JP2017510708A - 大型基板の横型湿式化学処理用装置の処理モジュール - Google Patents

大型基板の横型湿式化学処理用装置の処理モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP2017510708A
JP2017510708A JP2016554872A JP2016554872A JP2017510708A JP 2017510708 A JP2017510708 A JP 2017510708A JP 2016554872 A JP2016554872 A JP 2016554872A JP 2016554872 A JP2016554872 A JP 2016554872A JP 2017510708 A JP2017510708 A JP 2017510708A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing module
liquid
processing
transport
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016554872A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6195998B2 (ja
Inventor
ハーン ローラント
ハーン ローラント
トーマス クリスティアン
トーマス クリスティアン
ネスナー マーティン
ネスナー マーティン
オット トーマス
オット トーマス
ローレンツ オーラフ
ローレンツ オーラフ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Atotech Deutschland GmbH and Co KG
Original Assignee
Atotech Deutschland GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Atotech Deutschland GmbH and Co KG filed Critical Atotech Deutschland GmbH and Co KG
Publication of JP2017510708A publication Critical patent/JP2017510708A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6195998B2 publication Critical patent/JP6195998B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65GTRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/06Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
    • B65G49/063Transporting devices for sheet glass
    • B65G49/064Transporting devices for sheet glass in a horizontal position
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/001General methods for coating; Devices therefor
    • C03C17/002General methods for coating; Devices therefor for flat glass, e.g. float glass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1619Apparatus for electroless plating
    • C23C18/1632Features specific for the apparatus, e.g. layout of cells and of its equipment, multiple cells
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/38Coating with copper
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706Mechanical details, e.g. roller, belt
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67709Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations using magnetic elements
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65GTRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G2201/00Indexing codes relating to handling devices, e.g. conveyors, characterised by the type of product or load being conveyed or handled
    • B65G2201/02Articles
    • B65G2201/0214Articles of special size, shape or weigh
    • B65G2201/022Flat
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1603Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/1608Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from pretreatment step, i.e. selective pre-treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601Process or apparatus
    • C23C18/1633Process of electroless plating
    • C23C18/1646Characteristics of the product obtained
    • C23C18/165Multilayered product
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1851Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
    • C23C18/1872Pretreatment of the material to be coated of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material by chemical pretreatment
    • C23C18/1886Multistep pretreatment
    • C23C18/1889Multistep pretreatment with use of metal first

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本発明は、大型基板、特にガラス基板の横型湿式化学処理用装置の処理モジュールであって、ハウジングカバーを有するハウジングと、大型基板の水平方向の処理のための複数の搬送エレメントを有する搬送装置であって、処理モジュールは、処理モジュールの入口において大型基板の搬送面の上方に配置された少なくとも1つの第1の液体ノズルおよび少なくとも1つのガスノズルと、処理モジュールの内部に処理液を蓄積するために処理モジュールの出口において大型基板の搬送面の上方に配置された少なくとも1つの別の第1の液体ノズルおよび少なくとも1つの別のガスノズルと、をさらに有し、各ガスノズルは、それぞれの第1の液体ノズルよりも外側に配置されている、搬送装置と、大型基板の搬送面の下方において各第1の液体ノズルの下方に配置された少なくとも1つの液体堰と、を備え、処理モジュールの搬送装置および液体堰を調節する少なくとも1つの調節装置をさらに備える、処理モジュールに関する。本発明は、さらに、特にこのような処理モジュールを備える横型装置において大型基板を処理する方法に関する。

