JP2011029319A - パワーモジュール用基板の製造方法および製造中間体 - Google Patents

パワーモジュール用基板の製造方法および製造中間体 Download PDF

Info

Publication number
JP2011029319A
JP2011029319A JP2009172109A JP2009172109A JP2011029319A JP 2011029319 A JP2011029319 A JP 2011029319A JP 2009172109 A JP2009172109 A JP 2009172109A JP 2009172109 A JP2009172109 A JP 2009172109A JP 2011029319 A JP2011029319 A JP 2011029319A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal plate
power module
substrate
ceramic substrate
brazing material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009172109A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5251772B2 (ja
Inventor
Shinsuke Aoki
慎介 青木
Toshiyuki Nagase
敏之 長瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to JP2009172109A priority Critical patent/JP5251772B2/ja
Publication of JP2011029319A publication Critical patent/JP2011029319A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5251772B2 publication Critical patent/JP5251772B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

【課題】金属板とセラミックス基板とを確実に接合でき、ろうこぶの形成を抑制してろうこぶの除去作業を不要とし、ろうこぶの除去作業によるセラミックス基板の破損を防止するとともに、精密な加工を可能にするパワーモジュール用基板の製造方法および製造中間体を提供する。
【解決手段】一対の略矩形の加圧板60間で加熱することにより、セラミックス基板20の表面に金属板30の裏面をろう付けする接合工程を有するパワーモジュール用基板の製造方法であって、金属板30の表面に、1つの角部を形成する2辺に沿って、加圧板60から離間する所定幅の逃げ面32を設け、接合工程において、セラミックス基板20、ろう材40および加圧板60の各1つの角部を金属板30の角部に一致させるようにこれらを積層するとともに、加圧板60の表面と金属板30の逃げ面32との間にろう溜まり空間52を形成する。
【選択図】図4

