TW201005807A - Ion implantation with heavy halogenide compounds - Google Patents

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heavy
gas
ion
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Ludovic Godet
George D Papasouliotis
Edwin Arevalo
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Varian Semiconductor Equipment
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Description

201005807 320I^pit 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種半導體技術’且特別是有關於一 種利用重ii化物的離子植入。 【先前技術】 離子植入技術已於半導體工業舆其他工業中使用了象 十年之久，用以改變基底材料的組成。特別是，束線與等 束離子植人系統已廣泛地使祕現今的半導體王業中。、束 ί=ίΐ子植人系統以電場加速離子且接著根據適當的 。接著將所選定的離子植人基底，以使基 制的#質材料。這些系統具有優越的製程控 提^及錢料_絲的全表面上 紅仏具有向度均一性的摻雜。 有時it 來對基底進行摻雜。電聚摻雜 元件的摻雜先發展成符合先進電子元件或光學 與集束離子植^系統雜系統基本上不同於常規的束線 質離子的電將中”、氣装穆雜糸統使基底浸沒在包含摻 底。基底上：負偏一系列的負電壓脈衝來偏置基 離子的鞘岸曰#曼子驅離基底的表面，以產生正 =子植μ底的%場會將離子加速至絲，從而 【發明内容】 提供 種電漿摻雜 方法，其包括：提供摻質重鹵化 4 201005807 320l^pit 物氣體至電漿室；於所述電漿室中，使用所述摻質重鹵化 物氣體形成電漿，所述電漿產生適當的摻質離子與前驅摻 質分子的重碎片；以及對所述電漿室中的基底施加偏壓， 使得所述適當的摻質離子會以適當的離子能量撞擊所述基 底，從而將所述適當的摻質離子與所述前驅摻質分子的重 碎片植入所述基底。至少選擇所述離子能量與所述摻質重 齒化物組成中的一者，使得所述基底中的植入輪廓(imphnt f、 Profile)實質上由所述適當的摻質離子決定。 再者，提供一種電漿摻雜方法，其包括：在基底上形 成表層，提供#質重鹵化物氣體至電漿室；於所述電漿室 中，使用所述掺質重鹵化物氣體形成電漿，所述電漿產生 適當的摻質離子與前驅掺質分子的重碎片；以及對所述電 漿室中的基底施加偏壓，使得所述適當的摻質離子會以適 當的離子能量撞擊所述基底，從而將所述適當的摻質離子 植入所述基底且具有適當的投影範圍。至少選擇所述離子 能量與所述摻質重鹵化物組成中的一者，使得所植入的所 〃 述前驅摻質分子的重碎片的投影範圍形成於所述基底表面 上的所述表層内。 此外，提供一種離子植入方法，其包括：產生摻質離 子與摻質重幽化物離子；加速所述摻質離子與摻質重鹵化 物離子；以及將所述加速的摻質離子與摻質重_化物離子 定向至基底，從而以適當的能量將所述加速的摻質離子與 备貝重鹵化物離子植入所述基底。至少選擇所述離子能量 與所述掺質重鹵化物組成中的-者’使得所述基底中的植 201005807 32015ριί 入輪上由所述適當的摻質離子決定。 舉實施例本 優，能更明顯易懂，下文特 【實施方幻 爆切_朗如下。 