JP3655491B2 - イオン発生方法およびイオン照射方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、イオン発生方法およびイオン照射方法に係わり、特に浅い拡散層の形成に有効なイオン発生方法およびイオン照射方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
イオン注入法(イオン照射法)は、半導体基板に硼素(B)、燐(P)、砒素(As)等の不純物を導入してpn接合を形成する方法として、広く用いられている。イオン注入法によれば、目的とする場所に不純物の濃度と深さを精密にコントロールして導入することができる。
【0003】
ULSIの高集積化が進み、素子寸法が縮小化されるに伴い、浅いpn接合の形成はその重要性を増してきている。上述のイオン注入法は半導体装置プロセスにおいて幅広く用いられるドーピング技術の一つであり、従来より後工程の熱処理(アニール)との組合せにより接合形成が行われている。
【0004】
しかしながら、p型ドーパントとしてBを用いる浅いpn接合の形成は、以下に説明するように困難な点が多い。まず、軽元素であるBはイオン注人時のチャネリングテイルが顕著であるため、Bを浅く導人するための加速電圧の低エネルギー化は、反射・スパッタリングなどの影響による実効注入量の低下を招いたり、あるいは装置性能によっては電圧が低すぎるためにイオンを引き出せないなどの問題がある。また、Bはシリコン中での拡散係数が大きいために、例えばpMOSトランジスタの短チャネル効果の原因ともなる。
【0005】
そこで、Bと同じp型ドーパントである、Ga(ガリウム)やIn(インジウム)といった重元素を使用するプロセスが注目されている。上述したようなイオン注入法(イオン照射法)を実施するイオン照射装置(イオン発生装置)は、一般的には、ガスをアークチャンバに導入するか、または固体もしくは液体を昇華させてその蒸気をアークチャンバに導入し、Inのイオン化を行っている。
【0006】
Inのイオン注入の場合、固体ソースとして塩化物(InCl3 )が知られているが、本発明者はこの種の固体を用いたp型ドーパントのイオン注入法には、以下のような問題があることを突き止めている。すなわち、塩化物の場合には、塩素によって装置の金属系の部材を腐食してしまう。
【0007】
特に、アークチャノバおよびイオンソースチャンバ内でのエッチング反応が強い。したがって、熱電子を放出させるためのフィラメントをも腐食してしまい、Inのイオン化を安定に行うことができず、長時間の作業は極めて困難であるという問題がある。具体的には、1時間〜4時問程度の短い時間の作業しか行うことができず、実用的ではない。
【0008】
一方、ガスソースとしては、トリメチルインジウム(TMI)やトリエチルインジウム(TEI)などの有機ガスソースが知られている。トリメチルインジウムは常温で蒸気圧が得られることから、この蒸気を利用してArなどのサポートガスによるイオン化によりInのイオンビームを取り出してきた。
【0009】
しかしながら、本発明者はこの種の有機ガスソースを用いたp型ドーパントのイオン注入法には、以下のような問題があることを突き止めている。すなわち、有機系ガスは、酸素および水分と劇的に反応を起こし非常に危険である。真空装置とはいえ、真空リーク等による大気の巻き込み、丁MI/TEIの充填、TMI/TEI使用後のイオンソースメンテナンス等を考慮すると、イオン照射装置のイオン源として使用するにはあまりにも危険である。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
上述の如く、種々の問題があるBの代わりに、Bと同じp型ドーパントであるInを用いたイオン注入が注目されている。Inのイオンソースとしては、InCl3 (固体ソース)や、TMI/TEI(ガスソース)が知られている。
【0011】
しかしながら、InCl3 を用いた場合、Clによる装置の腐食が起こり、Inのイオン化を安定に行えないという問題がある。一方、TMI/TEIを用いた場合、これらの有機系ガスが酸素・水分と劇的に反応するため、イオンソースとして使用するには非常に危険であるという問題がある。
【0012】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、Inのイオン化を安定かつ安全に行えるイオン発生方法およびイオン照射方法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
[構成]
