JP2003031731A

JP2003031731A - セラミックス基板、その製造方法およびセラミックス回路基板

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Publication number: JP2003031731A
Application number: JP2001214743A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Ikeda; 田和男池
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2001-07-16
Filing date: 2001-07-16
Publication date: 2003-01-31
Anticipated expiration: 2021-07-16
Also published as: JP4795573B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ハンドリング性および分割性に優れたセラミ
ックス基板を提供する。【解決手段】セラミックス基板の少なくとも一つの側
面に実質的に凸状の段差があることを特徴とするセラミ
ックス基板、セラミックス焼結体をこのセラミックス焼
結体に形成されたブレイク溝に沿って分割することによ
って得られたセラミックス基板であって、このセラミッ
クス基板の少なくとも１つの側面に、前記ブレイク溝に
由来する切欠き部がこの側面の上端部および下端部に形
成されているものであることを特徴とするセラミックス
基板、およびこのセラミックス基板の製造法、ならびに
上記セラミックス基板上に金属回路層が設けられてなる
ものであることを特徴とするセラミックス回路基板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックス基板
およびその製造方法ならびにセラミックス回路基板に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、セラミックス基板上に金属回
路層が設けられた回路基板が広く使用されている。特
に、窒化アルミニウム、窒化珪素、アルミナ、アルミナ
とジルコニアなどの化合物を主成分とするセラミックス
焼結体からなる基板上に、銅、アルミニウム等の金属板
を設けたセラミックス回路基板は、優れた電気絶縁性、
放熱性あるいは機械的強度を有していることから、例え
ばパワートランジスタ等の電子部品を実装したモジュー
ル基板等に用いられている。

【０００３】このようなセラミックス回路基板を製造す
る際のコスト抑制および小型基板製造のための一つの方
法として、大型のセラミックス焼結体を得、それを複数
個に分割する方法（所謂「多数個取り」と称される方
法）がある。例えば、グリーンシートと呼ばれるセラミ
ックス成形体にブレイク溝を形成し、これを焼結してセ
ラミックス焼結体を作製し、このブレイク溝に沿って前
記セラミックス焼結体を分割する方法、あるいはセラミ
ックス焼結体を作製し、次いでこのセラミックス焼結体
にブレイク溝を形成し、その後このブレイク溝に沿って
前記セラミックス焼結体を分割する方法によって、多数
個取りが行われている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】多数個取りを行なうた
めには、セラミックス焼結体の表面に、分割を容易に行
なうためのブレイク溝が形成されている必要がある。従
来から、ブレイク溝としては、ナイフカッター等の冶具
によりライン状に溝を設ける方法（スクライブライン
型）や、レーザー加工法などにより小さな穴を連続的に
設ける方法（スクライブドット型）などがあるが、いず
れの方法においてもブレイク溝はセラミックス基板の片
面のみに成形されるのが一般的であった。

【０００５】このブレイク溝が浅い場合、分割後のセラ
ミックス基板にバリが発生したり、ブレイク不良により
所望の大きさ及び形状のセラミックス基板が得られ難い
等の問題がある。このことからブレイク溝は深い方がセ
ラミックス基板の分割操作が容易となり良好な分割断面
を得ることができると言える。しかし、深いブレイク溝
を形成することは、時間やコストの増大につながり、ま
た分割前のセラミックス成形体の取り扱いが難しくなる
ことがあってハンドリング性の点で満足できるものとは
言えなかった。例えば、セラミックス焼結体にブレイク
溝を形成する際は一般的にレーザー加工あるいはナイフ
カッター加工がなされるが、これらによって深いブレイ
ク溝を形成することは時間やコストの点で不利である。
また、グリーンシートにブレイク溝を形成する場合に
は、ハンドリング性が著しく悪化してシート取扱い中に
シートが変形ないし分断してしまったり、その後の焼結
工程において割れが発生してしまうことが考えられる。
特に厚いセラミックス基板の場合、上記問題は顕著にな
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するものであって、基板の両面に適度のブレイク溝
を形成することにより、ハンドリング性およびバリの発
生がない優れた分割性に優れたセラミックス基板を提供
するものである。