在說明書中，炎日77「—趣 關的特定特徵“士構二;'^例」表示與此實施例所相 才试，、W冓或特色包含在本發明 每 卜而說明書令多次出現 / —仏例 指同一個實施例。見U在—貧施例中」並非皆 應了解的是’在能夠執行本發明 方，中,各個步驟可以任何：欠序及/或同時明的 了解的是’在能夠執行本發'，應 方法可以包括數個或所有所。本發明之設備與 例：實施例與其附圖進一步詳述本教示 僅疋―、各種貫施例與實例來敘述未^ 限定於這些實施例。相反地，本教示涵蓋各本;： ，具有通常知識者將能輕易理解其他執知屬 __域’而這些都涵蓋在此處^ =的，路木的乾圍中。舉例來說，即使本發明之一此叙 =例疋以結合電㈣參雜來敘述，但熟習此技蓺者將了= 植I之方法可以用於各種離子植入，諸如-般的束線離子 現今的立體元件結構的發展著重於增加超大型積 路的可使用表面，叹元件的規模延伸至切65臟的^ 201005807 SAVi^pil 寸。舉例來說，用於DRAM中的立體溝渠電容哭 =道電晶體的多種元件(諸如鰭式電晶邮(包括 又閘極）以及凹槽通道陣列電晶體（reCessed channel rrrrist⑽(RCAT))都根據先進系統而發展。許多這些 都需要對基底的離子植入輪庵進行相當準確地控 制。此外，許多其他形式的現有電子 =_制被躺於g射目當準確㈣的離子植入 Γ娜摻料，萃取電料的離子化物種 ==電壓脈衝將其植入基底。基底的摻質輪靡控 特定離子=::重？目對含量以及進入基底表面之間的 許夕早-料植人輪廓的結合，其中每—I— 呈 分布其所結合的離子植简反：每 子輪廓在進入基底表面前的離子相對量。 離子植人摻質輪廓也與轉_製輯 蝕刻的控制有關。舉例來說，在 錢與化學性_备狀期間’物理性藏 iuHntp t., 基底表面造成—些非刻意的蝕刻 (_tent_al etehing)。也會產生—些非刻 者，許多因素也會造成顯著_子植人能量i布^種離 於寄生電容所形成的位移雷流以及施 加非理想的偏壓脈衝。 一 201005807 32015pif 此外，在摻雜期間，電漿摻雜反應器通常包括具有不 適當的離子物種的反應器，因此會共同植入某些不適當的 離子物種與適當的摻質離子。在電漿摻雜期間，反應器中 的不適當的離子物種來自於摻質氣體給料的碎片的離子 化。摻質氣體給料的離子化碎片的存在會造成摻質氣體給 料的離子化碎片與適當的摻質離子一起對基底進行共同植 入。 二氟化_(BF3)為一種常用於p型換雜的捧質氣體給 料。當三氟化硼的摻質氣體給料離子化成BxFy時，三氟化 硼的摻質氣體給料會發生裂解，其中乂與^^皆大於丨。三 氟化硼的摻質氣體分子通常會離子化為原子離子B+以及 刀子石午片離子BF+、BF/與BF/。分子碎片離子BF+、Bf2+ 與BF/為相對重的離子物種，因而其植入於基底表面附 近。在電漿摻雜反應器中產生的電製通常包括砸離子與所 有分子碎片離子。 〃 當三氟化硼進行離子化時，BF2+離子通常是主要的分 子。隨著㈣條件的不同，由三統硼的摻質氣 適:地的特定分子碎片離子的比例也會改變。藉由 之二二η r漿條件，BF2+離子與到達基底的總離子流量 有二些升至約9G%。然而，電漿室中通常還會 制電漿植人_面=離子之咖比例會控 例很重要。 /又口此B離子與BF2離子之間的比 由於BF2+離子碎片會到達基底，因此為了在多種電裝 201005807
