JP6230018B2 - イオン注入装置及びイオン注入方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体デバイスの製造に用いられるイオン注入装置に関する。

イオン源からのイオンを所望のエネルギに加速し半導体基板等の固体表面に注入する、種々のタイプのイオン注入装置が知られている。例えば下記特許文献１には、イオンを生成するイオン源から所望のイオン種を引き出し、所望のエネルギに加速又は減速し、走査器により基板の注入面にイオンビームを少なくとも一次元の面内で走査し、平行化装置により平行化して注入するイオン注入装置が開示されている。

一方、近年においては、半導体基板としてＳｉ基板だけでなく、ＳｉＣ基板も用いられ始めている。ＳｉＣは、Ｓｉと比較して、電力損失が低く、耐圧、熱伝導特性も高いことから、主に、次世代パワーデバイス向けとして期待されている。例えば下記特許文献２には、ＳｉＣ基板を用いたパワーＭＯＳトランジスタの製造方法が開示されている。

特開２００６−３５１３１２号公報 特開２０１１−１３８９５２号公報

ＳｉＣ基板を用いたパワーデバイスの生産においては、イオン注入工程で生じるダメージ（結晶欠陥）を回避するために基板を２５０℃以上の高温に加熱して注入する必要がある。したがって注入前の基板の昇温（予熱）に時間を要するため、処理の待ち時間が長くなり、スループットの悪化を招いていた。また、異なる温度でイオン注入を行う場合、基板を保持するプラテンの温度を変更する待機時間がスループットの悪化を招いていた。

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、装置稼働率の向上を実現することができるイオン注入装置を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るイオン注入装置は、ビーム照射源と、複数のプラテンと、支持部材と、回転機構部とを具備する。
前記ビーム照射源は、イオンビームを出射可能に構成される。
前記複数のプラテンは、基板を保持可能に構成された保持面をそれぞれ有する。
前記支持部材は、前記保持面各々の法線が第１の平面と平行となるように前記複数のプラテンを支持する。
前記回転機構部は、前記支持部材に接続され前記第１の平面と垂直な第１の軸方向に延びる回転軸を有し、前記複数のプラテンの何れか１つを前記イオンビームの照射位置へ配置可能に構成される。

本発明の第１の実施形態に係るイオン注入装置を示す概略構成図である。 上記イオン注入装置におけるプラテンユニットの構成を概略的に示す部分破断斜視図である。 上記プラテンユニットの要部の側面図である。 本発明の第２の実施形態に係るイオン注入装置におけるプラテンユニットの要部の側面図である。

本発明の一実施形態に係るイオン注入装置は、ビーム照射源と、複数のプラテンと、支持部材と、回転機構部とを具備する。
上記ビーム照射源は、イオンビームを出射可能に構成される。
上記複数のプラテンは、基板を保持可能に構成された保持面をそれぞれ有する。
上記支持部材は、上記保持面各々の法線が第１の平面と平行となるように上記複数のプラテンを支持する。
上記回転機構部は、上記支持部材に接続され前記第１の平面と垂直な第１の軸方向に延びる回転軸を有し、上記複数のプラテンの何れか１つを上記イオンビームの照射位置へ配置可能に構成される。

上記イオン注入装置は、複数のプラテンを有しており、回転機構部によって任意のプラテンをイオンビームの照射位置へ配置可能に構成されている。これにより、一度に複数の基板を保持することができるため、例えば、一のプラテンに保持された基板にイオンを注入している間に、他のプラテンに保持された処理前の基板を昇温させることが可能となる。したがって上記イオン注入装置によれば、基板の前処理あるいは後処理に要する待ち時間を短縮できるため、高温下で実施されるイオン注入工程のスループットが高まり、装置稼働率の向上を実現することができる。

上記複数のプラテンは、上記回転軸に関して回転対称な位置に配置されてもよい。
これにより回転機構部による回転軸の回転操作のみで各プラテンをイオンビームの照射位置へ配置することができる。したがって例えば、ビーム照射源によってプラテン毎に照射位置を変更する必要がなくなり、一定の照射位置で各プラテン上の基板にイオンを注入することができる。

