JP2018195697A - 回路装置 - Google Patents
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Abstract
Description
最初に本発明の実施態様を列挙して説明する。以下に記載する実施形態の少なくとも一部を任意に組み合わせてもよい。
従って、第1乃至第3導電板並びに第1及び第2回路部品の実装面積を小さく構成することができ、回路装置を小型化することができる。
本発明の実施形態に係る回路装置の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本実施形態に係る回路装置1は、例えば車両に搭載され、大電流制御を行う装置である。回路装置1は、第1導電板21、第2導電板22及び第3導電板23と、各導電板に接続される複数の第1回路部品31及び第2回路部品32と、回路基板40(図4参照)と、放熱体50と、第1外部接続部61、第2外部接続部62及び第3外部接続部63と、第1端子接続板71と、第2及び第3端子接続板72a、72bを有する連結部材72とを備える。
以下、放熱体50の平坦面側を上側(図1中上側)、放熱フィン50bが形成されている側を下側(図1中下側)とする。また、平板部50aの一辺側、特に第1乃至第3外部接続部61、62、63が設けられる側(図2中、手前側)を正面とする。
第3導電板23の第3帯状板部23aは、第1導電板21の他側部に間隙を設けて並び配され、接着剤である絶縁層によって放熱体50の平板部50aに接着されている。つまり、第3帯状板部23aの側部と、第1導電板21の他側部とが略平行になるように配されている。また、第3屈曲板部23bは、第1屈曲板部21bと同様にして平板部50aの一辺側に位置し、同一平面内で第1屈曲板部21bと並ぶように配されている。
第1回路部品31は、例えば半導体スイッチである。より具体的には第1回路部品31は、MOSFET等の電界効果トランジスタである。第1端子31aはドレイン端子、第2端子31bはソース端子、第3端子31cはゲート端子である。
第2回路部品32は、第1回路部品31と同様、電界効果トランジスタ等の半導体スイッチである。第1端子32aはドレイン端子、第2端子32bはソース端子、第3端子32cはゲート端子である。
第1屈曲板部21bの先端部の正面側(図2中、手前側)には、上記導電線の端子が接続される第1端子接続板71が配され、当該先端部及び第1端子接続板71に形成された図示しない穴部に背面側から第1外部接続部61が挿通することによって、第1端子接続板71は第1屈曲板部21bの先端部に固定されている。
このように構成された連結部材72の断面積は、第2導電板22及び第3導電板23に比べて大きく形成されている。
図4は、本実施形態に係る回路装置1の一構成例を示す背面斜視図、図5は、本実施形態に係る回路装置1の一構成例を示す平面図、図6は、本実施形態に係る回路装置1の一構成例を示す正面図、図7は、本実施形態に係る回路装置1の一構成例を示す背面図である。なお、作図の便宜上、図7中、第1乃至第3導電板21、22、23及び回路基板40の厚みを強調して描いている。
図4及び図5に示すように、回路装置1は、第1乃至第3導電板21、22、23の上面側に配され、第1及び第2回路部品31、32の第3端子31c、32cが接続される回路基板40を備える。
同様に、平面視において第3端子32cのみが回路基板40の上面部分に掛かり、第3端子32cを除けば第2回路部品32の他部分が上下に貫通することが可能な形状を有する貫通孔42を有する。貫通孔42の具体的形状は、貫通孔41と同様である。
また、端子台10aには、第1端子接続板71の両側及び下部を囲み、第2及び第3端子接続板72a、72bを隔離する正面視略U字状の第1隔壁11を有する。また、端子台10aは、第2端子接続板72aの横方向外側を覆う第2隔壁12と、第3端子接続板72bの横方向外側を覆う第3隔壁13とを有する。
図9は、本実施形態に係る回路装置1における電流の流れを示す背面斜視図、図10は、比較例に係る回路装置1における電流の流れを示す背面斜視図である。比較例に係る回路装置は、図10に示すように、鉤状に形成された1対の第1導電板121及び第2導電板122を有し、第1及び第2導電板121、122は全体形状が矩形平板状となるように所定の間隙を設けて嵌め合わせるように配置されている。MOSFETである複数の回路部品131は、各回路部品131の通電経路が略均一になるように第1導電板121の側部側に沿って並び配されており、第1導電板121には回路部品131のドレイン端子が接続され、ソース端子が第2導電板122に接続されている。図9及び図10中、実線矢印は電流を示しており、電流の大きさを実線矢印の太さで示している。
10 収容体
10a 端子台
11 第1隔壁
12 第2隔壁
13 第3隔壁
21 第1導電板
21a 第1帯状板部
21b 第1屈曲板部
22 第2導電板
22a 第2帯状板部
22b 第2屈曲板部
23 第3導電板
23a 第3帯状板部
23b 第3屈曲板部
31 第1回路部品
32 第2回路部品
31a、32a 第1端子
31b、32b 第2端子
31c、32c 第3端子
40 回路基板
41 貫通孔
42 貫通孔
50 放熱体
50a 平板部
50b 放熱フィン
61 第1外部接続部
62 第2外部接続部
63 第3外部接続部
71 第1端子接続板
72 連結部材
72a 第2端子接続板
72b 第3端子接続板
72c 連結板部
131 回路部品
Claims (7)
- 帯状部分を有する第1導電板と、
第1導電板の一側部に間隙を設けて並び配された帯状部分を有する第2導電板と、
第1導電板の他側部に間隙を設けて並び配された帯状部分を有する第3導電板と、
第1導電板に接続された第1端子、第2導電板に接続された第2端子を有する第1回路部品と、
第1導電板に接続された第1端子、第3導電板に接続された第2端子を有する第2回路部品と、
第1導電板の前記帯状部分に設けられた第1外部接続部と、
第2導電板又は第3導電板の前記帯状部分にそれぞれ設けられた第2外部接続部又は第3外部接続部と
を備える回路装置。 - 第1回路部品及び第2回路部品はそれぞれ、電流の制御に係る第3端子を備え、
第1導電板、第2導電板及び第3導電板の一面側に配され、各回路部品の第3端子が接続された回路基板と、
第1導電板、第2導電板及び第3導電板の他面側に配された放熱体と
を備える請求項1に記載の回路装置。 - 第1回路部品及び第2回路部品は半導体スイッチである
請求項1又は請求項2に記載の回路装置。 - 第1回路部品及び第2回路部品は電界効果トランジスタであり、
第1端子はドレイン端子、第2端子はソース端子、第3端子はゲート端子である
請求項2に記載の回路装置。 - 第1端子は第2端子より大きく、