上記目的を達成するために、本発明に係るイオン発生方法は、InIからなるイオン源材料を加熱することによって、前記化合物の蒸気を生成する工程と、前記蒸気を放電させることによって、Inイオンを発生させる工程とを有し、前記InIの粒径が1mmから5mm、または、前記InIの粒径は、前記InIを放電させるためのアークチャンバに設けられたオープンノズルの径よりも大きい。
【0014】
InIを300℃以上(InIが蒸気になる温度以上)380℃以下の温度で加熱し、InIの蒸気を生成することが好ましい。
【0015】
また、本発明に係るイオン照射方法は、上記イオン発生方法により、Inイオンと、ヨウ素イオンとを発生させる工程と、前記Inイオンを選択的に試料に照射する工程とを有する。
【0016】
[作用]
本発明者の研究によれば、発生するべきイオンの元素を含むヨウ素化合物は、腐食性が無く、イオン化を安定に行えることが分かった。さらに、この種のヨウ素化合物は酸素や水分とはほとんど反応せず、安全であることが分かった。したがって、本発明のように、発生するべきイオンの元素を含むヨウ素化合物をイオン源材料として用いれば、上記元素のイオン化を安定かつ安全に行えるイオン発生方法およびイオン照射方法を実現できるようになる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態(以下、実施形態という)を説明する。
【0018】
まず、図1を参照してイオン照射装置の概要を説明する。なお、本発明は、後述するようにイオン発生装置となるイオン源チャンバ1に導入する物質(イオン原材料)にその大きな特徴があり、図1に示したその他の構成は従来のイオン照射装置の構成と同様である。
【0019】
図1に示したイオン照射装置では、まずイオン源チャンバ1でイオンが生成され(その詳細については後述する。)、このイオンが引き出し電極2によって引き出され、分離電磁石3によって質量分離される。
【0020】
続いて、スリット4で完全に分離された所望のイオンが、加速器5によって最終エネルギーまで加速または減速された後、イオンビームが四極レンズ6によって試料12(例えば半導体基板)の表面に集収束点を持つように収束される。
【0021】
続いて、走査電極7,8により試料面全体で注入量が一様に分布されるように走査される。そして、残留ガスとの衝突で生じる中性子粒子を除去するために偏向電極9によりイオンビームが曲げられ、マスク10を通して試料12の表面にイオンビームが照射される。なお、図中、11はアースを示している。
【0022】
図2は、図1のイオン照射装置のイオン源チャンバ1の断面構造を示す図である。図2にはバーナス型のイオン源チャンバ1が示されているが、フリーマン型であっても良い。同図(a)はイオン源チャンバの上面に平行な断面を、同図(b)はイオン源チャンバの横方向の側面に平行な断面を、それぞれ示したものである。
【0023】
本装置の基本的な構成は、従来のバーナス型のイオン源チャンバの構成と同様である。すなわち、タングステンを主成分として構成されたアークチャンバ21の一方の端面には絶緑支持部22およびタングステンを主成分に構成されたリフレクタ23(スペーサ)を介して、タングステンフィラメント24が設けられており、アークチャンバ21の他方の端面には絶縁支持部22を介してタングステンを主成分とした対向電極25が設けられている。
【0024】
そして、第1のガス導入口26からは例えばArガスが供給される。これと同時に、オーブン27内に粒径2mmから5mmのInl(ヨウ化インジウム)を充墳し、オーブン27によってInIを加熱して、Inlの蒸気を得る。オーブン27から導出される蒸気を、第2のガス導入口(オープンノズル)29からアークチャンバ21内に導入し、イオン化を行い、フロントプレートに設けたイオン引き出し口28からイオンが取り出される。
【0025】
このとき、オーブン27に充墳するInlの粒径は、アークチャンバ21につながる第2のガス導入口29(本実施形態では直径1mmを使用)よりも大きい方が良い。第2のガス導入口29よりもInlの粒径が小さいと、イオンソースを真空に引いたときに、Inlがオーブン27から、アークチャンバ21内に飛散するために、安定なイオン化が困難になってしまう。したがって、オーブン27に充墳するInlの粒径は、オーブンノズル29の直径よりも大きくすることが重要である。
【0026】
表1に、図2におけるオーブン27に充墳したInlの加熱温度(オーブン温度)とイオンビーム電流量(収量)との関係を示す。
【0027】
【表1】
【0028】
