JP2017537350A5 - - Google Patents
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- 画素のアレイを含むディスプレイであって、各画素が、共通の基板(11)に搭載された少なくとも第1の駆動トランジスタ(100)と少なくとも第2の発光トランジスタ(200)とを含み、前記第1の駆動トランジスタが、:
−物理的に分離されているが、半導体層(13)によって互いに電気的に接続されている第1のソース電極及び第1のドレイン電極(12,12’)と、
−第1の誘電体層(14)と、
−少なくとも1つの第1のゲート電極(15)と、を含み、
前記第2の発光トランジスタが、
−第2のゲート電極(17)と、
−第2の誘電体層(18)と、
−発光チャンネル層(19)と、
−長さLsを有する第2のソース電極、及び長さLdを有する第2のドレイン電極(20,20’)と、を含み、
前記第2のゲート電極(17)が、前記第1のソース電極及び/又は前記第1のドレイン電極(12、12’)と電気的に接触しており、
前記第2のソース電極及び前記第2のドレイン電極(20、20’)の内の少なくとも1つが、前記第2のゲート(17)と少なくとも5μm垂直に重なり合っており、このような垂直の重なりはそれぞれL及びL’で表され、前記第2のソース電極及び第2のドレイン電極が、水平に少なくとも2μm分離されていることを特徴とする、ディスプレイ。 - 前記垂直の重なり(L)及び/又はL’が5μmと150μmとの間である、請求項1に記載のディスプレイ。
- 前記第2のソース電極の外縁は、前記発光チャンネル層の一端から水平にオフセットされ、前記第2のドレイン電極の外縁は、第2のソース電極と第2のドレイン電極との間の水平の分離の20%以下で、前記発光チャンネル層の反対側の縁から水平にオフセットされる、請求項1に記載のディスプレイ。
- 前記第2のソース電極及び前記第2のドレイン電極は、2μmと50μmとの間の距離で水平に分離されている、請求項1から3の何れか一項に記載のディスプレイ。
- 前記第2のソース電極及び前記第2のドレイン電極のそれぞれは、前記第2のゲート電極と少なくとも5μm垂直に重なることを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載のディスプレイ。
- 前記第2のソース電極の全長Lsと前記第2のドレイン電極の全長Ldとが前記第2のゲート電極と垂直に重なり、前記第2のゲート電極が、Ls、Ld、及び、前記第2のソース電極と前記第2のドレイン電極との間の水平の分離の合計よりも大きい長さを有する、請求項1から5の何れか一項に記載のディスプレイ。
- 前記第2のソース電極(Ls)の長さ及び前記第2のドレイン電極(Ld)の長さが、以下の式に従って選択される、請求項1から6の何れか一項に記載のディスプレイ:
1≦最大値(Ld、Ls)/最小値(Ld、Ls)≦25、
好ましくは、
1≦最大値(Ld、Ls)/最小値(Ld、Ls)≦10。 - 前記発光チャンネル層が、単一の有機半導体層によって形成される、請求項1から7の何れか一項に記載のディスプレイ。
- 前記発光チャンネル層が、少なくとも2つの異なる有機半導体層、好ましくは3つの異なる有機半導体層を含む、請求項1から8の何れか一項に記載のディスプレイ。
- 前記第2の発光トランジスタが、ソース電極とドレイン電極とが水平に交互になるように配置された第3のソース電極又はドレイン電極を含む、請求項1から9の何れか一項に記載のディスプレイ。
- 前記発光チャンネル層の上方又は下方に反射層を含む、請求項1から10の何れか一項に記載のディスプレイ。
- 前記第2のソース電極及び前記第2のドレイン電極が、前記第2のソース電極及び前記第2のドレイン電極の他方に含まれない少なくとも1つの異なる材料を含む、請求項1から11の何れか一項に記載のディスプレイ。
- 前記少なくとも1つの異なる材料が、介在層堆積物又は介在層成分の形態であり、前記介在層が、前記第2のソース電極及び第2のドレイン電極のうちの少なくとも1つと前記発光チャンネル層との間に配置される、請求項12に記載のディスプレイ。
- 前記第1の駆動トランジスタの前記第1のソース電極及び前記第1のドレイン電極の内の少なくとも1つが、前記第2のソース電極及び第2のドレイン電極のうちの少なくとも1つの少なくとも部分的に下である、請求項1に記載のディスプレイ。
- 前記第1の駆動トランジスタの前記第1のソース電極及び前記第1のドレイン電極の内の一方が、前記第2の発光トランジスタの前記第2のゲート電極としても機能するように適合される、請求項1に記載のディスプレイ。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462079709P | 2014-11-14 | 2014-11-14 | |
EP14425146.9 | 2014-11-14 | ||
EP14425146.9A EP3021373A1 (en) | 2014-11-14 | 2014-11-14 | Display containing improved pixel architectures |
US62/079,709 | 2014-11-14 | ||
PCT/US2015/060542 WO2016044860A1 (en) | 2014-11-14 | 2015-11-13 | Display containing improved pixel architectures |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017537350A JP2017537350A (ja) | 2017-12-14 |
JP2017537350A5 true JP2017537350A5 (ja) | 2018-12-06 |
JP6793642B2 JP6793642B2 (ja) | 2020-12-02 |
Family
ID=52292738