【０００７】したがって、本発明によるセラミックス基
板は、セラミックス基板の少なくとも一つの側面に実質
的に凸状の段差があること、を特徴とするものである。

【０００８】そして、本発明によるもう一つのセラミッ
クス基板は、セラミックス焼結体をこのセラミックス焼
結体に形成されたブレイク溝に沿って分割することによ
って得られたセラミックス基板であって、このセラミッ
クス基板の少なくとも１つの側面に、前記ブレイク溝に
由来する切欠き部がこの側面の上端部および下端部に形
成されているものであること、を特徴とするものであ
る。

【０００９】そして、本発明によるセラミックス回路基
板は、上記のセラミックス基板上に、金属板が設けられ
てなるものであること、を特徴とするものである。

【００１０】また、本発明によるセラミックス基板の製
造方法は、シート状のセラミックス成形体にブレイク溝
を形成した後、これを焼結してセラミックス焼結体を作
製し、このブレイク溝に沿って前記セラミックス焼結体
を分割してセラミックス基板を製造する方法であって、
前記ブレイク溝を前記セラミック成形体の上面および下
面に形成すること、を特徴とするものである。

【００１１】さらに、本発明によるセラミックス基板の
製造方法は、シート状のセラミックス成形体を焼結して
セラミックス焼結体を作製し、次いでこのセラミックス
焼結体の焼結前または焼結後にブレイク溝を形成し、そ
の後このブレイク溝に沿って前記セラミックス焼結体を
分割してセラミックス基板を製造する方法であって、前
記ブレイク溝を前記セラミックス焼結体の上面および下
面に形成すること、を特徴とするものである。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明によるセラミックス基板
は、セラミックス焼結体をこのセラミックス焼結体に形
成されたブレイク溝に沿って分割することによって得ら
れたセラミックス基板であって、このセラミックス基板
の少なくとも１つの側面に、前記ブレイク溝に由来する
切欠き部がこの側面の上端部および下端部に形成されて
いるものであること、を特徴とするものである。

【００１３】このような本発明によるセラミックス基板
の切欠き部が設けられている側面は、多数個取りの際の
分割によって形成されたものである。よって、セラミッ
クス基板の１つの側面のみが分割によって形成された場
合にはその１つの側面のみに、セラミックス基板の２側
面が分割によって形成された場合にはその２側面に、セ
ラミックス基板の３側面あるいは４側面が分割によって
形成された場合にはその３側面あるいは４側面に、切欠
き部を有するセラミックス基板が得られることになる。

【００１４】以下、本発明を必要に応じて図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は、本発明によるセラミッ
クス基板の一例を示す断面図である。図１に示されるセ
ラミックス基板１の側面２には、分割のために形成され
たブレイク溝に由来する切欠き部イおよび切欠き部ロが
形成されている。本発明のセラミックス基板１は上端
部、下端部に切欠き部イおよび切欠き部ロがあることか
ら、少なくとも一つの側面においてその断面には実質的
に凸状の段差ができる。

【００１５】側面２の下端部に形成された切欠き部イに
おいて、横幅をＡ１、セラミックス基板の断面方向への
長さをＢ１とし、側面２の上端部に形成された切欠き部
ロにおいて、横幅をＡ２、セラミックス基板の断面方向
への長さをＢ２とする。

【００１６】ブレイク溝の溝形状が左右対象でありかつ
ブレイク溝が基板に対し直角に形成された場合、横幅Ａ
２はブレイク溝のほぼ半分の大きさとなり、切欠き部ロ
のセラミックス基板の断面方向への長さＢ２は、ブレイ
ク溝の深さにほぼ相当する。この切欠き部は、分割のた
めに形成されたブレイク溝に由来しており、この切欠き
部の表面はブレイク溝の溝内壁面の片側の表面に対応す
るものであることから、上記の通りに、横幅Ａ２はブレ
イク溝のほぼ半分の大きさであり、切欠き部ロのセラミ
ックス基板の断面方向への長さＢ２はブレイク溝の深さ
にほぼ相当することになる。同様に切欠き部イでも、横
幅Ａ１はブレイク溝のほぼ半分の大きさであり、切欠き
部イのセラミックス基板の断面方向への長さＢ１は、ブ
レイク溝の深さにほぼ相当している。また、切欠き部ロ
および切欠き部イの形状は、ブレイク溝の形状にほぼ相
当している。

