JP2010199150A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置及び基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010199150A JP2010199150A JP2009039683A JP2009039683A JP2010199150A JP 2010199150 A JP2010199150 A JP 2010199150A JP 2009039683 A JP2009039683 A JP 2009039683A JP 2009039683 A JP2009039683 A JP 2009039683A JP 2010199150 A JP2010199150 A JP 2010199150A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- transport
- liquid
- processing liquid
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 305
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 173
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 13
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 115
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 230000008859 change Effects 0.000 description 19
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 16
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 9
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 6
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 101000574352 Mus musculus Protein phosphatase 1 regulatory subunit 17 Proteins 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 235000008429 bread Nutrition 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
- B05C11/1002—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/36—Successively applying liquids or other fluent materials, e.g. without intermediate treatment
- B05D1/38—Successively applying liquids or other fluent materials, e.g. without intermediate treatment with intermediate treatment
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Public Health (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【課題】平流しの搬送ライン上で被処理基板に供給した第１の処理液を分別回収して第２の処理液に置き換える動作を効率よくスムースに行い、現像斑の発生を抑制する。
【解決手段】被処理基板Ｇを平流し搬送する基板搬送路２と、前記基板搬送路を搬送される被処理基板に第１の処理液を供給する第１の処理液供給手段９と、前記基板搬送路を搬送され、前記第１の処理液が供給された前記被処理基板に対し、所定のガス流を鉛直方向乃至搬送方向下流側のいずれかに向けて吹き付ける気体供給手段２１と、前記気体供給手段によりガス流が吹き付けられ、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対し、所定の流速で第２の処理液を供給する第１のリンス手段２２と、前記第２の処理液が供給され、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対し、前記第１のリンス液供給手段よりも高流速で前記第２の処理液を供給する第２のリンス手段２３とを備える。
【選択図】図２
