミックス母材と、その両面にろう材を用いて設けられる金属板とからなる積層体の両面をカーボン板で挟んで加圧しながら加熱することが行われる。
前述のパワーモジュール用基板の場合は、金属板(金属層)が比較的厚いので、ろう材の流出の違いが支障となることは少ないが、金属層が薄い場合、以下のような問題が生じる。
そのため、スクライブラインの形成された面側の金属層内に拡散するろう材中のSi原子よりも、スクライブラインの形成されていない面側の金属層内に拡散するろう材中のSi原子が多くなる。
このため、セラミックス母材のスクライブラインの形成された面側の金属層と、スクライブラインの形成されていない面側の金属層とで、Si原子の含有量が異なることとなる。
特に、個々のセラミックス回路基板の面積が小さくなるほど、セラミックス母材に形成されるスクライブラインの数が多くなるため、セラミックス母材のスクライブラインの形成された面側の金属層のSi濃度と、スクライブラインの形成されていない面側の金属層のSi濃度との違いが大きくなる。
このため、セラミックス母材と金属板との接合後に行われるエッチングのエッチングレートが、セラミックス母材のスクライブラインの形成された面側の金属層と、スクライブラインの形成されていない面側の金属層とで異なることとなり、スクライブラインの形成された面側の金属層と、スクライブラインの形成されていない面側の金属層とで面積が異なるパワーモジュール用基板が製造される。
これに対し、本発明では、セラミックス母材の表面及び裏面の両面にスクライブラインが形成されていることから、セラミックス母材の表面及び裏面の両面にろう材を用いて金属板を積層した積層体を積層方向に荷重をかけながら加熱して接合する際に、溶融したろう材が表面及び裏面のいずれの面においてもスクライブラインに沿って積層体の外側に排出されるので、上記片面にのみスクライブラインが形成されている場合に比べて、表面側の金属層内に拡散するろう材中のSi原子の含有量と、裏面側の金属層内に拡散するろう材中のSi原子の含有量との差が小さくなる。つまり、セラミックス母材の表面側の金属層のSi濃度と裏面側の金属層のSi濃度との差が小さくなるので、略同じエッチングレートにより各金属層をエッチングでき、略同じ大きさの金属層を形成できる。
また、スクライブラインがセラミックス母材の両面に形成され、各面から溶融したろう材が積層体の外側に排出されるので、金属層の表面のろうシミの発生を抑制できる。
このような構成によれば、複数のスクライブラインがセラミックス母材の両面に形成されるので、接合工程において、溶融したろう材が表面及び裏面のいずれの面においても積層体の外側に分散して排出されるので、各金属層内におけるSi濃度を均一化することができ、表面側の金属層内に拡散するろう材中のSi原子の含有量と、裏面側の金属層内に拡散するろう材中のSi原子の含有量との差がより小さくなる。つまり、セラミックス母材の表面側の金属層のSi濃度と裏面側の金属層のSi濃度との差をより小さくできるので、同じエッチングレートにより各金属層をエッチングでき、略同じ大きさの金属層を形成できる。
さらに、セラミックス母材と金属板との積層体から溶融したろう材が分散されて排出されるので、ろう瘤が大きくなることを抑制できる。
このような構成によれば、セラミックス母材の表面及び裏面の両面に複数のスクライブラインが同数形成されていることから、接合工程において、溶融したろう材が表面及び裏面のいずれの面においてもスクライブラインに沿って積層体の外側に同量排出されるので、セラミックス母材の表面側の金属層内に拡散するろう材中のSi原子の含有量と、裏面側の金属層内に拡散するろう材中のSi原子の含有量とを同じにすることができる。つまり、セラミックス母材の表面側の金属層と裏面側の金属層とが同じSi濃度の金属層となるので、同じエッチングレートにより各金属層をエッチングでき、同じ大きさの金属層を形成できる。
このような構成によれば、スクライブラインがセラミックス母材の両面の同じ分割予定位置に形成されているので、セラミックス−金属接合体をスクライブラインに沿って容易に個片化でき、セラミックス回路基板を効率よく製造できる。
このような構成によれば、上述したようにセラミックス母材の両面の同じ分割予定位置にスクライブラインが形成されている場合に比べて、スクライブラインの数を半分にできるので、スクライブライン形成工程に係る手間及び時間を少なくできる。
[第1実施形態]
図1は、第1実施形態のセラミックス回路基板1の断面を示す断面図である。
セラミックス回路基板1は、例えば、熱電変換素子の配線基板として用いられ、平面視で縦寸法5mm及び横寸法5mmの矩形状に形成されている。このようなセラミックス回路基板1は、図1に示すように、セラミックス基板2と、セラミックス基板2の両面に積層された金属層3,4とを備えている。これらセラミックス基板2と金属層3,4とは、ろう材を用いて接合されている。
セラミックス基板2は、窒化アルミニウム(AlN)、窒化珪素(Si3N4)、アルミナ等からなるセラミックス材料により形成され、厚さが0.3mm〜1.0mmとされている。
各金属層3,4は、純アルミニウム又はアルミニウム合金により形成され、厚さは0.4mm以下(例えば、0.25mm)とされている。これら金属層3,4としては、純度99.00質量%以上の純アルミニウム、純度99.99質量%以上の純アルミニウム又はJIS3003のアルミニウム合金等を適用することができる。
また、各金属層3,4とセラミックス基板2とは、Al−Si系のろう材を用いて接合されている。このろう材におけるSi濃度は、5質量%〜12質量%であることが望ましい。
