JP2566288Y2 - 回路用基板 - Google Patents

回路用基板

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JP2566288Y2
JP2566288Y2 JP1992007625U JP762592U JP2566288Y2 JP 2566288 Y2 JP2566288 Y2 JP 2566288Y2 JP 1992007625 U JP1992007625 U JP 1992007625U JP 762592 U JP762592 U JP 762592U JP 2566288 Y2 JP2566288 Y2 JP 2566288Y2
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JP
Japan
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module
modules
ceramic
substrate
ceramic plate
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JP1992007625U
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JPH0566999U (ja
Inventor
孝志 荘司
恒夫 河内
Original Assignee
昭和電工株式会社
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この考案は回路基板にかかわり、
特にセラミック板に金属を張り付けた接合基板にかかわ
るものである。
【0002】
【従来の技術】セラミック板の表面に銅等の金属板を接
合した金属張りセラミック基板が、高出力用半導体モジ
ュールやパワーモジュール用基板として使用されてい
る。セラミックは一般に優れた耐熱性、熱衝撃性、高温
強度、耐摩耗性および絶縁性を有しているため、自動車
のエンジン周辺部品等過酷な条件下の使用に適してい
る。
【0003】近年、高度のエレクトロニクス化が進み、
部品の小型化が進むと同時に部品の実装密度も高くな
り、大電流を扱うことから金属張りセラミック基板の需
要はますます増大している。また、大電流用の基板では
裏面に良熱伝導体金属板から成るヒートシンクを取付け
たものが多用されている(特開昭59−121890参
照)。また、用途が広がるにつれて、モジュール基板そ
のものは小型化するものの、生産数量は著しく拡大して
いる。
【0004】従来、パワーモジュール基板は一辺10〜
60mm程度のセラミック基板の表面に回路パターン用銅
板を接合し、裏面にヒートシンク用の銅板を接合する等
の工程を経て1枚毎に製造されていた(特開昭63−2
48195参照)。
【0005】
【考案が解決しようとする課題】接合型のモジュール基
板では、セラミック板に金属板を接合するための複数の
工程を経て作られるが、生産数量が増してくると工程中
でのハンドリングが問題となり、1枚づつ処理していた
のでは生産性が上がらないという問題点がある。本考案
は一度に処理するモジュール基板の枚数を増やし、効率
良く作業できるようにしようとすることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本考案ではまず1枚のセ
ラミック板の上に複数個のモジュールを搭載することと
し、1回の処理で得られるモジュールの数を多くする手
段を採用した。次にパターン形成後に各モジュールを分
離し易くするため、各モジュール毎に耳となる余分のセ
ラミック部分を付け、この耳部とモジュールの接合部分
に溝(スナップ・ラインと呼ぶ)を取付け、加工中のハ
ンドリングや位置決めを容易にすることとした。
【0007】本考案で使用する回路基板は、セラミック
に金属板を接合したものが対象となる。セラミックとし
てはアルミナ、窒化アルミ、炭化硅素等がある。金属と
しては銅、アルミニウム、ニッケル等がある。接合方法
は公知の活性金属法、酸素原子を介した直接接合法等が
利用でき、特にパワーモジュール用としては活性金属法
により接合したものが耐熱衝撃性に優れているので好ま
しい。活性金属法は活性金属を含むペースト状の接合材
料を使用し、印刷手法を利用して回路モジュールを容易
に複製できる点でも優れている。
【0008】
【作用】本考案は1枚のセラミック基板の上に複数のモ
ジュールを形成し、生産効率を高めるようにしたもので
ある。各モジュールの分割はあらかじめモジュールと耳
部との接合部分に溝(スナップ・ラインと呼ぶ)を設
け、セラミックの脆性を利用して容易に分離可能とし
た。
【実施例】
【0009】図面を用いて本考案の過程を具体例をあげ
て説明する。本考案では1枚のセラミック基板上に複数
個の回路モジュールを設け、回路パターンを作って複合
基板がすべて完成した後にCO2 レーザー等のレーザー
ビームを使用して切断分離し、個々のパワーモジュール
基板を得るものである。この実施態様例を図1に示す。
図1において2はセラミック板、3はセラミック板上に
