JP2018056298A - 半導体装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】縦型ドリフト領域（即ち、ＪＦＥＴ領域）を有する半導体装置において、耐圧とオン抵抗の間に存在するトレードオフの関係を改善する。
【解決手段】半導体装置１は、窒化物半導体層２０の表面上の一部に設けられているＰ型半導体領域４２を備える。Ｐ型半導体領域４２は、縦型ドリフト領域２１ｂが窒化物半導体層２０の表面に露出する範囲の少なくとも一部に対向する。
【選択図】図１

Description

本明細書が開示する技術は、半導体装置に関する。
図４に示した従来の半導体装置１００は、Ｎ型の半導体基板１１０、半導体基板１１０上に積層した半導体層１２０、半導体基板１１０の裏面を被覆するドレイン電極１３２、半導体層１２０の表面を被覆するソース電極１３４、及び、半導体層１２０の表面上の一部に設けられている絶縁ゲート部１３６を備える。半導体層１２０は、Ｎ型のドリフト領域１２１、Ｐ型のボディ領域１２３、Ｐ型のコンタクト領域１２４、及び、Ｎ型のソース領域１２５を有する。ドリフト領域１２１は、横型ドリフト領域１２１ａと縦型ドリフト領域１２１ｂで構成されており、その縦型ドリフト領域１２１ｂが窒化物半導体層１２０の表面に露出する。本明細書では、縦型ドリフト領域１２１ｂのことを特にＪＦＥＴ領域ということもある。
ボディ領域１２３は、縦型ドリフト領域１２１ｂに隣接する位置に配置されており、半導体層１２０の表面に露出する。コンタクト領域１２４は、半導体層１２０の表面に露出しており、ソース電極１３４に電気的に接続する。ソース領域１２５は、ボディ領域１２３によって縦型ドリフト領域１２１ｂから隔てられており、半導体層１２０の表面に露出しており、ソース電極１３４に電気的に接続する。絶縁ゲート部１３６のゲート電極１３６ｂは、縦型ドリフト領域１２１ｂとソース領域１２５を隔てる部分のボディ領域１２３にゲート絶縁膜１３６ａを介して対向する。絶縁ゲート部１３６のゲート電極１３６ｂは、層間絶縁膜１５２によってソース電極１３４から絶縁分離されている。
この半導体装置１００がオンのときは、ゲート電極１３６ｂの電位によって、縦型ドリフト領域１２１ｂとソース領域１２５を隔てる部分のボディ領域１２３に反転層が形成され、その反転層を経由してソース領域１２５から縦型ドリフト領域１２１ｂに電子が流入する。縦型ドリフト領域１２１ｂに流入した電子は、縦型ドリフト領域１２１ｂを縦方向に流れてドレイン電極１３２に向かう。これにより、ドレイン電極１３２とソース電極１３４が導通する。
半導体装置１００がオフのときは、ボディ領域１２３から縦型ドリフト領域１２１ｂ内に空乏層が伸びてくる。半導体装置１００がオフのときに、縦型ドリフト領域１２１ｂは、両側から伸びてくる空乏層が繋がってピンチオフの状態となるように設計されている。縦型ドリフト領域１２１ｂがピンチオフすることで、絶縁ゲート部１３６のゲート絶縁膜１３６ａに加わる電界が緩和され、ゲート絶縁膜１３６ａの絶縁破壊が抑えられ、半導体装置１００の耐圧が向上する。なお、半導体装置１００がオンすると、縦型ドリフト領域１２１ｂとボディ領域１２３の電位がほぼ等しくなり、空乏層が消失する。Ｎ型の縦型ドリフト領域１２１ｂとＰ型のボディ領域１２３によってＪＦＥＴ構造が構成されている。特許文献１は、縦型ドリフト領域（即ち、ＪＦＥＴ領域）を有する半導体装置の一例を開示している。
特開２０１５−０４１７１９号公報