jZUlDpiT 摻雜製程中維持所需的接面深度，必須限制 ^ 量。諸如參照，L.-Godet博士於勘6年發表於南 = 論文。因此，極度希望能將BF2+離子在電从子勺 加至高於9G%以上，且在電㈣雜設備；^的比例增 度。相似地，在其他電漿摻雜製程中，也極== 當的植入離子的比例增加。 ·^爿b將適 在電漿雜顧，電漿室巾的轉氣 子)以及稀體好的碎片（諸如存在於原 的氫氣分子的氫碎片）的離子化會產生另1 = ：：料中 子物種。離子化的稀釋氣體原子愈 、虽的離 r會造成不適當的物種與適當的。離==基氦 離子化的稀釋氣體原子與稀釋氣體 較輕的離子物種，因此他_向植…的^為相對 基底。舉例來說，混有H志 、〜離！电漿摻雜的 為-種常用於P型電^二f釋氣體❺B2H6混合物
He稀釋弟^ D #雜的擦f氣體。使用呈有Η七
He稀釋乳體的触混合物來進行 '、有氏或 子化的氫碎片或離子化的氦原子，而^、十時，會形成離 觸共同植入至石夕基底深處。這此離子化;J兩者會與大量的 的亥飞原子的投影範圍可以高 ^片或離子化 圍的十倍。 门運適摻質離子的投影範 相似地’三氟化塌為一 a 用三氟化哪進行電轉雜===摻質氣體。使 進行共同植人。已發現在BF2m離子，且其與領 2果線離子植入多晶矽的期. 201005807 32ϋ1ί)ριί 間’ F的共同植入會產生F氣泡。此外，已發現在邮束 線離子植人多㈣的斯間，F的共同植人會降低刪擴散 與活化。 圖1A說明以相當於4.5 keV的離子植入能量將娜子 植入多晶矽以及以相當於2〇 keV的離子植入能量將 離子植入多晶矽後，對其進行退火之前與之後的硼的二次 離子質 |晋儀(secondary i〇n mass spectrometer，SIMS)分析圖 譜100。SIMS分析圖譜100顯示所偵測到的二次離子的強 度與彳父準的棚〉辰度（以原子/每立方厘米為單位）以及植入基 底表面的深度（以埃為單位)之間為函數關係。 在植入後(as-implanted)，SIMS分析圖譜1〇〇顯示 4.5 keV與BF2 20 keV的植入為相似的逆向分布 (retrogradeprofile)。在退火後，SIMS分析圖譜1〇〇顯示較 低濃度的爛接近介面處，因此，在進行BF2+ 20keV植入 時’所減少的碼擴散並活化至介面附近。 圖1B說明使BFS+離子以20keV的離子植入能量植入 多晶矽後，對其進行退火之前與之後的硼與氟的二次離子 質譜儀(SIMS)分析圖譜150〇SIMS分析圖譜150顯示所镇 測到的二次離子的強度與校準的硼與氟濃度（以原子/每立 方厘米為單位）以及植入基底表面的深度（以埃為單位）之 間為函數關係。SIMS分析圖譜150顯示進行BF2+ 20 keV 植入的情況下，在退火後，有顯著量的氟留存在閘氧化層 中。在BF2 20 keV植入的情況下’退火後运留存在間氧 化層中的氟可能顯著地縮短所產生的元件的壽命及/或降 10 201005807
J^Ui^piT 低元件效能。 因此，在使用一般摻質氣體給料(諸如= 的先進電漿摻雜反應財，由於難以二硼與 漿鞘内所產生的碰撞，故無法在錢室中產 種類的離子。此外，藉由離子化 只貝上早一 ί 碎片所產生的離子物種會導致不適#的:==子 植入物種進行共同植入。共同植入可能4= ίί的 電漿摻雜的基底主體之間的結;限 入以成基財存在不適#的料，諸如 ^植 其在基底巾可能會形錢 離子， :後源。再者 中’所產生的氣泡泡::洞。在基底 ==摻雜製程與半導體製程化 可能限制許多電麟雜製程的製程限度。 監測==統通常沒有質量分析能力，因此難以 適當二的離子物種的產生’所述不 二系統中，難以避免 子植入系統通常包括光反地，由於傳統的束線離 合對其括先°曰刀析儀，因此其通常較易監測出 共同植^的不適當的離子物種。因此，傳統 種。 入糸統較能避免共同植入基底的不適當的物 11 201005807 32015pif ϋ = Γ祕是有關於—财法與設備，其用以降 ='的離子物種的產生以及不適當的物種對基底進行 ;=基=植=月之方法增加或最大化未取代摻 r:r二===== = 多晶發喝子植入製程、多^ laytit /域面離子植人製程、應變層⑽ned 入制r M及料許諸料變化❹種離子植 何^_Γ狀方法不崎_雜，其也可以用於任 以最明之實施例’方法使用特定的摻質氣體， ==適當的物種共同植入基底的狀況。