Description

本発明は、大型基板、特にガラス基板の横型湿式化学処理用装置の処理モジュールであって、ハウジングカバーを有するハウジングと、大型基板の水平方向の処理のための複数の搬送エレメントを有する搬送装置であって、処理モジュールは、処理モジュールの入口において大型基板の搬送面の上方に配置された少なくとも1つの第1の液体ノズルおよび少なくとも1つのガスノズルと、処理モジュールの内部に処理液を蓄積するために処理モジュールの出口において大型基板の搬送面の上方に配置された少なくとも1つの別の第1の液体ノズルおよび少なくとも1つの別のガスノズルと、をさらに有し、各ガスノズルは、それぞれの第1の液体ノズルよりも外側に配置されている、搬送装置と、大型基板の搬送面の下方において各第1の液体ノズルの下方に配置された少なくとも1つの液体堰と、を備える処理モジュールに関する。
本発明は、さらに、本発明のこのような処理モジュールを含む複数のモジュールを備える横型装置における大型基板の処理方法に関する。
電子産業における基板の水平方向処理用のデバイスおよび装置は、数十年来良く知られている。元来、比較的厚いプリント回路基板は、これらのプリント回路基板を様々な処理液によって処理するために、このような横型装置を通って搬送される。このような処理は、産業用のプリント回路基板を製造するためのあらゆる必要な工程段階を含み得る。必要な工程段階には、エッチング、リンス、銅シード層の析出などの様々な前処理工程段階と、その後の、無電解またはガルバニック工程段階によって、前処理された基板の表面に金属、一般的には銅、ニッケルまたは錫を析出させる少なくとも1つの主工程段階と、リンス、乾燥などの最後の様々な後処理工程と、が含まれる。
しかしながら、電子産業は、今では、従来のプリント回路基板よりも大幅に大きいのみならず、極めて多くの場合に、プリント回路基板用の一般的に使用されるポリマ材料の代わりに脆いガラス材料から成る、大型基板を加工するのに適したデバイスおよび装置を必要としている。大型テレビの製造などの電子産業用の、フラットパネルディスプレイなどの大型ガラス基板を搬送および加工するのに適した装置を必要とすることが市場のトレンドである。
これらの大型基板のための増大する挑戦は、不均一性を生じることなくこのような大型基板の表面に均一な処理、特に均一な金属析出を提供および保証することでもある。
東京エレクトロン株式会社の特開2010−199150号は、基板搬送路と、第1の処理液供給手段と、気体供給手段と、第1のリンス手段と、基板搬送路を通って搬送されるそれぞれの基板を処理する第2のリンス手段と、を備える基板処理装置を開示している。
プリント回路基板産業の周知の装置をこの目的のために単純に使用することは不可能である。プリント回路基板の製造のために過去に成功して使用された上記の横型装置は、大型基板、特にフラットパネルディスプレイなどのガラス基板を処理するためのこれらの新たな要求を満たすことはできない。
したがって、従来技術を考慮して、本発明の目的は、大型基板、特にフラットパネルディスプレイなどの脆い大型ガラス基板を搬送および処理するのに適した横型装置の処理モジュールを提供することである。
さらに、本発明の目的は、不均一性を生じることなく均一な表面処理を提供および保証することができる、大型基板処理用の横型装置の処理モジュールを提供することである。
これらの課題のみならず、明示的に言及されていないが、導入部によって本明細書において説明された関連技術から即座に導出または認識することができるその他の目的もまた、請求項1の全ての特徴を有する処理モジュールによって達成される。本発明の処理モジュールに対する適切な変更は、従属請求項2〜11において保護されている。さらに、請求項12は、このような処理モジュールを使用して大型基板を処理する方法を含むのに対し、本発明の方法の適切な変更は、従属請求項13および14において保護されている。さらに、請求項15は、大型ガラス基板、特にフラットパネルディスプレイ上の金属、特に銅の析出のためのこのような処理モジュールの使用を含む。
したがって、本発明は、大型基板、特にガラス基板の横型湿式化学処理用装置の処理モジュールであって、ハウジングカバーを有するハウジングと、大型基板の水平方向の処理のための複数の搬送エレメントを有する搬送装置であって、処理モジュールは、処理モジュールの入口において大型基板の搬送面の上方に配置された少なくとも1つの第1の液体ノズルおよび少なくとも1つのガスノズルと、処理モジュールの内部に処理液を蓄積するために処理モジュールの出口において大型基板の搬送面の上方に配置された少なくとも1つの別の第1の液体ノズルおよび少なくとも1つの別のガスノズルと、をさらに有し、各ガスノズルは、それぞれの第1の液体ノズルよりも外側に配置されている、搬送装置と、大型基板の搬送面の下方において各第1の液体ノズルの下方に配置された少なくとも1つの液体堰と、を備える処理モジュールにおいて、処理モジュールの搬送装置および液体堰を調節する少なくとも1つの調節装置をさらに備えることを特徴とする、処理モジュールを提供する。