縦型ドリフト領域１２１ｂが良好にピンチオフしてゲート絶縁膜１３６ａの絶縁破壊を抑えるためには、縦型ドリフト領域１２１ｂの不純物濃度を薄く設定するのが望ましい。しかしながら、縦型ドリフト領域１２１ｂの不純物濃度が薄いと、縦型ドリフト領域１２１ｂの電気抵抗が高くなり、半導体装置１００のオン抵抗が増加する。
このように、縦型ドリフト領域を有する半導体装置には、耐圧とオン抵抗の間にトレードオフの関係がある。このため、縦型ドリフト領域を有する半導体装置では、このようなトレードオフ関係を改善する技術の開発が望まれている。
本明細書が開示する半導体装置は、半導体層、半導体層の一方の主面上の一部に設けられている絶縁ゲート部、及び、半導体層の前記主面上の他の一部に設けられている第１導電型半導体領域を備える。半導体層は、第２導電型の縦型ドリフト領域、第１導電型のボディ領域、及び、第２導電型のソース領域を有する。縦型ドリフト領域は、半導体層の前記主面に露出する。ボディ領域は、縦型ドリフト領域に隣接しており、半導体層の前記主面に露出する。ソース領域は、ボディ領域によって縦型ドリフト領域から隔てられており、半導体層の前記主面に露出する。絶縁ゲート部は、縦型ドリフト領域とソース領域を隔てているボディ領域に対向する。第１導電型半導体領域は、縦型ドリフト領域が半導体層の前記主面に露出する範囲の少なくとも一部に対向する。
上記半導体装置がオフのとき、第１導電型半導体領域から縦型ドリフト領域内に空乏層が伸びる。これにより、上記半導体装置では、縦型ドリフト領域の表面部を良好に空乏化することができるので、縦型ドリフト領域の表面部近傍に配置されている絶縁ゲート部のゲート絶縁膜に加わる電界を緩和することができる。換言すると、上記半導体装置では、縦型ドリフト領域の不純物濃度が濃く設定されていても、絶縁ゲート部のゲート絶縁膜に加わる電界を緩和することができる。このように、上記半導体装置は、耐圧とオン抵抗の間のトレードオフ関係を改善することができる。
半導体装置の要部断面図を模式的に示す。 変形例１の半導体装置の要部断面図を模式的に示す。 変形例２の半導体装置の要部断面図を模式的に示す。 従来の半導体装置の要部断面図を模式的に示す。
図１に示されるように、半導体装置１は、Ｎ型の半導体基板１０、半導体基板１０上に積層した半導体層２０、半導体層２０の表面上の一部に積層したＰ型半導体領域４２、半導体基板１０の裏面を被覆するドレイン電極３２、半導体層２０の表面を被覆するソース電極３４、及び、半導体層２０の表面上の一部に設けられている絶縁ゲート部３６を備える。半導体層２０は、Ｎ型のドリフト領域２１、Ｐ型のボディ領域２３、Ｐ型のコンタクト領域２４、及び、Ｎ型のソース領域２５を有する。ドリフト領域２１は、横型ドリフト領域２１ａと縦型ドリフト領域２１ｂで構成されており、その縦型ドリフト領域２１ｂが半導体層２０の表面に露出する。Ｐ型半導体領域４２は半導体層２０の一部ではなく、半導体層２０の上側の主面の一部に形成されている。
半導体基板１０は、Ｎ型不純物を高濃度に含む炭化珪素（ＳｉＣ）を材料とする。半導体基板１０の裏面全体にドレイン電極３２がオーミック接触している。半導体基板１０は、半導体層２０がエピタキシャル成長するための下地基板である。
半導体層２０は、半導体基板１０上にエピタキシャル成長して堆積されている。半導体層２０は、半導体基板１０よりもＮ型不純物を低濃度に含む炭化珪素（ＳｉＣ）を材料とする。半導体層２０には、後述する複数種類の拡散領域が形成されている。
ドリフト領域２１は、半導体層２０に複数種類の半導体領域を形成した残部として構成されており、横型ドリフト領域２１ａ及び縦型ドリフト領域２１ｂを有する。横型ドリフト領域２１ａは、半導体基板１０上に配置されている。縦型ドリフト領域２１ｂは、横型ドリフト領域２１ａから突出した凸状の形態を有するように横型ドリフト領域２１ａ上に配置されており、半導体層２０の表面の一部に露出する。縦型ドリフト領域２１ｂは、半導体層２０の表面に直交する方向（紙面上下方向）から見たときに、長手方向（紙面奥行方向）に沿って直線状に伸びている。