【解決手段】被処理基板Ｇを平流し搬送する基板搬送路２と、前記基板搬送路を搬送される被処理基板に第１の処理液を供給する第１の処理液供給手段９と、前記基板搬送路を搬送され、前記第１の処理液が供給された前記被処理基板に対し、所定のガス流を鉛直方向乃至搬送方向下流側のいずれかに向けて吹き付ける気体供給手段２１と、前記気体供給手段によりガス流が吹き付けられ、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対し、所定の流速で第２の処理液を供給する第１のリンス手段２２と、前記第２の処理液が供給され、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対し、前記第１のリンス液供給手段よりも高流速で前記第２の処理液を供給する第２のリンス手段２３とを備える。
【選択図】図２
Description
本発明は、被処理基板上に処理液を供給して所定の処理を行う基板処理技術に係り、特に基板を平流し方式で水平方向に搬送しながら液処理を行う基板処理装置及び基板処理方法に関する。
近年、ＬＣＤ（液晶表示ディスプレイ）製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、ＬＣＤ用基板（たとえばガラス基板）の大型化に有利に対応できる現像方式として、コロを水平方向に敷設した搬送路上で基板を搬送しながら現像、リンス、乾燥等の一連の現像処理工程を行うようにした、いわゆる平流し方式が普及している。このような平流し方式は、基板を回転運動させるスピンナ方式と較べて、大型基板の取扱いが簡単であり、ミストの発生ないし基板への再付着が少ない等の利点がある。
しかしながら、前記平流し方式による現像処理工程にあっては、基板上の現像液をリンス液（一般に純水）で置換する際、現像液を除去してからリンス液が供給されるまでの時間が長すぎると、基板表面内における外観上の相違（現像斑と呼ぶ）が発生するという課題があった。
このような課題に対し、本願出願人は、基板を平流し搬送しながら現像処理を施し、リンス処理を行うリンス部において搬送コロを山なりに傾斜配置した現像ユニットを特許文献１に開示した。
このような課題に対し、本願出願人は、基板を平流し搬送しながら現像処理を施し、リンス処理を行うリンス部において搬送コロを山なりに傾斜配置した現像ユニットを特許文献１に開示した。
図６に、特許文献１に開示された現像ユニットにおけるリンス部２００の構成を示す。尚、図６（ａ）はリンス部２００の平面図、図６（ｂ）はその側面図である。
図示するリンス部２００の構成において、複数の搬送コロ２０１が敷設された山なりの搬送路２０２が設けられている。前段処理において現像液Ｄが液盛りされた基板Ｇが平らな搬送路２０２の区間Ｍ１から次第に上り斜面となる区間Ｍ２を搬送されると、基板Ｇ上の現像液Ｄは後方（搬送方向上流）に流れ落ちる。基板Ｇが山なりの搬送路２０２を下る区間Ｍ３に入ると、上方に配置された基板幅方向に延びるリンス液供給ノズル２０３から純水等のリンス液Ｓが基板Ｇ上に供給される。これにより基板Ｇが区間Ｍ３、Ｍ４を通過する間に現像液Ｄがリンス液Ｓに置き換えられる。
図示するリンス部２００の構成において、複数の搬送コロ２０１が敷設された山なりの搬送路２０２が設けられている。前段処理において現像液Ｄが液盛りされた基板Ｇが平らな搬送路２０２の区間Ｍ１から次第に上り斜面となる区間Ｍ２を搬送されると、基板Ｇ上の現像液Ｄは後方（搬送方向上流）に流れ落ちる。基板Ｇが山なりの搬送路２０２を下る区間Ｍ３に入ると、上方に配置された基板幅方向に延びるリンス液供給ノズル２０３から純水等のリンス液Ｓが基板Ｇ上に供給される。これにより基板Ｇが区間Ｍ３、Ｍ４を通過する間に現像液Ｄがリンス液Ｓに置き換えられる。
このように特許文献１に開示されたリンス部２００によれば、搬送コロ２０１により山なりに構成された搬送路２０２を基板搬送しながら基板上の現像液Ｄを流し落として回収し、その後、基板上にリンス液Ｓを供給して現像液Ｄをリンス液Ｓに置換するようになされる。
前記リンス部２００にあっては、基板上の現像液Ｄを効率よく流し落とし、現像液Ｄの回収率を向上するために、山なりの搬送路２０２の段差（高低差）が大きくなるよう搬送コロ２０１を配置していた。
しかしながら、そのように山なりの搬送路２０２の段差を大きくすると、図６（ａ）の平面図に示すように、基板Ｇの隆起部Ｇａの少し手前（上流側）において、流れ落ちる現像液Ｄに筋状の部分Ｌが生じ、それが現像斑の原因となるという課題があった。
また、図６に示す構成のリンス部２００にあっては、リンス液Ｓが搬送路の上流側（区間Ｍ１、Ｍ２側）に流れないよう、リンスノズル２０３を基板Ｇの隆起部Ｇａから下流側にある程度離して配置する必要があった。そのため、基板上において液切れする領域の基板搬送方向の距離ｄが大きくなり、リンス液Ｓが供給されるまでの時間を要するために、それが現像斑となるという虞があった。
また、図６に示す構成のリンス部２００にあっては、リンス液Ｓが搬送路の上流側（区間Ｍ１、Ｍ２側）に流れないよう、リンスノズル２０３を基板Ｇの隆起部Ｇａから下流側にある程度離して配置する必要があった。そのため、基板上において液切れする領域の基板搬送方向の距離ｄが大きくなり、リンス液Ｓが供給されるまでの時間を要するために、それが現像斑となるという虞があった。
また、基板上の現像液Ｄをリンス液Ｓに置換する際の斑の発生を抑制する他の解決方法として、図７（ａ）の平面図及び、図７（ｂ）の側面図に示すように、リンス部２００において搬送路２０２を水平に構成し、エアナイフ２０４により基板上にカーテン状のガス流を吹き付けて現像液Ｄを除去する方法が考えられる。
