KR20140141482A - 기판의 세정제 조성물 - Google Patents

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신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 실리콘 성분에 의해 오염된 수접촉각이 100도 이상인 기판 표면의 세정에 사용되는 기판의 세정제 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 기판의 세정제 조성물은 기판 표면의 세정에 사용되는 세정제 조성물이며,
(A) 제4급 암모늄염: 0.1 내지 2.0질량％
(B) 물: 0.1 내지 4.0질량％
(C) 유기 용매: 94.0 내지 99.8질량％
를 함유하여 이루어지는 것임을 특징으로 한다.

Description

기판의 세정제 조성물{CLEANING COMPOSITION OF SUBSTRATE}
본 발명은 기판의 세정 조성물에 관한 것이다.
최근 들어 각종 기판의 미세화나 고집적화가 진행되고 있고, 예를 들면 반도체 실장에 있어서는 3차원 실장을 함으로써, 고밀도, 대용량화를 한층 더 실현하고 있다. 3차원 반도체 실장 기술이란, 1개의 반도체 칩을 박형화하고, 추가로 이것을 실리콘 관통 전극(TSV; through silicon via)에 의해 결선하면서 다층 적층해 가는 반도체 제작 기술이다.
이것을 실현하기 위해서는, 반도체 회로를 형성한 기판을 이면 연삭에 의해 박형화하고, 추가로 이면에 TSV를 포함하는 전극 등을 형성하는 전극 형성 공정이 필요하다.
박형화할 때에, 반도체 회로를 형성한 기판을 실리콘, 유리 등의 지지 기판에 접착제를 통해 접합함으로써 이면 연삭 공정, 이면 전극 형성 공정 등의 가공에 견딜 수 있는 시스템이 제안되어 있으나, 해당 공정 후에 지지 기판을 간편하게 박리하는 것이 필요하고, 지지 기판 박리 후, 반도체 회로를 형성한 기판 표면에 잔존한 접착제를 제거한 후, 마지막으로 박막 반도체 기판 표면의 세정을 행할 필요가 있다.
가공 공정에 있어서는 150℃ 이상의 고온이 되는 경우가 있고, 접착제도 내열성이 요구되기 때문에 실리콘계 접착제가 사용되지만, 기판 표면 세정시에, 접착제를 용해시키는 유기 용제만의 세정에서는 기판 표면의 수접촉각이 100도 이상이 되고, 충분히 접착제를 제거하는 것이 곤란하여, 후의 제조 공정에 있어서 밀봉재의 접착 불량 등의 문제가 발생하는 것이 예상되었다.
그 때문에, 기판 표면을 부식시키지 않고 잔존한 접착제를 단시간에 충분히 제거할 수 있는 세정제 조성물이 요망되고 있지만, 실리콘 성분으로 오염된 기판 표면을 단시간에 충분히 세정할 수 있는 세정제 조성물은 발견되지 않고 있었다(특허문헌 1).
일본 특허 공개 제2013-010888호
본 발명은 상기 문제를 감안하여 이루어진 것이며, 예를 들면 표면이 실리콘 성분에 의해 오염된 수접촉각이 100도 이상인 실리콘 반도체 기판 등의 기판 표면의 세정에 사용되는 기판의 세정제 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에서는, 기판 표면의 세정에 사용되는 세정제 조성물로서
(A) 제4급 암모늄염: 0.1 내지 2.0질량％
(B) 물: 0.1 내지 4.0질량％
(C) 유기 용매: 94.0 내지 99.8질량％
를 함유하여 이루어지는 것임을 특징으로 하는 기판의 세정제 조성물을 제공한다.
이러한 세정제 조성물에 의해 기판을 세정함으로써, 기판을 부식시키지 않고 고효율로 기판을 세정할 수 있다.
또한, 상기 세정되는 기판이 100도 이상, 통상 100 내지 120도의 수접촉각을 갖는 실리콘 반도체 기판으로 할 수 있다.
이것은, 주로 실리콘계 접착제 조성물이 기판 표면에 잔존하고 있는 것에서 유래하는 것이고, X선 전자 분광 장치를 사용하여 기판 표면의 원소 분석을 행한바, 실리콘 접착제 유래의 Si 원소는, 통상 세정 전에 검출된 전체 원소 100질량％에 대하여 10질량％ 이상, 특히 20질량％ 이상의 함유율이 된다.
