JP2018137266A - プラズマ加工方法及びこの方法を用いて製造された基板 - Google Patents
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Abstract
Description
処理チャンバ内の基台上に載置された基板に設定されている加工領域をプラズマエッチングによって除去し、該基板よりも小さい基板を切り出すプラズマ加工方法であって、
前記基板の表面に、前記加工領域に対応した開口部を有する表面側マスクを形成する表面側マスク形成工程と、
前記基板を前記基台上に載置して、前記表面側マスクの開口部を通して前記基板を等方的にエッチングする表面側エッチング工程と、
前記表面側エッチング工程を実施した後、前記基板の裏面に貫通するまで、前記表面側マスクの開口部を通して前記基板を異方的にエッチングする貫通工程とを行うプラズマ加工方法に係る。
前記基板の表面に、前記加工領域に対応した開口部を有する表面側マスクを形成する表面側マスク形成工程と、
前記基板の裏面に、前記加工領域に対応した開口部を有する裏面側マスクを形成する裏面側マスク形成工程と、
前記基板を前記基台上に載置して、前記表面側マスクの開口部を通して前記基板を等方的にエッチングする表面側エッチング工程と、
前記表面側エッチング工程を実施した後、前記表面側マスクの開口部を通して前記基板を異方的にエッチングする深掘り工程と、
前記深掘り工程実施後に、前記基板を表裏反転させて前記基台上に載置して、前記裏面側マスクの開口部を通して前記基板を等方的にエッチングする裏面側エッチング工程と、
前記裏面側エッチング工程を実施した後、前記深掘り工程で形成されたトレンチの底面に貫通するまで、前記裏面側マスクの開口部を通して前記基板を異方的にエッチングする貫通工程とを行うプラズマ加工方法に係る。
まず、本発明の一実施形態に係るプラズマ加工方法の実施に用いるプラズマ加工装置1について説明する。図1に示すように、本例のプラズマ加工装置1は、内部空間の上方にプラズマ生成空間5が設定され、このプラズマ生成空間5よりも下方に処理空間6が設定される円筒状の処理チャンバ2と、前記プラズマ生成空間5に処理ガスを供給する処理ガス供給機構10と、前記プラズマ生成空間5内に誘導電界を発生させるための環状のコイル15と、このコイル15に高周波電力を供給するコイル電力供給機構20と、前記処理空間6内に配設され、基板Kを載置するための基台25と、この基台25に高周波電力を供給する基台電力供給機構30と、処理チャンバ2内の気体を排気する排気装置35とを備えている。
次に、以上の構成を備えたプラズマ加工装置1を用いて、基板Kをプラズマエッチングし、当該基板Kからより小さい基板K1を切り出す過程について、図2〜図4を参照して説明する。尚、本例において、基板Kは半導体素子が形成される前のシリコン基板である。また、図2は基板Kの平面図であり、図3及び図4は基板K1を切り出す過程を模式的に示した図であり、図2〜図4中の各符号は、Kが基板、K1が切り出される(切り出された)基板、Mfが表面側マスク、Sがテープ、Dが加工領域、Tがトレンチ、T1,T2がトレンチTの角部をそれぞれ示している。
(図11(b)参照)。
2 処理チャンバ
5 プラズマ生成空間
6 処理空間
10 処理ガス供給機構
15 コイル
20 コイル電力供給機構
25 基台
30 基台電力供給機構
K 基板
K1 切出し基板
D 加工領域
Mf 表面側マスク
Mf1 開口部
Mb 裏面側マスク
Mb1 開口部
T トレンチ
T1,T2 角部
S テープ
Claims (8)
- 処理チャンバ内の基台上に載置された基板に設定されている加工領域をプラズマエッチングによって除去し、該基板よりも小さい基板を切り出すプラズマ加工方法であって、
前記基板の表面に、前記加工領域に対応した開口部を有する表面側マスクを形成する表面側マスク形成工程と、
前記基板を前記基台上に載置して、前記表面側マスクの開口部を通して前記基板を等方的にエッチングする表面側エッチング工程と、
前記表面側エッチング工程を実施した後、前記基板の裏面に貫通するまで、前記表面側マスクの開口部を通して前記基板を異方的にエッチングする貫通工程とを行うことを特徴とするプラズマ加工方法。 - 前記貫通工程を実施した後、前記基板を等方的にエッチングする仕上げ工程を実施することを特徴とする請求項1記載のプラズマ加工方法。
- 前記基板の裏面には、絶縁層が形成されている又は絶縁性テープが接着されており、
前記貫通工程では、ノッチングを発生させることを特徴とする請求項1又は2記載のプラズマ加工方法。 - 前記基板の裏面に、前記加工領域に対応した開口部を有する裏面側マスクを形成する裏面側マスク形成工程と、
前記貫通工程を実施した後、前記基板を表裏反転させて前記基台上に載置して、前記裏面側マスクの開口部を通して前記基板を等方的にエッチングする裏面側エッチング工程とを更に行うことを特徴とする請求項1又は2記載のプラズマ加工方法。 - 処理チャンバ内の基台上に載置される基板に設定されている加工領域をプラズマエッチングによって除去し、該基板よりも小さい基板を切り出すプラズマ加工方法であって、
前記基板の表面に、前記加工領域に対応した開口部を有する表面側マスクを形成する表面側マスク形成工程と、
前記基板の裏面に、前記加工領域に対応した開口部を有する裏面側マスクを形成する裏面側マスク形成工程と、
前記基板を前記基台上に載置して、前記表面側マスクの開口部を通して前記基板を等方的にエッチングする表面側エッチング工程と、
前記表面側エッチング工程を実施した後、前記表面側マスクの開口部を通して前記基板を異方的にエッチングする深掘り工程と、
前記深掘り工程実施後に、前記基板を表裏反転させて前記基台上に載置して、前記裏面側マスクの開口部を通して前記基板を等方的にエッチングする裏面側エッチング工程と、
前記裏面側エッチング工程を実施した後、前記深掘り工程で形成されたトレンチの底面に貫通するまで、前記裏面側マスクの開口部を通して前記基板を異方的にエッチングする貫通工程とを行うことを特徴とするプラズマ加工方法。 - 前記深掘り工程及び前記貫通工程の内の少なくともいずれか一方を実施した後、前記基板を等方的にエッチングする仕上げ工程を実施することを特徴とする請求項5記載のプラズマ加工方法。
- 前記表面及び裏面の内の少なくともいずれか一方の面にマスクが形成されていない基板における、前記マスクが形成されていない面の全面をエッチングするシンニング工程を、前記表面側エッチング工程の前に実施することを特徴とする請求項1乃至6記載のいずれかのプラズマ加工方法。
- 表面及び裏面の内の少なくとも一方の面における外周縁部が面取りされるとともに、
外周面にスキャロップ形状を有していることを特徴とする基板。
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