此外，在 輪;二口些=用來_控制電咖 平衡在《摻雜期卜二些氣體可以用來 或Ρ型2 4寸弋貫施例中，將重鹵化物結合至1^ 及準瑞體給料最大化適#的摻質離子的產生，以 電轉__聽與摻雜廓，以及平衡 雜期間所發生的侧與沈積。在—實施例中，以 給料。與"臭化物的N型或p型摻f氣體給料作為摻質氣體 伽所1例來說，在—實施例中，Βί3用作電漿摻雜中的P 貝氣體給料’以嚴密地控所產生的掺質輪廓。在其 12 201005807 j^-υι Jpu 他貫施例t ’以四视職料 又一貫施例中，四峨化錯氣體給料用^非曰曰化處理劑。在 圖2為可用作電轉雜半^來產生張力。 的特性的表200。其顯示％、、j^的峨化物與漠化物氣體 咖、以及AsBr3氣體的特性。、Asl3、（Asl2)2、 的原子，其能與常使用的摻 ^^與漠原子為相對重 物。由於物與溴化物的蒸氣^化合 易地被送至電漿室，故貌物 :因而，、可以輕 雜系統中。舉例來說，Bl3的蒸制剌於電漿摻 托(㈣。m3的相對高蒸氣壓使㈣1〇〇 ^至，室’故簡化了電漿摻雜 ；‘ 系統。由於硼的固體源必須被加 供b離子至基底，因此其相較於將 ^ c以上才月匕提 統的，衫較為_且需較高的成本;$至錢_系 衡上述的不適當二。不適二有關於平 施例中，至少選舰、積。在本發明之此實 底的離子^中的_化物種_及撞擊基 償由離子的物理濺鑛軸刻所造 上述1、Ϊ漿巾的軒所發生的沈駐少部分補償 歲電ίί二說，在本發明之—實施例中’選擇用以 破化物二二二Τ壓)結合的特定種類的 代生的沈積可以至少補償由料的_濺朗化學 13 201005807 J^unpil 所造成钱刻。 圖3為換質-南素鍵盘扶暂养 300 〇 . .enthalpy) 化。衣300中的鍵能為特定鍵結的鍵解=的要 kJ/mol為單位）。 \醉離爿b的十均值（以 表300顯示摻質_破鍵的鍵能顯 能。由於埃具有相對;二性，其； 鍵圓較小。因而摻質糊 體，相對小_質._的鍵錢質氣 質氣體確實會在電浆中發生解離。驅體的摻 入前驅體轉錢體時，高濃度的未^使用具有峨植 及Ge:離子將會在基底中植入較深的深度。、P、As以 當使用BIX摻質氣體時，電裝室中: 取代物種。然而’因為這些齡代 適當_ 因此這些埃取代物種將會以相對小的才^相對重的質量， 在本發明之—實施例中，可以調整離把圍植入基底。 取代物種僅植入諸如氧化層的表層，如能量，以使碘 氧化脫膜(oxide strip)步驟等後續^程步驟ϋ討在諸如 圖4為激化離子對石夕的投影範圍的 是由三碘化硼的Ρ型摻質氣體給料所產生0，其中離子 影範圍以埃為單位表示。三姨化烟ρ型择子的投 在電漿室中離子化成BI+、BI2+以及扭，+離^貝乳體給料會 在0.5 keV s 10 keV的離子量子。所顯示的為 月匕里卜，B ,離子以及 14 201005807 JZUlDpil TRIM來執行，⑥獅子的數據。所述激化是使用 表：=== 所皆知的激化程式。 的投影範圍遠小於爾===化„入石夕表面 的離子植人能量下，舉例來說，在5城 而m+m+下硼離子所杈入的投影範圍為212埃， 29埃：;=3:蛾化_子所植入的投影範圍蝴 *。因此，相較於硼離子的投影範圍， ⑽。U為牙透最_视爾子）的投影翻較其少 未有 T”生的稀釋的碎片離二 助於非常；：二：,ΒΙ ’2+以及ΒΙ3+碘化硼離子僅有 助^非吊罪近基底表面的摻質輪摩。在本發明之一此 例中，可以在進行電漿_前 =知 子。且=== 藉由術的植入能量來完 圖5為根據本發_t漿摻料、統5⑽，与 水按雜。