또한, 본원에 사용하는 실리콘 기판은, 회로를 형성된 실리콘 기판에 금속 배선 등을 추가로 실시하기 위하여 사용되는 소형용 패키지에 사용되는 박형 기판의 가공 공정에 사용되는 것일 수도 있다. 통상 두께의 실리콘 기판에 지지체 상에 고분자 접착제를 형성한 적층체를 맞댐으로써, 실리콘 기판 이면을 절삭·연마함으로써 박형 가공할 수 있다.
또한, 박형 가공에 사용된 접착제는 박형 가공 후 불필요하기 때문에, 유기 용제로 세정하여 제거하는 것이지만, 특히 실리콘계 접착제이면 제거가 곤란해지고, 기판 상에 10질량％ 이상 잔류한 기판이 된다.
이와 같이, 본 발명의 세정제 조성물이라면, 표면이 실리콘 성분으로 오염된 수접촉각이 100도 이상인 실리콘 반도체 기판 표면을 단시간에 충분히 세정할 수 있고, 수접촉각을 100도 미만으로 할 수 있다. 구체적으로는 10 내지 30도, 바람직하게는 10 내지 20도의 접촉각까지 접촉각을 낮춘 기판을 얻는 것이 좋다.
접촉각을 100도 미만으로 함으로써 반도체 패키지재 등의 적층체에 사용되는 경우에 있어서, 밀봉재와의 접착력 등의 효과가 현저히 향상되는 것을 얻을 수 있다.
또한, 상기 제4급 암모늄염이 테트라알킬암모늄히드록시드, 특히 테트라에틸암모늄히드록시드인 것이 바람직하다.
이와 같이, 제4급 암모늄염이 제4급 암모늄 수산화물인 것이 바람직하다.
또한, 상기 유기 용매가, 분자 중에 적어도 1개 이상의 수산기를 함유한 유기 용매이며, 탄소수 1 내지 8의 포화 지방족 알코올, 탄소수 2 내지 16의 글리콜 및 탄소수 4 내지 20의 글리콜에테르 중 적어도 1종 이상을 포함하는 것임이 바람직하다.
이와 같이, 본 발명의 기판 세정제 조성물은, 유기 용매로서 상기와 같은 것을 사용할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 기판 세정제 조성물을 사용하여 실리콘 반도체 기판 등의 기판의 세정을 행함으로써, 단시간에 양호한 세정성이 얻어지고, 기판을 부식시키지 않고 고효율로 실리콘 반도체 기판의 세정이 가능하게 되고, 박형 실리콘 반도체 기판으로서 부식이 없는 내구성이 있는 기판을 얻을 수 있고, 반도체 패키지용에 유효하게 사용할 수 있다.
이하, 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다.
상술한 바와 같이, 실리콘 반도체 기판 등의 기판을 단시간에 충분히 세정하는 것이 가능하고, 고효율로 양호한 기판의 세정이 가능한 세정제 조성물의 개발이 요망되고 있었다.
따라서, 본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 검토를 거듭한 결과, 제4급 암모늄염, 물, 유기 용매를 임의의 소정의 비율로 함유하는 세정제 조성물이면 기판을 부식시키지 않고 고효율로 기판을 세정할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.
이하, 본 발명에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 기판 표면의 세정에 사용되는 세정제 조성물은
(A) 제4급 암모늄염: 0.1 내지 2.0질량％
(B) 물: 0.1 내지 4.0질량％
(C) 유기 용매: 94.0 내지 99.8질량％
를 함유하여 이루어지는 세정제 조성물이다.
[제4급 암모늄염]
본 발명의 목적을 달성할 수 있는 제4급 암모늄염은 제4급 암모늄 수산화물, 제4급 암모늄 염화물 등을 들 수 있고, 이 제4급 암모늄 수산화물로서는 탄소수 1 내지 5의 직쇄상 알킬기를 갖는 테트라알킬암모늄, 탄소수 1 내지 5의 알킬기 및 탄소수 1 내지 5의 히드록시알킬기를 갖는 트리알킬히드록시알킬암모늄히드록시드 등을 들 수 있고, 테트라메틸암모늄히드록시드(TMAH), 테트라에틸암모늄히드록시드(TEAH), 테트라프로필암모늄히드록시드(TPAH), 테트라부틸암모늄히드록시드(TBAH), 트리메틸(히드록시에틸)암모늄히드록시드(통칭: 콜린), 트리에틸(히드록시에틸)암모늄히드록시드 등을 들 수 있다. 상술한 제4급 암모늄염 중에서, 세정성, 세정액의 안정성 등의 이유로부터 테트라알킬암모늄히드록시드, 특히 테트라에틸암모늄히드록시드(TEAH)가 바람직하다.