上記イオン注入装置は、上記第１の軸方向と直交する第２の軸方向に上記支持部材を往復移動させることが可能な直線移動機構部をさらに具備してもよい。
これにより基板に入射するイオンを上記第２の軸方向に沿って走査することができる。したがって例えば、ビーム照射源から出射されるイオンビームが上記第１の軸方向に走査される場合、あるいは上記第１の平面に直交する第２の平面に平行なリボン状のイオンビームである場合、基板の全面にイオンビームを照射することが可能となる。

上記複数のプラテン各々は、上記保持面の温度を調節可能な温度調節機構をさらに有してもよい。
温度調節機構は、保持面を加熱するヒータユニットであってもよいし、保持面を冷却する冷却ユニットであってもよい。また、各プラテンが同一の温度調節機構を有する場合に限られず、一方のプラテンがヒータユニットを、他方のプラテンが冷却ユニットをそれぞれ有してもよい。これにより例えば、一台の装置で、高温でイオン注入行うプロセスと、常温でイオン注入を行うプロセスとを実施することが可能となる。

プラテンの数は特に限定されず、典型的には、２〜４個のプラテンを含む。プラテンが２つの場合、各々のプラテンは回転軸のまわりに１８０°の間隔をあけて配置される。プラテンが３つの場合、各々のプラテンは回転軸のまわりに１２０°の間隔をあけて配置される。同様に、プラテンの数が４つの場合、各々のプラテンは回転軸のまわりに９０°の間隔をあけて配置される。

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。

＜第１の実施形態＞
図１は本発明の第１の実施形態に係るイオン注入装置を示す概略構成図である。以下、イオン注入装置１００の全体構成について説明する。

［イオン注入装置］
イオン注入装置１００は、イオン源１０と、質量分離器２０と、質量分離スリット３０と、加速管４０と、四重極レンズ５０と、走査器６０と、平行化装置７０と、エンドステーション８０とを有する。エンドステーション８０は、後述するように、イオン注入処理を受けるべき基板Ｓを保持するプラテンユニット２００を有する。

イオン源１０は、原子や分子から電子を剥ぎ取ってイオン１Ａを生成する装置である。質量分離器２０は、イオンや電子等の荷電粒子が磁場又は電場中で偏向される性質を利用して、磁場あるいは電場、又はその双方を発生して、基板Ｓ中に注入したいイオン種１Ｂを特定するための装置である。

加速管４０は、質量分離スリット３０を通過した所望のイオン種１Ｂを加速又は減速する装置である。加速管４０は、典型的には軸対称に構成され、等間隔に並べられた複数の電極対を有し、それら電極対に等しい高電圧を印加して、静電界の作用により、イオン１Ｂを所望の注入エネルギに加速又は減速する。四重極レンズ５０は、加速管４０を通過したイオンのビーム形状を調整するためのものである。

走査器６０は、四重極レンズ５０を通過したビーム状のイオン（以下、イオンビームともいう。）１Ｃの進行方向と直交する方向に一様な外部電界を発生し、この電界の極性や強度を変化させることによりイオン１Ｃの偏向角度を制御する。本実施形態では、走査器６０は、平行化装置７０の入力段に向けて所定方向にイオンビーム１Ｃを走査する。

平行化装置７０は、イオンビーム１Ｃを構成する各イオンの経路の違いによるビームの広がりを抑えつつ、一軸方向に走査された、基板Ｓの基板Ｓの表面に対して直角又はほぼ直角に入射するイオンビーム１Ｄを形成するための装置である。平行化装置７０は、荷電粒子であるイオン１Ｃが磁場中で偏向される性質を利用したものであり、典型的には電磁石を含む。平行化装置７０は、後述するようにイオンビーム１ＤをＸ軸方向（第１の軸方向）に走査するビーム走査部として機能する。

エンドステーション８０は、イオン源１０、質量分離器２０、質量分離スリット３０、加速管４０、四重極レンズ５０、走査器６０及び平行化装置７０を含むビーム照射源から出射されたイオンビーム１Ｄの照射を受ける基板Ｓを収容する。典型的には、基板Ｓの表面にはレジストマスク又は無機マスクが形成されており、当該マスクの開口部から露出する基板領域に所定のイオンが所定の深さで所定のドーズ量だけ注入される。基板Ｓとしては、例えば、Ｓｉ基板、ＳｉＣ基板、ガラス基板等が含まれる。

さらに図示せずとも、例えば平行化装置７０とエンドステーション８０との間に、イオンビームを遮断するシャッタ装置や、ビーム電流を計測するファラデーカップ等が設けられてもよい。