ボディ領域２３は、横型ドリフト領域２１ａ上に配置されており、縦型ドリフト領域２１ｂの両側に配置されているとともに、半導体層２０の表面に露出する。ボディ領域２３は、Ｐ型不純物を低濃度に含んでいる。ボディ領域２３は、イオン注入技術を利用して、半導体層２０の表面に向けて窒素又はアルミニウムを照射することで形成されている。
コンタクト領域２４は、ボディ領域２３上に配置されており、半導体層２０の表面に露出する。コンタクト領域２４は、Ｐ型不純物を高濃度に含んでおり、ソース電極３４にオーミック接触している。コンタクト領域２４は、イオン注入技術を利用して、半導体層２０の表面に向けて窒素又はアルミニウムを照射することで形成されている。
ソース領域２５は、ボディ領域２３上に配置されており、ボディ領域２３によってドリフト領域２１から隔てられているとともに、半導体層２０の表面に露出する。ソース領域２５は、Ｎ型不純物を高濃度に含んでおり、ソース電極３４にオーミック接触している。ソース領域２５は、イオン注入技術を利用して、半導体層２０の表面に向けてリンを照射することで形成されている。
Ｐ型半導体領域４２は、半導体層２０の表面上の一部に積層して設けられている。正確には、Ｐ型半導体領域４２は、縦型ドリフト領域２１ｂが半導体層２０の表面に露出する範囲の一部に接触するように設けられており、縦型ドリフト領域２１ｂによってボディ領域２３から隔てられている。Ｐ型半導体領域４２の厚みは、絶縁ゲート部３６のゲート絶縁膜３６ａの厚みよりも厚い。Ｐ型半導体領域４２は、Ｐ型の炭化珪素（ＳｉＣ）を材料とする。Ｐ型半導体領域４２は、エピタキシャル成長技術を利用して半導体層２０の表面上に堆積した後に、エッチング技術を利用してパターニングすることで形成されている。Ｐ型半導体領域４２は、層間絶縁膜５２及び絶縁ゲート部３６を貫通する貫通孔を介してソース電極３４にオーミック接触している。
絶縁ゲート部３６は、半導体層２０の表面上の一部に設けられており、酸化シリコンのゲート絶縁膜３６ａ及びポリシリコンのゲート電極３６ｂを有する。詳細には、ゲート絶縁膜３６ａは、縦型ドリフト領域２１ｂとソース領域２５を隔てる部分のボディ領域２３の表面、Ｐ型半導体領域４２とボディ領域２３の間の縦型ドリフト領域２１ｂの表面、Ｐ型半導体領域４２の側面、及び、Ｐ型半導体領域４２の表面の一部を被覆する。ゲート電極３６ｂは、縦型ドリフト領域２１ｂとソース領域２５を隔てる部分のボディ領域２３にゲート絶縁膜３６ａを介して対向するとともに、Ｐ型半導体領域４２とボディ領域２３の間の縦型ドリフト領域２１ｂの表面にもゲート絶縁膜３６ａを介して対向する。ゲート電極３６ｂは、層間絶縁膜５２によってソース電極３４から絶縁分離されている。
次に、半導体装置１の動作を説明する。使用時には、ドレイン電極３２に正電圧が印加され、ソース電極３４が接地される。ゲート電極３６ｂにゲート閾値よりも高い正電圧が印加されると、縦型ドリフト領域２１ｂとソース領域２５を隔てる部分のボディ領域２３に反転層が形成され、半導体装置１がターンオンする。このとき、反転層を経由してソース領域２５から縦型ドリフト領域２１ｂに電子が流入する。縦型ドリフト領域２１ｂに流入した電子は、その縦型ドリフト領域２１ｂを縦方向に流れてドレイン電極３２に向かう。これにより、ドレイン電極３２とソース電極３４が導通する。