電漿摻雜系統刚包括電漿源500。於·兒 =0呈日中請、標題為「具有導電頂部的射頻電漿源」且盘 中二盡t Γ申請公司的美國專利申請連續號10/905，172 職，并==利申請連續號 7王文併入本文以供錢。由於電漿摻雜系统 15 201005807 32υηρπ 500中的電漿源501可提供高度均勻的離子流且 以藉由次級電子發射所產生的熱而有效消散 進行電漿掺雜。 口句八週於 電聚摻雜系統500包括電装室5〇2，其 源504所供應的师氣體給料，其中外氣體源5。41= 例閥㈣P〇rti〇naWalve)506與電漿室5〇2連接將: 的排氣部分训與真空幫浦沿連接，其中直空= 可淨空電漿室5〇2。排氣闊別透過排氣部分J控制排 氣通道。t體㈣控制器516電性連接至比例閥5〇6、塵 力计週Μ及排乳閥514。藉由控制反饋迴路中的排氣通 道與製程氣體流速，氣體壓力控制器516使電 〇2 持適當的壓力，其中壓力計反映出魏通道與製程氣 體流速的狀態。可以使用排氣閥514來控制排氣通道。可 以使用比例閥506來控制製程氣體流速。 電漿室502具有包括第一部份52〇的室頂训， 第-部份，由介電材料所形成且其大致沿水平方岐 伸。室頂518的第二部份522由介電材料所形成且其大致 沿垂直方向由第-部分52〇延伸至一高度。此處所指的第 -與第二部份520、522也可以是介電窗。室頂518的罢 524由導電材料形成且其沿水平方向延伸於第二部份^ 的寬度。在一些操作模式中，圖5所示的蓋524可為射頻 接地(RF grounded)或直流電接地(DC gr〇unded)。 一將射頻天線配置成接近室頂518的第一部分52〇與第 一 °卩伤522中之一者。圖5所示的電漿源501繪示彼此電 16 201005807 性丨南離的兩個單獨射頻天線。然而， 個單獨的射頻天線也可以電性連接 一 Λ ^ ^ *，多圈的平面線_二:(4==: 平天線)被配置成鄰近室頂518的第吊/冉為+面天線或水 的弟〜部分520。此外，多 Ξ Μ 528 (it^為螺旋天線或垂直天 線繞至頂518的第二部份522。 頻天㈣頻源530電性連接至平面線圈射 =6與螺旋線圈射頻天線52s中的至少一 一 t，身t頻源、530經由㈣匹配網絡(咖_腦 伽付合賴源530 _出祕__ 〕的阻杬，以最大化由射 526、528的功率。從阻抗匹配網絡S32 ^至f頻天線 ，㈣與螺旋線圈射頻天線』 表示阻抗匹配網絡532的出口可 1 泉疋用來 頻天^26、職線__ 52δ或上述 平台544配置在反應室中，i 室頂518。平台544用以古& $ 阿度低於電漿源5〇i的 底54W 544 C聚摻雜的基底池。基 ⑷電性:接二tt=_供應器548與平台 48 %加偏壓至平台544與基底546，以由:f =為 離子且使复揞墼其矻仏广 由電水中卒取摻質 _電源供應器548可以| * 後电源供應器、脈衝電源供應器或射頻 ;^疋直 電源供應請施加偏駐基底546以進行電= 參雜偏麗 17 201005807 32U〇pir 圖6表不電漿摻質輪廓600，其中使用〇·5 KeV的離 子植入能量來激化BI3摻質氣體給料以對矽基底進行植 入’且贿度射基底的深度之間具有函數_ 1浆推 質輪廓600顯示使用本發明之方法可以相當準確地進行超 紐接面(ultra-short jimcti0n)植入。請同時參照圖6的輪廓 600與圖4的表400 ’使用〇.5 KeV的能量、以摻質氣體仏 =BIs對料行瓣子植入，會使所植入的娜子的投景^ 華色tej為34·埃。 里…=地’所植人的ΒΓ、Βί2+以及B“化讎子的投 =^刀別為7埃、5埃以及4埃’其為超淺植入。石夕基 ^的^上通常具有厚度大於7埃的二氧化石夕層或其他表 屬。因此，使用別為p型摻質氣體 超短，實質上為僅由爾二=中所植入的 以廡技藝者將了解根據本發明的電聚摻雜方法也可 Μ '般束線離子植入。舉例來說，在一般走魂齄+ 植入中使用犯3摻質氣 f 1束_子 可以导幻L心貝感、.，口料就可以達到超短贿面。且 般離子源，以主要產生矿或