上記ビーム照射源を構成する各装置及びエンドステーション８０の内部は、図示せずとも、真空排気装置によって所定の真空雰囲気に維持される。エンドステーション８０は、基板Ｓを保持するプラテンユニット２００を有する。以下、プラテンユニット２００の詳細について説明する。

［プラテンユニット］
図２はプラテンユニット２００の構成を概略的に示す部分破断斜視図である。図３は、プラテンユニット２００の要部の側面図である。各図においてＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、相互に直交する３軸方向を示している。

プラテンユニット２００は、複数のプラテン２１，２２と、支持部材２４と、回転機構部２５とを有する。

本実施形態のプラテンユニット２００は、複数のプラテンとして、第１のプラテン２１と第２のプラテン２２とを有する。第１及び第２のプラテン２１，２２は同様に構成され、それぞれ１枚の基板Ｓを保持可能に構成された円形の保持面２１ａ，２２ａを有する。

保持面２１ａ，２２ａの大きさは、基板Ｓよりも大きく形成されているが、これに限られず、基板Ｓと同等以下の大きさで形成されてもよい。基板Ｓの保持機構は特に限定されず、本実施形態では静電チャック機構が採用されるが、これ以外にもメカニカルチャック機構が採用されてもよい。

第１及び第２のプラテン２１，２２は、保持面２１ａ，２２ａの温度を調節可能な温度調節機構２１ｂ，２２ｂをそれぞれ有する。温度調節機構２１ｂ，２２ｂは、保持面２１ａ，２１ｂを加熱するヒータユニットであってもよいし、保持面２１ａ，２２ａを冷却する冷却ユニットであってもよい。本実施形態では、温度調節機構２１ｂ，２２ｂはそれぞれ、ヒータユニットで構成される。

保持面２１ａ，２２ａの加熱温度は特に限定されず、基板の種類やイオン注入条件等に応じて適宜設定可能である。本実施形態では、基板ＳにＳｉＣ基板が用いられ、加熱温度は例えば２５０℃〜８００℃の範囲で調節される。

支持部材２４は、第１のプラテン２１と第２のプラテン２２との間に配置され、第１及び第２のプラテン２１，２２を一体的に支持する。第１及び第２のプラテン２１，２２は、各々保持面２１ａ，２２ａがＹＺ平面（第１の平面）と平行となるように支持部材２４に支持される。

支持部材２４には、回転機構部２５の回転軸２５ａが接続されており、支持部材２４は、回転軸２５ａのまわりに回転可能に構成される。第１及び第２のプラテン２１，２２は、回転軸２５ａに関して回転対称な位置に配置されている。

本実施形態では、第１及び第２のプラテン２１，２２は、回転軸２５ａのまわりに１８０°の間隔をあけて配置されている。各々の保持面２１ａ，２２ａは、相互に反対側に向けられており、保持面２１ａ，２２ａの各々の法線は、Ｙ軸方向に平行な同一の直線上に配置されている。

回転機構部２５は、支持部材２４に接続される回転軸２５ａを有する。回転軸２５ａは、Ｘ軸方向（第１の軸方向）に延び、支持部材２４を介して第１及び第２のプラテン２１，２２をＸ軸まわりに回転可能に支持する。回転機構部２５は、第１及び第２のプラテン２１，２２のうち何れか１つをイオンビーム１Ｄの照射位置へ配置可能に構成される。

ここで、図１に示すように、平行化装置７０からイオンビーム１ＤがＹ軸方向に直線的に出射されるとすると、イオンビーム１Ｄの照射位置は、イオンビーム１Ｄが保持面２１ａ又は保持面２２ａに対して所定の角度で入射する位置に設定される。本実施形態では、イオンビーム１Ｄの照射位置は、保持面２１ａ又は保持面２２ａに対してイオンビーム１Ｄが垂直に入射する位置に設定される。

回転機構部２５は、典型的には電磁モータで構成され、好ましくは、回転軸２５ａの回転角度を高精度に制御可能なパルスモータで構成される。回転機構部２５は、エンドステーション８０の内部に設置された基台２７に支持されており、イオン注入装置１００全体の機能を制御するコントローラ（図示略）によって駆動制御される。

