JP2018049855A5 - - Google Patents
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Claims (9)
- 半導体基板に配置された受光素子、電荷保持領域、及び、浮遊拡散領域と、
前記半導体基板における前記受光素子と前記電荷保持領域との間の領域上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極を有する第1の転送ゲートと、
前記半導体基板における前記電荷保持領域と前記浮遊拡散領域との間の領域上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極を有する第2の転送ゲートと、
を備え、前記第1の転送ゲートによって前記受光素子から前記電荷保持領域に転送された信号電荷が前記第1の転送ゲート側よりも前記第2の転送ゲート側に多く分布するポテンシャルの勾配を前記電荷保持領域に与えるように構成されている固体撮像装置。 - 半導体基板に配置された受光素子、電荷保持領域、及び、浮遊拡散領域と、
前記半導体基板における前記受光素子と前記電荷保持領域との間の領域上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極を有する第1の転送ゲートと、
前記半導体基板における前記電荷保持領域と前記浮遊拡散領域との間の領域上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極を有する第2の転送ゲートと、
を備え、
前記電荷保持領域が、前記第1の転送ゲートの端部に沿って第1の幅を有すると共に、前記第2の転送ゲートの端部に沿って前記第1の幅よりも大きい第2の幅を有する固体撮像装置。 - 前記電荷保持領域が、前記第1の幅から前記第2の幅に向けて単調増加する幅を有する、請求項2記載の固体撮像装置。
- 半導体基板に配置された受光素子、電荷保持領域、及び、浮遊拡散領域と、
前記半導体基板における前記受光素子と前記電荷保持領域との間の領域上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極を有する第1の転送ゲートと、
前記半導体基板における前記電荷保持領域と前記浮遊拡散領域との間の領域上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極を有する第2の転送ゲートと、
を備え、
前記浮遊拡散領域が、前記第2の転送ゲートの端部に沿って第1の幅を有すると共に、前記第2の転送ゲートの反対側において前記第1の幅よりも小さい第2の幅を有する固体撮像装置。 - 前記電荷保持領域の主面の一部に配置されたピニング層をさらに備え、前記ピニング層が、前記第1の転送ゲートの端部からの距離が所定の値以下である領域に配置されている、請求項1〜4のいずれか1項記載の固体撮像装置。
- 前記ピニング層が、前記電荷保持領域の幅方向の中心よりも両端部において前記第2の転送ゲートに向けて突出する形状を有する、請求項5記載の固体撮像装置。
- 前記半導体基板上に層間絶縁膜を介して配置され、前記第1の転送ゲートの前記ゲート電極に電気的に接続された金属膜をさらに備え、前記金属膜が、平面視で前記第1の転送ゲートの端部から前記第2の転送ゲートに向けて所定の距離まで突出している、請求項1〜6のいずれか1項記載の固体撮像装置。
- 前記金属膜が、平面視で前記電荷保持領域の幅方向の中心よりも両端部において前記第2の転送ゲートに向けて突出する形状を有する、請求項7記載の固体撮像装置。
- 請求項1〜8のいずれか1項記載の固体撮像装置を備える電子機器。
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