以由離子源萃取離子束並將導 '^ J ，〜為”摻質可==面== =飄移模式(driftmGde)中也能維持 :=:=狀態下，使用一般束線離子植=統= 提的每隹子植入輸出效率。 等同性 即使本教示是結合各種實施例與實例來描述，但並非 18
201005807 JZl/Ι^ρπ 以這些實關限财赫。相反地，在不麟本發明之精 砷與，_前提下’所屬領域具有通常知識者能理解本教 示减蓋各種變化、修飾以及相同置換。 【圖式簡單說明】 圖认說明以相當於4.5 keV的離子植入能量將_ 子後，對其進行退火之前與之後_的二次離 子貝缙儀(SIMS)分析圖譜。 曰曰石=使聊子以2GkeV的離子植人能量植入多 ^齡析關之駿之後㈣錢的二次離子質 的待,=可用作電麟導體的硬化物與漠化物氣體 圖3為摻質_鹵素鍵與摻質_氫鍵的鍵能的表。 —圖4為激化離子對石夕的投影範圍的^㈠離 二碘化硼的P型摻質氣體給料所產生。八于疋由 雜。圖5為根據本發明的電漿摻雜系統，其可執行電_ 圖6表示電漿摻質輪廓，其中 入能量來激化Bl3摻質氣體給料以· KeV的離子植 蝴濃度射基底的深度之間具有函數關^底進仃植入，且 【主要元件符號說明】 ^'。 100 ' 150 :圖譜 200 、 300 、 400 :表 500 :電漿摻雜系統 19 201005807 izunpit 501 電漿源 502 電漿室 504 外氣體源 506 比例閥 508 壓力計 510 排氣部分 512 真空幫浦 514 排氣閥 516 氣體壓力控制器 518 室頂 520 第一部份 522 第二部份 524 蓋 521 、526 :射頻天線 529 530 射頻源 532 阻抗匹配網絡 544 平台 546 基底 548 偏壓電源供應器 600 :電漿摻質輪廓 20

Claims (1)

  1. 201005807 JZULJpil 七、申請專利範圍： 1. 一種電漿摻雜方法，包括： a. 提供摻質重鹵化物氣體至電漿室； b. 於所述電漿室中使用所述摻質重鹵化物氣體形 成電漿，所述電漿產生適當的摻質離子與前驅摻 質分子的重碎片；以及 c. 對所述電漿室中的基底施加偏壓，使得所述適當 、 的摻質離子會以適當的離子能量撞擊所述基 ξ ; ' 底，從而將所述適當的摻質離子與所述前驅摻質 分子的重碎片植入所述基底，其中至少選擇所述 離子能量與摻質重鹵化物組成中的一者，使得所 述基底中的植入輪廓實質上由所述適當的摻質 離子決定。 2. 如申請專利範圍第1項所述之電漿摻雜方法，其中所 述摻質重鹵化物氣體包括摻質碘化物氣體。 3. 如申請專利範圍第1項所述之電漿摻雜方法，其中所 i.j 述摻質重鹵化物氣體包括三碘化硼的P型摻質氣體給料。 4. 如申請專利範圍第1項所述之電漿摻雜方法，其中所 述摻質重鹵化物氣體選自由三碘化磷與三碘化砷的N型摻 質氣體給料所構成之族群。 5. 如申請專利範圍第1項所述之電漿摻雜方法，其中所 述摻質重#化物氣體包括摻質溴化物氣體。 6. 如申請專利範圍第1項所述之電漿摻雜方法，其中至 少選擇所述離子能量與所述摻質重i化物組成中的一者， 21 201005807 -ί^οΐ^ρΐχ 、、、免斤植入的所述剞驅按質分子的重碎片的投影範圍超 過所述適當的摻質離子的投影範圍的2 0 %。 