まず、図3(a)に示すように、矩形板状のセラミックス母材20の表面20a及び裏面20bにスクライブライン21(21a,21b)を形成する。この図3(a)に示すように、スクライブライン21は、例えば、レーザ光Lを照射することにより、セラミックス母材20の表面及び裏面を線状に除去して形成される。このスクライブライン21は、セラミックス母材20に形成される溝部であり、後述する分割工程において、セラミックス母材20の分割の起点となる部位である。
なお、スクライブライン形成工程では、例えばCO2レーザ、YAGレーザ、YVO4レーザ、YLFレーザ等を使用してスクライブライン21の加工を行うことができる。
セラミックス母材20の表面20aには、図4及び図5に示す例では、実線で示すように縦方向に延びる15本のスクライブライン21aと、横方向に延びる6本のスクライブライン21aが形成されている。縦方向に延びる15本のスクライブライン21aのそれぞれは、横方向に所定間隔を開けて配置され、横方向に延びる6本のスクライブライン21aのそれぞれは、縦方向に所定間隔を開けて配置されている。
一方、セラミックス母材20の裏面20bには、図4に破線で示すように、縦方向に延びる14本のスクライブライン21bと、横方向に延びる5本のスクライブライン21bが形成され、縦方向に延びる14本のスクライブライン21bのそれぞれは、横方向に所定間隔を開け、かつ、セラミックス母材20の平面視で表面20aに配置された縦方向に延びる15本のスクライブライン21aとずれて配置される。また、横方向に延びる5本のスクライブライン21bのそれぞれは、縦方向に所定間隔を開け、かつ、上記平面視で表面20aに配置された横方向に延びる6本のスクライブライン21aとずれて配置される。
セラミックス母材20の厚さ寸法L1のセラミックス母材20の両面20a,20bのそれぞれに、深さ寸法L2、幅寸法L3のスクライブライン21が形成される。このため、セラミックス母材20におけるスクライブライン21が形成された部位(以下、分割予定位置という場合がある)の厚さ寸法L4は、スクライブライン21が形成されていないセラミックス母材20の厚さ寸法L1より小さくなっている。
深さ寸法L2は0.1mm〜0.3mm、幅寸法L3は0.05mm〜0.2mmとするとよい。
なお、本実施形態では、L1は0.635mm、L2は0.2mm、L3は0.1mm、L4は0.435mmに設定される。
このようなスクライブライン21が形成されたセラミックス母材20は、図示は省略するが、洗浄液により洗浄される。
次に、図3(b)に示すように、スクライブライン21の形成後に洗浄されたセラミックス母材20に厚さ寸法が0.4mm以下で、上記平面視でスクライブライン21により区画された複数の領域にまたがる大きさの金属板30,40をAl−Si系ろう材を用いて接合する。具体的には、セラミックス母材20の両面に、それぞれAl−Si系ろう材箔を介在させて金属板30,40を積層し、これらの積層体をカーボン板により挟持し、積層方向に荷重をかけながら(加圧した状態のまま)真空中で加熱することにより、セラミックス母材20と金属板30,40を接合する。これにより、セラミックス母材20の両面20a,20bに金属層3,4が設けられたセラミックス−金属接合体50が形成される。
ここで、積層方向への加圧は0.1MPa〜0.5MPa、加熱温度は630℃〜650℃とするとよい。また、Al−Si系ろう材箔は、厚さ5μm〜15μmであるとよい。ただし、加熱温度は使用した金属板30,40の融点よりも低いものとする。また、Al−Si系ろう材としては、Al−Si−Cuろう材やAl−Si−Mgろう材等を用いることもできる。
なお、ろう材は、接合時に溶融して一部が外部に流出し、残部もその全部又は大部分が金属層3,4に拡散するので、セラミックス母材20と金属層3,4との界面にろう材層は、極わずかに残っている場合もあるが、接合後にはほとんど残っていない場合もある。
また、スクライブライン21に沿って溶融したろう材が積層体の外側に排出されるので、金属層3,4の表面のろうシミの発生が抑制される。
そして、セラミックス−金属接合体50のセラミックス母材20に接合された金属層3,4をスクライブライン21に沿ってエッチングする。エッチングは公知の手法により行うことが可能であり、例えば、必要な箇所にマスキングした後に塩化鉄溶液を用いてエッチングする。エッチングによって、平面視で略矩形状の金属層3,4が形成される。これにより、図3(c)に示すように、セラミックス母材20には、スクライブライン21により区画された各領域に金属層3,4が設けられる。
この場合、セラミックス母材20の表面20a側の金属層3と裏面20b側の金属層4とが同じSi濃度の金属層となっているので、同じエッチングレートにより各金属層3,4をエッチングでき、略同じ大きさの金属層3,4が形成される。
そして、図示は省略するが、必要に応じて、セラミックス−金属接合体50に金メッキ、銀メッキ、ニッケルメッキ等のメッキ処理を施す。これにより、セラミックス−金属接合体50の金属層3,4にメッキ処理が施されたセラミックス−金属接合体50が製造される。
なお、本実施形態では、セラミックス−金属接合体50の両面にメッキ処理が施されるが、これに限らず、例えば、一方の面のみメッキ処理が施されることとしてもよい。
最後に、メッキ処理された金属層3,4と接合されたセラミックス母材20をスクライブライン21に沿って分割することで、図3(d)に示すように、セラミックス母材20が個片化され、複数(280個)のセラミックス回路基板1が製造される。