しかしながら、そのような構成の場合、エアナイフ２０４から噴出されるエアは、搬送路の上流側に向ける必要があるため、現像液Ｄの液面が波打ち、その影響により基板Ｇに微小な現像斑が生じるという課題があった。
また、エアナイフ２０４から噴出されるエアによって基板上の現像液Ｄは効率的に除去されるが、図６の構成と同様に、図７（ａ）に示すように基板上において液切れする領域の基板搬送方向の距離ｄが大きくなり、リンス液Ｓが供給されるまでの時間を要するために、それが現像斑となるという課題があった。
また、エアナイフ２０４から噴出されるエアによって基板上の現像液Ｄは効率的に除去されるが、図６の構成と同様に、図７（ａ）に示すように基板上において液切れする領域の基板搬送方向の距離ｄが大きくなり、リンス液Ｓが供給されるまでの時間を要するために、それが現像斑となるという課題があった。
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、平流しの搬送ライン上で被処理基板に供給した第１の処理液を分別回収して第２の処理液に置き換える動作を効率よくスムースに行い、現像斑の発生を抑制することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
前記した課題を解決するために、本発明に係る基板処理装置は、被処理基板に第１の処理液を供給して所定の液処理を施し、前記第１の処理液を回収して第２の処理液により洗浄する基板処理装置であって、前記被処理基板を平流し搬送する基板搬送路と、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に第１の処理液を供給する第１の処理液供給手段と、前記基板搬送路を搬送され、前記第１の処理液が供給された前記被処理基板の基板面に対し、所定のガス流を鉛直方向乃至搬送方向下流側のいずれかに向けて吹き付ける気体供給手段と、前記気体供給手段によりガス流が吹き付けられ、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板の基板面に対し、所定の流速で前記第２の処理液を供給する第１のリンス手段と、前記第２の処理液が供給され、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板の基板面に対し、前記第１のリンス液供給手段よりも高流速で前記第２の処理液を供給する第２のリンス手段とを備えることに特徴を有する。
このような構成によれば、第１の処理液が供給され平流し搬送される基板に対し、前記第１の処理液の回収時に気体供給手段により所定のガス流が基板搬送方向（下流側）に向けて吹き付けられる。これにより、基板から除去される第１の処理液の前端部（上流側）が引き伸ばされる。
そして、第１の処理液が除去された基板面に対し直ぐさま第１のリンス手段により所定の流速（好ましくは供給時のインパクト（衝撃）が小さくなる流速）で第２の処理液が供給され、さらに第２のリンス手段から、より高流速で第２の処理液が供給される。これにより、基板上の第１の処理液が第２の処理液に置き換えられる間の液切れ領域が微小なものとなり、第１の処理液を直ぐさま第２の処理液に置換することができる。
その結果、従来のように前記第１の処理液としての現像液が流れ落ちて斑上に残った状態で放置される時間が殆ど無く、現像斑の発生を抑制することができる。
また、前記ガス流は、鉛直方向乃至搬送方向下流側のいずれかに向けて吹き付けられるため、第１の処理液が波打つこともなく、微小な現像斑の発生も抑制される。
そして、第１の処理液が除去された基板面に対し直ぐさま第１のリンス手段により所定の流速（好ましくは供給時のインパクト（衝撃）が小さくなる流速）で第２の処理液が供給され、さらに第２のリンス手段から、より高流速で第２の処理液が供給される。これにより、基板上の第１の処理液が第２の処理液に置き換えられる間の液切れ領域が微小なものとなり、第１の処理液を直ぐさま第２の処理液に置換することができる。
その結果、従来のように前記第１の処理液としての現像液が流れ落ちて斑上に残った状態で放置される時間が殆ど無く、現像斑の発生を抑制することができる。
また、前記ガス流は、鉛直方向乃至搬送方向下流側のいずれかに向けて吹き付けられるため、第１の処理液が波打つこともなく、微小な現像斑の発生も抑制される。
また、前記基板搬送路は、水平な搬送路を形成する第１の搬送区間と、前記第１の搬送区間に続く上り傾斜の搬送路を形成する第２の搬送区間と、前記第２の搬送区間に続く下り傾斜の搬送路を形成する第３の搬送区間とを有し、前記第１の処理液供給手段は前記第１の搬送区間に設けられ、前記気体供給手段は前記第２の搬送区間に設けられ、前記第１のリンス手段及び第２のリンス手段は、前記第２の搬送区間と第３の搬送区間とによって搬送路に形成される隆起部の上方に配置されることが望ましい。
このように構成することにより、上り傾斜である第２の搬送区間により基板上から第１の処理液を効率的に除去することができ、且つ第１の処理液から第２の処理液への置換を直ぐさま行うことができる。
このように構成することにより、上り傾斜である第２の搬送区間により基板上から第１の処理液を効率的に除去することができ、且つ第１の処理液から第２の処理液への置換を直ぐさま行うことができる。
