JP2018074575A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. 弾性波デバイスであって、
   カット角が−１０°〜６０°のカット角範囲にある圧電層と、
   前記圧電層上のインターディジタルトランスデューサ電極であって、波長λを有する弾性波を発生させるように構成されたインターディジタルトランスデューサ電極と、
   前記弾性波の速度よりも高速のバルク速度を有する高速度層と
   を含み、
   前記インターディジタルトランスデューサ電極は厚さが０．０２λ〜０．１λの第１厚さ範囲にあり、
   前記圧電層は厚さがλ未満であり、
   前記高速度層は、反共振において前記弾性波が前記圧電層から漏洩するのを抑制するように構成される弾性波デバイス。
2. 前記高速度層と前記圧電層との間に温度補償層をさらに含む請求項１の弾性波デバイス。
3. 前記高速度層はシリコン層である請求項１の弾性波デバイス。
4. 前記圧電層はニオブ酸リチウム層を含む請求項１の弾性波デバイス。
5. 前記圧電層はタンタル酸リチウム層を含む請求項１の弾性波デバイス。
6. 前記インターディジタルトランスデューサ電極の厚さは０．０５λと０．１λとの間にある請求項１の弾性波デバイス。
7. 前記カット角は１５°〜３５°の範囲にある請求項１の弾性波デバイス。
8. 前記圧電層の厚さは０．３５λ〜０．８λの第２厚さ範囲にある請求項１の弾性波デバイス。
9. 前記インターディジタルトランスデューサ電極はアルミニウムを含む請求項１の弾性波デバイス。
10. 前記高速度層は前記圧電層に貼り合わせられてこれと物理的に接触する請求項１の弾性波デバイス。
11. 弾性波デバイスであって、
    カット角が−１０°〜６０°のカット角範囲にあるニオブ酸リチウム層と、
    前記ニオブ酸リチウム層上のインターディジタルトランスデューサ電極であって、波長λの弾性波を発生させるように構成されたインターディジタルトランスデューサ電極と、
    前記弾性波の速度よりも高速のバルク速度を有する高速度層であって、反共振において前記弾性波が前記ニオブ酸リチウム層から漏洩するのを抑制するように構成された高速度層と、
    前記高速度層と前記ニオブ酸リチウム層との間に配置された温度補償層と
    を含み、
    前記ニオブ酸リチウム層は厚さが０．３５λ〜０．８λの厚さ範囲にあり、
    前記温度補償層は正の周波数温度係数を含み、
    前記弾性波デバイスは、電気機械結合係数が少なくとも２６％となるように配列される弾性波デバイス。
12. 前記温度補償層は二酸化シリコン層である請求項１１の弾性波デバイス。
13. 前記温度補償層は厚さが０．５λ未満である請求項１１の弾性波デバイス。
14. 前記カット角は−１０°〜３０°の範囲にある請求項１１の弾性波デバイス。
15. 弾性波デバイスであって、
    カット角が−１０°〜５０°の範囲にあるタンタル酸リチウム層と、
    前記タンタル酸リチウム層上のインターディジタルトランスデューサ電極であって、波長λの弾性波を発生させるように構成されたインターディジタルトランスデューサ電極と、
    前記弾性波の速度よりも高速のバルク速度を有する高速度層であって、反共振において前記弾性波が前記タンタル酸リチウム層から漏洩するのを抑制するように構成された高速度層と、
    前記高速度層と前記タンタル酸リチウム層との間に配置された温度補償層と
    を含み、
    前記タンタル酸リチウム層は厚さがλ未満であり、
    前記温度補償層は正の周波数温度係数を有する弾性波デバイス。
16. 前記温度補償層は二酸化シリコン層である請求項１５の弾性波デバイス。
17. 前記温度補償層は厚さが０．５λ未満である請求項１５の弾性波デバイス。
18. 前記インターディジタルトランスデューサ電極は厚さが０．０２λ〜０．１λの第２厚さ範囲にある請求項１５の弾性波デバイス。
19. 前記カット角は−１０°〜３０°の範囲にある請求項１５の弾性波デバイス。
20. 前記タンタル酸リチウム層の厚さは０．２５λ〜０．８λの厚さ範囲にある請求項１５の弾性波デバイス。