形成された1ケのモジュール、4は良電導性金属からな
る回路パターンである。本考案の基板は1枚のセラミッ
ク板上に複数個のモジュールを搭載したものであり、横
方向に一列に連ねたものでも、縦横方向に多数個連ねた
ものでも良い。各モジュールの回路パターンは全く同一
である。モジュール間の間隔は2mm程度あれば充分で
ある。裏面にヒートシンク用の金属板を接合したもので
あっても良い。
【0010】次に本考案のもう一つの態様は、複数個の
モジュールを有する基板において、各モジュール間に溝
(スナップ・ライン)を設けたものである。この態様を図
2に示す。図2においてセラミック板2の各モジュール
3の間にV字状の溝5を設けてある。溝5はセラミック
板2の両面に設けても良いが片面でも充分である。溝5
の断面形状は特に制限はないが、たとえば深さはセラミ
ック板2の厚さの10〜30%あれば充分で、断面はV
字形又はU字形とすれば良い。溝5はセラミック板2を
焼成する前のグリーンシートにスクレーパー加工した
り、レーザー加工や金型で打抜加工して形成する。金型
打抜きの場合は金型自身にスナップ・ライン用のV字型
の凸ラインを形成しておき、グリーンシートを加工すれ
ば良い。このようにして溝5を設けておけば、複合基板
完成後にこの溝に沿って分割することにより、多数の目
的とするモジュール基板を簡単に得ることができる。
【0011】さらに分割を容易にするため、前記溝5の
交点部分に孔6を設けた。この態様を図3に示す。孔6
は溝5と同様にセラミック焼成前にグリーンシート上に
打抜きで形成しておけば良い。図3では1枚のセラミッ
ク板上に複数のモジュール3を形成し、各モジュール間
に溝5を設け、溝5の交点部分に孔6を形成する。最も
外側に並んだモジュールの接点の部分にも孔6と同形状
の切欠き7をつけておくと割り易いので好ましい。
【0012】孔6の形状は図4に示すごとく一定の曲率
半径rをもった円が接したもの(図4(a)参照)、また
は一辺dの正方形状のもの(図4(b)参照)が利用でき
る。dは0.5〜1mm程度で良い。また図4(c)に示す
ように、一定の曲率半径rをもった円と直線lを組合わ
せ、幅wを有する十字状の孔を利用することもできる。
この態様にすれば熱による膨張収縮を吸収し、寸法精度
の良いモジュール基板が得られ、亀裂の発生も少ない。
また金型の寿命も長い。この場合各モジュール間に溝5
を2本設けておくと良い。この場合曲率半径rは0.5
〜1mm程度、直線lは5mm程度、モジュール間の幅wは
2.5〜3.0mm程度とすれば良い。耐熱衝撃性の面で
は各モジュールのコーナー部を鋭角にしておくのは好ま
しくなく、曲線半径を持たせておくのが良い。
【0013】図4cに示す態様を利用して1枚のセラミ
ック基板上に複数のモジュールを形成した場合に、セラ
ミック板の最外縁に配置されたモジュールの外側にセラ
ミック板の耳部8を取付けるとハンドリング上位置決め
が容易となり都合が良い。耳部の取付け例を図5に示
す。図5(a)はモジュール3を横方向に複数個設け、両
端のモジュールに耳部8を作った。図5(b)は縦横方向
に複数のモジュールを設け、最外側に耳部8を作った例
である。耳部8の幅は3mm程度あれば良い。モジュール
3と耳部8の境目にはスナップ・ライン5を設けておけ
ば、完成後に分割するのに便利である。
【考案の効果】本考案によれば1回の処理で得られるモ
ジュールの箇数が飛躍的に増え、増大する金属−セラミ
ック接合基板の需要に充分応えることができ経済的効果
は大きい。特に最近の機器の小型化に伴う小型基板の需
要に応える効果は大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】1枚のセラミック枚に複数個のモジュールを設
けた態様を示す図である。
【図2】セラミック板の各モジュール間に溝を設けた態
様を示す図である。
【図3】セラミック板の各モジュール間の溝の交点に孔
を設けた態様を示す図である。
【図4】孔の形状例を示す図である。
【図5】最外縁のモジュールにセラミック板の耳部を設
けた態様を示す図である。
【符号の説明】
1 回路用基板 2 セラミック板 3 モジュール 5 溝(スナップ・ライン) 6 孔 7 切欠き 8 耳部

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 活性金属法でセラミックと金属を接合し
    た基板であって、1枚のセラミック基板に複数の同一回
    路モジュールを有し、各回路モジュールの周囲に耳とな
    るセラミック部分を具備し、かつ各回路モジュールと耳
    部との接合部分に溝を備えていることを特徴とする回路
    用基板。
JP1992007625U 1992-02-21 1992-02-21 回路用基板 Expired - Lifetime JP2566288Y2 (ja)

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JPH0566999U JPH0566999U (ja) 1993-09-03
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