また、前記気体供給手段により前記被処理基板の基板面に吹き付けられるガス流は、基板幅方向に直線状に延びるカーテン状のガス流であることが望ましい。
このようにガス流を基板幅方向に直線状に延びるカーテン状とすることによって、基板から除去される第１の処理液の先端部における基板幅方向のばらつき発生を抑制することができる。
また、前記第２のリンス手段は、前記第２の処理液を吐出するリンスノズルを有し、前記リンスノズルは、前記基板搬送路を搬送される被処理基板の基板面に対し、その吐出方向が鉛直方向乃至搬送方向下流側のいずれかに向けられた状態で配置されることが望ましい。
このように構成することによって、被処理基板に供給された第２の処理液の基板上での逆流を防止することができる。
このようにガス流を基板幅方向に直線状に延びるカーテン状とすることによって、基板から除去される第１の処理液の先端部における基板幅方向のばらつき発生を抑制することができる。
また、前記第２のリンス手段は、前記第２の処理液を吐出するリンスノズルを有し、前記リンスノズルは、前記基板搬送路を搬送される被処理基板の基板面に対し、その吐出方向が鉛直方向乃至搬送方向下流側のいずれかに向けられた状態で配置されることが望ましい。
このように構成することによって、被処理基板に供給された第２の処理液の基板上での逆流を防止することができる。
また、前記した課題を解決するために、本発明に係る基板処理方法は、被処理基板に第１の処理液を供給して所定の液処理を施し、前記第１の処理液を回収して第２の処理液により洗浄する基板処理方法であって、基板搬送路において前記被処理基板を平流し搬送し、基板上に第１の処理液を供給するステップと、前記基板搬送路を搬送され、前記第１の処理液が供給された前記被処理基板の基板面に対し、所定のガス流を鉛直方向乃至搬送方向下流側のいずれかに向けて吹き付けるステップと、前記所定のガス流が吹き付けられ、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板の基板面に対し、所定の流速で前記第２の処理液を供給するステップと、前記第２の処理液が供給され、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板の基板面に対し、より高流速で前記第２の処理液を供給するステップとを実行することに特徴を有する。
このような方法によれば、第１の処理液が供給され平流し搬送される基板に対し、前記第１の処理液の回収時に所定のガス流が基板搬送方向（下流側）に向けて吹き付けられる。これにより、基板から除去される第１の処理液の前端部（上流側）が引き伸ばされる。
そして、第１の処理液が除去された基板面に対し直ぐさま所定の流速（好ましくは供給時のインパクトが小さくなる流速）で第２の処理液が供給され、さらに高流速で第２の処理液が供給される。これにより、基板上の第１の処理液が第２の処理液に置き換えられる間の液切れ領域が微小なものとなり、第１の処理液を直ぐさま第２の処理液に置換することができる。
その結果、従来のように前記第１の処理液としての現像液が流れ落ちて斑上に残った状態で放置される時間が殆ど無く、現像斑の発生を抑制することができる。
また、前記ガス流は、鉛直方向乃至搬送方向下流側のいずれかに向けて吹き付けられるため、第１の処理液が波打つこともなく、微小な現像斑の発生も抑制される。
そして、第１の処理液が除去された基板面に対し直ぐさま所定の流速（好ましくは供給時のインパクトが小さくなる流速）で第２の処理液が供給され、さらに高流速で第２の処理液が供給される。これにより、基板上の第１の処理液が第２の処理液に置き換えられる間の液切れ領域が微小なものとなり、第１の処理液を直ぐさま第２の処理液に置換することができる。
その結果、従来のように前記第１の処理液としての現像液が流れ落ちて斑上に残った状態で放置される時間が殆ど無く、現像斑の発生を抑制することができる。
また、前記ガス流は、鉛直方向乃至搬送方向下流側のいずれかに向けて吹き付けられるため、第１の処理液が波打つこともなく、微小な現像斑の発生も抑制される。
また、前記第１の処理液が供給された前記被処理基板の基板面に対し、所定のガス流を鉛直方向乃至搬送方向下流側のいずれかに向けて吹き付けるステップは、上り傾斜となされた前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対し実行されることが望ましい。
このようにすることにより、上り傾斜である第２の搬送区間により基板上から第１の処理液を効率的に除去することができ、且つ第１の処理液から第２の処理液への置換を直ぐさま行うことができる。
このようにすることにより、上り傾斜である第２の搬送区間により基板上から第１の処理液を効率的に除去することができ、且つ第１の処理液から第２の処理液への置換を直ぐさま行うことができる。
また、前記所定の流速で第２の処理液が供給され、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板の基板面に対し、より高流速で前記第２の処理液を供給するステップは、前記上り傾斜の基板搬送路に続く下り傾斜の基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対し実行されることが望ましい。尚、前記基板搬送路を搬送される被処理基板の基板面に対し、鉛直方向乃至搬送方向下流側のいずれかに向けて前記第２の処理液が吐出されることが望ましい。