ゲート電極３６ｂが接地されると、反転層が消失し、半導体装置１がターンオフする。このとき、縦型ドリフト領域２１ｂ内にボディ領域２３から空乏層が伸びてくる。それに加えて、Ｐ型半導体領域４２と縦型ドリフト領域２１ｂの接合面も逆バイアスされるので、Ｐ型半導体領域４２から縦型ドリフト領域２１ｂ内に空乏層が伸びる。これにより、半導体装置１では、縦型ドリフト領域２１ｂの表面部を良好に空乏化することができるので、縦型ドリフト領域２１ｂの表面部近傍に配置されている絶縁ゲート部３６のゲート絶縁膜３６ａに加わる電界を緩和することができる。特に、半導体装置１では、縦型ドリフト領域２１ｂの表面上にも絶縁ゲート部３６が配設されており、この部分のゲート絶縁膜３６ａに加わる電界が良好に緩和される。このため、半導体装置１は、絶縁ゲート部３６のゲート絶縁膜３６ａの絶縁破壊が抑えられ、高い耐圧を有することができる。
半導体装置１では、縦型ドリフト領域２１ｂのＪＦＥＴ抵抗を小さくするために、縦型ドリフト領域２１ｂの不純物濃度が濃い。このような場合、半導体装置１がオフのときに、ボディ領域２３から縦型ドリフト領域２１ｂ内に伸びる空乏層が繋がってピンチオフの状態となることが抑えられ、絶縁ゲート部３６のゲート絶縁膜３６ａに高電界が加わることが懸念される。しかしながら、半導体装置１では、上記したように、縦型ドリフト領域２１ｂがピンチオフするのに先立ってＰ型半導体領域４２から伸びる空乏層によって縦型ドリフト領域２１ｂの表面部が空乏化されており、絶縁ゲート部３６のゲート絶縁膜３６ａに加わる電界が緩和されている。即ち、半導体装置１は、低いオン抵抗とするために縦型ドリフト領域２１ｂの不純物濃度が濃く設定されていても、絶縁ゲート部３６のゲート絶縁膜３６ａの絶縁破壊が抑えられ、高い耐圧を有することができる。この結果、半導体装置１は、耐圧とオン抵抗の間のトレードオフ関係を改善することができる。
また、半導体装置１では、Ｐ型半導体領域４２が半導体層２０の表面上に設けられている。換言すると、Ｐ型半導体領域４２が縦型ドリフト領域２１ｂ内に配置されていない。このため、半導体装置１がオンのときに、電子の移動経路を狭めることがないので、オン抵抗が増大することがない。
また、半導体装置１では、Ｐ型半導体領域４２がソース電極３４に電気的に接続しているので、ターンオンするときにＰ型半導体領域４２内の空乏層に対して正孔が速やかに供給される。このため、ターンオンするときに縦型ドリフト領域２１ｂ内の空乏層が速やかに消失する。この結果、Ｐ型半導体領域４２と縦型ドリフト領域２１ｂの接合面から縦型ドリフト領域２１ｂ内に伸びた空乏層によって電子の移動経路が狭められるような事態が抑えられ、ターンオン損失の増加が抑えられている。
また、半導体装置１は、炭化珪素を材料として構成されている。炭化珪素を用いた半導体装置１は、炭化珪素が有する高絶縁破壊電界という特性を十分に発揮させるために、半導体層２０の厚みが比較的に薄く設計され、ゲート絶縁膜３６ａに高電界が加わるような条件下で使用される。半導体装置１は、ゲート絶縁膜３６ａに加わる電界が緩和されるので、炭化珪素が有する高絶縁破壊電界という特性を十分に発揮して動作することができる。なお、炭化珪素に代えて窒化物半導体が材料として用いられていても同様であり、半導体装置１は、窒化物半導体が有する高絶縁破壊電界という特性を十分に発揮して動作することができる。
（変形例１）
図２に示す変形例の半導体装置２は、Ｐ型半導体領域４２が絶縁ゲート部３６のゲート電極３６ｂにオーミック接触することを特徴とする。この変形例では、半導体装置２がオンのときに、Ｐ型半導体領域４２と縦型ドリフト領域２１ｂの接合面が順バイアスされ、Ｐ型半導体領域４２からドリフト領域２１内に正孔が注入される。これにより、ドリフト領域２１内で伝導度変調が起きるので、ドリフト抵抗が低下する。半導体装置１は、低いオン抵抗を有することができる。