したがって、大型基板、特にフラットパネルディスプレイなどの脆い大型ガラス基板を搬送および処理するのに適した横型装置の処理モジュールを、予期し得ないかたちで提供することができる。
さらに、本発明の処理モジュールにおける調節装置の提供は、上記処理モジュールのその他の必須の構成要素と共に、不均一性を生じることなく均一な表面処理の提供および保証することができるように支援する。
本発明をより完全に理解するために、添付の図面に関連して考察された以下の発明の詳細な説明が参照される。
本発明の1つの実施の形態に係る処理モジュールの概略的な透視図である。 本発明の図1に示したものと同一の実施の形態に係る、ハウジングカバーを有さない処理モジュールの概略的な透視図である。 本発明の図1に示したものと同一の実施の形態に係る、ハウジングカバーを開放した処理モジュールの概略的な側面図を示している。 上記処理モジュールの様々な特徴の断面図である。 上記処理モジュールの様々な特徴の断面図である。 上記処理モジュールの様々な特徴の断面図である。 本発明の図1に示したものと同一の実施の形態に係る処理モジュールの下側の概略的な透視図である。
本明細書において使用される場合、本発明に係る「湿式化学」処理という用語は、基板上の金属析出を行うために電流を使用しない無電解処理のことを指す。このような湿式化学処理は、加工中は常に基板の上面よりも上にある処理液面が処理モジュールの内部に提供された状態で処理液に基板を浸漬させることによって、または基板の少なくとも1つの表面に処理液を噴霧することによって、行うことができる。
本明細書において使用される場合、本発明に係る基板の横型湿式化学処理用装置に適用されるときの「金属」という用語は、このような水平方向の析出方法に適することが知られている金属のことを指す。このような金属は、金、ニッケル、錫および銅を含み、好適には銅である。
本明細書において使用される場合、本発明に係る処理モジュールに適用されるときの「大型基板」という用語は、フラットパネルディスプレイの製造に必要とされるような大きな寸法の基板、好適には、ガラス基板用の少なくとも第8世代の寸法(220cm×250cm)までの基板のことを指す。
基板は、処理モジュールの第1の液体ノズルの間の領域によって画成される処理領域を通って搬送される。基板は、水平搬送平面に沿って搬送方向に搬送される。基板は、処理領域に蓄積された処理液を通って搬送される。
処理液の流れは、処理領域に向かう方向で処理液の流れを排出する、処理モジュールの入口および出口における第1の液体ノズルによって発生する。
ガスの流れは、ガスノズルによって発生する。ガスノズルは、間隙によって搬送方向に沿って液体ノズルから離間させられている。ガスノズルによって排出されたガスの少なくとも一部は、間隙を通って逃げ出す。
第1の液体ノズルとガスノズルとの組み合わせは、基板から処理液を除去または回収するように機能する。材料の高感度の表面に当接するスクイーズローラが使用される必要はない。第1の液体ノズルによって排出された処理液の流れは、第1の液体ノズルと搬送平面との間の間隙を通る処理液の流出を減じるように機能する。第1の液体ノズルによって排出された処理液の流れは、基板の表面における処理液の交換も増進する。
ガスノズルとそれぞれの第1の液体ノズルとの間の間隙により、ガス流が処理領域の外側の基板から処理液を除去することができる一方、ガスが処理領域に入ることなくそこを通って逃げることができるスペースを提供する。
処理液という用語は、湿式化学処理用のこのような処理モジュールにおいて基板が曝されるあらゆる加工化学液体のことを指す。
基板の上面は、高感度な表面であってもよい。したがって、基板の上面の少なくとも大部分は、基板が処理領域に入るときまたは処理領域から出るときに、剛性のエレメントと接触させられるべきではない。
1つの実施の形態では、処理モジュールは、搬送装置の各搬送エレメントのそれぞれの外側端部を収容するための複数の軸受、好適には玉軸受を有する、2つの軸受リテーナ条片、好適には玉軸受条片をさらに備える。
1つの実施の形態では、処理モジュールは、第1の液体ノズルの間で大型基板の搬送面の上方に配置された少なくとも1つの第2の液体ノズルをさらに備える。
本発明の処理モジュールにおけるこのような大型基板の処理は、処理モジュールの内部に十分に高い処理液面を保証する十分な処理液を提供するために、このような付加的な第2の液体ノズルを必要とする可能性がある。大型基板の寸法が大きくなりすぎると、処理モジュールの入口および出口における第1の液体ノズルのみではもはや、基板の搬送面よりも上方に処理液面を確立するために十分な処理液を提供することができなくなるという事態が生じ得る。加工される基板の上面が処理液面よりも常に下方にあることも保証されなければならない。