第1導電板の前記帯状部分の幅は、第2導電板及び第3導電板の前記帯状部分の幅に比べて長く、
第1回路部品及び第2回路部品は第1導電板上に配されている
請求項1〜請求項4までのいずれか一項に記載の回路装置。 - 第2導電板又は第3導電板の前記帯状部分を電気的に連結する連結部材を備え、前記連結部材の断面積は第2導電板及び第3導電板に比べて大きい
請求項1〜請求項5までのいずれか一項に記載の回路装置。 - 第1導電板、第2導電板及び第3導電板並びに第1回路部品及び第2回路部品を収容する収容体を備え、
前記連結部材は前記収容体の外部に配されている
請求項6に記載の回路装置。
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Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020064941A (ja) * | 2018-10-16 | 2020-04-23 | 住友電装株式会社 | 回路構造体及び電気接続箱 |
CN210042640U (zh) * | 2018-12-29 | 2020-02-07 | 台达电子企业管理(上海)有限公司 | 电子设备及其功率模块 |
US12080634B2 (en) | 2019-11-27 | 2024-09-03 | The Noco Company | Semiconductor device, printed circuit board (PCB), and method of interfacing control pin (gate pin) of a power semiconductor device (MOSFET) to a printed circuit board (PCB) |
EP4066317A4 (en) * | 2019-11-27 | 2024-01-10 | The Noco Company | SEMICONDUCTOR DEVICE, PRINTED CIRCUIT BOARD (PCB), AND METHOD FOR INTERFACING CONTROL PIN (GATE PIN) OF POWER SEMICONDUCTOR DEVICE (MOSFET) TO A PRINTED CIRCUIT BOARD (PCB) IN A BATTERY MANAGEMENT SYSTEM (BMS) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005174955A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-30 | Toyota Industries Corp | 半導体モジュール |
JP2016220277A (ja) * | 2015-05-14 | 2016-12-22 | 矢崎総業株式会社 | 電気接続箱 |
US20170094790A1 (en) * | 2014-05-13 | 2017-03-30 | Auto-Kabel Management Gmbh | Circuit Arrangement for Vehicles and Use of a Circuit Arrangement |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3116916B2 (ja) * | 1998-08-17 | 2000-12-11 | 日本電気株式会社 | 回路装置、その製造方法 |
TW502819U (en) * | 2001-04-25 | 2002-09-11 | Jr-Da Chen | Improved structure of hinge |
JP4002427B2 (ja) | 2001-11-26 | 2007-10-31 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路構成体の製造方法 |
JP4470688B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2010-06-02 | 株式会社日立製作所 | バスバー構造の実装構造、電源装置、電源システム、電子回路基板、電子装置 |
US7548411B2 (en) * | 2004-10-29 | 2009-06-16 | Hitachi, Ltd. | Electronic circuit structure, power supply apparatus, power supply system, and electronic apparatus |
CN1889262A (zh) * | 2006-07-29 | 2007-01-03 | 孟祥厚 | 块状水冷电力半导体器件 |
EP3633723B1 (en) * | 2009-05-14 | 2023-02-22 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN102083295A (zh) * | 2009-11-27 | 2011-06-01 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 电子装置及其散热模组 |
US20110149518A1 (en) * | 2009-12-18 | 2011-06-23 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Heat-transfer arrangement for enclosed circuit boards |
CN201639871U (zh) * | 2010-03-11 | 2010-11-17 | 奇瑞汽车股份有限公司 | 汽车仪表板电器盒 |
CN202111274U (zh) * | 2011-06-03 | 2012-01-11 | 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 | 电连接器及其组件 |
JP5942930B2 (ja) * | 2013-02-05 | 2016-06-29 | 住友電装株式会社 | 電子部品付きコネクタおよびホルダ |
JP6136946B2 (ja) | 2014-01-22 | 2017-05-31 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | スイッチング基板 |
JP2015142059A (ja) * | 2014-01-30 | 2015-08-03 | 株式会社日立製作所 | パワー半導体モジュール |
