JP2018147984A5 - - Google Patents
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Description
実施形態に係る半導体装置の製造方法は、シリコン及び炭素を含む基板の一部にＩＩＩ族元素をイオン注入する工程と、前記一部に酸素をイオン注入する工程と、前記ＩＩＩ族元素及び前記酸素がイオン注入された前記基板を１７００℃以上１９００℃以下の温度に加熱する工程と、を備える。
Claims (9)
- シリコン及び炭素を含む基板の一部にＩＩＩ族元素をイオン注入する工程と、
前記一部に酸素をイオン注入する工程と、
前記ＩＩＩ族元素及び前記酸素がイオン注入された前記基板を１７００℃以上１９００℃以下の温度に加熱する工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。 - 前記ＩＩＩ族元素は、アルミニウム又はボロンである請求項１記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸素のドーズ量は、前記ＩＩＩ族元素のドーズ量の０．１倍以上１倍以下である請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ＩＩＩ族元素を導入する工程、及び、前記酸素を導入する工程は、前記基板を２５０℃以上５００℃以下の温度に加熱した状態で実施する請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
- シリコン及び炭素を含む基板の一部にＶ族元素を導入する工程と、
前記一部に酸素を導入する工程と、
前記Ｖ族元素及び前記酸素が導入された前記基板を加熱する工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。 - 前記加熱する工程において、加熱温度を１７００℃以上１９００℃以下とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
- 前記一部上に導電部材を形成し、前記導電部材を前記一部にオーミック接続させる工程をさらに備えた請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
- ＩＩＩ族元素のイオン及び酸素のイオンを生成するイオン源と、
前記イオンを選別する質量分析部と、
前記イオンを加速する加速部と、
シリコン及び炭素を含み、前記イオンが注入される被注入材を収納するチャンバーと、
を備えた半導体装置の製造装置。 - Ｖ族元素のイオン及び酸素のイオンを生成するイオン源と、
前記イオンを選別する質量分析部と、
前記イオンを加速する加速部と、
シリコン及び炭素を含み、前記イオンが注入される被注入材を収納するチャンバーと、
を備えた半導体装置の製造装置。
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