また、半導体装置２でも、Ｐ型半導体領域４２がゲート電極３６ｂに電気的に接続しているので、ターンオンするときにＰ型半導体領域４２内の空乏層に対して正孔が速やかに供給される。これにより、半導体装置２でも、ターンオン損失の増加が抑えられている。
（変形例２）
図３に示す変形例の半導体装置３は、Ｐ型半導体領域４２と縦型ドリフト領域２１ｂの間に設けられているＮ型又はＩ型の中間半導体領域４４を備えることを特徴とする。ここで、半導体装置３では、半導体基板１０、半導体層２０及びＰ型半導体領域４２が窒化ガリウム（ＧａＮ）を材料としており、中間半導体領域４４が窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）を材料としている。このため、中間半導体領域４４と縦型ドリフト領域２１ｂがヘテロ接合しており、半導体装置３がオンのとき、縦型ドリフト領域２１ｂの表面部に２次元電子ガスが生成する。２次元電子ガスには高密度な電子キャリアが存在するので、縦型ドリフト領域２１ｂの表面部の電気抵抗が大きく低下する。これにより、半導体装置３のオン抵抗が低下する。
中間半導体領域４４の厚み及び不純物濃度は、半導体装置３がオフのときに、Ｐ型半導体領域４２から伸びる空乏層が中間半導体領域４４を超えて縦型ドリフト領域２１ｂ内にも形成されるように調整されている。このため、半導体装置３でも、Ｐ型半導体領域４２から伸びる空乏層によって縦型ドリフト領域２１ｂの表面部が空乏化されており、絶縁ゲート部３６のゲート絶縁膜３６ａに加わる電界が緩和されている。
なお、半導体装置３では、中間半導体領域４４が、縦型ドリフト領域２１ｂが半導体層２０の表面に露出する全範囲に接触するように設けられていてもよい。さらに、Ｐ型半導体領域４２が、縦型ドリフト領域２１ｂが半導体層２０の表面に露出する全範囲に対向するように設けられていてもよい。この場合、縦型ドリフト領域２１ｂの表面部の広い範囲に２次元電子ガスが生成されるので、半導体装置３は、より低いオン抵抗を有することができる。
以下、本明細書で開示される技術の特徴を整理する。なお、以下に記載する技術要素は、それぞれ独立した技術要素であって、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。
本明細書が開示する半導体装置は、半導体層、半導体層の一方の主面上の一部に設けられている絶縁ゲート部、及び、半導体層の前記主面上の他の一部に設けられている第１導電型領域を備えていてもよい。半導体層は、第２導電型のドリフト領域、第１導電型のボディ領域、及び、第２導電型のソース領域を有していてもよい。ドリフト領域は、半導体層の前記主面に露出する縦型ドリフト領域を有する。ボディ領域は、縦型ドリフト領域を間に置いて配置されており（縦型ドリフト領域の隣接する位置に配置されており）、半導体層の前記主面に露出する。ソース領域は、ボディ領域によって縦型ドリフト領域から隔てられており、半導体層の前記主面に露出する。絶縁ゲート部は、縦型ドリフト領域とソース領域を隔てているボディ領域に対向する。絶縁ゲート部と半導体層の間には、他の層が介在してもよい。第１導電型半導体領域は、縦型ドリフト領域が半導体層の前記主面に露出する範囲の少なくとも一部に対向する。第１導電型半導体領域と半導体層の間には、他の層が介在してもよい。