[유기 용매]
본 발명의 목적을 달성할 수 있는 유기 용매는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 분자 중에 적어도 1개 이상의 수산기를 함유하고 있고, 예를 들면 탄소수 1 내지 8, 바람직하게는 탄소수 2 내지 7, 더욱 바람직하게는 탄소수 3 내지 6의 포화 지방족 알코올류, 탄소수 2 내지 16, 바람직하게는 탄소수 3 내지 14, 바람직하게는 탄소수 5 내지 12의 글리콜류, 탄소수 4 내지 20, 탄소수 4 내지 18, 탄소수 4 내지 15의 글리콜에테르류 등을 들 수 있고, 1종 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 포화 지방족 1가 알코올류로서는, 예를 들면 메탄올, 에탄올, n-프로필알코올, 이소프로필알코올, 1-부탄올, 2-부탄올, 이소부틸알코올, tert-부틸알코올, 1-펜탄올, 2-펜탄올, 3-펜탄올, 2-메틸-1-부탄올, 이소펜틸알코올, sec-부틸알코올, tert-펜틸알코올, 3-메틸-2-부탄올, 네오펜틸알코올, 1-헥산올, 2-메틸-1-펜탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 2-에틸-1-부탄올, 1-헵탄올, 2-헵탄올, 3-헵탄올, 1-옥탄올, 2-옥탄올, 2-에틸-1-헥산올, 시클로헥산올, 1-메틸시클로헥산올, 2-메틸시클로헥산올, 3-메틸시클로헥산올, 4-메틸시클로헥산올, 2-에틸헥실알코올 등을 들 수 있다. 글리콜류로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 부틸렌글리콜, 헥실렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 트리메틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 테트라메틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜 등을 들 수 있다. 글리콜에테르류로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노n-프로필에테르, 에틸렌글리콜모노n-부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르, 트리에틸렌글리콜모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 트리프로필렌글리콜모노메틸에테르, 3-메톡시-3-메틸-1-부탄올 등을 들 수 있다.
그 중에서도 탄소수 6 내지 12의 고급 유기 용제를 사용하는 것이 바람직하고, 특히 프로필렌글리콜모노부틸에테르를 바람직하게 사용할 수 있다.
본 발명의 기판의 세정제 조성물을 얻기 위해서는, 특별히 한정되지 않고 세정제 조성물의 구성 성분을 혼합할 수 있다. 혼합 순서도 임의이고, 염기성 세정제 조성물의 구성 성분 중 2 성분 또는 3 성분 이상을 미리 배합하고, 계속하여 나머지 성분을 혼합할 수도 있고, 한번에 전부를 혼합할 수도 있다.
본 발명의 세정제 조성물을 제조할 때에는, 침전의 발생이나 액의 분리 등의 문제가 발생하지 않는 범위인 것이 바람직하다.
구체적으로는, 성분 (A): 제4급 암모늄염의 농도는 조성물 전량에 대하여 0.1 내지 2.0질량％이고, 바람직하게는 0.2 내지 1.5질량％, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 1.2질량％이다. 성분 (A)은 0.1질량％ 미만에서는 박형 반도체 기판 표면의 세정성이 불충분해질 우려가 있고, 2.0질량％를 초과한 경우 세정 효과가 얻어지지 않고, 실리콘 반도체 기판의 부식 등이 예상된다.
성분 (B): 물의 농도는 0.1 내지 4.0질량％이고, 바람직하게는 0.1 내지 3.0질량％, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 2.5질량％이다. 성분 (B)은 0.1질량％ 미만에서는 박형 반도체 기판 표면의 세정성이 불충분해질 우려가 있고, 4.0질량％를 초과한 경우 세정 효과가 얻어지지 않고, 실리콘 반도체 기판의 부식 등이 예상된다.