Description

本発明は、大電流、高電圧を制御する半導体装置に用いられるパワーモジュール用基板の製造方法および製造中間体に関する。
一般に、半導体素子の中でも電力供給のためのパワーモジュールは発熱量が比較的高いため、このパワーモジュール用基板としては、例えば特許文献1に示されるように、AlN、Al、Si、SiC等からなるセラミックス基板上にアルミニウム板等の金属板をAl−Si系等のろう材を介して接合させたものが用いられている。この金属板は、後工程のエッチング処理によって所望パターンの回路が形成されて回路層となる。そして、エッチング後は、この回路層の表面にはんだ材を介して電子部品(半導体チップ等のパワー素子)が搭載され、パワーモジュールとなる。
これに対して、エッチング工程を行わずに回路基板を製造する方法として、例えば特許文献2に示されるように、予め回路パターン状に打ち抜き加工された金属板を、ろう材を用いてセラミックス基板に接合することが提案されている。
特開2004−356502号公報 特開2008−108957号公報
上述のようにセラミックス基板と金属板とを接合する場合、ろう材の量が不足すると、金属板とセラミックス基板との間でろう材が不足する箇所が生じて、セラミックス基板に対して金属板を確実に接合できないおそれがある。接合が十分でない場合には、セラミックス基板の反りによって接合部分が剥離し、後工程で形成された回路層がはがれたり、温度変化を繰り返す温度サイクル条件下において剥離が生じたりするおそれがある。
一方、ろう材の量が過剰である場合、溶融したろう材の余剰分がセラミックス基板および金属板の側面を経由して金属板の表面に付着し、この表面を変質させ、その後に固着される電子部品のボンディングワイヤの接着性が損なわれるという問題がある。また、余剰のろう材を除去する際にセラミックス基板が破損するおそれがある。
また、金属板とセラミックス基板とを接合する際に、それぞれの一つの角部を一致させることにより位置決めする場合があり、さらにエッチング処理においても同様の位置決め方法を用いて回路層を形成される場合がある。セラミックス基板および金属板をこのように接合する場合、これらセラミックス基板および金属板は、同様に角部を一致させることにより位置決めされた加圧板間で積層方向に加圧されながら加熱される。このとき、加圧板も同様に角部において位置決めされていることから、この角部を構成する辺縁部では加圧板、セラミックス基板および金属板の端面が面一となる。このため、加熱によって溶融したろう材の余剰分は、積層されたセラミックス基板および金属板から押し出されてその端面や加圧板の端面および表面にも付着し、積層体の面方向および積層方向に突出するこぶ状に固まって、いわゆるろうこぶを形成するおそれがある。このろうこぶによって、エッチング処理時の積層体の位置決めが妨げられ、精密な回路層の形成が困難になるという問題が生じる。また、このようなろうこぶを除去する作業が必要となるために生産性が低下し、さらに除去時にセラミックス基板に負荷がかかるため、セラミックス基板が破損するおそれもある。
これに対し、特許文献2に示されるように、回路パターン状の金属板をセラミックス基板に接合する方法の場合、基板端面でのろうこぶの形成は抑制されるが、回路パターンからろう材がはみ出しやすく、回路パターン表面にろう材が付着したり、はみ出したろう材による短絡が生じたりするおそれがある。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、金属板とセラミックス基板とを確実に接合でき、ろうこぶの形成を抑制してろうこぶの除去作業を不要とし、ろうこぶの除去作業によるセラミックス基板の破損を防止するとともに、精密な加工を可能にするパワーモジュール用基板の製造方法および製造中間体を提供することを目的とする。
本発明は、略矩形のセラミックス基板、略矩形の金属板、およびろう材を積層してなる積層体を、一対の略矩形の加圧板間で加熱することにより、前記セラミックス基板の表面に前記金属板の裏面をろう付けする接合工程を有するパワーモジュール用基板の製造方法であって、前記金属板の表面に、1つの角部を形成する2辺に沿って、前記加圧板から離間する所定幅の逃げ面を設け、前記接合工程において、前記セラミックス基板、前記ろう材および前記加圧板の各1つの角部を前記金属板の前記角部に一致させるようにこれらを積層するとともに、前記加圧板の表面と前記金属板の前記逃げ面との間にろう溜まり空間を形成する。
本発明によれば、金属板とセラミックス基板との間から流出した溶融ろうをろう溜まり空間に流れ込ませることにより、積層体の端面にろうこぶが形成されるのを防止できる。
また本発明は、略矩形のセラミックス基板の表面に略矩形の金属板の裏面がろう付けされてなるパワーモジュール用基板の製造中間体であって、中央部に設定された製品部と、この製品部の外周を囲む枠状のダミー部とを有し、前記ダミー部に、前記製造中間体の1つの角部を形成する2辺に沿って、前記金属板の厚さを縮小させることにより形成された逃げ面が設けられ、前記角部を形成する各端面および前記逃げ面に、薄膜状のろう染みが形成されている。
この製造中間体によれば、ダミー部の逃げ面や端面に溶融ろうの余剰分が薄いろう染みとして付着することにより、端面でのろうこぶの形成が抑制されているので、端面におけるろうこぶの除去作業が不要であり、また回路パターンを形成するためのスクリーン印刷等の後工程における位置決めを正確に行うことができる。
