JPS63178231A

JPS63178231A - リンス洗浄方法

Info

Publication number: JPS63178231A
Application number: JP893987A
Authority: JP
Inventors: Masashi Murata; 村田　雅詩; So Yoneda; 米田　創; Naohiro Watanabe; 渡辺　直洋
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 1987-01-20
Filing date: 1987-01-20
Publication date: 1988-07-22

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、半導体製造工程におけるリンス洗浄方法に関
するものである。

［従来の技術］半導体製造工程において、シリコンウェハー上に回路パ
ターンを形成させる際、フォトレジストを塗布し、露光
・現象・エツチング等のプロセスを経て、最終的に不要
となったレジストを剥離除去する。

レジストの剥離工程では、一般に、レジスト剥離液と呼
ばれるものにウェハーを浸漬してレジストを剥離する０
次いで、ウェハーに付着した、レジスト剥離液を置換す
る目的でリンス洗浄と呼ばれるトリクロルエチレンによ
る洗浄を行なったのち、アルコールなどでトリクロルエ
チレンを置換し、最後に、超純水で洗浄して仕上げとす
る。

［発明の解決しようとする問題点］本発明は、従来技術において使用されていたトリクロル
エチレンが、昨今、毒性問題、環境汚染問題などにより
、その使用が敬遠されつつあることに対応すべく、毒性
が低く、なおかつトリクロルエチレンと同等以上のリン
ス特性を有するリンス剤を用いたリンス洗浄方法を新規
に提供することを目的とするものである。

［問題点を解決するための手段］本発明は、前述の目的を達成すべくなされたものであり
、半導体製造用ウェハーに付着したレジスト剥離液をリ
ンス剤を用いて除去するリンス洗浄方法において、リン
ス剤としてフッ素系有機溶剤あるいはそれを主成分とす
る混合溶剤を用い、そのリンス剤使用時の粘性が１．Ｏ
ｃＰ以下であることを特徴とするリンス洗浄方法に関す
るものである。

本発明におけるリンス剤としては、フッ素化脂肪族炭化
水素類を主体とし、低毒性かつ不燃性とするとともに、
リンス剤使用時の粘性を　１．０ＣＰ以下となるリンス
剤を用いることにより、リンス効果を著しく高めること
ができる。

リンス洗浄は通常２５℃前後の室温で行なわれるため、
本発明のリンス剤としては室温でｔ、ｏｃｐ以下のもの
から選定することが好ましいが、室温で１．０ＣＰ以上
のリンス剤であっても、リンス洗浄を約９０℃程度まで
の高温下に行なうことにより、リンス剤使用時に　１．
０ＣＰ以下となるリンス剤であれば同様なリンス効果を
得ることができる。

フッ素化脂肪族炭化水素類としては、作業性及びリンス
効果の面から沸点が２０℃〜　１００”０内にあるいわ
ゆるフロン類が好ましい０例えばトリクロロモノフルオ
ロメタン（Ｒ−１１）、テトラクロロジフルオロエタン
（Ｒ−１１２及び／又はＲ−１１２ａ）　、　　トリク
ロロトリフルオロエタン（Ｒ−１１３及び／又はＲ−１
１３ａ）　、　１．２−ジブロモテトラフルオロエタン
（Ｒ−１１４８２）　、　　）ジクロロジフルオロエタ
ン（Ｒ−１２２，Ｒ−１２２ａ、　Ｒ−１２２ｂから選
ばれる少なくとも１種）、ジクロロトリフルオロエタン
（Ｒ−１２３，Ｒ−１２３ａ、　Ｒ−１２３ｂから選ば
れる少なくとも１種）等が好ましく、特にテトラクロロ
ジフルオロエタンが好ましい。

本発明におけるリンス剤は、前記フッ素化脂肪族炭化水
素類の他、これを主成分としてその他の溶剤、例えば炭
化水素類、アルコール類、エーテル類、エステル類等か
ら選ばれる少なくとも１補具りの溶剤を４０ｗｔ％程度
まで混合した混合溶剤であってもよい。

炭化水素類としては、ヘキサン、２−メチルペンタン、
２，２−ジメチルブタン、２，３−ジメチルブタン、ヘ
プタン、オクタン、２，２，３．−　トリメチルペンタ
ン、イソオクタン等の脂肪族炭化水素類、あるいはベン
ゼン、トルエン、キシレン。