【００１７】なお、セラミックス基板の側面部における
切欠き部がブレイク溝に由来するか否かは、切欠き部の
表面粗さ（Ｒａ）と、切欠き部でない側面部の表面粗さ
（Ｒａ）が異なっていることから判別可能である。例え
ば、切欠き部は焼結前または焼結後に設けるものである
のに対し、切欠き部でない側面部は分割した破断面の形
状がそのまま残るか、あるいは側面を研磨することにな
るので切欠き部の表面粗さ（Ｒａ）とは異なったものと
なる。

【００１８】図１において、セラミックス基板の厚さは
Ｔで示めされている。セラミックス基板の厚さＴはセラ
ミックス基板の具体的用途や目的によって異なるが、本
発明においては、比較的厚さが厚いセラミックス基板、
特にＴが０．６〜２．０ｍｍである場合に効果的であ
る。

【００１９】セラミックス基板の厚さが０．６ｍｍ未満
と薄い場合は、片面のみにブレイク溝を設ける形態であ
っても十分に分割が容易である。一方、厚さが２．０ｍ
ｍを超えるとセラミックス基板の強度が大きいことから
両面にブレイク溝を設けたとしても分割し難く、ブレイ
ク不良を起こし易い。厚さが２．０ｍｍを超える場合
は、多数個取りを行わない方が好ましい。

【００２０】上記切欠き部ロのセラミックス基板の断面
方向への長さがＢ２と、切欠き部イのセラミックス基板
の断面方向への長さがＢ１との総和は、セラミックス基
板の厚さＴの１／２以下であることが好ましく、また１
／４以上であることが好ましい［（１／４）Ｔ≦（Ｂ１
＋Ｂ２）≦（１／２）Ｔ］。Ｂ１とＢ２との総和がＴの
１／２を超える場合には、ハンドリング性が悪くこのセ
ラミックス基板を安定して分割することが困難になる。
また、Ｂ１とＢ２との総和がＴの１／４を未満の場合
は、分割に大きな力が必要となり、また分割の際にバリ
が発生したり、所望の大きさおよび形状のセラミックス
基板が得られ難い等の問題が生じる。

【００２１】切欠き部イとロにおける基板の断面方向へ
の長さＢ２とＢ１とは同一であっても異なっていても良
い。

【００２２】また、同様に、切欠き部イとロにおける横
幅Ａ２とＡ１とは同一であっても異なっていても良い。

【００２３】横幅Ａ２と横幅Ａ１は、ブレイク溝の形成
方法によって異なるが、本発明では、それぞれ０．０１
〜０．３ｍｍの範囲内が好ましい。横幅Ａ２と横幅Ａ１
は、セラミックス焼結体にブレイク溝をナイフカッター
で形成するときは、０．０１〜０．０５ｍｍ程度であ
り、レーザー加工により形成するときは通常０．１〜
０．５ｍｍ程度が好ましい。グリーンシート（セラミッ
クス成形体）にブレイク溝を形成するときは焼結後の成
形体の収縮を考慮して、０．０５〜０．１ｍｍ程度であ
ることが好ましい。

【００２４】なお、本発明によるセラミックス基板は、
その側面の少なくとも一部分において所定の切欠き部が
形成されていれば良い。従って、切欠き部イおよび切欠
き部ロがセラミックス基板の側面の端部から端部まで連
続して一様に設けられているもののみに限定されない。
例えばレーザー照射を基板の両面に対して断続的に行
い、多数のスポット状（ドット状）のレーザー加工孔が
連続するように形成した後、分割することによって形成
された側面形状のセラミックス基板も、本発明は包含す
るものである。

