JP4795573B2

JP4795573B2 - セラミックス回路基板

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Publication number: JP4795573B2
Application number: JP2001214743A
Authority: JP
Inventors: 田和男池
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Materials Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba Materials Co Ltd
Priority date: 2001-07-16
Filing date: 2001-07-16
Publication date: 2011-10-19
Anticipated expiration: 2021-07-16
Also published as: JP2003031731A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミックス基板およびその製造方法ならびにセラミックス回路基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、セラミックス基板上に金属回路層が設けられた回路基板が広く使用されている。特に、窒化アルミニウム、窒化珪素、アルミナ、アルミナとジルコニアなどの化合物を主成分とするセラミックス焼結体からなる基板上に、銅、アルミニウム等の金属板を設けたセラミックス回路基板は、優れた電気絶縁性、放熱性あるいは機械的強度を有していることから、例えばパワートランジスタ等の電子部品を実装したモジュール基板等に用いられている。
【０００３】
このようなセラミックス回路基板を製造する際のコスト抑制および小型基板製造のための一つの方法として、大型のセラミックス焼結体を得、それを複数個に分割する方法（所謂「多数個取り」と称される方法）がある。例えば、グリーンシートと呼ばれるセラミックス成形体にブレイク溝を形成し、これを焼結してセラミックス焼結体を作製し、このブレイク溝に沿って前記セラミックス焼結体を分割する方法、あるいはセラミックス焼結体を作製し、次いでこのセラミックス焼結体にブレイク溝を形成し、その後このブレイク溝に沿って前記セラミックス焼結体を分割する方法によって、多数個取りが行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
多数個取りを行なうためには、セラミックス焼結体の表面に、分割を容易に行なうためのブレイク溝が形成されている必要がある。従来から、ブレイク溝としては、ナイフカッター等の冶具によりライン状に溝を設ける方法（スクライブライン型）や、レーザー加工法などにより小さな穴を連続的に設ける方法（スクライブドット型）などがあるが、いずれの方法においてもブレイク溝はセラミックス基板の片面のみに成形されるのが一般的であった。
【０００５】
このブレイク溝が浅い場合、分割後のセラミックス基板にバリが発生したり、ブレイク不良により所望の大きさ及び形状のセラミックス基板が得られ難い等の問題がある。このことからブレイク溝は深い方がセラミックス基板の分割操作が容易となり良好な分割断面を得ることができると言える。しかし、深いブレイク溝を形成することは、時間やコストの増大につながり、また分割前のセラミックス成形体の取り扱いが難しくなることがあってハンドリング性の点で満足できるものとは言えなかった。例えば、セラミックス焼結体にブレイク溝を形成する際は一般的にレーザー加工あるいはナイフカッター加工がなされるが、これらによって深いブレイク溝を形成することは時間やコストの点で不利である。また、グリーンシートにブレイク溝を形成する場合には、ハンドリング性が著しく悪化してシート取扱い中にシートが変形ないし分断してしまったり、その後の焼結工程において割れが発生してしまうことが考えられる。特に厚いセラミックス基板の場合、上記問題は顕著になる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の課題を解決するものであって、基板の両面に適度のブレイク溝を形成することにより、ハンドリング性およびバリの発生がない優れた分割性に優れたセラミックス基板を提供するものである。
【０００７】
したがって、本発明によるセラミックス基板は、セラミックス基板の少なくとも一つの側面に実質的に凸状の段差があること、を特徴とするものである。