プラテンユニット２００は、直線移動機構部２６をさらに有する。直線移動機構部２６は、Ｚ軸方向に支持部材２４、第１及び第２のプラテン２１，２２を往復移動させることが可能に構成される。

本実施形態において直線移動機構部２６は、基台２７の上に配置されており、回転機構部２５を支持する送りネジ２６ａを有する。回転機構部２５は、送りネジ２６ａが螺合するナット部２５ｂを有する。送りネジ２６ａはＺ軸方向に延びる軸状部材であり、Ｚ軸まわりに回転可能に構成される。これにより直線移動機構部２６は、送りネジ２６ａの回転方向および回転量を制御することで、回転機構部２５、支持部材２４、第１及び第２のプラテン２１，２２をＺ軸方向に往復移動させることが可能となる。

なお図示せずとも、基台２７は、送りネジ２６ａのまわりへの回転機構部２５の回転を規制する適宜の規制構造を有しており、これにより回転軸２５ａをＸ軸方向に平行な姿勢で各プラテン２１，２２をＺ軸方向に移動させることが可能とされる。

直線移動機構部２６は、典型的には電磁モータで構成され、好ましくは、送りネジ２６ａの回転角度を高精度に制御可能なパルスモータで構成される。直線移動機構部２６は、上記コントローラによって駆動制御される。

エンドステーション８０は、基板をロード／アンロードするための基板搬送口を有しており、図示しない基板搬送機構を介して未処理の基板がプラテンユニット２００へ搬送され、あるいは、処理済の基板がプラテンユニット２００から搬出される。

［イオン注入装置の動作］
次に、以上のように構成される本実施形態のイオン注入装置１００の典型的な動作について説明する。ここでは、基板ＳにＳｉＣ基板が用いられ、当該基板Ｓを高温中でイオン注入する処理を例に挙げて説明する。

プラテンユニット２００の第１及び第２のプラテン２１，２２には、基板Ｓがそれぞれ保持される。各々の基板Ｓは、保持面２１ａ，２２ａ上において温度調節機構２１ｂ，２２ｂによって所定温度に加熱される。そして、回転機構部２５及び直線移動機構部２６によって第１のプラテン２１が平行化装置７０のビーム出射口に対向するビーム照射位置へ配置される。

次に、ビーム照射源においてイオンビームが生成される。イオン源１０から引き出されたイオン１Ａは、質量分離器２０及び質量分離スリット３０で所望のイオン１Ｂに選別された後、加速管４０において注入深さ等に応じた所定のエネルギに加速又は減速される。このように所望のエネルギに調整されたイオンビーム１Ｃは、四重極レンズ５０及び走査器６０を介して平行化装置７０へ導入される。

平行化装置７０は、Ｙ軸方向に平行であり、かつＸ軸方向に走査されたイオンビーム１Ｄを形成し、これをエンドステーション８０内のプラテンユニット２００（第１のプラテン２１）に保持された基板Ｓの表面に向けて出射する。

イオンビーム１Ｄは、図２に示すように、第１のプラテン２１の保持面２１ａに保持された基板Ｓの表面に照射される。イオンビーム１Ｄは、光軸がＹ軸方向に平行であり、かつＸ軸方向に走査される。このため、イオンビーム１ＤはＸＹ平面（第２の平面）に平行なリボン状のイオンビームとして平行化装置７０から出射され、基板Ｓの表面に照射される。

第１のプラテン２１（及び第２のプラテン２２）は、直線移動機構部２６によってＺ軸方向に往復移動させられる。これにより、基板Ｓ上のイオン注入領域全域にイオンビーム１Ｄが照射される。移動速度、往復回数等は特に限定されず、基板Ｓの大きさやドーズ量等に応じて適宜設定される。本実施形態においてはイオンビーム１Ｄが基板に対して垂直に入射するように構成されているため、基板Ｓ上のイオン注入領域全域に均一なドーズ量でイオンを注入することができる。

基板Ｓに対する所定ドーズ量のイオン注入が完了すると、ビーム照射処理が中断し、回転機構部２５によって第１及び第２のプラテン２１，２２が回転軸２５ａのまわりに１８０°回転し、第２のプラテン２２に保持された基板Ｓがビーム照射位置へ配置される。そして、イオンビームの照射処理が再開され、保持面２２ａ上に保持された基板Ｓの全面に上述のようにして所定ドーズ量のイオン注入が実施される。

