JP2018098353A - プラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
表面の少なくとも一部に銅が露出している対象物の該露出部表面の銅酸化物を還元処理するためのプラズマ処理方法であって、
プラズマ処理室の内部に前記対象物を配置する配置工程と、
前記プラズマ処理室の内部に、水あるいは水を含む混合物をプラズマ原料として導入し、該プラズマ原料をプラズマ化する水プラズマ形成工程と、
を有する。
また、「水を含む混合物」の水以外の組成物としては、酸素、空気、窒素、アルゴン、ヘリウム、水素、一酸化二窒素、等が含まれる(詳しくは後述する。)。
単体の水プラズマが存在するプラズマ処理室内に存在する物質の種類と量を、分析装置を用いて測定すると、水プラズマが形成されているプラズマ処理室内には、ヒドロキシルラジカル、原子状水素、および、原子状酸素、が存在していることが確認された(図2)。ここから、水プラズマが形成されたプラズマ処理室では次の(1)、(2)の化学反応が進行すると推測される。
(1)原子状酸素とヒドロキシルラジカルが、対象物に付着している有機物等と結合する化学反応
この化学反応によって、対象物から有機物等が除去される。つまり、プラズマ処理室内にある原子状酸素とヒドロキシルラジカルは、有機物等の除去に寄与している。
(2)原子状水素と銅酸化物とが結合する化学反応(還元)
Cu2O+2H→2Cu+H2O
CuO+2H→Cu+H2O
この化学反応によって対象物の表面に存在している銅酸化物が還元されて、銅に戻る。つまり、プラズマ処理室内にある原子状水素は、銅酸化物の還元に寄与している。
前記配置工程の後であって前記水プラズマ形成工程の前に、前記プラズマ処理室の内部に酸素ガスを導入してこれをプラズマ化する酸素プラズマ形成工程、
をさらに有する。
前記混合物が水蒸気と酸素の混合物であり、該混合物中の水蒸気の体積比率が50%以上である。
前記混合物が水蒸気と酸素の混合物であり、該混合物中の水蒸気の体積比率が50%〜70%である。
前記水プラズマ形成工程が行われる間、前記プラズマ処理室の圧力が30Pa以下に維持される。
対象物上の有機物を除去するためのプラズマ処理方法であって、
プラズマ処理室の内部に前記対象物を配置する配置工程と、
前記プラズマ処理室の内部に、水あるいは水を含む混合物をプラズマ原料として導入し、該プラズマ原料をプラズマ化する水プラズマ形成工程と、
を有するものとして実施することができる。
実施形態に係るプラズマ処理装置について、図3を参照しながら説明する。図3には、プラズマ処理装置100の概略構成が示されている。この図から明らかなように、プラズマ処理装置100は、平行平板型(容量結合型)プラズマ処理装置である。
実施形態に係るプラズマ処理方法について、図4を参照しながら説明する。図4は、該処理方法に係る一連の流れを示す図である。以下に説明する一連の処理は、上述したプラズマ処理装置100にて行われる。
もっとも、以下の処理は、表面に銅が露出していない対象物9をも対象とすることができる。例えば、表面がフォトレジスト層で覆われた対象物9の該フォトレジスト層を除去するための処理として適用できる。
<3−1.水プラズマの還元力を評価するための実験>
水プラズマの還元力を評価するべく、表面の少なくとも一部に銅酸化物が存在しているサンプルを準備し、これを水プラズマで処理する実験を行った。以下に具体的な実験条件を示す。
以下の3種類のサンプルA,B,Cの深さ方向の分析を、走査型X線光電子分光分析装置:ESCA(アルバック・ファイ株式会社製PHI 5000 VersaProbe II)のArビームスパッタエッチングによって行った。図11には、その分析結果が示されている。ここに示されるグラフにおいて、横軸は、Arビームスパッタリング時間を、縦軸は、組成比(Atomic Concentration(%))を示している。また、該グラフにおいて、Cu2p 3/2は銅原子に由来する電子を、O1sは酸素原子に由来する電子を、C1sは炭素原子に由来する電子を、それぞれ示している。
サンプルA:第3酸化銅板(銅板を200℃で30分間加熱した酸化銅板)
サンプルB:銅板を上記実験7(酸素プラズマで処理)の処理条件で処理したもの
サンプルC:サンプルBを上記実験1(水プラズマで処理)の処理条件で処理したもの
第2酸化銅板(180℃で5分間加熱した酸化銅板)をガラス板に載置したものをサンプルとし、これを単体の水プラズマで処理して、銅酸化物が還元されて消滅するまでに要した時間(具体的には、酸化銅板が銅色に戻るまでに要する時間)を測定した。この実験を、水蒸気の流量が異なる各処理条件で行った(ただし、水蒸気の流量に応じてプロセス圧も変化した。また、他の処理条件はいずれもRF電力は250W、処理時間は3分で共通とした)。