なお、分割工程においては、セラミックス母材20の最も外縁側に位置する領域(セラミックス母材20の外縁に最も近いスクライブライン21よりも外側に位置する領域には、上述した接合工程において外側に流れ出した溶融したろう材が固まることにより、ろう瘤が形成されているため、これらを事前に取り除いた後、各スクライブライン21に沿ってセラミックス母材20を個片化する。
さらに、セラミックス母材20と金属板30,40との積層体から溶融したろう材が分散されて積層体の外側に排出されるので、ろう瘤が大きくなることを抑制できる。
加えて、本実施形態では、セラミックス母材20の表面20aと裏面20bとに分けてスクライブライン21a,21bを形成することとしたので、後述する第3実施形態に比べて、スクライブライン21a,21bの数を半分にでき、スクライブライン形成工程に係る手間及び時間を少なくできる。
[第2実施形態]
図7は、第2実施形態に係るスクライブライン21a,21bが形成されたセラミックス母材20の平面図であり、図8は、セラミックス母材20を図7のB1−B1線にて切断した断面の一部を示す断面図であり、図9は、セラミックス母材20を図7のC1−C1線にて切断した断面の一部を示す断面図である。
[第3実施形態]
図10は、第3実施形態に係るスクライブライン21a,21bが形成されたセラミックス母材20の平面図であり、図11は、セラミックス母材20を図10のD1−D1線にて切断した断面の一部を示す断面図であり、図12は、図11に示すセラミックス母材20の部分拡大図である。
本実施形態では、全てのスクライブライン21をセラミックス母材20の表面20aと裏面20bとの同じ分割予定位置に形成したものである。すなわち、セラミックス母材20の表面20aには、図10及び図11に示すように、縦方向に延びる29本のスクライブライン21aと横方向に延びる11本のスクライブライン21aとがそれぞれ所定間隔を開けて配置されている。また、セラミックス母材20の裏面20bには、縦方向に延びる29本のスクライブライン21bと横方向に延びる11本のスクライブライン21bとがそれぞれ所定間隔を開け、かつ、表面20aに形成されるスクライブライン21aに対向して配置されている。つまり、表面20aに位置する40本のスクライブライン21aと裏面20bに位置する40本のスクライブライン21bとが重なって配置される。
また、セラミックス母材20におけるスクライブライン21が形成された分割予定位置の厚さ寸法L8は、スクライブライン21が形成されていないセラミックス母材20の厚さ寸法L1より小さくなっている。
なお、本実施形態では、スクライブライン21a,21bのそれぞれが、両面20a,20bの同じ分割予定位置に形成されているため、スクライブライン21a,21bのそれぞれの深さ寸法L5,L6は、上記第1実施形態のスクライブライン21の深さ寸法L2よりも小さく設定される。また、分割予定位置の厚さ寸法L8は、上記第1実施形態の分割予定位置の厚さ寸法L4と略同じに設定される。
なお、本実施形態では、L5,L6は0.1mm、L7は0.1mm、L8は0.435mmに設定される。
なお、この第3実施形態では、セラミックス母材20の表裏に同数(40本)のスクライブライン21a,21bを形成したが、前述の第1実施形態では、セラミックス母材20の表面20aに21本、裏面20bに19本と、スクライブライン21a,21bを分けて形成した。すなわち、第1実施形態では、セラミックス母材20の分割予定位置の一方にのみスクライブライン21が形成されていることとした。これに対し、第3実施形態では、セラミックス母材20の両面にスクライブライン21を形成したので、分割作業を容易にすることができる。
上記各実施形態では、スクライブライン21a,21bのそれぞれは、各面20a,20bのそれぞれに複数本形成されることとしたが、これに限らず、例えば、表面20aにスクライブライン21aが1本形成され、裏面20bにスクライブライン21bが複数本形成されてもよいし、スクライブライン21a,21bが各面20a,20bに1本ずつ形成されてもよい。
すなわち、本発明では、セラミックス母材20の表面20a及び裏面20bのそれぞれにスクライブライン21a,21bが1本以上形成されていればよい。
なお、スクライブライン21がセラミックス母材20の両面20a,20bにそれぞれ1本ずつ形成される場合、スクライブライン21の端部に形成されるろう瘤は大きいものの、スクライブライン21を設けたところにのみ溶融したろう材を排出させることができる。すなわち、ろう瘤が形成される位置を制御できる。
2 セラミックス基板
3,4 金属層
20 セラミックス母材
20a 表面
20b 裏面
21,21a,21b スクライブライン
30,40 金属板
50 セラミックス−金属接合体
Claims (11)
- 複数のセラミックス基板を形成可能な大きさのセラミックス母材に各セラミックス基板を分割するためのスクライブラインを前記セラミックス母材の両面に形成するスクライブライン形成工程と、
前記セラミックス母材の両面に前記スクライブラインにより区画された複数の領域にまたがる大きさで厚さ寸法が0.4mm以下のアルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属板をAl−Si系ろう材を介して積層し、積層方向に荷重をかけながら加熱して前記セラミックス母材の両面に前記金属板を接合し、金属層を形成する接合工程と、
前記金属層を前記スクライブラインに沿ってエッチングするエッチング工程と、を有することを特徴とするセラミックス−金属接合体の製造方法。 - 前記スクライブライン形成工程では、前記セラミックス母材の両面のそれぞれに前記スクライブラインを複数本形成することを特徴とする請求項1に記載のセラミックス−金属接合体の製造方法。