【０００８】
そして、本発明によるもう一つのセラミックス基板は、セラミックス焼結体をこのセラミックス焼結体に形成されたブレイク溝に沿って分割することによって得られたセラミックス基板であって、このセラミックス基板の少なくとも１つの側面に、前記ブレイク溝に由来する切欠き部がこの側面の上端部および下端部に形成されているものであること、を特徴とするものである。
【０００９】
そして、本発明によるセラミックス回路基板は、上記のセラミックス基板上に、金属板が設けられてなるものであること、を特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明によるセラミックス基板の製造方法は、シート状のセラミックス成形体にブレイク溝を形成した後、これを焼結してセラミックス焼結体を作製し、このブレイク溝に沿って前記セラミックス焼結体を分割してセラミックス基板を製造する方法であって、前記ブレイク溝を前記セラミック成形体の上面および下面に形成すること、を特徴とするものである。
【００１１】
さらに、本発明によるセラミックス基板の製造方法は、シート状のセラミックス成形体を焼結してセラミックス焼結体を作製し、次いでこのセラミックス焼結体の焼結前または焼結後にブレイク溝を形成し、その後このブレイク溝に沿って前記セラミックス焼結体を分割してセラミックス基板を製造する方法であって、前記ブレイク溝を前記セラミックス焼結体の上面および下面に形成すること、を特徴とするものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明によるセラミックス基板は、セラミックス焼結体をこのセラミックス焼結体に形成されたブレイク溝に沿って分割することによって得られたセラミックス基板であって、このセラミックス基板の少なくとも１つの側面に、前記ブレイク溝に由来する切欠き部がこの側面の上端部および下端部に形成されているものであること、を特徴とするものである。
【００１３】
このような本発明によるセラミックス基板の切欠き部が設けられている側面は、多数個取りの際の分割によって形成されたものである。よって、セラミックス基板の１つの側面のみが分割によって形成された場合にはその１つの側面のみに、セラミックス基板の２側面が分割によって形成された場合にはその２側面に、セラミックス基板の３側面あるいは４側面が分割によって形成された場合にはその３側面あるいは４側面に、切欠き部を有するセラミックス基板が得られることになる。
【００１４】
以下、本発明を必要に応じて図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、本発明によるセラミックス基板の一例を示す断面図である。図１に示されるセラミックス基板１の側面２には、分割のために形成されたブレイク溝に由来する切欠き部イおよび切欠き部ロが形成されている。本発明のセラミックス基板１は上端部、下端部に切欠き部イおよび切欠き部ロがあることから、少なくとも一つの側面においてその断面には実質的に凸状の段差ができる。
【００１５】
側面２の下端部に形成された切欠き部イにおいて、横幅をＡ１、セラミックス基板の断面方向への長さをＢ１とし、側面２の上端部に形成された切欠き部ロにおいて、横幅をＡ２、セラミックス基板の断面方向への長さをＢ２とする。
【００１６】
ブレイク溝の溝形状が左右対象でありかつブレイク溝が基板に対し直角に形成された場合、横幅Ａ２はブレイク溝のほぼ半分の大きさとなり、切欠き部ロのセラミックス基板の断面方向への長さＢ２は、ブレイク溝の深さにほぼ相当する。この切欠き部は、分割のために形成されたブレイク溝に由来しており、この切欠き部の表面はブレイク溝の溝内壁面の片側の表面に対応するものであることから、上記の通りに、横幅Ａ２はブレイク溝のほぼ半分の大きさであり、切欠き部ロのセラミックス基板の断面方向への長さＢ２はブレイク溝の深さにほぼ相当することになる。同様に切欠き部イでも、横幅Ａ１はブレイク溝のほぼ半分の大きさであり、切欠き部イのセラミックス基板の断面方向への長さＢ１は、ブレイク溝の深さにほぼ相当している。また、切欠き部ロおよび切欠き部イの形状は、ブレイク溝の形状にほぼ相当している。
【００１７】
なお、セラミックス基板の側面部における切欠き部がブレイク溝に由来するか否かは、切欠き部の表面粗さ（Ｒａ）と、切欠き部でない側面部の表面粗さ（Ｒａ）が異なっていることから判別可能である。例えば、切欠き部は焼結前または焼結後に設けるものであるのに対し、切欠き部でない側面部は分割した破断面の形状がそのまま残るか、あるいは側面を研磨することになるので切欠き部の表面粗さ（Ｒａ）とは異なったものとなる。
