JP6201761B2 - パワーモジュール用基板の製造方法 - Google Patents
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Description
また、特許文献2では、第1固定部の端縁を基板(セラミックス板)の分割溝に一致させて、第2固定部との間に基板を挟持し、分割溝を境界とした第1固定部の反対側において、基板を分割溝に沿って押圧することにより、基板を折り曲げて分割する装置が開示されている。
そして、セラミックス基板の形成領域に金属層が積層された積層基板を分割することで、面取りした外形形状を有するパワーモジュール用基板を複数形成することができる。
このように、本発明のパワーモジュール用基板の製造方法においては、セラミックス板に予め貫通孔を形成しておくことで、セラミックス基板の面取り形状を分割作業によって形成する必要がなく、面取り形状部の形成のために複雑な金型構造を必要としない。また、セラミックス板と金属板との接合時に、貫通孔に純度99%以上のアルミニウムからなるアルミニウム体を挿入した状態としておくことで、貫通孔の影響を回避することができるので、金属板を変形させることがない。
貫通孔内の金属は、純度99%以上のアルミニウムからなるアルミニウム体で構成されているので、金属層のパターン形成を行うエッチング処理時に同時に除去することができる。したがって、工程処理を簡略化でき、積層基板を効率的に個片化して面取りされたパワーモジュール用基板を製造することが可能である。
分割溝形成工程により、分割溝が形成されることで、セラミックス基板の形成領域に金属層が積層された積層基板をその分割溝で分割することにより、面取りした外形形状を有するパワーモジュール用基板を効率よく形成することができる。
外枠領域を設けることで、複数のセラミックス基板の形成領域を並べた領域の外周縁も、セラミックス基板の形成領域どうしの境界と同様に、貫通孔により区画することができ、金型構造を単純化することができる。
図2は、本発明のパワーモジュール用基板の製造方法により製造されるパワーモジュール用基板3を用いたパワーモジュール1を示している。この図2のパワーモジュール1は、パワーモジュール用基板3と、パワーモジュール用基板3の表面に搭載された半導体チップ等の電子部品4と、裏面に取り付けられたヒートシンク5とから構成される。
セラミックス基板2は、AlN(窒化アルミニウム)、Si3N4(窒化珪素)等の窒化物系セラミックス、もしくはAl2O3(アルミナ)等の酸化物系セラミックスにより形成されている。本実施形態では、セラミックス基板2としてAl2O3(アルミナ)を用いた。
また、ヒートシンク5は、平板状のもの、熱間鍛造等によって多数のピン状フィンを一体に形成したもの、押出成形によって相互に平行な帯状フィンを一体に形成したもの等、適宜の形状のものを採用することができる。
まず、セラミックスを構成する原料粉末をバインダー及び有機溶剤等と混合したスラリーを形成し(スラリー形成工程)、このスラリーをシート状に形成してセラミックスのグリーンシートを形成する(グリーンシート形成工程)。
グリーンシートは、ドクターブレード法や押出成形によるテープ成形等の方法を用いて形成することができる。例えば、ドクターブレード法によってグリーンシートを形成するには、スラリーをキャリアフィルム上にシート状に塗布し、そのシート状のスラリーを乾燥炉内に通過させ、スラリー中の揮発成分を揮発させることによりシート状の形態が保持された状態のグリーンシートを形成できる。
なお、グリーンシートは、キャリアフィルムから剥離して、図4に示すように、グリーンシート10だけでロール状に巻き取ることが好適である。このとき、所定のグリーンシート幅になるように、スリッターで連続的に切断しておくことで、後のシート成形工程への搬送等が容易になる。
この場合、長尺のグリーンシート10を切断して矩形状のグリーンシートとした後、図5に示すように、パワーモジュール用基板3を構成するセラミックス基板2の面取り形状16となる部分を、パンチングマシン等によってその厚み方向に打抜くことにより、複数の貫通孔15が形成されたシート成形体11が形成される。
なお、シート成形体11は、焼成時に収縮することを考慮し、焼成後に所定寸法のセラミックス板を得られるように、焼成の収縮率に合わせた寸法で成形されている。
焼成工程は、例えば、窒素雰囲気中でシート成形体11を1400℃〜1600℃に加熱することにより行う。
なお、この焼成工程により得られるセラミックス板は、シート成形体11に対して収縮するので、シート成形体11に形成する貫通孔15の大きさ及び位置は、この収縮分を見込んで設定しておく必要がある。
また、本発明では、上記シート成形工程と焼成工程とを合わせてセラミックス板成形工程と称している。
分割溝21は、例えばレーザースクライブにより、セラミックス基板2の外形形状に沿ってレーザーを複数回照射することで、セラミックス板20を切削加工して形成される。
また、分割溝21は、図6に示すように、セラミックス板20に形成された貫通孔15aの間を順次繋いで形成されている。これら分割溝21によって、セラミックス基板2の外形形状の大きさに区画された4つのセラミックス基板2の形成領域22が縦横に2つずつ整列して形成されるとともに、それら4つのセラミックス基板2の形成領域22の周囲に配置される外枠領域24が形成されている。
セラミックス板20と金属板60,70との接合は、図8(a)に示すように、セラミックス板20の金属板60,70が接合される領域内の貫通孔15aを純度99%以上のアルミニウムからなるアルミニウム体18を挿入した状態で行われる。本実施形態において、アルミニウム体18は純度99%のアルミニウムで構成されている。このアルミニウム体18の形態としては、例えば貫通孔15aと同形状のピン部材や金属粉を用いることができ、これらを貫通孔15a内に詰め込むことにより、貫通孔15aを塞いだ状態とする。
そして、この貫通孔15aが塞がれた状態のセラミックス板20の両面に、ろう材箔19を介在させて金属板60,70を積層し、これらの積層体を加圧した状態のまま真空中で加熱することにより、セラミックス板20と金属板60,70とをろう付け接合する(図8(b))。また、これら金属板60,70をエッチングすることにより、金属層6,7を形成する(図8(c))。貫通孔15a内の金属は、このエッチング処理の際に同時に除去される。