- 前記スクライブライン形成工程では、前記セラミックス母材の表面に形成される前記スクライブラインの本数と、前記セラミックス母材の裏面に形成される前記スクライブラインの本数と、を同じとすることを特徴とする請求項2に記載のセラミックス−金属接合体の製造方法。
- 前記スクライブライン形成工程において、前記スクライブラインを前記セラミックス母材の両面の同じ分割予定位置に形成することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のセラミックス−金属接合体の製造方法。
- 前記スクライブライン形成工程において、前記セラミックス母材の表面と前記セラミックス母材の裏面とに前記スクライブラインを前記セラミックス母材の面方向にずらして形成することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のセラミックス−金属接合体の製造方法。
- 請求項1から5のいずれか一項に記載のセラミックス−金属接合体の製造方法にて製造された前記セラミックス−金属接合体を前記エッチング工程後に前記スクライブラインに沿って分割して個片化することにより、前記セラミックス基板の両面に前記金属層が接合されたセラミックス回路基板を製造することを特徴とするセラミックス回路基板の製造方法。
- 複数のセラミックス基板を形成可能な大きさを有するとともに、両面に複数のセラミックス基板を分割するためのスクライブラインが形成されたセラミックス母材と、
前記セラミックス母材の両面に前記スクライブラインにより区画された複数の領域にまたがって接合され、厚さ寸法が0.4mm以下のアルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属層と、を備えることを特徴とするセラミックス−金属接合体。 - 前記セラミックス母材の両面のそれぞれには、前記スクライブラインが複数本形成されていることを特徴とする請求項7に記載のセラミックス−金属接合体。
- 前記セラミックス母材の表面に形成される前記スクライブラインの本数と、前記セラミックス母材の裏面に形成される前記スクライブラインの本数と、が同じであることを特徴とする請求項8に記載のセラミックス−金属接合体。
- 前記スクライブラインは、前記セラミックス母材の両面の同じ分割予定位置に形成されていることを特徴とする請求項7から9のいずれか一項に記載のセラミックス−金属接合体。
- 前記セラミックス母材の表面に形成された前記スクライブラインと前記セラミックス母材の裏面に形成された前記スクライブラインとが前記セラミックス母材の面方向にずれていることを特徴とする請求項7から9のいずれか一項に記載のセラミックス−金属接合体。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017124986A JP2019009333A (ja) | 2017-06-27 | 2017-06-27 | セラミックス−金属接合体の製造方法、セラミックス回路基板の製造方法及びセラミックス−金属接合体 |
KR1020207000751A KR20200021504A (ko) | 2017-06-27 | 2018-06-11 | 세라믹스-금속층 접합체의 제조 방법, 세라믹스 회로 기판의 제조 방법 및 금속판 접합 세라믹스 모재판 |
CN201880033573.0A CN110651535A (zh) | 2017-06-27 | 2018-06-11 | 陶瓷-金属层接合体的制造方法、陶瓷电路基板的制造方法及接合金属板的陶瓷母材板 |
US16/616,136 US10806028B2 (en) | 2017-06-27 | 2018-06-11 | Method for manufacturing ceramic-metal layer assembly, method for manufacturing ceramic circuit board, and metal-board-joined ceramic base material board |
EP18823451.2A EP3648555A4 (en) | 2017-06-27 | 2018-06-11 | METHOD FOR PRODUCING A CERAMIC METAL LAYER ARRANGEMENT, METHOD FOR PRODUCING A CERAMIC CIRCUIT BOARD AND CERAMIC BASE MATERIAL PLATE CONNECTED TO A METAL PLATE |
PCT/JP2018/022182 WO2019003880A1 (ja) | 2017-06-27 | 2018-06-11 | セラミックス-金属層接合体の製造方法、セラミックス回路基板の製造方法及び金属板接合セラミックス母材板 |
TW107121813A TWI762663B (zh) | 2017-06-27 | 2018-06-26 | 陶瓷-金屬層接合體的製造方法、陶瓷電路基板的製造方法及金屬板接合陶瓷母材板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017124986A JP2019009333A (ja) | 2017-06-27 | 2017-06-27 | セラミックス−金属接合体の製造方法、セラミックス回路基板の製造方法及びセラミックス−金属接合体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019009333A true JP2019009333A (ja) | 2019-01-17 |