【００１８】
図１において、セラミックス基板の厚さはＴで示めされている。セラミックス基板の厚さＴはセラミックス基板の具体的用途や目的によって異なるが、本発明においては、比較的厚さが厚いセラミックス基板、特にＴが０．６〜２．０ｍｍである場合に効果的である。
【００１９】
セラミックス基板の厚さが０．６ｍｍ未満と薄い場合は、片面のみにブレイク溝を設ける形態であっても十分に分割が容易である。一方、厚さが２．０ｍｍを超えるとセラミックス基板の強度が大きいことから両面にブレイク溝を設けたとしても分割し難く、ブレイク不良を起こし易い。厚さが２．０ｍｍを超える場合は、多数個取りを行わない方が好ましい。
【００２０】
上記切欠き部ロのセラミックス基板の断面方向への長さがＢ２と、切欠き部イのセラミックス基板の断面方向への長さがＢ１との総和は、セラミックス基板の厚さＴの１／２以下であることが好ましく、また１／４以上であることが好ましい［（１／４）Ｔ≦（Ｂ１＋Ｂ２）≦（１／２）Ｔ］。Ｂ１とＢ２との総和がＴの１／２を超える場合には、ハンドリング性が悪くこのセラミックス基板を安定して分割することが困難になる。また、Ｂ１とＢ２との総和がＴの１／４を未満の場合は、分割に大きな力が必要となり、また分割の際にバリが発生したり、所望の大きさおよび形状のセラミックス基板が得られ難い等の問題が生じる。
【００２１】
切欠き部イとロにおける基板の断面方向への長さＢ２とＢ１とは同一であっても異なっていても良い。
【００２２】
また、同様に、切欠き部イとロにおける横幅Ａ２とＡ１とは同一であっても異なっていても良い。
【００２３】
横幅Ａ２と横幅Ａ１は、ブレイク溝の形成方法によって異なるが、本発明では、それぞれ０．０１〜０．３ｍｍの範囲内が好ましい。横幅Ａ２と横幅Ａ１は、セラミックス焼結体にブレイク溝をナイフカッターで形成するときは、０．０１〜０．０５ｍｍ程度であり、レーザー加工により形成するときは通常０．１〜０．５ｍｍ程度が好ましい。グリーンシート（セラミックス成形体）にブレイク溝を形成するときは焼結後の成形体の収縮を考慮して、０．０５〜０．１ｍｍ程度であることが好ましい。
【００２４】
なお、本発明によるセラミックス基板は、その側面の少なくとも一部分において所定の切欠き部が形成されていれば良い。従って、切欠き部イおよび切欠き部ロがセラミックス基板の側面の端部から端部まで連続して一様に設けられているもののみに限定されない。例えばレーザー照射を基板の両面に対して断続的に行い、多数のスポット状（ドット状）のレーザー加工孔が連続するように形成した後、分割することによって形成された側面形状のセラミックス基板も、本発明は包含するものである。
【００２５】
本発明によるセラミックス基板１は、従来から一般的に用いられている各種のセラミックス基板材料から形成することができる。例えば、好ましくは窒化アルミニウム、窒化珪素、アルミナ、およびアルミナとジルコニアの化合物の少なくとも１種を主成分とする基板材料から形成することができる。このうち、熱伝導性の観点からは窒化アルミニウムを主体とする基板材料から形成されたものが好ましく、強度等の観点からは窒化珪素を主体とする基板材料から形成されたものが好ましい。このようなセラミックス基板材料は、必要に応じ、焼結助剤として各種の希土類化合物、好ましくは例えばイットリウム、イッテルビウム、エルビウム、セリウムの酸化物等を含有することができる。本発明において特に好ましい希土類化合物の種類およびその添加量は、セラミックス基板材料の種類、セラミックス回路基板の要求性能等に応じて決定することができる。例えば、窒化アルミニウムを主成分とし、特に熱伝導性が高いセラミックス基板を得る場合には、焼結助剤として酸化イットリウムを２〜５質量％使用することが好ましい。例えば、窒化珪素を主成分とし、特に機械的特性が高いセラミックス基板を得る場合には、焼結助剤として酸化イットリウム、酸化エルビウム、酸化イッテルビウムの少なくとも１種以上を合計で２〜１７質量％使用することが好ましい。
【００２６】
なお、本発明は焼結助剤として一種類の希土類化合物であっても所定の特性が得られるものであるが、複数の焼結助剤を組合せたものを排除するものでないことは言うまでもない。また、必要に応じ、Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒの金属元素や化合物等の黒色化材を添加してもよい。
【００２７】
