JP2011529275A5 - - Google Patents
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Description
【0019】
【図1A】4.5keVに等しいイオン注入エネルギーを有するポリシリコン
へのホウ素イオン注入のための、アニール前後のホウ素の二次イオン質量分析計(SIMS)の解析プロファイルを例示する図である。
【図1B】20keVに等しいイオン注入エネルギーを有するポリシリコンへ
のホウ素イオン注入のための、アニール前後のホウ素及びフッ素の二次イオン質量分析計の解析プロファイルを例示する図である。
【図2】プラズマドーピング半導体用に用いることができるヨウ素及び臭素
化合物ガスの特性の表を示す図である。
【図3】ドーパントハロゲン及びドーパント水素の結合の結合エンタルピー
値の表を示す図である。
【図4】BI3P型ドーパントガス原料を用いて生成したイオンに対する、シ
ミュレートしたイオンのシリコンへの投影飛程の表を示す図である。
【図5】本発明によりプラズマドーピングを行うことができるプラズマドー
ピングシステムを例示する図である。
【図6】BI3ドーパントガス原料を用いて、0.5keVのイオン注入エネル
ギーに対してシミュレートした、シリコン基板内の深さの関数としてのホウ素の濃度のプラズマドーパントプロファイルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【図1A】4.5keVに等しいイオン注入エネルギーを有するポリシリコン
へのホウ素イオン注入のための、アニール前後のホウ素の二次イオン質量分析計(SIMS)の解析プロファイルを例示する図である。
【図1B】20keVに等しいイオン注入エネルギーを有するポリシリコンへ
のホウ素イオン注入のための、アニール前後のホウ素及びフッ素の二次イオン質量分析計の解析プロファイルを例示する図である。
【図2】プラズマドーピング半導体用に用いることができるヨウ素及び臭素
化合物ガスの特性の表を示す図である。
【図3】ドーパントハロゲン及びドーパント水素の結合の結合エンタルピー
値の表を示す図である。
【図4】BI3P型ドーパントガス原料を用いて生成したイオンに対する、シ
ミュレートしたイオンのシリコンへの投影飛程の表を示す図である。
【図5】本発明によりプラズマドーピングを行うことができるプラズマドー
ピングシステムを例示する図である。
【図6】BI3ドーパントガス原料を用いて、0.5keVのイオン注入エネル
ギーに対してシミュレートした、シリコン基板内の深さの関数としてのホウ素の濃度のプラズマドーパントプロファイルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
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2008
- 2008-07-22 US US12/177,750 patent/US7927986B2/en active Active
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2009
- 2009-07-22 CN CN2009801283310A patent/CN102099899B/zh not_active Expired - Fee Related
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