JP2018163962A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 第１リード部が突出するベッド部と、
   前記ベッド部の上面の一部に接合された半導体チップと、
   前記半導体チップの上面に接合されたコンタクト部と、
   前記コンタクト部に電気的に接続された第２リード部と、
   樹脂材料からなり、前記第１リード部の一部、前記ベッド部、前記半導体チップ、前記コンタクト部、及び、前記第２リード部の一部を覆う封止部材と、
   を備え、
   前記ベッド部の前記上面における前記封止部材に覆われた領域には、前記半導体チップが接合された領域を囲む溝が形成されている半導体装置。
2. 前記溝は、前記溝が延伸する方向に沿って分断されており、
   前記溝は、少なくとも、前記ベッド部の前記上面における前記半導体チップが接合された前記領域と前記第１リード部との間に形成されている請求項１記載の半導体装置。
3. 前記溝は複数本形成されており、前記複数本の溝は、それぞれ、前記半導体チップが接合された前記領域を囲む請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 前記溝の内面は、前記ベッド部の前記上面における前記溝を除く領域よりも粗い請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置。
5. 前記溝の内面には、前記ベッド部に含まれる金属の酸化膜が形成されている請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置。
6. 前記溝内に設けられ、前記封止部材を形成する樹脂材料とは異なる樹脂材料によって形成されたエンキャップ材をさらに備えた請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体装置。
7. 前記ベッド部と前記半導体チップとの間に設けられたはんだ層をさらに備え、
   前記はんだ層における前記溝の直上域には貫通部が形成されており、
   前記封止部材の一部は前記貫通部内に配置された請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体装置。
8. 緑色レーザーを用いたレーザー加工により、銅を含み第１リード部が突出するベッド部の上面に溝を形成する工程と、
   前記ベッド部の表面を粗化する工程と、
   前記ベッド部の前記上面における前記溝に囲まれた領域に半導体チップを接合する工程と、
   前記半導体チップの上面にコンタクト部を接合する工程と、
   樹脂材料により、前記第１リード部の一部、前記ベッド部、前記半導体チップ、前記コンタクト部、及び、前記コンタクト部に電気的に接続された第２リード部の一部を覆う封止部材を形成する工程と、
   を備えた半導体装置の製造方法。
9. 銅を含むベッド部の表面を粗化する工程と、
   前記ベッド部の上面の一部に、はんだ層を介して半導体チップを接合する工程と、
   前記半導体チップの上面にコンタクト部を接合する工程と、
   前記ベッド部の前記上面における前記半導体チップが接合された領域の周囲に、緑色レーザーを用いたレーザー加工により、前記はんだ層を介して溝を形成する工程と、
   樹脂材料により、前記ベッド部より延伸する第１リード部の一部、前記ベッド部、前記半導体チップ、前記コンタクト部、及び、前記コンタクト部に電気的に接続された第２リード部の一部を覆う封止部材を形成する工程と、
   を備えた半導体装置の製造方法。