JP2006253659A5 - - Google Patents
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- マススペクトルから求められたトータルイオン中のドナー不純物又はアクセプタ不純物の化合物のイオンの割合Ｘ（０＜Ｘ＜１）とドーピングがおこなわれた第１の被処理体中の前記ドナー不純物又はアクセプタ不純物のピーク濃度Ｙに関する第１の関係式から、前記イオンの割合Ｘの変化に対応して、前記ピーク濃度Ｙを得るために必要なトータルイオンのドーズ量Ｄ１を求める過程と、第１の原料ガスを用い、トータルイオンのドーズ量を前記過程で求めたＤ１の値、加速電圧を所定の値として、イオンドーピング装置によって第２の被処理体に対し前記ドナー不純物又はアクセプタ不純物の化合物のイオンをドーピングする過程を有し、前記第１の関係式は、前記イオンドーピング装置において、前記ドナー不純物又はアクセプタ不純物の化合物が水素又は希ガスでなる希釈用のガスで５％以上４０％以下の第１の濃度に希釈された第２の原料ガスを用いてプラズマを生成させ、前記マススペクトルから前記イオンの割合Ｘを求め、前記化合物が前記第１の濃度と同じ濃度又はそれより低い第２の濃度に前記希釈用のガスで希釈された前記第１の原料ガスを用い、トータルイオンのドーズ量をＤ０、加速電圧を前記所定の値として、前記イオンドーピング装置によって前記第１の被処理体に対し前記ドナー不純物又はアクセプタ不純物の化合物のイオンをドーピングし、前記第１の被処理体中の前記ピーク濃度Ｙを分析することによって、ａ及びｂを実数としたとき、Ｙ＝（Ｄ１／Ｄ０）（ａＸ＋ｂ）として得られることを特徴とすることを特徴とするドーピング方法。
- マススペクトルから求められたトータルイオン中のドナー不純物又はアクセプタ不純物の化合物のイオンの割合Ｘ（０＜Ｘ＜１）とドーピングがおこなわれた被処理体中の前記ドナー不純物又はアクセプタ不純物のピーク濃度Ｙに関する第１の関係式から、前記イオンの割合Ｘの変化に対応して、前記ピーク濃度Ｙを得るために必要なトータルイオンのドーズ量Ｄ１を求める過程と、第１の原料ガスを用い、トータルイオンのドーズ量を前記過程で求めたＤ１の値、加速電圧を所定の値として、イオンドーピング装置によって絶縁表面を有する基板上に形成された半導体膜又は半導体基板に対し前記ドナー不純物又はアクセプタ不純物の化合物のイオンをドーピングする過程を有し、前記第１の関係式は、前記イオンドーピング装置において、前記ドナー不純物又はアクセプタ不純物の化合物が水素又は希ガスでなる希釈用のガスで５％以上４０％以下の第１の濃度に希釈された第２の原料ガスを用いてプラズマを生成させ、前記マススペクトルから前記イオンの割合Ｘを求め、前記化合物が前記第１の濃度と同じ濃度又はそれより低い第２の濃度に前記希釈用のガスで希釈された前記第１の原料ガスを用い、トータルイオンのドーズ量をＤ０、加速電圧を前記所定の値として、前記イオンドーピング装置によって前記被処理体に対し前記ドナー不純物又はアクセプタ不純物の化合物のイオンをドーピングし、前記被処理体中の前記ピーク濃度Ｙを分析することによって、ａ及びｂを実数としたとき、Ｙ＝（Ｄ１／Ｄ０）（ａＸ＋ｂ）として得られることを特徴とする電界効果型トランジスタの作製方法。
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