JP2018207108A5

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Publication number: JP2018207108A5
Application number: JP2018107498A
Authority: JP
Filing date: 2018-06-05
Publication date: 2019-02-14
Anticipated expiration: 2038-06-05

Claims

マイクロ電子デバイスから、酸化ケイ素に対して窒化ケイ素を選択的に除去するのに適したエッチング溶液であって、
水と、
リン酸と、
ヒドロキシル基含有溶媒とを含むエッチング溶液。
前記ヒドロキシル基含有溶媒が、アルカンジオール又はポリオール、グリコール、アルコキシアルコール、飽和脂肪族一価アルコール、不飽和非芳香族一価アルコール、及び環構造を含有するアルコールからなる群より選択される、請求項１に記載のエッチング溶液。
前記ヒドロキシル基含有溶媒がアルカンジオール又はポリオールであり、２−メチル−１，３−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，２−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、及びピナコールからなる群より選択される、請求項２に記載のエッチング溶液。
前記ヒドロキシル基含有溶媒がグリコールであり、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、及びテトラエチレングリコールからなる群より選択される、請求項２に記載のエッチング溶液。
前記ヒドロキシル基含有溶媒がアルコキシアルコールであり、３−メトキシ−３−メチル−１−ブタノール、３−メトキシ−１−ブタノール、１−メトキシ−２−ブタノール、及びグリコールモノエーテルからなる群より選択される、請求項２に記載のエッチング溶液。
前記ヒドロキシル基含有溶媒が飽和脂肪族一価アルコールであり、メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、１−ブタノール、２−ブタノール、イソブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、２−ペンタノール、ｔ−ペンチルアルコール、及び１−ヘキサノールからなる群より選択される、請求項２に記載のエッチング溶液。
前記ヒドロキシル基含有溶媒が不飽和非芳香族一価アルコールであり、アリルアルコール、プロパルギルアルコール、２−ブテニルアルコール、３−ブテニルアルコール、及び４−ペンテン−２−オールからなる群より選択される、請求項２に記載のエッチング溶液。
前記ヒドロキシル基含有溶媒がグリコールモノエーテルであり、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、１−メトキシ−２−プロパノール、２−メトキシ−１−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール、２−エトキシ−１−プロパノール、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル、及びジエチレングリコールモノベンジルエーテルからなる群より選択される、請求項５に記載のエッチング溶液。
前記ヒドロキシル基含有溶媒が環構造を含有するアルコールであり、アルファ−テルピネオール、テトラヒドロフルフリルアルコール、フルフリルアルコール、及び１，３−シクロペンタンジオールからなる群より選択される、請求項２に記載のエッチング溶液。
前記ヒドロキシル基含有溶媒が、前記エッチング溶液の約０．５〜約５９．５ｗｔ％の量で存在している、請求項１に記載のエッチング溶液。
前記ヒドロキシル基含有溶媒が、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル（ＤＰＧＭＥ）である、請求項１に記載のエッチング溶液。
前記ジプロピレングリコールモノエチルエーテル（ＤＰＧＭＥ）が、約１〜約５０ｗｔ％の量で存在している、請求項１１に記載のエッチング溶液。
窒化ケイ素及び二酸化ケイ素を含む複合半導体デバイス上で、二酸化ケイ素に対する窒化ケイ素のエッチ速度を選択的に向上する方法であって、
窒化ケイ素及び二酸化ケイ素を含む複合半導体デバイスを、請求項１〜１２のいずれか１項に記載のエッチング溶液に接触させる接触工程と、
窒化ケイ素が少なくとも部分的に除去された後に前記複合半導体デバイスをリンスする工程とを含み、酸化ケイ素に対する窒化ケイ素のエッチ選択性が約５０〜約５００である、方法。
前記複合半導体デバイスを乾燥する工程をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
酸化ケイ素に対する窒化ケイ素のエッチ選択性が約１００〜約５００である、請求項１３に記載の方法。
酸化ケイ素に対する窒化ケイ素のエッチ選択性が約１２５〜約５００である、請求項１３に記載の方法。
前記接触工程が、約１００〜約２００℃の温度で行われる、請求項１３に記載の方法。