上述したとおり、この実験に用いた第2酸化銅板の酸化膜厚は約26nmであるので、これと上記の実験で求められた時間から、各処理条件における銅酸化物の還元速度を算出することができる。このようにして求めたプロセス圧と還元速度の関係が、図12に示されている。この図からわかるように、プロセス圧が低いほど、還元速度が速くなる傾向が実験により示された。したがって、銅酸化物の還元を有効に行うには、プロセス圧が低い(例えば30Pa以下)ことが好ましいと結論付けることができる。
水プラズマの有機物の除去作用の強さを評価するべく、表面に有機物層(具体的には、フォトレジスト層)が形成されたサンプルを準備し、これを水プラズマで処理する実験を行った。以下に具体的な実験条件を示す。
さらに、実験22と実験24を比較すると、酸素プラズマと水プラズマの混合プラズマは、酸素プラズマ単体よりも高いフォトレジストの除去作用があることがわかった。図16には、水と酸素の混合比率を変化させた他は実験22〜24と同じ処理条件で処理を行った各場合のフォトレジストの除去速度がグラフ上にプロットされている。ここに示されるように、水蒸気と酸素の混合物において、酸素の体積比率が30%〜80%程度の範囲(水蒸気の体積比率が20%〜70%程度の範囲)において、フォトレジストの除去速度が特に高まる(つまりは、フォトレジストの除去作用が特に高まる)ことがわかった。上述したとおり、銅酸化物を還元するためには、水蒸気の体積比率が50%以上であればよいと判明しているので、水蒸気の体積比率が50〜70%であれば、高い還元作用と高い有機物除去作用の両方を実現することができるといえる。
上記実験18〜24と同じサンプルを用い、これを単体の水プラズマで処理した際のフォトレジストの膜圧変化を、上記エリプソメータを用いて測定して、そこからフォトレジストの除去速度を算出した。この実験を、水蒸気の流量が異なる各処理条件で行った(ただし、水蒸気の流量に応じてプロセス圧も変化した。また、他の処理条件はいずれもRF電力は250W、処理時間は3分で共通とした)。
1…プラズマ処理室
11…ガス導入口
12…排気口
2…水導入部
21…水供給源
22…配管
23…バルブ
24…マスフローコントローラ
25…気化装置
3…酸素ガス導入部
31…酸素ガス給源
32…配管
33…バルブ
34…マスフローコントローラ
4…排気部
42…配管
43…バルブ
44…真空ポンプ
5…パワード電極
51…RF電源
52…コンデンサ
6…接地電極
7…制御部
9…対象物
101…基板
102…電極
102…銅電極
103…フォトレジスト層
104…マスクパターン
104a…裾引き部分
104b…庇状の部分
201…基板
202…電極
202…銅電極
204…ビアホール
204a…スミア
301…基板
302…フォトレジストパターン
302a…現像残渣
303…銅電極
Claims (4)
- 表面の少なくとも一部に銅が露出している対象物の該露出部表面の銅酸化物を還元処理するためのプラズマ処理方法であって、
プラズマ処理室の内部に前記対象物を配置する配置工程と、
前記プラズマ処理室の内部に、水あるいは水を含む混合物をプラズマ原料として導入し、該プラズマ原料をプラズマ化する水プラズマ形成工程と、
を有する、プラズマ処理方法。 - 請求項1に記載のプラズマ処理方法であって、
前記配置工程の後であって前記水プラズマ形成工程の前に、前記プラズマ処理室の内部に酸素ガスを導入してこれをプラズマ化する酸素プラズマ形成工程、
をさらに有する、プラズマ処理方法。 - 請求項1または2に記載のプラズマ処理方法であって、
前記混合物が水蒸気と酸素の混合物であり、該混合物中の水蒸気の体積比率が50%以上である、プラズマ処理方法。 - 対象物上の有機物を除去するためのプラズマ処理方法であって、
プラズマ処理室の内部に前記対象物を配置する配置工程と、
前記プラズマ処理室の内部に、水あるいは水を含む混合物をプラズマ原料として導入し、該プラズマ原料をプラズマ化する水プラズマ形成工程と、
を有する、プラズマ処理方法。
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JP6842159B2 (ja) | 2021-03-17 |
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