上記半導体装置において、第１導電型半導体領域は、縦型ドリフト領域が半導体層の前記主面に露出する範囲の一部に接触しており、縦型ドリフト領域によってボディ領域から隔てられている。第１導電型半導体領域と縦型ドリフト領域が直接的に接触しているので、第１導電型半導体領域から伸びる空乏層によって縦型ドリフト領域の表面部が良好に空乏化され、絶縁ゲート部のゲート絶縁膜に加わる電界が良好に緩和される。
上記半導体装置は、半導体層の前記主面を被覆するとともにソース領域に電気的に接続するソース電極をさらに備えていてもよい。さらに、第１導電型半導体領域が、ソース電極に電気的に接続してもよい。この場合、半導体装置がターンオンしたときに、第１導電型半導体領域から縦型ドリフト領域内に伸びていた空乏層が速やかに消失するので、半導体装置のターンオン損失の増加が抑えられる。
上記半導体装置では、第１導電型半導体領域が、絶縁ゲート部のゲート電極に電気的に接続してもよい。この場合、半導体装置がオンのときに、第１導電型半導体領域から縦型ドリフト領域にキャリアが注入され、ドリフト領域に伝導度変調が起きる。この半導体装置は、低いオン抵抗を有することができる。
上記半導体装置では、半導体層が、炭化珪素又は窒化物半導体であってもよい。半導体装置は、絶縁ゲート部のゲート絶縁膜に加わる電界を緩和することができるので、炭化珪素又は窒化物半導体が有する高絶縁破壊電界という特性を十分に発揮して動作することができる。
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
１：半導体装置
１０：半導体基板
２０：半導体層
２１：ドリフト領域
２１ａ：横型ドリフト領域
２１ｂ：縦型ドリフト領域
２３：ボディ領域
２４：コンタクト領域
２５：ソース領域
３２：ドレイン電極
３４：ソース電極
３６：絶縁ゲート部
３６ａ：ゲート絶縁膜
３６ｂ：ゲート電極
４２：Ｐ型半導体領域
５２：層間絶縁膜

Claims (5)

  1. 半導体層と、
    前記半導体層の一方の主面上の一部に設けられている絶縁ゲート部と、
    前記半導体層の前記主面上の他の一部に設けられている第１導電型半導体領域と、を備えており、
    前記半導体層は、
    前記主面に露出する第２導電型の縦型ドリフト領域と、
    前記縦型ドリフト領域に隣接しており、前記主面に露出する第１導電型のボディ領域と、
    前記ボディ領域によって前記縦型ドリフト領域から隔てられており、前記主面に露出する第２導電型のソース領域と、を有しており、
    前記絶縁ゲート部は、前記縦型ドリフト領域と前記ソース領域を隔てている前記ボディ領域に対向しており、
    前記第１導電型半導体領域は、前記縦型ドリフト領域が前記半導体層の前記主面に露出する範囲の少なくとも一部に対向する、半導体装置。
  2. 前記第１導電型半導体領域は、前記縦型ドリフト領域が前記半導体層の前記主面に露出する範囲の一部に接触しており、前記縦型ドリフト領域によって前記ボディ領域から隔てられている、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記半導体層の前記主面を被覆するとともに前記ソース領域に電気的に接続するソース電極をさらに備えており、
    前記第１導電型半導体領域が、前記ソース電極に電気的に接続する、請求項１又は２に記載の半導体装置。
  4. 前記第１導電型半導体領域が、前記絶縁ゲート部のゲート電極に電気的に接続する、請求項１又は２に記載の半導体装置。
  5. 前記半導体層が、炭化珪素又は窒化物半導体である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
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