本発明のパワーモジュール用基板の製造方法および製造中間体によれば、金属板とセラミックス基板とを位置合わせする角部近傍の端面にろう材が溜まりにくいので、ろうこぶの形成を防止でき、ろうこぶの除去作業によるセラミックス基板の破損を防止できる。
本発明に係るパワーモジュール用基板の製造中間体を示す斜視図である。 本発明に係るパワーモジュール用基板の製造装置の要部を示す斜視図である。 本発明に係るパワーモジュール用基板の製造方法を示す斜視図である。 図2のII−II線に沿う部分断面図である。 パワーモジュールの全体構成例を示す縦断面図である。 本発明に係る加圧板の他の形状例を示す断面図である。
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図1に、パワーモジュール用基板100の製造中間体10を示す。パワーモジュール用基板100は、この製造中間体10に対して各種加工を行い、個片に分割することによって製造される。製造中間体10は、略矩形のセラミックス基板20の表面に略矩形の金属板30がろう付けされてなり、中央部に設定された製品部10Aと、この製品部10Aの外周を囲む枠状のダミー部10Bとを有する。
このダミー部10Bには、製造中間体10の1つの角部(位置決め角部)11を形成する2辺に沿って、金属板30の厚さを縮小させることにより形成された逃げ面32が設けられている。つまり本実施形態では、製品部10Aの外周を囲むように厚さの小さいダミー部10Bが設けられ、このダミー部10Bの表面が逃げ面32となっている。
この製造中間体10は、位置決め角部11を形成する端面11a,11bおよび反対側の角部12を形成する端面12a,12bから逃げ面32にかけて、すなわちダミー部10Bの表面に、薄膜状のろう染み43が形成されているとともに、位置決め角部11を形成する2辺に沿う端面11a,11bにろうこぶが形成されていない。
ここで、ろう染みとは、厚さが0.1mm以下であって、凹凸の小さい薄膜状の付着物を呼ぶ。また、ろうこぶとは、部分的に突出する厚さ1mm以上のこぶ状の付着物を呼ぶ。
この製造中間体10において、ダミー部10Bは、各製造工程におけるハンドリング等に用いられた後、最終的に取り除かれる。すなわち、ダミー部10Bを把持して製造中間体10をハンドリングしながら、製造中間体10に所定の回路パターンPを形成し(図5参照)、また必要に応じて個片に分割する等の加工を行うことにより、パワーモジュール用基板100が形成される。このような加工を行う際に、ろうこぶが形成されていない端面11a,11bを用いて、製造中間体10の位置決めを行うことができる。このとき、ろう染み43は極めて薄い平坦な付着物であり、製造中間体10の位置決めを妨げないので、除去する必要がない。
一方、部分的に突出するろうこぶが位置決め角部11の端面11a,11bに付着していた場合には、正確な位置決めを行うためにろうこぶを除去する必要が生じ、その除去作業時にセラミックス基板20が損傷するおそれがある。しかしながら、角部12を形成する2辺に沿う端面12a,12bは位置決めに利用されないので、たとえこれら端面12a,12bにろうこぶが形成されていても、除去する必要はない。
セラミックス基板20は、本実施形態ではAlN(窒化アルミニウム)を母材として形成された略矩形板である。なお、このセラミックス基板20は、例えばAlN、Si(窒化珪素)等の窒化物系セラミックス、若しくはAl(アルミナ)等の酸化物系セラミックスから形成されていてもよい。
セラミックス基板20に接合される金属板30は、Al,アルミニウム合金等により形成されている。
セラミックス基板20と金属板30とを接合するろう材40は、略矩形箔状であり、本実施形態ではAl−Si系合金により形成されている。このろう材40は、たとえばAl−Ge系、Al−Cu系、Al−Mg系またはAl−Mn系等の合金であってもよい。
図2に、製造中間体10の接合工程を行う製造装置70を示す。この製造装置70は、金属板20、セラミックス基板30、およびろう材40を積層した積層体50を積層方向に挟んで加熱しながら加圧する複数の加圧板60と、この加圧板60および積層体50を保持する4本の断面L字状の支柱71a,71b,71c,71dとを有する。加圧板60は、位置決め角部61を支柱71aに当接させることにより位置決めされている。なお、この製造装置70においては、複数の加圧板60と積層体50とを交互に積層することにより、複数の製造中間体10が同時に製造される。加圧板60としては、平面度および熱伝導性に優れる、たとえばカーボンプレートを用いることができる。カーボンプレートのような多孔質材を加圧板60として用いる場合には、溶融ろうが染み込まない材料であることが好ましい。
この製造装置70において、各セラミックス基板20は、位置決め角部21を形成する2つの端面21a,21bのうち、端面21aを支柱71a,71bに当接させるとともに、端面21bを支柱71b,71dに当接させるように、位置決め角部21を用いて加圧板60に対して位置決めされる。同様に、各金属板30は、各逃げ面32が積層体50の外面となるように配置され、位置決め角部31を形成する端面31aを支柱71a,71bに当接させるとともに端面31bを支柱71b,71dに当接させるように、位置決め角部31を用いて位置決めされる。また各ろう材40も、位置決め角部41を形成する端面41aを支柱71a,71bに当接させるとともに端面41bを支柱71b,71dに当接させるように、位置決め角部41を用いて位置決めされる。