【００２５】本発明によるセラミックス基板１は、従来
から一般的に用いられている各種のセラミックス基板材
料から形成することができる。例えば、好ましくは窒化
アルミニウム、窒化珪素、アルミナ、およびアルミナと
ジルコニアの化合物の少なくとも１種を主成分とする基
板材料から形成することができる。このうち、熱伝導性
の観点からは窒化アルミニウムを主体とする基板材料か
ら形成されたものが好ましく、強度等の観点からは窒化
珪素を主体とする基板材料から形成されたものが好まし
い。このようなセラミックス基板材料は、必要に応じ、
焼結助剤として各種の希土類化合物、好ましくは例えば
イットリウム、イッテルビウム、エルビウム、セリウム
の酸化物等を含有することができる。本発明において特
に好ましい希土類化合物の種類およびその添加量は、セ
ラミックス基板材料の種類、セラミックス回路基板の要
求性能等に応じて決定することができる。例えば、窒化
アルミニウムを主成分とし、特に熱伝導性が高いセラミ
ックス基板を得る場合には、焼結助剤として酸化イット
リウムを２〜５質量％使用することが好ましい。例え
ば、窒化珪素を主成分とし、特に機械的特性が高いセラ
ミックス基板を得る場合には、焼結助剤として酸化イッ
トリウム、酸化エルビウム、酸化イッテルビウムの少な
くとも１種以上を合計で２〜１７質量％使用することが
好ましい。

【００２６】なお、本発明は焼結助剤として一種類の希
土類化合物であっても所定の特性が得られるものである
が、複数の焼結助剤を組合せたものを排除するものでな
いことは言うまでもない。また、必要に応じ、Ｔｉ，Ｈ
ｆ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒの金属元素や化合物等の黒色
化材を添加してもよい。

【００２７】前記のセラミックス原料粉末と焼結助剤と
の混合は常法に従って行うことができる。本発明では、
例えばボールミル等を使用して前記のセラミックス原料
粉末と焼結助剤等との混合を行うことができる。混合に
際しては、必要に応じて、各種の補助材料を配合するこ
とができる。本発明では、この種のセラミックス基板の
製造において従来から使用されてきた補助材料、例えば
バインダーとして作用する各種の炭素質物質、を配合す
ることができる。そのような炭素質物質の好ましい具体
例としては、アクリル樹脂等の有機物バインダーを挙げ
ることができる。

【００２８】前記のセラミックス原料粉末、焼結助剤粉
末および必要に応じて配合された補助材料の混合物は、
その後、例えば汎用の金型プレス法やドクターブレード
法等によってシート状に成形される。

【００２９】本発明によるセラミックス基板は、種々の
方法によって製造することができる。好ましくは、例え
ばシート状のセラミックス成形体（グリーンシート）に
ブレイク溝を形成した後、これを焼結してセラミックス
焼結体を作製し、このブレイク溝に沿って前記セラミッ
クス焼結体を分割してセラミックス基板を製造する方法
であって、前記ブレイク溝を前記セラミック成形体の上
面および下面に形成することによって製造することがで
きる。

【００３０】あるいはシート状のセラミックス成形体を
焼結してセラミックス焼結体を作製し、次いでこのセラ
ミックス焼結体にブレイク溝を形成し、その後このブレ
イク溝に沿って前記セラミックス焼結体を分割してセラ
ミックス基板を製造する方法であって、前記ブレイク溝
を前記セラミックス焼結体の上面および下面に形成する
ことによって製造することができる。前記ブレイク溝の
形状は任意である。例えば断面が実質的にＶ字型または
Ｕ字型を例示することができる。

【００３１】上記のシート状成形体は、必要に応じ脱脂
工程に付された後、焼結される。脱脂工程は、例えば３
００〜８００℃×０．５〜５時間が好ましい。脱脂工程
の温度や処理時間はセラミックス基板のサイズおよび種
類等に応じて適宜選択することができる。焼結温度は、
好ましくは１６００〜１９５０℃の範囲内である。焼結
時間は、好ましくは０．５〜１０時間の範囲内である。
焼結温度および焼結時間は、成形体の形状、大きさ、成
形体の密度、焼成体の強度、硬度、具体的用途や、焼結
温度及び焼結時間との関連性を考慮したうえで、上記範
囲内で最も適切な条件を具体的に定めることができる。

【００３２】上記のようにして得られたセラミックス焼
結体は、所定の大きさおよび形状に分割することができ
る。セラミックス焼結体の分割は、グリーンシートの段
階でブレイク溝が成形されたものである場合にはそのブ
レイク溝に沿って応力を印加することによって行うこと
ができる。ブレイク溝が未だ形成されていない場合は、
例えばレーザー加工等によってセラミックス焼結体に線
状ないし点状にブレイク溝を形成し、これに沿って応力
を印加することによって分割することができる。このよ
うにして、本発明によるセラミックス基板を製造するこ
とができる。