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017525962A Active JP6793642B2 (ja) | 2014-11-14 | 2015-11-13 | 改善された画素アーキテクチャを含むディスプレイ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10615233B2 (ja) |
EP (2) | EP3021373A1 (ja) |
JP (1) | JP6793642B2 (ja) |
KR (1) | KR102422083B1 (ja) |
CN (1) | CN107112347B (ja) |
TW (1) | TWI716368B (ja) |
WO (1) | WO2016044860A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6844845B2 (ja) | 2017-05-31 | 2021-03-17 | 三国電子有限会社 | 表示装置 |
CN108493229A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
JP7190729B2 (ja) * | 2018-08-31 | 2022-12-16 | 三国電子有限会社 | キャリア注入量制御電極を有する有機エレクトロルミネセンス素子 |
JP7246681B2 (ja) | 2018-09-26 | 2023-03-28 | 三国電子有限会社 | トランジスタ及びトランジスタの製造方法、並びにトランジスタを含む表示装置 |
EP3664171B1 (en) | 2018-12-06 | 2021-05-12 | Flexterra, Inc. | A thin-film transistor comprising organic semiconductor materials |
US11996042B2 (en) * | 2019-04-26 | 2024-05-28 | Mattrix Technologies, Inc. | Method of compensating brightness of display and display |
CN110148616B (zh) * | 2019-05-22 | 2021-04-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置、制作显示基板的设备 |
KR20210065586A (ko) * | 2019-11-27 | 2021-06-04 | 삼성전자주식회사 | 표시 패널 및 표시 장치 |
CN111081740A (zh) * | 2019-12-06 | 2020-04-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板 |
JP7444436B2 (ja) | 2020-02-05 | 2024-03-06 | 三国電子有限会社 | 液晶表示装置 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1609195B9 (en) | 2003-03-28 | 2011-08-31 | Michele Muccini | Organic electroluminescence devices |
JP4530334B2 (ja) * | 2004-01-21 | 2010-08-25 | 国立大学法人京都大学 | 有機半導体装置、ならびにそれを用いた表示装置および撮像装置 |
JP4972730B2 (ja) * | 2004-08-30 | 2012-07-11 | 国立大学法人京都大学 | 有機半導体発光装置およびそれを用いた表示装置 |
CN100487930C (zh) * | 2004-08-30 | 2009-05-13 | 国立大学法人京都大学 | 有机半导体发光装置及使用它的显示装置 |
US7598518B2 (en) * | 2005-03-07 | 2009-10-06 | Ricoh Company, Ltd. | Organic transistor with light emission, organic transistor unit and display device incorporating the organic transistor |
JP2006252774A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-21 | Ricoh Co Ltd | 有機トランジスタ、及びディスプレイ装置 |
KR100683791B1 (ko) * | 2005-07-30 | 2007-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 구비한 평판 디스플레이장치 |
WO2007043696A1 (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-19 | Pioneer Corporation | 薄膜半導体素子および表示装置 |
US7521710B2 (en) | 2006-02-16 | 2009-04-21 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic thin film transistor |
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EP1950804A2 (en) * | 2007-01-26 | 2008-07-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of the same |
KR20160124918A (ko) | 2008-03-06 | 2016-10-28 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 유기 반도체 조성물 |