Family
ID=64742058
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017124986A Pending JP2019009333A (ja) | 2017-06-27 | 2017-06-27 | セラミックス−金属接合体の製造方法、セラミックス回路基板の製造方法及びセラミックス−金属接合体 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10806028B2 (ja) |
EP (1) | EP3648555A4 (ja) |
JP (1) | JP2019009333A (ja) |
KR (1) | KR20200021504A (ja) |
CN (1) | CN110651535A (ja) |
TW (1) | TWI762663B (ja) |
WO (1) | WO2019003880A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7147232B2 (ja) * | 2018-04-09 | 2022-10-05 | 三菱マテリアル株式会社 | セラミックス-金属接合体の製造方法、多数個取り用セラミックス-金属接合体の製造方法、セラミックス-金属接合体及び多数個取り用セラミックス-金属接合体 |
EP4006966A4 (en) * | 2019-07-31 | 2022-09-28 | Denka Company Limited | CERAMIC SUBSTRATE AND METHOD FOR MAKING IT, COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD FOR MAKING IT, AND CIRCUIT SUBSTRATE AND METHOD FOR MAKING IT |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005057031A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック基板とその製造方法 |
JP2005129625A (ja) * | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Denki Kagaku Kogyo Kk | スリット入り回路基板及びその製造方法 |
JP2009252971A (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Dowa Metaltech Kk | 金属セラミックス接合基板及びその製造方法及び金属セラミックス接合体 |
JP2012138541A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-19 | Hitachi Ltd | 半導体モジュール用回路基板 |
JP2015185606A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09312357A (ja) * | 1996-05-21 | 1997-12-02 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2000086367A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-03-28 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 接合体及びそれを用いた回路基板 |
DE19927046B4 (de) * | 1999-06-14 | 2007-01-25 | Electrovac Ag | Keramik-Metall-Substrat als Mehrfachsubstrat |
JP4846455B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2011-12-28 | 電気化学工業株式会社 | 窒化物セラミックス回路基板の製造方法。 |
JP2008041945A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板の製造方法およびパワーモジュール用基板並びにパワーモジュール |
JP5050549B2 (ja) * | 2007-02-08 | 2012-10-17 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
US20100258233A1 (en) * | 2007-11-06 | 2010-10-14 | Mitsubishi Materials Corporation | Ceramic substrate, method of manufacturing ceramic substrate, and method of manufacturing power module substrate |
JP5637719B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-12-10 | Dowaメタルテック株式会社 | 金属セラミックス接合回路基板の製造方法 |