つまり、各積層体50において、各端面21a,31a,41aが加圧板60の端面61aに重なるとともに、各端面21b,31b,41bが加圧板60の端面61bに重なるように、各部材が積層される。
なお、加圧板60の面積は、積層体50(セラミックス基板20、金属板30、ろう材40)の面積よりも大きく設定されている。したがって、積層体50において、位置決めに用いられていない各端面は、加圧板60の各端面よりも内側に位置している。
図3および図4に示すように、積層体50と加圧板60とが積層されることにより、加圧板60の表面と積層体50の逃げ面32の表面との間に、ろう溜まり空間52が形成される。
たとえば本実施形態では、金属板30の厚さは0.6mm、セラミックス基板20の厚さは0.635mm、加圧板60の厚さは1mmに設定され、金属板3060の逃げ面32は深さ0.1mm、幅4mmの大きさで設けられる。
この製造装置70を用いて、セラミックス基板20、金属板30、およびろう材40を積層してなる積層体50を一対の加圧板60間で加熱することにより、セラミックス基板20の表面に金属板30をろう付けする接合工程を行う。このとき、溶融してセラミックス基板20と金属板30とを接合したろう材の余剰分は、図4に矢印Aで示すように、セラミックス基板20と金属板30との間から押し出されて、各端面21b,31bを通じてろう溜まり空間52へと流れ込む。これにより、ろう溜まり空間52には、余剰ろうの量に応じて厚さの小さいろう染み43が形成される。このように、ろう溜まり空間52が余剰ろうを引き込むことにより、各端面21a,21b,31a,31bにはろうこぶが形成されることがない。
このように製造された製造中間体10に対して、ろうこぶが形成されていない角部11の各端面11a,11b(各端面21a,21b,31a,31b)を用いて位置決めしながら加工することにより、図5に示すように所望の回路パターンP等が正確な位置に形成されたパワーモジュール用基板100を製造することができる。
パワーモジュール用基板100の回路パターンPは、セラミックス基板20の表面に接合された回路層用の金属板30をエッチングすることにより形成され、その表面には、めっき被膜114が形成される。また、セラミックス基板20の裏面に接合された放熱層用の金属板30も、エッチングによって必要な大きさ、形状に形成される。
このパワーモジュール用基板100に対して、冷却器113の接合、電子部品111のはんだ付け、ワイヤボンディング等が行われることにより、パワーモジュール110が形成される。パワーモジュール110は、パワーモジュール用基板100と、このパワーモジュール用基板100の表面に搭載された半導体チップ等の電子部品111と、パワーモジュール用基板100の裏面に接合された冷却器113とから構成される。図5に、パワーモジュール用基板100が用いられたパワーモジュール110を示す。
このパワーモジュール110において、電子部品111は、Sn−Ag−Cu系、Zn−Al系若しくはPb−Sn系等のはんだ材112によってパワーモジュール用基板100の回路パターンP上に接合され、回路端子部に対してアルミニウムからなるボンディングワイヤ(図示略)により接続されている。なお、回路パターンPの表面には、ニッケルめっき等のめっき被膜14が形成されている。
冷却器113は、アルミニウム合金の押し出し成形によって形成され、その長さ方向に沿って冷却水を流通させるための多数の流路113aが形成されている。この冷却器113とパワーモジュール用基板100との間は、ろう付け、はんだ付け、ボルト等によって接合される。
以上説明したように、本発明によれば、パワーモジュール用基板の製造中間体の端面にろうこぶが形成されるのを防止できるので、ろうこぶの除去作業によるセラミックス基板の破損を防止できるとともに、後加工における位置決めを容易にでき、精密な加工による基板の製造が可能となる。
なお、本発明は前記実施形態の構成のものに限定されるものではなく、細部構成においては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
たとえば、前記実施形態では、金属板30の逃げ面32を製品部10Aの表面に対して平行に設けているが、図6に示すように、製品部10Aの表面に対して斜めに逃げ面32Aを設け、断面三角形のろう溜まり空間52Aを形成してもよい。これにより、製造中間体10のダミー部10Bにろう染み43が形成された場合であっても、ろう染み43は製品部10Aに近い部分ほど薄くなる。したがって、スクリーン印刷やロールコータを用いてレジストを形成する場合、ろう染み43に邪魔されることなく、広範囲にレジストを形成でき、製品部10A全体を無駄なく利用することができる。
また、前記実施形態では逃げ面32を金属板30の外周を囲むように設けたが、位置決め角部21に沿ってL字状に設けてもよい。
10 製造中間体
10A 製品部
10B ダミー部
11 角部(位置決め角部)
11a,11b 端面
20 セラミックス基板
21 位置決め角部
21a,21b 端面
30 金属板
31 位置決め角部
31a,31b 端面
32,32A 逃げ面
40 ろう材
41 位置決め角部
41a,41b 端面
43 ろう染み
50 積層体
52,52A ろう溜まり空間
60 加圧板
61 位置決め角部
61a,61b 端面
70 製造装置
71a,71b,71c,71d 支柱
100 パワーモジュール用基板
110 パワーモジュール
111 電子部品
112 はんだ材
113 冷却器
113a 流路
114 めっき被膜
P 回路パターン