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KR20110090955A (ko) | 2008-10-29 | 2011-08-10 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 발광을 위한 듀얼 게이트 전계-효과 트랜지스터 및 발광을 위한 듀얼 게이트 전계-효과 트랜지스터를 생성하는 방법 |
JP2010275239A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 新規な縮合芳香環化合物及びそれを用いた有機薄膜トランジスタ |
KR101156435B1 (ko) * | 2010-01-08 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP2011176152A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 薄膜回路構造及びその製造方法並びに有機el装置 |
JP6309269B2 (ja) | 2010-05-27 | 2018-04-11 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung | 有機電子装置を調製するための配合物および方法 |
US8664648B2 (en) | 2010-07-22 | 2014-03-04 | National Tsing Hua University | N-type organic thin film transistor, ambipolar field-effect transistor, and method of fabricating the same |
JP6272030B2 (ja) | 2010-12-07 | 2018-01-31 | ユニバーシティ オブ フロリダ リサーチ ファンデーション インコーポレーティッド | アクティブマトリクス式希薄ソース使用可能縦型有機発光トランジスタ |
JP5790095B2 (ja) * | 2011-04-01 | 2015-10-07 | ソニー株式会社 | 薄膜素子及びその製造方法、並びに、画像表示装置の製造方法 |
WO2012165612A1 (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-06 | 国立大学法人九州大学 | 有機半導体材料及び有機エレクトロニクスデバイス |
ITMI20111447A1 (it) | 2011-07-29 | 2013-01-30 | E T C Srl | Transistor organico elettroluminescente |
ITMI20111445A1 (it) | 2011-07-29 | 2013-01-30 | E T C Srl | Transistor organico elettroluminescente a doppio gate |
ITMI20111446A1 (it) | 2011-07-29 | 2013-01-30 | E T C Srl | Transistor organico elettroluminescente |
JP2013168307A (ja) * | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Kyoto Institute Of Technology | 第2ゲート電極を有する有機発光トランジスタ |
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KR101994332B1 (ko) | 2012-10-30 | 2019-07-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치 |
CN103219463B (zh) * | 2013-04-08 | 2015-09-02 | 上海和辉光电有限公司 | 有机电子发光器件及其制造方法 |
EP2797133B1 (en) * | 2013-04-23 | 2017-01-11 | Novaled GmbH | A method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor |
CN103500752A (zh) * | 2013-09-27 | 2014-01-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled像素结构和oled显示装置 |
-
2014
- 2014-11-14 EP EP14425146.9A patent/EP3021373A1/en not_active Withdrawn
-
2015
- 2015-11-13 JP JP2017525962A patent/JP6793642B2/ja active Active
- 2015-11-13 CN CN201580061509.XA patent/CN107112347B/zh active Active
- 2015-11-13 TW TW104137548A patent/TWI716368B/zh active
- 2015-11-13 EP EP15820341.4A patent/EP3218945B1/en active Active
- 2015-11-13 KR KR1020177012613A patent/KR102422083B1/ko active IP Right Grant
- 2015-11-13 WO PCT/US2015/060542 patent/WO2016044860A1/en active Application Filing
-
2017
- 2017-05-12 US US15/594,550 patent/US10615233B2/en active Active
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