WO2015159751A1 (ja) * | 2014-04-14 | 2015-10-22 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP6245377B2 (ja) * | 2014-10-10 | 2017-12-13 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及びバスバー |
JP6361447B2 (ja) * | 2014-10-15 | 2018-07-25 | 住友電気工業株式会社 | 半導体モジュール |
JP6634748B2 (ja) | 2015-09-14 | 2020-01-22 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路構成体 |
WO2017056686A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
JP6662001B2 (ja) | 2015-11-27 | 2020-03-11 | 住友金属鉱山株式会社 | 非水系電解質二次電池用正極活物質とその製造方法、被覆液の製造方法 |
JP6642088B2 (ja) * | 2016-02-18 | 2020-02-05 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 電気機器 |
CN109952639B (zh) * | 2016-11-11 | 2023-06-27 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置、逆变器单元及汽车 |
JP6651433B2 (ja) * | 2016-12-02 | 2020-02-19 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電子制御装置 |
US10749443B2 (en) * | 2017-01-13 | 2020-08-18 | Cree Fayetteville, Inc. | High power multilayer module having low inductance and fast switching for paralleling power devices |
US10917992B2 (en) * | 2017-01-13 | 2021-02-09 | Cree Fayetteville, Inc. | High power multilayer module having low inductance and fast switching for paralleling power devices |
JP6750514B2 (ja) * | 2017-01-18 | 2020-09-02 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP6958164B2 (ja) * | 2017-05-23 | 2021-11-02 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | コイル装置、基板付きコイル装置及び電気接続箱 |
JP6717266B2 (ja) * | 2017-06-28 | 2020-07-01 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路装置 |
GB2567746B (en) * | 2017-08-24 | 2022-03-16 | Shindengen Electric Mfg | Semiconductor device |
US11658089B2 (en) * | 2017-12-14 | 2023-05-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
WO2019208406A1 (ja) * | 2018-04-25 | 2019-10-31 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
JP7183594B2 (ja) * | 2018-07-04 | 2022-12-06 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US11183440B2 (en) * | 2018-12-10 | 2021-11-23 | Gan Systems Inc. | Power modules for ultra-fast wide-bandgap power switching devices |
EP3690939A1 (en) * | 2019-01-30 | 2020-08-05 | Infineon Technologies AG | Semiconductor arrangements |
JP7354550B2 (ja) * | 2019-02-08 | 2023-10-03 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュールの外部接続部、半導体モジュール、外部接続端子、および半導体モジュールの外部接続端子の製造方法 |
-
2017
- 2017-05-17 JP JP2017098196A patent/JP6740959B2/ja active Active
-
2018
- 2018-04-26 DE DE112018002547.0T patent/DE112018002547B4/de active Active
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- 2018-04-26 US US16/612,890 patent/US11081431B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005174955A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-30 | Toyota Industries Corp | 半導体モジュール |
US20170094790A1 (en) * | 2014-05-13 | 2017-03-30 | Auto-Kabel Management Gmbh | Circuit Arrangement for Vehicles and Use of a Circuit Arrangement |
JP2016220277A (ja) * | 2015-05-14 | 2016-12-22 | 矢崎総業株式会社 | 電気接続箱 |
Also Published As
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