lnには、質量数113のものと、質量数115の同位体が存在する。表1には質量数113、質量数115の両方を載せている。この表におけるInIのイオン化は、アーク電圧90V、アーク電流2A、ソースマグネット40A、引き出し電圧−2.13kV、加遠電圧30keVと固定した場合のイオンビーム電流量を示している。この値は最大ビーム電流量ではない。また、図1における引き出し電極2での印加電圧を30keVとしてイオンビームを引き出している。
【0029】
ここで、オーブン27の初期温度は200℃としている。表1から、この温度においてIn(インジウム)およびI(ヨウ素)のイオンビームはほとんど得られておらず、InIの蒸気が生成されていないことが分かる。
【0030】
また、表1から、オーブン27での加熱温度が275℃以下ではほとんどイオンビーム電流量は得られず、300℃近辺からイオンビーム電流量が増大していることが分かる。
【0031】
また、表1から、380℃以上の温度では、イオンビーム電流量は得られるものの、イオンビームの安定性は極めて不安定であることが分かる。
【0032】
ここで、380℃以上のオーブン温度の場合について、オーブン27の冷却後にオーブン27中に残存しているInlの状態観察を行ったところ、2〜5mmの粒径であったInlが完全に溶解していることが確認された。
【0033】
これは、380℃以上に高温化することにより、オーブン27内のInlが煮沸し、安定な蒸気が得られなかったことを示している。すなわち、安定なInイオンビームを得るためには、粒状のままInlを維持する必要があり、好ましくは275℃以上、370℃以下の範囲でオーブン温度を制御し、InIの蒸気を得るのが最適である。
【0034】
また、表1から、オーブン温度が275℃〜380℃の範囲においては、オーブン温度の上昇とともに、イオンビーム電流値も増大しているが、350℃から380℃の範囲内ではあまり変化が見られないことから、この350℃から380℃の範囲が最も安定したInIのイオン化が行える温度範囲であることが分かる。
【0035】
そこで、オーブン温度を350℃に固定して、最大ビーム電流量を調べてみたところ、約12mAのイオンビーム電流量が得られた。この350℃のオーブン温度で、10時間イオン化を行い、イオンビームの変動量を調べてみた。ここでは、最大ビーム電流の80%として約10mAのイオンビーム電流量で、そのイオンビーム電流量の安定性を調べた。その結果、イオンビーム変動量は±5%以内と、極めて安定なInIのイオン化が行われていることが確認された。
【0036】
比較として、従来から一般的に使用されているInCI3 (塩化インジウム)を図2におけるオーブン27に充填し、350℃でイオン化を行った。このときに得られたビーム電流は約16mAと、Inl(ヨウ化インジウム)よりも高い電流量であった。
【0037】
しかしながら、最大ビーム電流量の80%として約12mAで10時間のイオン化を行ったところ、4時間を経過した時点でイオン化が不安定となり、約6時問でイオン化を行うことが不可能となってしまった。
【0038】
アークチャンバ21内を調べてみたところ、タングステンアークチャンバ21がエッチング反応により表面荒れを起こし、アークチャンバ21内に大量の反応生成物が確認された。また、タングステンフィラメントも消耗が激しく、本来絶縁される部位に反応生成物が付着し、ショートしていることが確認された。これは、InCl3 のイオン化に伴い発生する塩素イオンやラジカルタングステン等と上記部位とが劇的に反応してしまうために、長時問安定したイオン化が困難であることを示している。
【0039】
しかし、本実施形態のようにInlを使用することにより、イオン源チャンバ1を腐食することなく、安定なイオン化が可能となる。ヨウ素は、水や酸素に対して安定であり、塩化物のような腐食性も無く、さらにトリメチルインジウム(TMI)やトリエチルインジウム(TEI)とは異なり、爆発的に水や酸素と燃焼反応するなどの危険性は無く、安全性からもイオン源材料として適した材料であるといえる。
【0040】
また、オーブン27はFe(鉄)で形成されているため、InCl3 を用いると、オーブン27の内部が塩素蒸気で腐食され、In2+ と同じ質量数(112、113)のFe+ が発生する。In2+とFe+ は分離電磁石3で分離できないので、試料にはFe+も注入されることになる。その結果、ドーズ量が変化したり、リーク電流が増加するという問題が生じる。
【0041】
しかし、Inlを使用すれば、オーブン27をエッチングするようなイオンは発生しないので、ドーズ量の変化、リーク電流の増加という問題は起こらない。
【0042】
表2に、図2におけるオーブン27に充墳したInl3 の加熱温度(オーブン温度)とイオンビーム電流量(収量)との関係を示す。