金属層6,7は、分割溝21により区画された4つの形成領域22に、それぞれ設けられる。なお、図9の積層基板30において、セラミックス板20の裏面に接合された金属層6は回路層用、セラミックス板20の表面に接合された金属層7は放熱層用である。
この場合、図10に示すように、積層基板30を構成するセラミックス板20の外枠領域24を、外枠分割溝21C〜21Eに沿って除去した後、図11に示す、積層基板31を形成し、十字形分割溝21A,21Bから分割して、面取りされた4個のパワーモジュール用基板3を製造する。なお、積層基板30の外枠領域24は、まず外枠領域24Aを分割した後(図10(a))、さらに外枠領域24Bを分割することにより除去される(図10(b))。そして、外枠領域24を除去することにより、図11に示すように、積層基板31の外周面に面取り形状16が形成される。
この分割溝を形成したセラミックス板に金属板を接合する際に、貫通孔をアルミニウム体18により塞いだ状態としておくことで、溶融したろう材や金属が貫通孔に流れ込むことが防止され、貫通孔の影響を回避することができる。
貫通孔を塞がずに接合すると、溶融したろう材や金属板の金属が貫通孔内に流れ込んで充満し、その貫通孔の両端で金属を溶融する現象が生じる。セラミックス板に接合される金属板が薄肉であることから、表面が窪んだ状態となるなど、外観不良を生じ易くなる。
一方、上述したように、貫通孔を金属で塞いだ状態ではセラミックス板と金属板との接合時に金属板を変形させることがない。また、貫通孔内の金属は、純度99%のアルミニウムで構成されているので、セラミックス板に積層された金属板をエッチングする際に、同時に除去することができる。
したがって、パワーモジュール用基板の製造工程を簡略化でき、セラミックス板を効率的に個片化して、面取りされたパワーモジュール用基板を製造することができる。
例えば、上記実施形態では、貫通孔15aを四角形に形成していたが、図12に示すように円形の貫通孔15bを形成してもよい。また、図13に示すように、形成領域22の間に区画される貫通孔15aと、複数並べられた形成領域22の外周縁において面取り形状を形成する貫通孔15c,15dとで、異なる形状の貫通孔としてもよく、その他適宜の形状によって貫通孔を形成することができる。
また、積層基板の外枠領域を4つに区画した領域24A,24Bを形成していたが、図12に示す積層基板80のように、十字形分割溝21A,21Bをセラミックス基板20の外周縁まで延長した分割溝を形成することによって、外枠領域24を4つ以上に区画してもよい。この場合、外枠領域は8つに区画されており、外枠領域24を除去する前に、十字形分割溝21A,21Bから分割して4つの分割体を形成しておき、個々の分割体に連結状態となっている外枠領域24を除去する工程としてもよい。
また、上記実施形態では、分割溝21はセラミックス板20の一方の面のみに設けられているが、これに限定されず、セラミックス板の両面に設けてもよい。
さらに、スラリーを乾燥させた後、得られたセラミックスのグリーンシートは、上記実施形態のように、そのまま巻取り回収してもよいし、任意の方法で適当な大きさに切断加工して回収してもよい。
また、上記実施形態では、分割溝21はシート成形体11の焼成後に形成したが、これに限定されず、焼成前に形成してもよいし、金属板をエッチングした後に形成してもよい。
2 セラミックス基板
3 パワーモジュール用基板
4 電子部品
5 ヒートシンク
6 金属層(回路層)
7 金属層(放熱層)
8 はんだ接合層
10 グリーンシート
11 シート成形体
15,15a〜15d 貫通孔
16 面取り形状
18 アルミニウム体
19 ろう材箔
20 セラミックス板
20a 分割溝形成面
20b 押圧面
21,21C〜21E 分割溝
21A,21B 分割溝(十字形分割溝)
22 分割体形成領域
24,24A,24B 外枠領域
30,31,80 積層基板
60,70 金属板
Claims (4)
- セラミックス基板を複数形成可能なセラミックス板を個片化して金属層が積層された複数のパワーモジュール用基板を製造する方法であって、セラミックスのグリーンシートに前記セラミックス基板の面取り形状に対応する貫通孔を形成したシート成形体を焼成して前記セラミックス板を形成するセラミックス板成形工程と、前記セラミックス板の少なくとも一方の面に金属板をろう付けによって接合する金属板接合工程と、該金属板をエッチングすることにより各セラミックス基板の形成領域に金属層が形成された積層基板を形成する金属層形成工程と、前記積層基板を分割して複数のパワーモジュール用基板を製造する分割工程とを有しており、前記金属板接合工程において、前記セラミックス板は前記金属板が接合される領域内の前記貫通孔に純度99%以上のアルミニウムからなるアルミニウム体を挿入した状態で、前記金属板とのろう付けが行われることを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。
- 前記金属層形成工程において、前記アルミニウム体をエッチングにより除去することによって、前記セラミックス板に前記セラミックス基板の面取り形状に対応する貫通孔を形成することを特徴とする請求項1記載のパワーモジュール用基板の製造方法。
- 請求項1又は請求項2記載のパワーモジュール用基板の製造方法において、前記セラミックス基板の外形形状に沿って前記貫通孔の間を順次繋いで分割溝を形成する分割溝形成工程を有していることを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。
- 前記セラミックス板成形工程において、前記シート成形体は、前記セラミックス基板の形成領域の周囲に外枠領域が設けられることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板の製造方法。
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