前記のセラミックス原料粉末と焼結助剤との混合は常法に従って行うことができる。本発明では、例えばボールミル等を使用して前記のセラミックス原料粉末と焼結助剤等との混合を行うことができる。混合に際しては、必要に応じて、各種の補助材料を配合することができる。本発明では、この種のセラミックス基板の製造において従来から使用されてきた補助材料、例えばバインダーとして作用する各種の炭素質物質、を配合することができる。そのような炭素質物質の好ましい具体例としては、アクリル樹脂等の有機物バインダーを挙げることができる。
【００２８】
前記のセラミックス原料粉末、焼結助剤粉末および必要に応じて配合された補助材料の混合物は、その後、例えば汎用の金型プレス法やドクターブレード法等によってシート状に成形される。
【００２９】
本発明によるセラミックス基板は、種々の方法によって製造することができる。好ましくは、例えばシート状のセラミックス成形体（グリーンシート）にブレイク溝を形成した後、これを焼結してセラミックス焼結体を作製し、このブレイク溝に沿って前記セラミックス焼結体を分割してセラミックス基板を製造する方法であって、前記ブレイク溝を前記セラミック成形体の上面および下面に形成することによって製造することができる。
【００３０】
あるいはシート状のセラミックス成形体を焼結してセラミックス焼結体を作製し、次いでこのセラミックス焼結体にブレイク溝を形成し、その後このブレイク溝に沿って前記セラミックス焼結体を分割してセラミックス基板を製造する方法であって、前記ブレイク溝を前記セラミックス焼結体の上面および下面に形成することによって製造することができる。
前記ブレイク溝の形状は任意である。例えば断面が実質的にＶ字型またはＵ字型を例示することができる。
【００３１】
上記のシート状成形体は、必要に応じ脱脂工程に付された後、焼結される。脱脂工程は、例えば３００〜８００℃×０．５〜５時間が好ましい。脱脂工程の温度や処理時間はセラミックス基板のサイズおよび種類等に応じて適宜選択することができる。焼結温度は、好ましくは１６００〜１９５０℃の範囲内である。焼結時間は、好ましくは０．５〜１０時間の範囲内である。焼結温度および焼結時間は、成形体の形状、大きさ、成形体の密度、焼成体の強度、硬度、具体的用途や、焼結温度及び焼結時間との関連性を考慮したうえで、上記範囲内で最も適切な条件を具体的に定めることができる。
【００３２】
上記のようにして得られたセラミックス焼結体は、所定の大きさおよび形状に分割することができる。セラミックス焼結体の分割は、グリーンシートの段階でブレイク溝が成形されたものである場合にはそのブレイク溝に沿って応力を印加することによって行うことができる。ブレイク溝が未だ形成されていない場合は、例えばレーザー加工等によってセラミックス焼結体に線状ないし点状にブレイク溝を形成し、これに沿って応力を印加することによって分割することができる。
このようにして、本発明によるセラミックス基板を製造することができる。
【００３３】
本発明によるセラミックス基板には、その片面または両面の少なくとも一部に金属板を設けることができる。この金属板は、基板上に所望の電気回路が形成されるようにパターン化されたものであっても良い。このような電気回路が形成されるように金属板が設けられてなるセラミックス基板は、本発明の特に好ましい一具体例である。ここで、セラミックス焼結体の分割と金属板の設置（金属板の形成ないし積層）は、どちらを先に行っても良い。即ち、金属板を設置した後に分割することもできるし、分割した後に金属板を設置することもできる。また、金属板の設置を複数回に分け、一部の回路を形成した後に分割しその後残りの回路を設置するようにすることもできる。
【００３４】
セラミックス基板上に金属回路板を設ける場合、基板の断面方向への長さが短い切欠き部の方へ金属回路板を設けるのが好ましい。即ち、Ｂ２＜Ｂ１の場合、基板の断面方向の長さが短い切欠き部（ロ）の方へ金属回路板を設けるのが好ましい。
【００３５】
金属板は、従来から一般的に用いられてきたものを使用することができる。本発明では、銅、アルミニウム、銀、金、ニッケル、クロム、亜鉛、鉛、錫、白金、および上記いずれかの金属化合物から形成された金属を使用することができる。上記の中でも、特に銅、アルミニウムの少なくとも１種を主成分とする金属から形成された金属板を使用することが好ましい。
【００３６】
セラミックス基板への金属板の接合は、活性金属法および直接接合法によって行うことができる。また、金属板を接合させる形態以外にも、ペーストを用いた厚膜法やスパッタ等を用いた薄膜法によって回路を形成することも可能である。