EP2472601A3 (en) * | 2010-10-19 | 2013-05-01 | BP Corporation North America Inc. | Method Of Reducing Laser-Induced Damage In Forming Laser-Processed Contacts |
EP2980048B1 (en) * | 2013-03-29 | 2018-08-08 | Mitsubishi Materials Corporation | Apparatus and method for producing (metallic plate)-(ceramic board) laminated assembly, and apparatus and method for producing substrate for power modules |
DE102013105528B4 (de) * | 2013-05-29 | 2021-09-02 | Rogers Germany Gmbh | Metall-Keramik-Substrat sowie Verfahren zum Herstellen eines Metall-Keramik-Substrates |
JP6201761B2 (ja) | 2014-01-08 | 2017-09-27 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
US10068829B2 (en) * | 2014-04-25 | 2018-09-04 | Mitsubishi Materials Corporation | Power-module substrate unit and power module |
JP6550971B2 (ja) * | 2014-07-02 | 2019-07-31 | 三菱マテリアル株式会社 | 接合体の製造方法、多層接合体の製造方法、パワーモジュール用基板の製造方法及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 |
JP2017124986A (ja) | 2016-01-13 | 2017-07-20 | 株式会社Kri | 熱分解性銅錯体 |
-
2017
- 2017-06-27 JP JP2017124986A patent/JP2019009333A/ja active Pending
-
2018
- 2018-06-11 KR KR1020207000751A patent/KR20200021504A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-06-11 US US16/616,136 patent/US10806028B2/en active Active
- 2018-06-11 WO PCT/JP2018/022182 patent/WO2019003880A1/ja unknown
- 2018-06-11 CN CN201880033573.0A patent/CN110651535A/zh active Pending
- 2018-06-11 EP EP18823451.2A patent/EP3648555A4/en not_active Withdrawn
- 2018-06-26 TW TW107121813A patent/TWI762663B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005057031A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック基板とその製造方法 |
JP2005129625A (ja) * | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Denki Kagaku Kogyo Kk | スリット入り回路基板及びその製造方法 |
JP2009252971A (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Dowa Metaltech Kk | 金属セラミックス接合基板及びその製造方法及び金属セラミックス接合体 |
JP2012138541A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-19 | Hitachi Ltd | 半導体モジュール用回路基板 |
JP2015185606A (ja) * | 2014-03-20 | 2015-10-22 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10806028B2 (en) | 2020-10-13 |
CN110651535A (zh) | 2020-01-03 |
US20200146144A1 (en) | 2020-05-07 |
EP3648555A4 (en) | 2021-03-10 |
TWI762663B (zh) | 2022-05-01 |
KR20200021504A (ko) | 2020-02-28 |
WO2019003880A1 (ja) | 2019-01-03 |
TW201908270A (zh) | 2019-03-01 |
EP3648555A1 (en) | 2020-05-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6853455B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP2019009333A (ja) | セラミックス−金属接合体の製造方法、セラミックス回路基板の製造方法及びセラミックス−金属接合体 | |