本実施形態においては、一度に複数の基板Ｓを保持することができるため、第１のプラテン２１上の基板Ｓにイオン注入処理を行っている間、第２のプラテン２２上の基板Ｓの加熱処理を行うことができる。これにより第１のプラテン２１上の基板Ｓのイオン注入が終了した後、速やかに、第２のプラテン２２上の基板Ｓに対するイオン注入処理を開始することができる。

また、第１のプラテン２１と第２のプラテン２２とが各々回転軸２５ａのまわりに回転可能に配置されているため、回転軸２５ａの回転操作のみで第１のプラテン２１上の基板Ｓから第２のプラテン２２上の基板Ｓへ速やかにイオン注入処理を移行することができる。

以上のように本実施形態によれば、基板Ｓの予熱処理に要する待ち時間を短縮できるため、高温下で実施されるイオン注入工程のスループットが高まり、装置稼働率の向上を実現することができる。また、第１及び第２のプラテン２１，２２上の基板Ｓに対して相互に異なる温度でのイオン注入が可能となるため、プラテンの温度変更に要する待機時間がなくなり、これによりスループットの向上を図ることができる。

さらに、第１のプラテン２１と第２のプラテン２２とが各々回転軸２５ａに関して回転対称な位置に配置されているため、回転機構部２５による回転軸２５ａの回転操作のみで各プラテン２１，２２をイオンビームの照射位置へ配置することができる。したがって例えば、ビーム照射源によってプラテン毎に照射位置を変更する必要がなくなり、一定の照射位置で各プラテン上の基板にイオンを注入することができる。このような構成は、イオンビームの照射領域重心を動かせないイオン注入装置において、特に有効である。

＜第２の実施形態＞
図４は、本発明の第２の実施形態に係るイオン注入装置におけるプラテンユニットの構成を示す要部の側面図である。以下、第１の実施形態と異なる構成について主に説明し、上述の実施形態と同様の構成については同様の符号を付しその説明を省略または簡略化する。

本実施形態のプラテンユニット３００は、プラテンの数が３つである点で、第１の実施形態と異なる。すなわち本実施形態においてプラテンユニット３００は、第１のプラテン３１と、第２のプラテン３２と、第３のプラテン３３とを有する。各プラテン３１〜３３は、支持部材３４を介して一体的に固定されている。

支持部材３４は、回転機構部の回転軸２５ａに接続されており、各プラテン３１〜３３は、回転軸２５ａのまわりに１２０°の間隔をあけて配置されている。各プラテン３１〜３３は、各々の保持面の法線が、ＹＺ平面（第１の平面）に平行となるように支持部材３４に配置されている。

なお本実施形態では、各プラテン３１〜３３の保持面が基板Ｓの面積よりも小さい面積で構成されているが、これに限られず、第１の実施形態と同様に基板Ｓの面積よりも大きい面積で構成されてもよい。

本実施形態では、各プラテン３１〜３３が回転軸２５ａに関して回転対称な位置にそれぞれ配置されている。回転機構部は、回転軸２５ａを回転させることで、第１〜第３のプラテン３１〜３３のうち何れか１つのプラテンをイオンビームの照射位置へ配置させることが可能に構成されている。

各プラテン３１〜３３は、温度調節機構３１ｂ，３２ｂ，３３ｂをそれぞれ内蔵しており、各々の保持面上の基板を所定温度に加熱または冷却することが可能に構成されている。

温度調節機構３１ｂ，３２ｂ，３３ｂは、保持面を加熱するヒータユニットであってもよいし、保持面を冷却する冷却ユニットであってもよい。また、各プラテンが同一の温度調節機構を有する場合に限られず、一方のプラテンがヒータユニットを、他方のプラテンが冷却ユニットをそれぞれ有してもよい。例えば、温度調節機構３１ｂ，３２ｂをヒータユニットで、温度調節機構３３ｂを冷却ユニットでそれぞれ構成されてもよい。これにより例えば、一台の装置で、高温でイオン注入行うプロセスと、常温でイオン注入を行うプロセスとを実施することが可能となる。

以上のように構成される本実施形態のイオン注入装置においても、上述の第１の実施形態と同様な作用効果を得ることができる。また本実施形態によれば、一度に保持できる基板の枚数を増やすことができるため、生産性のさらなる向上を図ることができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。