성분 (C): 분자 중에 적어도 1개 이상의 수산기를 갖는 유기 용매의 농도는 94.0 내지 99.8질량％이고, 바람직하게는 95.5 내지 99.7질량％, 더욱 바람직하게는 96.3 내지 99.6질량％이다. 성분 (C)은 94.0질량％ 미만에서는 미량의 접착제 성분을 용해시킬 수 없어 세정성이 부족할 가능성이 있고, 99.8질량％를 초과한 경우 효과는 얻어지지 않는다.
상술한 바와 같이, 각 성분의 농도를 최적이 되도록 조정하여 제조할 수 있고, 또한 그 밖의 성분을 임의로 첨가할 수도 있다.
본 발명의 세정제 조성물은 실리콘 반도체 기판에 한정되지 않고, 게르마늄 기판, 갈륨-비소 기판, 갈륨-인 기판, 갈륨-비소-알루미늄 기판, 알루미늄 도금 실리콘 기판, 구리 도금 실리콘 기판, 은 도금 실리콘 기판, 금 도금 실리콘 기판, 티탄 도금 실리콘 기판, 질화 규소막 형성 실리콘 기판, 산화 규소막 형성 실리콘 기판, 폴리이미드막 형성 실리콘 기판, 유리 기판, 석영 기판, 액정 기판, 유기 EL 기판 등에서도 세정 가능하다.
본 발명에서는, 통상의 두께의 기판을 세정할 수 있지만, 특히 가공 절삭 처리된 박형 기판에 대하여 유효하고, 두께로서 바람직하게는 20 내지 100㎛, 보다 바람직하게는 20 내지 70㎛인 기판의 세정에 유효하다.
세정 방법으로서는, 실리콘 수지 등의 유기물이 잔류한 기판을, 본 발명의 세정제 조성물에 침지 또는 분무 처리로 세정하는 것이 가능하고, 바람직하게는 30초 내지 30분, 보다 바람직하게는 1분 내지 10분 정도 세정, 수세, 건조 처리한다. 또한, 경우에 따라 세정제의 분산성의 점에서 가온해도 상관없다.
또한, 이와 같이 얻어진 부식이 없는 박형 기판은, 추가로 해당 기판 상에 도금, 스퍼터 처리 등을 실시하여, 소형 반도체 패키지에 유효하게 사용하는 것이 가능하게 된다.
[실시예]
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들로 한정되는 것은 아니다.
[기판의 제조]
실리콘 수지 노난 용액 접착제를 사용하여, 직경 8인치 실리콘 반도체 기판(직경 200mm, 두께: 725 ㎛) 상에 스핀 코트로 10㎛의 막 두께로 접착층을 형성하였다. 8인치 유리 기판(유리 웨이퍼)을 지지 기판으로 하고, 이 지지 기판과, 접착층을 갖는 실리콘 반도체 기판을 진공 접합 장치 내에서 200℃에서 접합하고, 웨이퍼, 접착층 및 지지 기판을 포함하는 적층체를 제작하였다. 또한, 지지 기판으로서는, 유리 기판뿐만 아니라 실리콘 웨이퍼 등도 들 수 있다. 그 후 그라인더를 사용하여 실리콘 반도체 기판의 이면 연삭을 행하였다. 최종 기판 두께 50㎛까지 그라인드하였다. 계속하여 적층 기판 중 실리콘 반도체 기판을 수평으로 고정해 두고, 지지 기판을 박리한 후, 노난에 6분간 침지시키고, 접착층을 제거한 후 건조시킴으로써, 세정 시험용 실리콘 반도체 기판을 제작하였다. 이때, 기판 표면의 수접촉각은 108°이고, X선 전자 분광 장치로 기판 표면의 원소 분석을 행한 결과, Si 함유율은 23％였다. 또한, Si 함유율은, 실리콘 기판 유래의 Si는 제외한다.
(실시예 1)
교반 장치, 냉각 장치, 온도계를 설치한 500ml 플라스크에 TMAH·5수화물 4g, 물 1g, 1-부톡시-2-프로판올 95g을 투입하여 실온에서 교반하고, TMAH·5수화물을 용해시켜 세정제 조성물 A를 얻었다.