メチルシクロペンタン、シクロヘキサン等の環式炭化水
素類を使用することができる。

アルコール類としては、炭素数１〜４の脂肪族フルコー
ル類が好ましく、メタノール、エタノール、ｎ−プロパ
ツール、インプロパツール。

ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノール、５ｅｃ−ブタノール
、ｔｅｒｔ−ブタノール、アリルアルコール、クロチル
アルコール、プロパギルアルコール等を挙げることがで
きる。アルコール類とフロン類との混合物で共沸組成が
存在するものは、共沸組成での使用が好ましい。

エーテル類としては、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、ギ酸
イソブチル等のギ酸アルキル類、酢酸メチル、酢酸エチ
ル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル等の酢酸アルキル
類を挙げることができ、エーテル類としては、ジプロピ
ルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のジアルキルエ
ーテル類を挙げることができる。

リンス剤の安定化が必要である場合には、ニトロメタン
、ニトロエタン、ニトロプロパン等のニトロアルカン類
やプロピレンオキサイド、１．２−ブチレンオキサイド
、２．３−ブチレンオキサイド、エピクロルヒドリン、
スチレンオキサイド、ブチルグリシジルエーテル、フェ
ニルグリシジルエーテル、グリシドール、１，４−ジオ
キサン、１，３．５−）ジオキサン、１．３−ジオキソ
ラン、ジメトキシメタン、１．２−ジメトキシエタン等
の環状エーテル類をｏ、ｏｏｉ〜５．Ｏｗｔ％程度併用
することが好ましい。

［作用］本発明方法において、リンス効果が高い理由は必ずしも
明らかではないが、リンス剤を一定レベル以下の粘性で
使用することにより、液の対流が促され、ウェハーに付
着したレジスト剥離液をリンス剤と置換する速度が速く
なるためと考えられる。このような説明は、本発明の理
解を助けるためのものであり、本発明を何ら限定解釈す
るものではない。

［実施例］ボジレジス）　（ＯＦＰＲ−８００：東京応化社製）ま
たは、ネガレジスト（ＯＭＲ−８３：東京応化社製）を
塗布、エツチング処理したシリコンウェハーを、剥離液
−５０２（東京応化社製０−ジクロルベンゼン系剥離液
）に１２０℃で１０分間浸漬後、以下のリンス剤に２５
℃で３分間浸漬し、さらにＩＰＡ／ＭＥＫ混液、次いで
超純水に浸漬洗浄後、乾燥し、表面状態を顕微鏡で観察
した。

Ｒ−１１，）ＩＪクロロフルオロメタンＲ−１１２、テ
トラクロロ−１，２−ジフルオロエタンＲ−１１３；　
１，１．２−トリクロロトリフルオロエタン［発明の効
果］ウェハー上に付着したレジストを剥ｇｌ−洗浄する場合
、洗浄後の表面上に微粒子、ゴミ、シミ等が、いっさい
残存せぬことが要求される。

この場合、レジストそのものは、レジスト剥離液中で通
常はぼ完全に剥離され、レジストを含有したレジスト洗
節剤がウェハー全面に付着した状態で次工程のリンス洗
浄剤の中に投入される。この工程で、一般には、トリク
ロルエチレンが使用されているが、ここで使用される溶
剤によっては、最終仕上りまで、付着した剥離液がうま
く除去できず、ウェハー上にシミや微粒子といった形で
、残存してしまうケースが生ずる。

本発明においては、上記のようなウェハー仕上りの不良
等がなく、しかも、Ｒ−１１，Ｒ−１１２゜Ｒ−１１３
などのフロン類を主体としたリンス剤を用いているため
作業許容濃度が、それぞれ１１０００ｐｐ、　５００ｐ
ｐｍ、　１１０００ｐｐ程度と、トリクロルエチレンの
５０ｐｐ層に比べ低毒性といえる上、混合系とした場合
も、引火点のない範囲とすれば、不燃性であり、すぐれ
て安全な洗浄溶剤であるという利点も有している。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体製造用ウェハーに付着したレジスト剥離液
をリンス剤を用いて除去するリンス洗浄方法において、
リンス剤としてフッ素系有機溶剤あるいはそれを主成分
とする混合溶剤を用い、そのリンス剤使用時の粘性が１
．０ＣＰ以下であることを特徴とするリンス洗浄方法。
（２）フッ素系有機溶剤が、フッ素化脂肪族炭化水素類
である特許請求の範囲第１項記載のリンス洗浄方法。
（３）フッ素系有機溶剤を主成分とする混合溶剤が、フ
ッ素化脂肪族炭化水素類と炭化水素類との混合物である
特許請求の範囲第１項記載のリンス洗浄方法。