【００３７】
このような本発明のよるセラミックス基板およびセラミック回路基板は、優れた機械的強度および形状安定性を備えておりかつ製造時のハンドリング性も良好であることから、数々の用途に適したものである。特にパワートランジスタ等の電子部品を実装したモジュール基板に適したものである。
【００３８】
【実施例】
＜実施例１＞
酸化アルミニウム粉末を主成分とし、焼結助剤として酸化イットリウムを４質量％添加したものをセラミックス原料として用い、これを焼結して表１に示されるセラミックス焼結体を作製した。このセラミックス焼結体の両面に、表１に示されるようにブレイク溝を形成した。このブレイク溝に沿って上記セラミックス分割して多個取りを行った。分割後のセラミックス基板の大きさは１０ｍｍ×２０ｍｍに、多個取り個数は１６個（４×４個）に統一した。
【００３９】
なお、ブレイク溝の形成方法として「ナイフカッター法」はセラミックス成形体にナイフカッター等の冶具でスクライブラインを設けたものであり、「レーザー法」はセラミックス焼結体にレーザー加工によりスクライブドットを設ける方法である。また、本実施例においてはナイフカッターにより形成されたスクライブ溝の断面はＵ字型、レーザー加工により形成されたスクライブ溝の断面はＶ字型とした。
【００４０】
同様なセラミックス焼結体を１００枚を用意し、上記と同じ条件にて分割したときの結果から、ブレイク不良率（１００枚のセラミックス焼結体のうちブレイク不良が発生したセラミックス基板の数の割合）を判定した。結果は、表１に示される通りであった。
【００４１】
＜実施例２＞
窒化アルミニウム粉末を主成分とし、焼結助剤として酸化イットリウムを３質量％添加したものをセラミックス原料として用い、これを焼結して表１に示されるセラミックス焼結体を作製した。このセラミックス焼結体の両面に、表１に示されるようにブレイク溝を形成した。
実施例１と同様に多個取りおよび分割し、同様にブレイク不良率を判定した。結果は、表１に示される通りであった。
【００４２】
＜実施例３＞
窒化珪素粉末を主成分とし、焼結助剤として酸化イットリウムを４質量％、酸化エルビウムを３質量％、酸化チタンを１質量％添加したものをセラミックス原料として用い、これを焼結して表１に示されるセラミックス焼結体を作製した。このセラミックス焼結体の両面に、表１に示されるようにブレイク溝を形成した。
実施例１と同様に多個取りおよび分割し、同様にブレイク不良率を判定した。結果は、表１に示される通りであった。
【００４３】
＜実施例４＞
酸化ジルコニウム粉末を主成分とし、焼結助剤として酸化イットリウムを５質量％添加したものをセラミックス原料として用い、これを焼結して表１に示されるセラミックス焼結体を作製した。このセラミックス焼結体の両面に、表１に示されるように両面にブレイク溝を形成した。
実施例１と同様に多個取りおよび分割し、同様にブレイク不良率を判定した。結果は、表１に示される通りであった。
【００４４】
＜比較例１＞
セラミックス焼結体の片面のみにブレイク溝を形成したこと以外は、実施例１と同様にして多個取りおよび分割し、同様にブレイク不良率および三点曲げ強度を判定した。結果は、表１に示される通りであった。
【００４５】
【表１】

表１から分かる通り、実施例１〜４のセラミックス基板は、ブレイク不良率が低減したものである。これに対し、比較例１のセラミックス基板はブレイク不良率が高いことが確認された。
【００４６】
＜実施例５＞
酸化アルミニウム粉末を主成分とし、焼結助剤として酸化イットリウムを３質量％添加したものをセラミックス原料として用い、これを焼結して表２に示されるセラミックス焼結体を作製した。このセラミックス焼結体の両面に、表２に示されるようにブレイク溝を形成した。
実施例１と同様に多個取りおよび分割し、ブレイク不良率およびハンドリング性を判定した。ここで、ハンドリング性の評価は、脱脂または焼結工程において割れや欠けが発生したサンプルの割合（％）を求めることによって評価した（全サンプル数は１００）。
結果は、表２に示される通りであった。
【００４７】
【表２】

表２から分かる通り、切欠き部のセラミックス基板の断面方向への長さＢ１、Ｂ２が大きくなる程、ブレイク不良率が低下することが分かる。しかし、Ｂ１、Ｂ２が大きくなる程、脱脂および焼結時の割れ率が高くなり、ハンドリング性が低下することが判明した。これはＢ１、Ｂ２を大きくすることにより成形体または焼結体のブレイク溝形成部の強度が低下したためであり、焼結時のセラミックス成形体の収縮や、脱脂または焼結工程でのセラミックス成形体の搬送中にセラミックス成形体が破損したものと考えられる。