(실시예 2)
교반 장치, 냉각 장치, 온도계를 설치한 500ml 플라스크에 25％ TPAH 수용액 4g, 1-프로폭시-2-프로판올 96g을 투입하고, 실온에서 균일해질 때까지 교반하여, 세정제 조성물 B를 얻었다.
(실시예 3)
교반 장치, 냉각 장치, 온도계를 설치한 500ml 플라스크에 37％ TBAH 메탄올 용액 2.7g, 물 0.3g, 1-부탄올 97g을 투입하고, 실온에서 균일해질 때까지 교반하여, 세정제 조성물 C를 얻었다.
(실시예 4)
교반 장치, 냉각 장치, 온도계를 설치한 500ml 플라스크에 35％ TEAH 수용액 1.5g, 1-부톡시-2-프로판올 98.5g을 투입하고, 실온에서 균일해질 때까지 교반하여, 세정제 조성물 D를 얻었다.
(실시예 5)
교반 장치, 냉각 장치, 온도계를 설치한 500ml 플라스크에 35％ TEAH 수용액 1.5g, 물 0.5g, 1-헥산올 49g, 1-부톡시-2-프로판올 49g을 투입하고, 실온에서 균일해질 때까지 교반하여, 세정제 조성물 E를 얻었다.
(실시예 6)
교반 장치, 냉각 장치, 온도계를 설치한 500ml 플라스크에 35％ TEAH 수용액 2.86g, 물 0.14g, 디프로필렌글리콜 48.5g, 1-부톡시-2-프로판올 48.5g을 투입하고, 실온에서 균일해질 때까지 교반하여, 세정제 조성물 F를 얻었다.
(실시예 7)
교반 장치, 냉각 장치, 온도계를 설치한 500ml 플라스크에 35％ TEAH 수용액 5.71g, 물 0.09g, 메탄올 47.15g, 1-프로폭시-2-프로판올 47.15g을 투입하고, 실온에서 균일해질 때까지 교반하여, 세정제 조성물 G를 얻었다.
(비교예 1)
교반 장치, 냉각 장치, 온도계를 설치한 500ml 플라스크에 35％ TEAH 수용액 0.14g, 물 0.86g, 1-부톡시-2-프로판올 99g을 투입하고, 실온에서 교반하여, 세정제 조성물 H를 얻었다.
(비교예 2)
교반 장치, 냉각 장치, 온도계를 설치한 500ml 플라스크에 TMAH·5수화물 6g, 물 2g, 1-부톡시-2-프로판올 92g을 투입하여 실온에서 교반하고, TMAH·5수화물을 용해시켜 세정제 조성물 I를 얻었지만, 수층이 분리되고, 양호한 세정제 조성물을 얻을 수는 없었다.
(비교예 3)
교반 장치, 냉각 장치, 온도계를 설치한 500ml 플라스크에 물 3g, 1-프로폭시-2-프로판올 97g을 투입하고, 실온에서 균일해질 때까지 교반하여, 세정제 조성물 J를 얻었다.
(비교예 4)
교반 장치, 냉각 장치, 온도계를 설치한 500ml 플라스크에 10％ TEAH프로필렌글리콜 용액 5g, 1-부톡시-2-프로판올 95g을 투입하고, 실온에서 균일해질 때까지 교반하여, 세정제 조성물 K를 얻었다.
(실시예 1 내지 7, 비교예 1 내지 4)
상기 실리콘 반도체 기판을 세정제 조성물 A 내지 K를 사용하여 침지에 의해 6분간 세정을 행하였다. 세정제 조성물의 평가로서 하기 평가를 행하였다. 각 조성물의 조성비와 결과를 표 1에 나타내었다.
[외관]
세정제 조성물의 외관을 육안으로 확인하였다. 침전물의 석출이나, 수층의 분리 등의 문제를 확인하고, 이상이 확인되지 않은 경우에는 ○, 이상이 확인된 경우에는 ×로 나타내었다.
[기판 표면 세정성 평가]
제조된 실리콘 반도체 기판을, 세정제 조성물 A 내지 H 및 J 그리고 K를 사용하여 세정을 행하였다. 구체적으로는 세정액 조성물 A 내지 H 및 J 그리고 K에 임의의 시간 침지 후, 1분간 순수로 씻어 버리고, 건조시킨 실리콘 반도체 기판 표면의 수접촉각을 확인하였다. 세정 전의 수접촉각은 108°이며, 접촉각이 30° 미만이 될 때까지 필요한 시간이 6분 미만인 경우에는 ◎, 6분 이상 10분 미만인 경우에는 ○, 10분 이상인 경우에는 ×로 나타내었다.