【００３３】本発明によるセラミックス基板には、その
片面または両面の少なくとも一部に金属板を設けること
ができる。この金属板は、基板上に所望の電気回路が形
成されるようにパターン化されたものであっても良い。
このような電気回路が形成されるように金属板が設けら
れてなるセラミックス基板は、本発明の特に好ましい一
具体例である。ここで、セラミックス焼結体の分割と金
属板の設置（金属板の形成ないし積層）は、どちらを先
に行っても良い。即ち、金属板を設置した後に分割する
こともできるし、分割した後に金属板を設置することも
できる。また、金属板の設置を複数回に分け、一部の回
路を形成した後に分割しその後残りの回路を設置するよ
うにすることもできる。

【００３４】セラミックス基板上に金属回路板を設ける
場合、基板の断面方向への長さが短い切欠き部の方へ金
属回路板を設けるのが好ましい。即ち、Ｂ２＜Ｂ１の場
合、基板の断面方向の長さが短い切欠き部（ロ）の方へ
金属回路板を設けるのが好ましい。

【００３５】金属板は、従来から一般的に用いられてき
たものを使用することができる。本発明では、銅、アル
ミニウム、銀、金、ニッケル、クロム、亜鉛、鉛、錫、
白金、および上記いずれかの金属化合物から形成された
金属を使用することができる。上記の中でも、特に銅、
アルミニウムの少なくとも１種を主成分とする金属から
形成された金属板を使用することが好ましい。

【００３６】セラミックス基板への金属板の接合は、活
性金属法および直接接合法によって行うことができる。
また、金属板を接合させる形態以外にも、ペーストを用
いた厚膜法やスパッタ等を用いた薄膜法によって回路を
形成することも可能である。

【００３７】このような本発明のよるセラミックス基板
およびセラミック回路基板は、優れた機械的強度および
形状安定性を備えておりかつ製造時のハンドリング性も
良好であることから、数々の用途に適したものである。
特にパワートランジスタ等の電子部品を実装したモジュ
ール基板に適したものである。

【００３８】

【実施例】＜実施例１＞酸化アルミニウム粉末を主成分
とし、焼結助剤として酸化イットリウムを４質量％添加
したものをセラミックス原料として用い、これを焼結し
て表１に示されるセラミックス焼結体を作製した。この
セラミックス焼結体の両面に、表１に示されるようにブ
レイク溝を形成した。このブレイク溝に沿って上記セラ
ミックス分割して多個取りを行った。分割後のセラミッ
クス基板の大きさは１０ｍｍ×２０ｍｍに、多個取り個
数は１６個（４×４個）に統一した。

【００３９】なお、ブレイク溝の形成方法として「ナイ
フカッター法」はセラミックス成形体にナイフカッター
等の冶具でスクライブラインを設けたものであり、「レ
ーザー法」はセラミックス焼結体にレーザー加工により
スクライブドットを設ける方法である。また、本実施例
においてはナイフカッターにより形成されたスクライブ
溝の断面はＵ字型、レーザー加工により形成されたスク
ライブ溝の断面はＶ字型とした。

【００４０】同様なセラミックス焼結体を１００枚を用
意し、上記と同じ条件にて分割したときの結果から、ブ
レイク不良率（１００枚のセラミックス焼結体のうちブ
レイク不良が発生したセラミックス基板の数の割合）を
判定した。結果は、表１に示される通りであった。

【００４１】＜実施例２＞窒化アルミニウム粉末を主成
分とし、焼結助剤として酸化イットリウムを３質量％添
加したものをセラミックス原料として用い、これを焼結
して表１に示されるセラミックス焼結体を作製した。こ
のセラミックス焼結体の両面に、表１に示されるように
ブレイク溝を形成した。実施例１と同様に多個取りおよ
び分割し、同様にブレイク不良率を判定した。結果は、
表１に示される通りであった。

【００４２】＜実施例３＞窒化珪素粉末を主成分とし、
焼結助剤として酸化イットリウムを４質量％、酸化エル
ビウムを３質量％、酸化チタンを１質量％添加したもの
をセラミックス原料として用い、これを焼結して表１に
示されるセラミックス焼結体を作製した。このセラミッ
クス焼結体の両面に、表１に示されるようにブレイク溝
を形成した。実施例１と同様に多個取りおよび分割し、
同様にブレイク不良率を判定した。結果は、表１に示さ
れる通りであった。