1つの実施の形態では、それぞれの第1の液体ノズルの下方において搬送システムの2つの隣接する搬送エレメントの間に、液体堰が配置されている。
液体堰は、処理モジュールの入口および出口を通って基板が搬送されるための、所定の間隙のみが残ることを保証する。それと同時に、第1の液体ノズルに関連した処理モジュールの内部の処理領域からの処理液の損失を最小化する。
1つの実施の形態では、処理モジュールは、大型基板の搬送面よりも下方に配置された、ガス、好適には圧縮空気供給エレメントを備える。ガス供給エレメントは、処理モジュールの各ガスノズルの下方に配置されている。
このようなガス供給エレメントは、処理モジュールの入口および出口を通って基板が搬送されるための、所定の間隙のみが残ることを保証する。それと同時に、ガスノズルに関連した処理モジュールの内部の処理領域からの処理液の損失を最小化する。
1つの実施の形態では、処理モジュールは、搬送装置の搬送エレメントのそれぞれの外側端部を収容するための複数の軸受、好適には玉軸受を有する、少なくとも1つの第3の軸受リテーナ条片、好適には玉軸受条片をさらに備える。少なくとも1つの第3の軸受リテーナ条片は、2つの軸受リテーナ条片の間に平行に配置される。
大型基板の寸法が、ロータまたはホイール軸などの一般的に使用される搬送エレメントにとって大きすぎると、このような付加的な軸受リテーナ条片が必要になる。このような搬送エレメントは、搬送エレメントの製造中の構造的な問題によって生じる軸方向の必要な精度を欠いている。ローラは、通常、鋼コアなどの金属コアから成り、ポリマ材料から形成された外側ハウジング内に機械的に差し込まれる。しかしながら、このような差し込みプロセスは、極めて高い機械的な力を発生し、この力は、このような搬送エレメントを依然として必要な精度で製造することができる軸方向長さの技術的限界の原因となる。このため、上述の理由により1つの搬送エレメントの必要な軸方向長さが得られない場合は、少なくとも2つの搬送エレメントを相前後して取り付けるという可能性がある。これは、これらの2つの搬送エレメントの間の軸方向接続箇所に1つの付加的な軸受リテーナ条片を必要とする。
1つの実施の形態では、調節装置は、少なくとも1つの第1の調節エレメントと、少なくとも1つの第2の調節エレメントとを備え、第1の調節エレメントは、複数の第2の調節エレメントによってそれぞれの液体堰または軸受リテーナ条片に接続されており、液体堰と軸受リテーナ条片との水平方向の整列を調節することができるようになっている。
これは、大型基板のこのような加工にとって極めて有利である。なぜならば、多くの場合、このような基板にとって十分な精度で処理モジュールの下側部分に搬送エレメントおよび液体堰などのモジュールエレメントを製造することは、困難であるからである。加えて、上記モジュールエレメントを水平方向で適切に整列させるために、常に調節が必要になる可能性がある。このような選択的な調節は、複数の第2の調節エレメントによって提供され、これは、処理モジュールの搬送領域に対して垂直な、液体堰および軸受リテーナ条片の選択的な鉛直方向の移動(上方または下方、さらには増分的な範囲)を可能にする。
1つの実施の形態では、調節装置は、実質的に処理液を有さない別の領域において、処理モジュールのハウジングの底部の下方に配置されている。
あらゆる種類の調節装置が多くの場合、十分な機械的安定性を提供するために金属から形成されなければならないので、これは有利である。調節装置が金属から形成されており、湿式化学的銅析出などの処理液が上記調節装置と接触することができると、これらの金属部分の表面に意図せずに銅がめっきされてしまう。
1つの実施の形態では、第1の調節エレメントはバーまたは条片であり、これらは共同で処理モジュール用の下部構造としてのラケットを形成している。第2の調節エレメントは、ボルト、ピンまたはねじである。両調節エレメントは、好適には金属から形成される。
1つの実施の形態では、処理モジュールは、処理モジュールの分離された処理液循環システムの一部である少なくとも1つの処理液出口エレメントをさらに備える。
1つの実施の形態では、ハウジングカバーは、中央領域と、2つの側部領域とを有する。中央領域は、搬送領域に対して平行に整列させられており、少なくとも1つの排出開口を有する。両側部領域は、ハウジングカバーの中央領域からハウジングへ一定して下方へ延びている。
処理モジュールの内側に基板の処理のために室温よりも高い所定の温度が設定されており、これが処理液の成分の蒸発プロセスにつながる場合に、これは有利である。蒸発した揮発性成分は、ガス排出開口によって処理モジュールから排出することができる。加えて、側壁の配列は、蒸発した処理液成分から形成された凝縮物が自動的に処理液へ流れ戻ることをサポートする。
さらに、本発明の課題は、以下の方法ステップによって特徴付けられる、複数のモジュールを有する横型装置おいて大型基板を処理する方法によって解決される。