f、pe如申叫專利範圍第1項所述之電漿摻雜方法，其中至 擇所述離子能量與所述摻質重鹵化物組成中的-者， ===分子的重碎細影範圍小於所繼 少選^申^專纖圍第1項所狀1 W雜方法，其中至 以子能量與所述摻質重產化物組成中的-者， 蝕刻雜期間由物理性濺鍍和化學性刻所造成的 償二^ Μ電漿摻雜期間所發生的沈積來至少部分補 少選=2專纖圍幻項所述之電漿摻雜方法，其中至 以得到所述適當的摻質離子與者， 重碎片之*預定比例。射則轉質分子的 括上曰=·如申請專利範圍第1項所述之電漿摻雜方法承 括攸供四軌㈣體至所述電方去，更包 氣體在所述電漿室中所=四碘化錯 ，所述基底進行非晶化 所述1 電漿更產體弟二所述之電漿摻雜方法’其中 選擇所11項所述之電漿摻雜方法1 貝重鹵化物組成以減少植人所述基底的所^中 22 201005807 釋氣體離子的量。 一種電漿摻雜方法，包括： a. 在基底上形成表層； b. 提供摻質重_化物氣體至電漿室； c·於所述電漿室t使用所述捧 .1 貝重鹵化物氣體形 ^水，所述電漿產生適#的摻f離子舆前驅換 貝分子的重碎片；以及 d·=述電衆室中的所述基底施加偏壓，使得所述 =的摻質離子會以適當的離子能量撞擊所述 土底，從而將所述適當的摻質離子植入所述基底 且/、有適當的投衫範圍，其中至少選擇所述離子 能量與摻質重鹵化物組成中的—者，使得所植入 的所述前驅#質分子的重碎心投影範圍形 於所述基底的表面上的所述表層内。 ί: 如申請專利範圍第13項所述之電漿摻雜 所述表層包括氣化層。 去，其中 15. 如申請專利範圍第13項所述之電漿摻雜方 所述摻質重自化物氣體包括摻質碘化物氣體。去，其中 16. 如申請專利範圍第13項所述之電漿摻雜方 所述摻質重_化物氣體包括摻質溴化物氣體。、，其中 17. 如申請專利範圍第13項所述之電漿摻雜方 所述别驅摻質分子的重碎片的投影範圍小於戶斤 其中 度。 4長層的厚 18. 如申請專利範圍第13項所述之電漿摻雜方法，其 201005807
    ^所述摻質重南化物組成中的〆 由物理濺鍍和化學蝕刻所造成的 期間所發生的沈積來至少部分補 :漿摻雜方法，其中 _化物組成中的〆 一所述前驅摻質分 19.如申請專利範_13項所述之電* 至少選擇所述料能量朗述摻質重齒 者’以得到所述適當的摻質離子與至少一 子的重碎片之間的預定比例。 20. =申明專利範圍第13項所述之電繁推雜方法，立中 所述電漿更產生稀釋氣體離子。 / 21. 如申請專利範圍第2〇項所述之電浆推雜方法，其中 選擇所述掺質重鹵化她成以減少植人所述基底的所述稀 釋氣體離子的量。 22. —種離子植入方法，包括： e. 產生摻質離子與摻質重画化物離子； f. 加速所述掺質離子與所述摻質重^化物離子；以 g.將所述加迷的所述摻質離子與所述摻質重鹵化 物離子定向至基底，從而以適當的能量將所述加 速的所述摻質離子與所述摻質重齒化物離子植 入所述基底，其中至少選擇離子能量與摻質重鹵 化物組成中的一者，使得所述基底中的植入輪廓 實質上由適當的摻質離子決定。 23.如申請專利範圍第22項所述之離子植入方法，其中 24 201005807 所述摻質重鹵化物氣體包括摻質碘化物氣體。 24.如申請專利範圍第22項所述之離子植入方法，其中 所述#質重_化物氣體包括摻質溴化物氣體。 =·如申請專利範圍第22項所述之離子植入方法，其中 砥，所述離子能量與所述摻質重鹵化物組成中的一 ▲ ^得到所述適當的摻質離子與至少—前驅摻質分子 重碎片之間的預定比例。 、 枯、阳&如申明專利範圍第22項所述之離子植入方法，更包 僧所料#的掺f離子與所祕f㈣化物離子以及 加迷所敎的所述摻質離子與所述摻質重_化物離子。 25
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