【００４３】＜実施例４＞酸化ジルコニウム粉末を主成
分とし、焼結助剤として酸化イットリウムを５質量％添
加したものをセラミックス原料として用い、これを焼結
して表１に示されるセラミックス焼結体を作製した。こ
のセラミックス焼結体の両面に、表１に示されるように
両面にブレイク溝を形成した。実施例１と同様に多個取
りおよび分割し、同様にブレイク不良率を判定した。結
果は、表１に示される通りであった。

【００４４】＜比較例１＞セラミックス焼結体の片面の
みにブレイク溝を形成したこと以外は、実施例１と同様
にして多個取りおよび分割し、同様にブレイク不良率お
よび三点曲げ強度を判定した。結果は、表１に示される
通りであった。

【００４５】

【表１】表１から分かる通り、実施例１〜４のセラミックス基板
は、ブレイク不良率が低減したものである。これに対
し、比較例１のセラミックス基板はブレイク不良率が高
いことが確認された。

【００４６】＜実施例５＞酸化アルミニウム粉末を主成
分とし、焼結助剤として酸化イットリウムを３質量％添
加したものをセラミックス原料として用い、これを焼結
して表２に示されるセラミックス焼結体を作製した。こ
のセラミックス焼結体の両面に、表２に示されるように
ブレイク溝を形成した。実施例１と同様に多個取りおよ
び分割し、ブレイク不良率およびハンドリング性を判定
した。ここで、ハンドリング性の評価は、脱脂または焼
結工程において割れや欠けが発生したサンプルの割合
（％）を求めることによって評価した（全サンプル数は
１００）。結果は、表２に示される通りであった。

【００４７】

【表２】表２から分かる通り、切欠き部のセラミックス基板の断
面方向への長さＢ１、Ｂ２が大きくなる程、ブレイク不
良率が低下することが分かる。しかし、Ｂ１、Ｂ２が大
きくなる程、脱脂および焼結時の割れ率が高くなり、ハ
ンドリング性が低下することが判明した。これはＢ１、
Ｂ２を大きくすることにより成形体または焼結体のブレ
イク溝形成部の強度が低下したためであり、焼結時のセ
ラミックス成形体の収縮や、脱脂または焼結工程でのセ
ラミックス成形体の搬送中にセラミックス成形体が破損
したものと考えられる。

【００４８】＜実施例６および比較例２＞実施例１〜４
および比較例１のセラミックス基板の片面（即ち、切欠
き部ロ（Ａ２、Ｂ２）側）に、金属回路板（この金属回
路板は、横２ｍｍ×縦１０ｍｍ×厚さ０．３ｍｍの２枚
の銅板からなっている）を設けて、表３に示されるセラ
ミックス回路基板を製造した。セラミックス基板の金属
回路板を設けていない面（即ち、切欠き部ロ（Ａ１、Ｂ
１）側）には、反り防止のために横８ｍｍ×縦１０ｍｍ
×厚さ０．３ｍｍの銅板を接合した。

【００４９】各セラミックス回路基板のＴＣＴ特性を評
価した。ＴＣＴ特性は、−４０℃×３０分→２５℃×１
０分→１２５℃×１０分→２５℃×１０分を１サイクル
として、１００サイクル後のセラミックス基板のクラッ
クの有無を確認することによって評価した。結果は、表
３に示される通りであった。

【００５０】また、比較例６−２として成形体サイズを
比較例１と同サイズとし、ブレイク溝を設けないで製造
する基板を用意した。

【００５１】金属板の接合法において、活性金属法は70
wt%Ag-27wt%Cu-3wt%Tiろう材を用いて８００〜８８０℃
で熱処理を行うことにより接合したものである。また、
直接接合法は銅板をセラミックス基板に接触させ１０６
５〜１０８３℃で熱処理を行い銅と酸素の共晶体を生成
させることにより接合したものである。なお、窒化アル
ミニウム基板に対し、直接接合法を行う場合には表面に
厚さ１μｍの酸化アルミニウム膜を形成した後に行った
ものである。