i)少なくとも1つの前処理モジュールと、少なくとも1つの本発明に係る処理モジュールと、少なくとも1つの後処理モジュールと、を備える横型装置を提供するステップ
ii)本発明の処理モジュールの搬送エレメントおよび液体堰を、搬送エレメントと液体堰との正確な水平方向の整列を保証するために、調節装置によって調節するステップ
iii)大型基板、好適にはガラス基板を提供するステップ
iv)前処理、処理および後処理を行うために大型基板を横型装置のモジュールを通して搬送するステップ。
方法の好適な実施の形態では、本発明の処理モジュールにおける方法ステップiv)の間の大型基板の処理は、金属、好適には銅を大型基板の表面に析出させる無電解湿式化学処理である。
このような湿式化学処理は、厚さが制限された銅層を提供することができるに過ぎない既知のスパッタリング技術と比較して、有利であることが分かっている。スパッタリングは最終的に1μm未満の銅層を生成するのに対し、湿式化学処理は、厚い銅層がスパッタリングされたときに基板の内部応力によって生じる既知の曲げ効果を生じることなく、大幅に厚い銅層を提供することができる。
このような本発明の方法の別の利点は、最初に基板の表面全体に銅層を析出させる必要なく、基板の表面に選択的な銅層を直接に形成することができる点である。基板の表面全体の銅層は、その後、選択的な銅層を形成するために様々な別の方法ステップによって処理されなければならない。基板自体の材料に依存して、基板にこのような選択的な銅層を析出させるために、選択的なパラジウム層の析出が必要となる場合がある。大型の基板がフラットパネルディスプレイ用のガラス基板である場合、パラジウム層のこのような析出の後、パラジウム層の上側に銅層を設けることが好ましい。
方法のより好適な実施の形態では、無電解湿式化学処理は、大型基板を処理液に浸漬させることによって行われる。
基板の処理液内の浸漬は、噴霧パターンを形成することによる不均一な析出を生じる、基板表面への処理液の既知の噴霧技術と比較して、均一な金属析出という利点を提供する。
加えて、本発明のこのような処理モジュールは、大型ガラス基板、特にフラットパネルディスプレイへの金属、特に銅の析出のために使用することができることが分かっている。
したがって、本発明は、大型基板、特にフラットパネルディスプレイなどの脆い大型ガラス基板を搬送および加工するのに適した横型装置用の処理モジュールを提供するという課題を解決する。
本発明の1つの実施の形態を例示し、かつ本発明の理解を促進するために、以下の限定ではない例が提供されるが、本明細書に添付された請求項によって規定される本発明の範囲を限定することを意図したものではない。
ここで図面を参照すると、図1は、本発明の1つの実施の形態に係る処理モジュール1の概略的な透視図を示している。
処理モジュール1は、ハウジングカバー4を有するハウジング2を備える。ハウジングカバー4は、中央領域3と、2つの側部領域5と、2つの側部領域5内のそれぞれ2つの窓6と、を有する。ここでは、中央領域3は、搬送領域に対して平行に整列させられており、少なくとも1つのガス排出開口7を有する。両側部領域5は、ハウジングカバー4の中央領域3からハウジング2まで一定して下方へ延びている。
処理モジュール1は、大型基板の水平方向の処理のための複数の搬送エレメント8を有する搬送装置をさらに備える。搬送エレメント8は、ローラまたはホイール軸であってよい。図示の実施の形態では、各搬送エレメント8はホイール軸である。ローラは、処理モジュール1の処理領域の内部で利用可能な体積がより少なくなることで処理化学物質の消費がより少なくなるので、有利であることがある。基板の搬送方向は、図面に概略的に示されている。
処理モジュール1は、搬送装置の各搬送エレメント8のそれぞれの外側端部を収容するための複数の玉軸受を有する、2つの玉軸受条片9をさらに備える。さらに、処理モジュール1は、搬送装置の搬送エレメント8のそれぞれの外側端部を収容する複数の玉軸受を有する第3の玉軸受条片9を備える。少なくとも1つの第3の玉軸受条片9が、2つの玉軸受条片9の間に平行に配置されている。
処理モジュール1は、処理モジュール1の内部に処理液を蓄積するために処理モジュール1の入口および出口において大型基板の搬送面の上方に配置された、第1の液体ノズル11およびガスノズル10をさらに備える。各ガスノズル10は、それぞれの第1の液体ノズル11よりも外側に配置されている。さらに、処理モジュール1は、2つの第1の液体ノズル11の間において大型基板の搬送面の上方に配置された、2つの第2の液体ノズル12を備える。
図2は、本発明の図1に示したものと同一の実施の形態に係る、ハウジングカバー4を有さない処理モジュール1の概略的な透視図を示している。図2は、基板の搬送面の上方の処理モジュール1の特徴をさらに詳しく例示するように意図されている。対応する参照符号を備える処理モジュール1のそれぞれの特徴は、図1に関して上述したものと同じであり、不要な繰り返しを回避するために再び説明しない。