Claims (2)

  1. 略矩形のセラミックス基板、略矩形の金属板、およびろう材を積層してなる積層体を、一対の略矩形の加圧板間で加熱することにより、前記セラミックス基板の表面に前記金属板の裏面をろう付けする接合工程を有するパワーモジュール用基板の製造方法であって、
    前記金属板の表面に、1つの角部を形成する2辺に沿って、前記加圧板から離間する所定幅の逃げ面を設け、
    前記接合工程において、前記セラミックス基板、前記ろう材および前記加圧板の各1つの角部を前記金属板の前記角部に一致させるようにこれらを積層するとともに、前記加圧板の表面と前記金属板の前記逃げ面との間にろう溜まり空間を形成することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。
  2. 略矩形のセラミックス基板の表面に略矩形の金属板の裏面がろう付けされてなるパワーモジュール用基板の製造中間体であって、
    中央部に設定された製品部と、この製品部の外周を囲む枠状のダミー部とを有し、
    前記ダミー部に、前記製造中間体の1つの角部を形成する2辺に沿って、前記金属板の厚さを縮小させることにより形成された逃げ面が設けられ、
    前記角部を形成する各端面および前記逃げ面に、薄膜状のろう染みが形成されていることを特徴とするパワーモジュール用基板の製造中間体。
JP2009172109A 2009-07-23 2009-07-23 パワーモジュール用基板の製造方法および製造中間体 Active JP5251772B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009172109A JP5251772B2 (ja) 2009-07-23 2009-07-23 パワーモジュール用基板の製造方法および製造中間体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009172109A JP5251772B2 (ja) 2009-07-23 2009-07-23 パワーモジュール用基板の製造方法および製造中間体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011029319A true JP2011029319A (ja) 2011-02-10
JP5251772B2 JP5251772B2 (ja) 2013-07-31

Family

ID=43637746

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009172109A Active JP5251772B2 (ja) 2009-07-23 2009-07-23 パワーモジュール用基板の製造方法および製造中間体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5251772B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012182279A (ja) * 2011-03-01 2012-09-20 Showa Denko Kk 絶縁回路基板およびその製造方法、パワーモジュール用ベースおよびその製造方法
JP2014082370A (ja) * 2012-10-17 2014-05-08 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板の製造方法
JP2017010981A (ja) * 2015-06-17 2017-01-12 日本特殊陶業株式会社 配線基板の製造方法
JP2017010982A (ja) * 2015-06-17 2017-01-12 日本特殊陶業株式会社 配線基板の製造方法及び配線基板
JP2019127408A (ja) * 2018-01-24 2019-08-01 三菱マテリアル株式会社 セラミックス−金属接合体の製造方法、製造装置及びセラミックス−金属接合体