例えば以上の第１及び第２の実施形態では、プラテンの数が２個及び３個の場合を例に挙げて説明したが、これに限られず、プラテンの数が４個であってもよい。この場合、各プラテンは、回転軸２５ａのまわりに９０°の間隔をあけて配置される。なお複数のプラテンは、回転軸のまわりに等角度間隔で配置される例に限られない。

また以上の各実施形態では、一軸方向にイオンビームが走査されたリボン状のイオンビームを用いて基板Ｓにイオンを注入する装置構成を説明したが、これに限られず、直線的なイオンビームを２軸方向に走査しながらイオンを注入する装置構成にも本発明は適用可能である。

さらに以上の第１の実施形態では、第１及び第２のプラテン２１，２２の温度調節機構２１ｂ，２２ｂを何れもヒータユニットとして構成される例を説明したが、いずれか一方が冷却ユニットで構成されてもよい。これにより一台の装置で、高温でイオン注入行うプロセスと、常温でイオン注入を行うプロセスとを実施することが可能となる。

１Ｄ…イオンビーム
２１，２２，３１，３２，３３…プラテン
２１ａ，２２ａ…保持面
２１ｂ，２２ｂ，３１ｂ，３２ｂ，３３ｂ…温度調節機構
２５…回転機構部
２５ａ…回転軸
２６…直線移動機構部
２６ａ…送りネジ
８０…エンドステーション
１００…イオン注入装置
Ｓ…基板

Claims (8)

1. イオンビームを出射可能に構成されたビーム照射源と、
   基板を保持可能に構成された保持面と前記保持面上の基板を加熱する温度調節機構とをそれぞれ有する複数のプラテンと、
   前記保持面各々の法線が第１の平面と平行となるように前記複数のプラテンを支持する支持部材と、
   前記支持部材に接続され前記第１の平面と垂直な第１の軸方向に延びる回転軸を有し、前記複数のプラテンの何れか１つを前記イオンビームの照射位置へ配置可能に構成された回転機構部と
   を具備するイオン注入装置。
2. 請求項１に記載のイオン注入装置であって、
   前記第１の軸方向と直交する第２の軸方向に前記支持部材を往復移動させることが可能な直線移動機構部をさらに具備する
   イオン注入装置。
3. 請求項２に記載のイオン注入装置であって、
   前記ビーム照射源は、前記第１の軸方向に前記イオンビームを走査することが可能なビーム走査部を有する
   イオン注入装置。
4. 請求項２に記載のイオン注入装置であって、
   前記ビーム照射源は、前記第１の平面に直交する第２の平面に平行なリボン状のイオンビームを出射可能に構成される
   イオン注入装置。
5. 請求項１から４のいずれか１項に記載のイオン注入装置であって、
   前記複数のプラテンは、前記回転軸に関して回転対称な位置に配置される
   イオン注入装置。
6. 請求項１から５のいずれか１項に記載のイオン注入装置を用いたイオン注入方法であって、
   前記複数のプラテンは、第１のプラテンを含み、
   前記第１のプラテンの前記保持面上の基板を、前記温度調節機構により前記照射位置でない位置で加熱する第１の加熱工程と、
   前記第１の加熱工程で加熱された基板を、前記回転機構部により前記照射位置へ配置する配置工程と、
   前記配置工程で前記照射位置へ配置された基板に、前記ビーム照射源により前記イオンビームを照射するイオンビーム照射工程と
   を有する
   イオン注入方法。
7. 請求項６に記載のイオン注入方法であって、
   前記複数のプラテンは、第２のプラテンを含み、
   前記配置工程により前記第１のプラテンの前記保持面上の基板を前記照射位置へ配置している間に、前記第２のプラテンの前記保持面上の基板を、前記温度調節機構により前記照射位置でない位置で加熱する第２の加熱工程
   を有する
   イオン注入方法。
8. 請求項１から５のいずれか１項に記載のイオン注入装置を用いたイオン注入方法であって、
   前記複数のプラテンは、第１のプラテンと第２のプラテンを含み、
   前記第１のプラテンの前記保持面上の基板を、前記第２のプラテンの前記保持面上の基板とは異なる温度に、前記温度調節機構により加熱する加熱工程と、
   前記加熱工程で加熱された基板に、前記ビーム照射源により前記イオンビームを照射するイオンビーム照射工程と
   を有する
   イオン注入方法。

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