図3aは、本発明の図1に示したものと同一の実施の形態に係る、ハウジングカバー4を開放した処理モジュール1の概略的な側面図を示している。
処理モジュール1のこの代替的な視点は、基板の搬送面の上方において、ガスノズル10と、第1の液体ノズル11と、2つの第2の液体ノズル12と、第1の液体のノズル11と、再びガスノズル10とが、搬送方向に連続していることを示している。
さらに、処理モジュール1は、それぞれの第1の液体ノズル11の下方において搬送システムの2つの隣接する搬送エレメント8の間に配置された、2つの液体堰13を備える。
処理モジュール1は、大型基板の搬送面の下方に配置されたガス供給エレメント22をさらに備える。ガス供給エレメントは、処理モジュール1の各ガスノズル10の下方に配置されている。
図3bは、処理モジュール1のガスノズル10を含む部分の断面図を示しており、処理モジュール1のこの部分における詳細な配列の拡大図を提供している。ガス供給エレメント22は、ガスノズル10の真下でかつ大型基板の搬送面17の下方に設けられている。ガス供給エレメント22は、2つの隣接する搬送エレメント8の間に配置されている。ガスノズル10のガス供給部14は、処理モジュール1の入口および出口における排出されるガス流の経路を明らかにするために、太く強調されている。排出されるガス流は、処理領域の内部へ方向付けられ、処理領域の内部に処理液を蓄積することをサポートする。
図3cは、処理モジュール1の第1の液体ノズル11を含む部分の断面図を示しており、処理モジュール1のこの部分における詳細な配列の拡大図を提供している。液体堰13は、第1の液体ノズル11の真下でかつ大型基板の搬送面17の下方に設けられている。液体堰13は、2つの隣接する搬送エレメント8の間に配置されている。第1の液体ノズル11の液体供給部15は、処理モジュール10の入口および出口における排出される液体流の経路を明らかにするために、太く強調されている。排出される液体流は、処理領域の内部へ方向付けられ、処理領域の内部への処理液の蓄積を支援する。
図3dは、大型基板の搬送面17の上方の第2の液体ノズル12を含む、処理モジュール1の部分の断面図を示しており、処理モジュール1のこの部分における詳細な配列の拡大図を提供している。第2の液体ノズル12の液体供給部16は、2つの第1の液体ノズル11の間の処理モジュール1の内部における排出される液体流の経路を明らかにするために、太く強調されている。大型基板の搬送面17の上方において搬送方向に対して平行に排出される、排出される液体流は、処理モジュール1の内部の十分な処理液面を保証するためのものである。
図4は、本発明の図1に示したものと同一の実施の形態に係る処理モジュール1の下側の概略的な透視図を示している。特に、処理モジュール1の調節装置の詳細がこの図4によって例示されかつ明らかにされると考えられる。
この好適な実施の形態では、調節装置は、互いに対して垂直に延びた、2つの平行な第1の調節エレメント19と、3つの第2の調節エレメント20と、を有する。第1の調節エレメント19は、処理モジュール1用の下部構造としてのラケットを共同で形成する複数のバーである。第2の調節エレメント20はボルトである。両調節エレメント19,20は金属から形成されている。
第1の調節エレメント19は、液体堰13および玉軸受条片9の水平方向の整列を調節することができるように、複数の第2の調節エレメント20によってそれぞれの液体堰13または玉軸受条片9に接続されている。この場合、調節装置は、実質的に処理液を有さない別個の領域内において、処理モジュール1のハウジング2の底部の下方に配置されている。
処理モジュール1は、処理モジュール1の別個の処理液循環システム(図示せず)の一部である複数の処理液出口エレメント18をさらに備える。処理モジュール1は、それぞれのガス供給エレメント22(図示せず)の複数の液体供給部21をさらに備える。
本明細書で説明された実施の形態は例示に過ぎず、当業者は、本発明の範囲から逸脱することなく多くの変更および修正を行い得ることを理解するであろう。上述したものを含む全てのこのような変更および修正は、添付の請求項によって規定される本発明の範囲に含まれることが意図されている。
1 処理モジュール
2 ハウジング
3 ハウジングカバーの中央領域
4 ハウジングカバー
5 ハウジングカバーの側部領域
6 ハウジングカバーの窓
7 ガス排出開口
8 搬送エレメント
9 軸受リテーナ条片
10 ガスノズル
11 第1の液体ノズル
12 第2の液体ノズル
13 液体堰
14 ガスノズルのガス供給部
15 第1の液体ノズルの液体供給部
16 第2の液体ノズルの液体供給部
17 大型基板の搬送面
18 処理液出口エレメント
19 第1の調節エレメント
20 第2の調節エレメント
21 ガス供給エレメントの液体供給部
22 ガス供給エレメント