JP5884291B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板ユニット | |
JP2011119652A (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール | |
JP5251772B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法および製造中間体 | |
JP2007311526A (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法、パワーモジュール用基板およびパワーモジュール | |
WO2019198551A1 (ja) | セラミックス-金属接合体およびその製造方法、多数個取り用セラミックス-金属接合体およびその製造方法 | |
JP4725412B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP5056811B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法、製造装置、および製造中間体 | |
JP7147610B2 (ja) | 絶縁回路基板及びその製造方法 | |
KR20120021154A (ko) | 히트 싱크 부착 파워 모듈용 기판의 제조 방법, 히트 싱크 부착 파워 모듈용 기판 및 파워 모듈 | |
KR102365887B1 (ko) | 레이저 다이오드와 같은 구성 요소를 방열판에 연결하기 위한 어댑터 요소, 레이저 다이오드, 방열판 및 어댑터 요소를 포함하는 시스템 및 어댑터 요소를 제조하는 방법 | |
JP7020137B2 (ja) | セラミックス-金属接合体の製造方法、製造装置及びセラミックス-金属接合体 | |
JP5887939B2 (ja) | ヒートシンク付きパワーモジュール用基板の製造方法及び製造装置 | |
JP5131205B2 (ja) | パワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP2008124134A (ja) | 熱電変換モジュールおよびその製造方法 | |
JP6264129B2 (ja) | パワーモジュール用基板及びその製造方法 | |
KR20190129940A (ko) | 확산 솔더링을 위한 솔더 프리폼, 솔더 프리폼의 생성을 위한 방법, 및 솔더 프리폼의 어셈블리를 위한 방법 | |
JP6123440B2 (ja) | 分割体の製造方法及び製造装置 | |
JP5331022B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP6201384B2 (ja) | パワーモジュール製造用積層基板 | |
JP2017010981A (ja) | 配線基板の製造方法 | |
JP2022132865A (ja) | 絶縁回路基板の製造方法 | |
JPWO2022045140A5 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200325 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210330 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210521 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20211012 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211216 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20211216 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20211224 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20220104 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20220218 |
|
C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211 Effective date: 20220222 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20220913 |
|
C23 | Notice of termination of proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23 Effective date: 20221206 |
|
C03 | Trial/appeal decision taken |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03 Effective date: 20230110 |
|
C30A | Notification sent |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012 Effective date: 20230110 |