【００４８】
＜実施例６および比較例２＞
実施例１〜４および比較例１のセラミックス基板の片面（即ち、切欠き部ロ（Ａ２、Ｂ２）側）に、金属回路板（この金属回路板は、横２ｍｍ×縦１０ｍｍ×厚さ０．３ｍｍの２枚の銅板からなっている）を設けて、表３に示されるセラミックス回路基板を製造した。セラミックス基板の金属回路板を設けていない面（即ち、切欠き部ロ（Ａ１、Ｂ１）側）には、反り防止のために横８ｍｍ×縦１０ｍｍ×厚さ０．３ｍｍの銅板を接合した。
【００４９】
各セラミックス回路基板のＴＣＴ特性を評価した。ＴＣＴ特性は、−４０℃×３０分→２５℃×１０分→１２５℃×１０分→２５℃×１０分を１サイクルとして、１００サイクル後のセラミックス基板のクラックの有無を確認することによって評価した。結果は、表３に示される通りであった。
【００５０】
また、比較例６−２として成形体サイズを比較例１と同サイズとし、ブレイク溝を設けないで製造する基板を用意した。
【００５１】
金属板の接合法において、活性金属法は70wt%Ag-27wt%Cu-3wt%Tiろう材を用いて８００〜８８０℃で熱処理を行うことにより接合したものである。また、直接接合法は銅板をセラミックス基板に接触させ１０６５〜１０８３℃で熱処理を行い銅と酸素の共晶体を生成させることにより接合したものである。なお、窒化アルミニウム基板に対し、直接接合法を行う場合には表面に厚さ１μｍの酸化アルミニウム膜を形成した後に行ったものである。
【００５２】
【表３】

表３から分かる通り、実施例６−１−１〜実施例６−４−１のセラミックス基板は、ＴＣＴ試験において多数個取りを行わない方法で製造された比較例６−２と同等の優れた特性を示すことが確認された。
また、比較例６−１はＴＣＴ試験後にクラックが発生していることが確認された。これは分割した際にブレイク溝を設けていない側の面の端部にバリや微小クラックが発生してしまい部分的に強度が低下したためであると考えられる。
【００５３】
＜実施例７＞
窒化アルミニウム、窒化珪素を主成分とするセラミックス原料として使用し、表４に示されるように、基板厚さが異なるセラミックス基板を製造し、基板厚さに違いによるブレイク不良率およびハンドリング性を評価した。
結果は、表４に示される通りである。
【００５４】
【表４】

表４から明らかなように、本発明によれば分割性が良好な厚さ０．６〜２．０ｍｍのセラミックス基板に有効である。基板厚さが０．６ｍｍ未満では両面にブレイク溝を設ける効果が小さい。一方、基板厚さが２．０ｍｍを超えるとセラミックス基板のブレイク不良率が増加する。これは、セラミックス基板を構成するセラミックス焼結体の強度が高いために厚い焼結体を分割するのが困難なためである。言い換えれば、本発明の両面にブレイク溝を設けるセラミックス基板は基板厚さが０．６〜２．０ｍｍのものに特に効果的であると言える。
【００５５】
【発明の効果】
本発明によれば、ハンドリング性が良好でバリ等の発生を抑制でき、分割性に優れたセラミックス基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のセラミックス基板の一例を示す断面図
【符号の説明】
１セラミックス基板
２セラミックス基板側面
イ切込み部
ロ切込み部

Claims

セラミックス基板と、この基板上に直接接合法または活性金属接合法により金属回路板が設けられてなるセラミックス回路基板あって、
前記セラミックス基板は、シート状のセラミックス成形体にブレイク溝を形成した後、これを焼結してセラミックス焼結体を作製し、このブレイク溝に沿って前記セラミックス焼結体を分割して製造されたものであって、厚さ０．６〜２．０ｍｍのものであり、
前記ブレイク溝は、前記セラミック成形体の上面および下面に形成されると共に、
前記ブレイク溝は、横幅が０．０５〜０．１ｍｍであり、上面に形成されたブレイク溝の断面方向への長さと下面に形成されたブレイク溝の長さとの総和がセラミックス基板の厚さの１／４以上１／２以下であり、かつ
前記金属回路板は、セラミックス基板の上端部に形成された切欠き部のセラミックス基板の断面方向への長さと、下面に形成された切欠き部のセラミックス基板の断面方向への長さとを比べたとき、短い方の切り欠き部の方に、設けられていることを特徴とする、セラミックス回路基板。
前記ブレイク溝が、Ｖ字型、Ｕ字型のいずれかの形状のものである、請求項１に記載のセラミックス回路基板。