Claims (15)

  1. 大型基板、特にガラス基板の横型湿式化学処理用装置の処理モジュール(1)であって、
    ハウジングカバー(4)を有するハウジング(2)と、
    前記大型基板の水平方向の処理のための複数の搬送エレメント(8)を有する搬送装置であって、前記処理モジュール(1)は、該処理モジュール(1)の入口において前記大型基板の搬送面(17)の上方に配置された少なくとも1つの第1の液体ノズル(11)および少なくとも1つのガスノズル(10)と、前記処理モジュール(1)の内部に処理液を蓄積するために前記処理モジュール(1)の出口において前記大型基板の搬送面(17)の上方に配置された少なくとも1つの別の第1の液体ノズル(11)および少なくとも1つの別のガスノズル(10)と、をさらに有し、各ガスノズル(10)は、それぞれの第1の液体ノズル(11)よりも外側に配置されている、搬送装置と、
    前記大型基板の前記搬送面(17)の下方において各第1の液体ノズル(11)の下方に配置された少なくとも1つの液体堰(13)と、を備える処理モジュール(1)において、
    当該処理モジュール(1)の前記搬送装置および前記液体堰(13)を調節する少なくとも1つの調節装置をさらに備えることを特徴とする、処理モジュール(1)。
  2. 前記搬送装置の各搬送エレメント(8)のそれぞれの外側端部を収容するための複数の軸受、好適には玉軸受を有する、2つの軸受リテーナ条片(9)、好適には玉軸受条片をさらに備える、請求項1記載の処理モジュール。
  3. 前記第1の液体ノズル(11)の間で前記大型基板の前記搬送面(17)の上方に配置された少なくとも1つの第2の液体ノズル(12)をさらに備える、請求項1または2記載の処理モジュール。
  4. 前記液体堰(13)は、それぞれの第1の液体ノズル(11)の下方において前記搬送システムの2つの隣接する搬送エレメント(8)の間に配置されている、請求項1から3までのいずれか1項記載の処理モジュール。
  5. 前記大型基板の前記搬送面(17)の下方に配置された、ガス、好適には圧縮空気デリバリエレメント(22)を備え、前記ガス供給エレメント(22)は、前記処理モジュールの各ガスノズル(10)の下方に配置されている、請求項1から4までのいずれか1項記載の処理モジュール。
  6. 前記搬送装置の前記搬送エレメント(8)のそれぞれの外側端部を収容するための複数の軸受、好適には玉軸受を有する、少なくとも1つの第3の軸受リテーナ条片(9)、好適には玉軸受条片をさらに備え、前記少なくとも1つの第3の軸受リテーナ条片(9)は2つの軸受リテーナ条片(9)の間に平行に配置されている、請求項1から5までのいずれか1項記載の処理モジュール。
  7. 前記調節装置は、少なくとも1つの第1の調節エレメント(19)と、少なくとも1つの第2の調節エレメント(20)とを有し、前記第1の調節エレメント(19)は、前記液体堰(13)と前記軸受リテーナ条片(9)との水平方向の整列を調節することができるように、複数の第2の調節エレメント(20)によってそれぞれの液体堰(13)または前記軸受リテーナ条片(9)に接続されている、請求項1から6までのいずれか1項記載の処理モジュール。
  8. 前記調節装置は、実質的に処理液を有さない別個の領域内において前記処理モジュール(1)の前記ハウジング(2)の底部の下方に配置されている、請求項1から7までのいずれか1項記載の処理モジュール。
  9. 前記第1の調節エレメント(19)はバーまたは条片であり、該バーまたは条片は、前記処理モジュール用の下部構造としてのラケットを共同で形成しており、前記第2の調節エレメント(20)は、ボルト、ピンまたはねじであり、両調節エレメント(19,20)は好適には金属から形成されている、請求項7記載の処理モジュール。
  10. 当該処理モジュール(1)の別個の処理液循環システムの一部である少なくとも1つの処理液出口エレメント(18)をさらに備える、請求項1から9までのいずれか1項記載の処理モジュール。
  11. 前記ハウジングカバー(4)は、中央領域(3)と、2つの側部領域(5)とを有し、前記中央領域(3)は、前記搬送領域に対して平行に整列させられておりかつ少なくとも1つのガス排出開口(7)を有し、両側部領域(5)は、前記ハウジングカバー(4)の前記中央領域(3)から前記ハウジング(2)へ一定して下方へ延びている、請求項1から10までのいずれか1項記載の処理モジュール。
  12. 複数のモジュールを有する横型装置おいて大型基板を処理する方法であって、
    i)少なくとも1つの前処理モジュールと、請求項1から11までのいずれか1項記載の少なくとも1つの処理モジュールと、少なくとも1つの後処理モジュールと、を備える横型装置を提供するステップと、
    ii)請求項1から11までのいずれか1項記載の各処理モジュール(1)の搬送エレメント(8)と液体堰(13)とを、前記搬送エレメントと前記液体堰との正確な水平方向整列を保証するために調節装置によって調節するステップと、
    iii)大型基板、好適にはガラス基板を提供するステップと、
    iv)前処理、処理および後処理を行うために前記大型基板を横型装置のモジュールを通して搬送するステップと、
    を含むことを特徴とする方法。
  13. 請求項1から11までのいずれか1項記載の処理モジュール(1)における方法ステップiv)の間の大型基板の処理は、金属、好適には銅を前記大型基板の表面に析出させる無電解湿式化学処理である、請求項12記載の方法。
  14. 前記無電解湿式化学処理は、前記大型基板を処理液に浸漬させることによって行われる、請求項13記載の方法。
  15. 大型ガラス基板、特にフラットパネルディスプレイ上の金属、特に銅の析出のための、請求項1から11までのいずれか1項記載の処理モジュールの使用。
JP2016554872A 2014-12-19 2015-10-30 大型基板の横型湿式化学処理用装置の処理モジュール Active JP6195998B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP14199222.2A EP3035375B1 (en) 2014-12-19 2014-12-19 Treating module of an apparatus for horizontal wet-chemical treatment of large-scale substrates
EP14199222.2 2014-12-19
PCT/EP2015/075285 WO2016096227A1 (en) 2014-12-19 2015-10-30 Treating module of an apparatus for horizontal wet-chemical treatment of large-scale substrates