【００５２】

【表３】表３から分かる通り、実施例６−１−１〜実施例６−４
−１のセラミックス基板は、ＴＣＴ試験において多数個
取りを行わない方法で製造された比較例６−２と同等の
優れた特性を示すことが確認された。また、比較例６−
１はＴＣＴ試験後にクラックが発生していることが確認
された。これは分割した際にブレイク溝を設けていない
側の面の端部にバリや微小クラックが発生してしまい部
分的に強度が低下したためであると考えられる。

【００５３】＜実施例７＞窒化アルミニウム、窒化珪素
を主成分とするセラミックス原料として使用し、表４に
示されるように、基板厚さが異なるセラミックス基板を
製造し、基板厚さに違いによるブレイク不良率およびハ
ンドリング性を評価した。結果は、表４に示される通り
である。

【００５４】

【表４】表４から明らかなように、本発明によれば分割性が良好
な厚さ０．６〜２．０ｍｍのセラミックス基板に有効で
ある。基板厚さが０．６ｍｍ未満では両面にブレイク溝
を設ける効果が小さい。一方、基板厚さが２．０ｍｍを
超えるとセラミックス基板のブレイク不良率が増加す
る。これは、セラミックス基板を構成するセラミックス
焼結体の強度が高いために厚い焼結体を分割するのが困
難なためである。言い換えれば、本発明の両面にブレイ
ク溝を設けるセラミックス基板は基板厚さが０．６〜
２．０ｍｍのものに特に効果的であると言える。

【００５５】

【発明の効果】本発明によれば、ハンドリング性が良好
でバリ等の発生を抑制でき、分割性に優れたセラミック
ス基板を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のセラミックス基板の一例を示す断面図

【符号の説明】

１セラミックス基板２セラミックス基板側面イ切込み部ロ切込み部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミックス基板の少なくとも一つの側面
に実質的に凸状の段差があることを特徴とするセラミッ
クス基板。
【請求項２】セラミックス焼結体をこのセラミックス焼
結体に形成されたブレイク溝に沿って分割することによ
って得られたセラミックス基板であって、このセラミッ
クス基板の少なくとも１つの側面に、前記ブレイク溝に
由来する切欠き部がこの側面の上端部および下端部に形
成されているものであることを特徴とするセラミックス
基板。
【請求項３】前記セラミックス基板の側面の上端部に形
成された切欠き部のセラミックス基板の断面方向への長
さと、下端部に形成された切欠き部のセラミックス基板
の断面方向への長さとが異なることを特徴とする請求項
２記載のセラミックス基板。
【請求項４】前記セラミックス基板の側面の上端部に形
成された切欠き部のセラミックス基板の断面方向への長
さと、下端部に形成された切欠き部のセラミックス基板
の断面方向への長さとの総和が、セラミックス基板の厚
さの１／２以下であることを特徴とする請求項２または
請求項３に記載のセラミックス基板。
【請求項５】前記セラミックス基板が、厚さ０．６〜
２．０ｍｍのものであることを特徴とする請求項２乃至
４のいずれか１項に記載のセラミックス基板。
【請求項６】前記請求項１乃至請求項５のいずれか１項
に記載のセラミックス基板上に、金属板が設けられてな
るものであることを特徴とする、セラミックス回路基
板。
【請求項７】シート状のセラミックス成形体にブレイク
溝を形成した後、これを焼結してセラミックス焼結体を
作製し、このブレイク溝に沿って前記セラミックス焼結
体を分割してセラミックス基板を製造する方法であっ
て、前記ブレイク溝を前記セラミック成形体の上面およ
び下面に形成することを特徴とする、セラミックス基板
の製造方法。
【請求項８】シート状のセラミックス成形体を焼結して
セラミックス焼結体を作製し、次いでこのセラミックス
焼結体にブレイク溝を形成し、その後このブレイク溝に
沿って前記セラミックス焼結体を分割してセラミックス
基板を製造する方法であって、前記ブレイク溝を前記セ
ラミックス焼結体の上面および下面に形成することを特
徴とする、セラミックス基板の製造方法。
【請求項９】前記ブレイク溝が、Ｖ字型、Ｕ字型のいず
れかの形状のものであることを特徴とする、請求項７ま
たは請求項８に記載のセラミックス基板の製造方法。