JP5914097B2 - 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
12:半導体基板
20:基板層
22:バッファ層
24:GaN層
26:AlGaN層
28:i型GaN層
30:n型GaN層
32:i型GaN層
34:パシベーション膜
40:ヘテロ接合
40a:スイッチング領域
50:トレンチ
52:ソース電極
60:リセス
62:ゲート絶縁膜
64:ゲート電極
70:トレンチ
72:ドレイン電極
80:チャネル領域
82:チャネル領域
Claims (5)
- 半導体装置であって、
GaNによって構成されている第1半導体層と、
Al x Ga 1−x N(ただし、0<x≦1)によって構成されており、前記第1半導体層上に形成されており、前記第1半導体層に対してヘテロ接合を形成している第2半導体層と、
GaNによって構成されており、前記第2半導体層上に形成されているn型またはi型の第3半導体層と、
GaNによって構成されており、前記第3半導体層上に形成されており、n型であり、前記第3半導体層よりもn型不純物濃度が高い第4半導体層と、
前記第4半導体層を貫通するリセス内に形成されており、前記ヘテロ接合に対向しているゲート部、
を有しており、
前記リセスの下端が、前記第3半導体層内に存在していることを特徴とする半導体装置。 - 前記第3半導体層の厚みが、前記第2半導体層の厚みよりも厚いことを特徴とする請求項1の半導体装置。
- 前記第4半導体層上に形成されており、n型またはi型であり、前記第4半導体層よりもn型不純物濃度が低い第5半導体層と、
前記第5半導体層上に形成されている絶縁層、
をさらに有する請求項1または2の半導体装置。 - 前記第5半導体層が、GaNである請求項3の半導体装置。
- 半導体装置の製造方法であって、
GaNによって構成されている第1半導体層上に、Al x Ga 1−x N(ただし、0<x≦1)によって構成されているとともに前記第1半導体層に対してヘテロ接合を形成する第2半導体層を形成する工程と、
前記第2半導体層上に、GaNによって構成されているn型またはi型の第3半導体層を形成する工程と、
前記第3半導体層上に、GaNによって構成されており、n型であり、前記第3半導体層よりもn型不純物濃度が高い第4半導体層を形成する工程と、
前記第4半導体層を貫通するとともに下端が前記第3半導体層内に存在しているリセスを形成する工程と、
前記リセス内にゲート部を形成する工程、
を有する製造方法。
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