측정 장치: 교와 가이멘 가가꾸(주) 제조 접촉각계 DM-301
[기판 표면 세정 후 수접촉각]
제조된 실리콘 반도체 기판을, 세정제 조성물 A 내지 H 및 J 그리고 K를 사용하여 세정을 행하였다. 구체적으로는 세정액 조성물 A 내지 H 및 J 그리고 K에 6분간 침지 후, 1분간 순수로 씻어 버리고, 건조시킨 실리콘 반도체 기판 표면의 수접촉각을 상기 장치를 사용하여 확인하였다.
[세정 후 기판 표면 분석]
제조된 실리콘 반도체 기판을, 세정제 조성물 A 내지 H 및 J 그리고 K를 사용하여 세정을 행하였다. 구체적으로는 세정액 조성물 A 내지 H 및 J 그리고 K에 6분간 침지 후, 1분간 순수로 씻어 버리고, 건조시킨 실리콘 반도체 기판 표면을 X선 전자 분광 장치를 사용하여 세정 후 기판 표면의 원소 분석을 행하여, Si 함유율을 분석하였다.
측정 장치: 크라토스(KRATOS)제 악시스-울트라 디엘디(AXIS-Ultra DLD)
Figure pat00001
표 1의 결과로부터, 본 발명의 기판의 세정제 조성물의 구성 요건을 만족하는 실시예 1 내지 실시예 7에 있어서, 단시간에 양호한 세정성이 얻어지고, 기판의 부식은 보이지 않았다.
한편, 본 발명의 기판의 세정제 조성물의 구성 요건을 만족하지 않는 비교예 1 내지 비교예 4에 있어서, 양호한 세정성을 얻을 수는 없었고, 또한 기판의 부식도 발생하였다.
이것으로부터, 본 발명의 기판의 세정제 조성물이라면, 박형 기판에서도 단시간에 양호한 세정성이 얻어지고, 기판을 부식하지 않고 고효율로 실리콘 반도체 기판의 세정이 가능하게 되는 것이 확인되었다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시 형태는 예시이고, 본 발명의 특허 청구 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 동일한 작용 효과를 발휘하는 것은 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.

Claims (8)

  1. 기판 표면의 세정에 사용되는 세정제 조성물로서,
    (A) 제4급 암모늄염: 0.1 내지 2.0질량％
    (B) 물: 0.1 내지 4.0질량％
    (C) 유기 용매: 94.0 내지 99.8질량％
    를 함유하여 이루어지는 것임을 특징으로 하는 기판의 세정제 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 세정되는 기판이 100도 이상의 수접촉각을 갖는 실리콘 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 기판의 세정제 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제4급 암모늄염이 테트라알킬암모늄히드록시드인 것을 특징으로 하는 기판의 세정제 조성물.
  4. 제3항에 있어서, 상기 테트라알킬암모늄히드록시드가 테트라에틸암모늄히드록시드인 것을 특징으로 하는 기판의 세정제 조성물.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유기 용매가 분자 중에 적어도 1개 이상의 수산기를 함유한 유기 용매이며, 탄소수 1 내지 8의 포화 지방족 알코올, 탄소수 2 내지 16의 글리콜 및 탄소수 4 내지 20의 글리콜에테르 중 적어도 1종 이상을 포함하는 것임을 특징으로 하는 기판의 세정제 조성물.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 세정되는 기판이 두께 20 내지 100㎛의 박형 기판인 것을 특징으로 하는 기판의 세정제 조성물.
  7. 반도체 회로를 형성한 기판을 지지 기반에 접착제를 통해 접합하고, 이면 가공 처리를 실시하고, 지지 기반을 접착제와 함께 박리한 후, 잔존하는 접착제를 제1항에 기재된 세정제 조성물을 사용하여 제거하는 기판의 박형 가공 방법.
  8. 제7항에 있어서, 접착제가 실리콘계 접착제인 것을 특징으로 하는 기판의 박형 가공 방법.
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