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007311527A (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板およびパワーモジュール用基板の製造方法並びにパワーモジュール
JP2008078566A (ja) * 2006-09-25 2008-04-03 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール用基板並びにパワーモジュール
JP2009071297A (ja) * 2007-08-22 2009-04-02 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板の製造装置及びパワーモジュール用基板の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007311527A (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板およびパワーモジュール用基板の製造方法並びにパワーモジュール
JP2008078566A (ja) * 2006-09-25 2008-04-03 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール用基板並びにパワーモジュール
JP2009071297A (ja) * 2007-08-22 2009-04-02 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板の製造装置及びパワーモジュール用基板の製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012182279A (ja) * 2011-03-01 2012-09-20 Showa Denko Kk 絶縁回路基板およびその製造方法、パワーモジュール用ベースおよびその製造方法
JP2014082370A (ja) * 2012-10-17 2014-05-08 Mitsubishi Materials Corp パワーモジュール用基板の製造方法
JP2017010981A (ja) * 2015-06-17 2017-01-12 日本特殊陶業株式会社 配線基板の製造方法
JP2017010982A (ja) * 2015-06-17 2017-01-12 日本特殊陶業株式会社 配線基板の製造方法及び配線基板
JP2019127408A (ja) * 2018-01-24 2019-08-01 三菱マテリアル株式会社 セラミックス−金属接合体の製造方法、製造装置及びセラミックス−金属接合体
WO2019146639A1 (ja) * 2018-01-24 2019-08-01 三菱マテリアル株式会社 セラミックス-金属接合体の製造方法、製造装置及びセラミックス-金属接合体
JP7020137B2 (ja) 2018-01-24 2022-02-16 三菱マテリアル株式会社 セラミックス-金属接合体の製造方法、製造装置及びセラミックス-金属接合体

Also Published As

Publication number Publication date
JP5251772B2 (ja) 2013-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5892281B2 (ja) ヒートシンク付きパワーモジュール用基板及びパワーモジュール
TWI601465B (zh) A method of manufacturing a power module substrate
JP5077102B2 (ja) パワーモジュール用基板及びその製造方法
JP2013065918A5 (ja)
CN108140625A (zh) 带散热片的功率模块用基板及功率模块
JP5251772B2 (ja) パワーモジュール用基板の製造方法および製造中間体
JP2008235852A (ja) セラミックス基板及びこれを用いた半導体モジュール
JP5884291B2 (ja) ヒートシンク付パワーモジュール用基板ユニット
JP2010050164A (ja) パワーモジュール用基板の製造方法
JP5056811B2 (ja) パワーモジュール用基板の製造方法、製造装置、および製造中間体
JP5914968B2 (ja) ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法
JP6020256B2 (ja) ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法
JP5045613B2 (ja) パワーモジュール用基板及びその製造方法
JP5146296B2 (ja) パワーモジュール用基板の製造方法
JP5532601B2 (ja) パワーモジュール用基板およびその製造方法
JP5131205B2 (ja) パワーモジュール用基板の製造方法
WO2019003880A1 (ja) セラミックス-金属層接合体の製造方法、セラミックス回路基板の製造方法及び金属板接合セラミックス母材板
JP2011119584A (ja) パワーモジュール用基板およびその製造方法
JP5131204B2 (ja) パワーモジュール用基板の製造方法
KR20120021154A (ko) 히트 싱크 부착 파워 모듈용 기판의 제조 방법, 히트 싱크 부착 파워 모듈용 기판 및 파워 모듈
JP2013214541A (ja) パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール用基板
WO2019146639A1 (ja) セラミックス-金属接合体の製造方法、製造装置及びセラミックス-金属接合体
JP2013143465A (ja) ヒートシンク付きパワーモジュール用基板の製造方法及び製造装置
TW201933552A (zh) 功率模組用基板的製造方法及陶瓷-銅接合體
JP5887907B2 (ja) パワーモジュール用基板の製造方法および製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120328

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120626

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120703

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120829

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130319

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130401

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5251772

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160426

Year of fee payment: 3