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017510708A true JP2017510708A (ja) 2017-04-13
JP6195998B2 JP6195998B2 (ja) 2017-09-13

Family

ID=52278393

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016554872A Active JP6195998B2 (ja) 2014-12-19 2015-10-30 大型基板の横型湿式化学処理用装置の処理モジュール

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP3035375B1 (ja)
JP (1) JP6195998B2 (ja)
KR (1) KR101740208B1 (ja)
CN (1) CN106030777B (ja)
TW (1) TWI598309B (ja)
WO (1) WO2016096227A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6762184B2 (ja) * 2016-09-26 2020-09-30 株式会社Screenホールディングス 回収配管洗浄方法および基板処理装置
JP6700605B2 (ja) * 2016-11-16 2020-05-27 日本電気硝子株式会社 ガラス基板の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010199150A (ja) * 2009-02-23 2010-09-09 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2011154380A (ja) * 2003-03-20 2011-08-11 Toshiba Mobile Display Co Ltd 表示装置の形成方法
JP5133428B2 (ja) * 2009-02-02 2013-01-30 シャープ株式会社 基板処理装置
JP2014519209A (ja) * 2011-06-03 2014-08-07 ティーイーエル ネックス,インコーポレイテッド 基板枚葉式並列処理システム
JP2014528517A (ja) * 2011-10-05 2014-10-27 アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ホルムアルデヒドのない無電解銅めっき溶液

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000062951A (ja) * 1998-08-19 2000-02-29 Daiichi Shisetsu Kogyo Kk 搬送装置
JP2004073743A (ja) * 2002-08-22 2004-03-11 Shinko Seisakusho Co Ltd パチンコ玉揚上装置
JP2010103383A (ja) * 2008-10-27 2010-05-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
DE102011109568A1 (de) * 2011-08-05 2013-02-07 Rena Gmbh Abluftsystem und Verfahren dazu

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011154380A (ja) * 2003-03-20 2011-08-11 Toshiba Mobile Display Co Ltd 表示装置の形成方法
JP5133428B2 (ja) * 2009-02-02 2013-01-30 シャープ株式会社 基板処理装置
JP2010199150A (ja) * 2009-02-23 2010-09-09 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2014519209A (ja) * 2011-06-03 2014-08-07 ティーイーエル ネックス,インコーポレイテッド 基板枚葉式並列処理システム
JP2014528517A (ja) * 2011-10-05 2014-10-27 アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ホルムアルデヒドのない無電解銅めっき溶液

Also Published As

Publication number Publication date
CN106030777A (zh) 2016-10-12
JP6195998B2 (ja) 2017-09-13
EP3035375A1 (en) 2016-06-22
KR20160113303A (ko) 2016-09-28
KR101740208B1 (ko) 2017-05-25
TW201630845A (zh) 2016-09-01
CN106030777B (zh) 2019-01-01
TWI598309B (zh) 2017-09-11
WO2016096227A1 (en) 2016-06-23
EP3035375B1 (en) 2017-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20240155773A1 (en) Method for manufacturing printed circuit boards
US10781530B2 (en) Cleaning apparatus, plating apparatus using the same, and cleaning method
KR101917848B1 (ko) 석션 도금장치
KR20130082050A (ko) 내부 내수성 코팅들을 갖는 전자 장치들을 조립하는 시스템
JP6195998B2 (ja) 大型基板の横型湿式化学処理用装置の処理モジュール
TWI280990B (en) Etching device for electroplating substrate
US20130260041A1 (en) Apparatus for coating substrate and method for coating substrate
KR100919562B1 (ko) 에칭장치
JP2011032538A (ja) 無電解めっき処理方法
KR101514421B1 (ko) 기판 처리장치
TWI564440B (zh) 電鍍裝置
EP3221497B1 (en) Galvanic plating device of a horizontal galvanic plating processing line for galvanic metal deposition and use thereof
JP2005144325A (ja) 液切り装置
JP6045969B2 (ja) 表面処理装置
CN111441040B (zh) 树脂膜的湿式处理装置
EP2854490A1 (en) Method and apparatus for a wet-chemical or electrochemical treatment
JP2017092124A (ja) エッチング装置
JP2011074416A (ja) 帯状被処理物の置換めっき処理装置、及び置換めっき処理方法
KR101102518B1 (ko) 박판의 습식 에칭 장치
JP5708127B2 (ja) 金属被覆樹脂基板のめっき装置
TW201534190A (zh) 製造一線路的方法及具有電路圖案的陶瓷基板
JP2004241544A (ja) ウエット処理装置の液切りと液置換装置
JP2008098327A (ja) プリント基板の穴内処理方法
JPH09263975A (ja) エッチング加工方法およびエッチング加工装置
TW201416497A (zh) 水平連續電鍍系統

Legal Events

Date Code Title Description
A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20170125

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170403

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170621

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170814

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170816

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6195998

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250