JP2013207166A - 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 第1半導体層24と、第1半導体層24上に形成されており、第1半導体層24に対してヘテロ接合を形成している第2半導体層26と、第2半導体層26上に形成されているn型またはi型の第3半導体層28と、第3半導体層28上に形成されており、n型であり、第3半導体層28よりもn型不純物濃度が高い第4半導体層30と、第4半導体層30を貫通して第3半導体層28に達するリセス60内に形成されており、ゲート絶縁膜62によって第3半導体層28、及び、第4半導体層30から絶縁されているゲート電極64を有する半導体装置。
【選択図】 図1
Description
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
12:半導体基板
20:基板層
22:バッファ層
24:GaN層
26:AlGaN層
28:i型GaN層
30:n型GaN層
32:i型GaN層
34:パシベーション膜
40:ヘテロ接合
40a:スイッチング領域
50:トレンチ
52:ソース電極
60:リセス
62:ゲート絶縁膜
64:ゲート電極
70:トレンチ
72:ドレイン電極
80:チャネル領域
82:チャネル領域
Claims (6)
- 半導体装置であって、
第1半導体層と、
第1半導体層上に形成されており、第1半導体層に対してヘテロ接合を形成している第2半導体層と、
第2半導体層上に形成されているn型またはi型の第3半導体層と、
第3半導体層上に形成されており、n型であり、第3半導体層よりもn型不純物濃度が高い第4半導体層と、
第4半導体層を貫通するリセス内に形成されており、前記ヘテロ接合に対向しているゲート部、
を有する半導体装置。 - リセスの下端が、第3半導体層内に存在していることを特徴とする請求項1の半導体装置。
- 第3半導体層の厚みが、第2半導体層の厚みよりも厚いことを特徴とする請求項1または2の半導体装置。
- 第4半導体層上に形成されており、n型またはi型であり、第4半導体層よりもn型不純物濃度が低い第5半導体層と、
第5半導体層上に形成されている絶縁層、
をさらに有する請求項1〜3のいずれか一項の半導体装置。 - 第1半導体層がGaNであり、
第2半導体層がAlxGa1−xN(ただし、0<x≦1)であり、
第3半導体層、第4半導体層、及び、第5半導体層が、GaNである、
請求項1〜4のいずれか一項の半導体装置。 - 半導体装置の製造方法であって、
第1半導体層上に、第1半導体層に対してヘテロ接合を形成する第2半導体層を形成する工程と、
第2半導体層上に、n型またはi型の第3半導体層を形成する工程と、
第3半導体層上に、n型であり、第3半導体層よりもn型不純物濃度が高い第4半導体層を形成する工程と、
第4半導体層を貫通するリセスを形成する工程と、
リセス内にゲート部を形成する工程、
を有する製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US9837488B2 (en) | 2014-03-14 | 2017-12-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2002359256A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Fujitsu Ltd | 電界効果型化合物半導体装置 |
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JP2010251391A (ja) * | 2009-04-13 | 2010-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
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2012
- 2012-03-29 JP JP2012076208A patent/JP5914097B2/ja active Active
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