【0043】
【表2】
【0044】
InI3 (三ヨウ化インジウム)はヨウ素の脱離が激しく、InIに比べて、lnのイオン化が困難である。InI3 の融点は、Inlよりも低く、約210℃であるが、200℃に加熱して蒸気を得ようとすると、ヨウ素とInIに分離して蒸気圧が得られる。
【0045】
このとき、ヨウ素が大量に発生するため、イオン源チャンバ1内の真空度が劣化し、イオン化が困難となるために、Inのイオンビーム電流量が著しく低下してしまう。
【0046】
したがって、InのイオンソースとしてInI3 を使用する場合には、一旦InI3 を加熱し、ヨウ素を脱離させた後に冷却し、オープン27中に残存したInI(ヨウ素の方が蒸気圧が高いため、Inlが残りやすい)を再加熱し、イオン化を行ことが好ましい。
【0047】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、ヨウ素化合物がInlの場合について説明したが、その他に、例えばB、Al、Ga、Tiの3族元素(n型ドーパント)のヨウ素化合物も使用することが可能である。具体的には、Gaの場合であれば、GaI3 (融点222℃)、GaIがあげられる。
【0048】
また、p型ドーパントのイオン注入の場合について説明したが、本発明はn型ドーパントのイオン注入にも適用できる。この場合には、例えば、N、P、As、Sb、Biの5族元素のヨウ素化合物を使用する。例えば砒素・燐のイオン注入の場合には、固体砒素・固体燐を使用すると良い。さらには上述した元素から選ばれた2つ以上の元素のヨウ素化合物でも良い。
【0049】
また、p型およびn型ドーパントのイオン注入は、イオン源材料が異なるだけで、これらのイオン注入は同じ装置で行える。しかも、その装置も従来と同じものを使用でき、専用の装置を製造せずに済むので、コストを招くという問題もない。
【0050】
また、上記実施形態ではイオン照射装置を用いた具体的な半導体プロセスは説明しなかったが、例えば256メガ以降のDRAMプロセス、すなわちメモリセルのMOSトランジスタのソース拡散層、ドレイン拡散層を形成するためのイオン注入工程があげられる。また、本発明はイオンビームミキシングにも適用可能である。
【0051】
また、上記実施形態では、アークチャンバ21はタングステンを主成分としたものであったが、他の金属を主成分としたものであっても良い。ただし、ヨウ素と反応する金属、例えばAlは使用しないことが好ましい。
【0052】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【0053】
【発明の効果】
以上詳説したように本発明によれば、発生するべきイオンの元素を含むヨウ素化合物をイオン源材料として用いることによって、上記元素のイオン化を安定かつ安全に行えるイオン発生方法およびイオン照射方法を実現できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係るイオン照射方法を実施するために使用するイオン照射装置を示す模式図
【図2】図1のイオン照射装置のイオン源チャンバの断面構造を示す図
【符号の説明】
1…イオン源チャンバ
2…引き出し電極
3…分離電磁石
4…スリット
5…加速器
6…四極レンズ
7,8…走査電極
9…偏向電極
10…マスク
11…アース
21…アークチャンバ
22…絶緑支持部
23…リフレクタ(スペーサ)
24…タングステンフィラメント
25…対向電極
26…ガス導入口
27…オーブン
28…ガス導入口
Claims (4)
- InIからなるイオン源材料を加熱することによって、前記化合物の蒸気を生成する工程と、
前記蒸気を放電させることによって、Inイオンを発生させる工程と
を有し、
前記InIの粒径が1mmから5mm、または、前記InIの粒径は、前記InIを放電させるためのアークチャンバに設けられたオープンノズルの径よりも大きいことを特徴とするイオン発生方法。 - 前記InIを300℃以上380℃以下の温度で加熱し、前記InIの蒸気を生成することを特徴とする請求項1に記載のイオン発生方法。
- 前記InIを350℃以上380℃以下の温度で加熱し、前記InIの蒸気を生成することを特徴とする請求項1に記載のイオン発生方法。
- 請求項1ないし3のいずれか1項に記載のイオン発生方法により、Inイオンと、ヨウ素イオンとを発生させる工程と、
前記Inイオンを選択的に試料に照射する工程と
を有することを特徴とするイオン照射方法。
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