このようにすれば、被処理基板に供給された第２の処理液の基板上での逆流を防止することができる。
このようにすれば、被処理基板に供給された第２の処理液の基板上での逆流を防止することができる。
本発明によれば、平流しの搬送ライン上で被処理基板に供給した第１の処理液を分別回収して第２の処理液に置き換える動作を効率よくスムースに行い、現像斑の発生を抑制することのできる基板処理装置及び基板処理方法を得ることができる。
以下、本発明の基板処理装置及び基板処理方法にかかる実施の形態につき、図に基づいて説明する。本発明の基板処理装置は、たとえばＬＣＤ用のガラス基板を被処理基板（以下、基板と呼ぶ）とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィ工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の各処理を行う塗布現像処理システムの一部構成に適用することができる。
具体的には、基板上にフォトレジストが塗布され、マスクパターンを介して露光処理が施された基板に現像及びリンス処理を施す現像ユニット（ＤＥＶ）に適用することができる。以下、図を参照して本発明を現像ユニット（ＤＥＶ）に適用した一実施形態を説明する。
具体的には、基板上にフォトレジストが塗布され、マスクパターンを介して露光処理が施された基板に現像及びリンス処理を施す現像ユニット（ＤＥＶ）に適用することができる。以下、図を参照して本発明を現像ユニット（ＤＥＶ）に適用した一実施形態を説明する。
図１に、この実施形態における現像ユニット（ＤＥＶ）１の全体構成を模式的に示す。この現像ユニット（ＤＥＶ）１は、図示するように、プロセスラインＡに沿って水平方向（Ｘ方向）に延びる平流しの搬送ライン２（基板搬送路）を設置しており、この搬送ライン２に沿って上流側から順に現像部３、リンス部４および乾燥部５を設けている。
搬送ライン２は、基板Ｇを、その被処理面を上に向けた仰向けの姿勢（所謂平流し方式）として所定速度（例えば６０ｍｍ／ｓ）で搬送するためのコロ６（搬送体）を搬送方向（Ｘ方向）に一定間隔（例えば１００ｍｍ間隔）で敷設してなり、各コロ６は、たとえば電気モータを有する搬送駆動部（図示せず）に歯車機構またはベルト機構等の伝動機構を介して接続されている。
この搬送ライン２は、搬送方向（Ｘ方向）において始点から終点まで同じ高さ位置で続いているのではなく、途中で所定の箇所にコロ６の配置により隆起形成される第１の隆起部２ａ，第２の隆起部２ｂ，および段差部２ｃを有している。図１に示すように、搬送ライン２は、搬送方向（Ｘ方向）の一サイドから見た搬送路の形状に応じて９つの搬送区間Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６，Ｍ７，Ｍ８，Ｍ９に区分できる。
第１の搬送区間Ｍ１は、前段の処理部から現像部３内の出口よりも少し手前（上流側）の位置に設定された第１の区間変更点Ｐ１までの区間であり、所定の高さ位置（第１のボトム位置とする）を保ったまま、ほぼ水平一直線に延びる水平搬送路を有している。
第２の搬送区間Ｍ２は、前記第１の区間変更点Ｐ１から現像部３とリンス部４との境界付近の位置に設定された第２の区間変更点Ｐ２までの区間であり、搬送路の高さが徐々に高くなるようコロ６が配置されている。これにより第２の搬送区間Ｍ２は、区間変更点Ｐ１の高さ位置よりも所定量（たとえば６ｍｍ）高くなされた第１の隆起部２ａの頂上まで所定の傾斜角で上る上り傾斜の搬送路を有している。
第２の搬送区間Ｍ２は、前記第１の区間変更点Ｐ１から現像部３とリンス部４との境界付近の位置に設定された第２の区間変更点Ｐ２までの区間であり、搬送路の高さが徐々に高くなるようコロ６が配置されている。これにより第２の搬送区間Ｍ２は、区間変更点Ｐ１の高さ位置よりも所定量（たとえば６ｍｍ）高くなされた第１の隆起部２ａの頂上まで所定の傾斜角で上る上り傾斜の搬送路を有している。
第３の搬送区間Ｍ３は、前記第２の区間変更点Ｐ２からリンス部４の入口付近に設定された第３の区間変更点Ｐ３までの区間であり、搬送路の高さが徐々に低くなるようコロ６が配置されている。これにより前記第１の隆起部２ａの頂上からそれよりも所定量（たとえば６ｍｍ）低い第１のボトム位置まで所定の傾斜角で下る下り傾斜の搬送路を有している。
第４の搬送区間Ｍ４は、リンス部４内で入口付近の上記第３の区間変更点Ｐ３から内奥の所定位置に設定された第４の区間変更点Ｐ４までの区間であり、前記第１のボトム位置と同じ高さでほぼ水平一直線に延びる水平搬送路を有している。
第５の搬送区間Ｍ５は、リンス部４内で上記第４の区間変更点Ｐ４からそれよりも所定の距離だけ下流側の位置に設定された第５の区間変更点Ｐ５までの区間であり、第１のボトム位置よりも所定量（たとえば１０〜２５ｍｍ）高い第２の隆起部２ｂの頂上まで所定の傾斜角で上る上り傾斜の搬走路を有している。
第６の搬送区間Ｍ６は、リンス部４内で前記第５の区間変更点Ｐ５からそれよりも所定の距離だけ下流側の位置に設定された第６の区間変更点Ｐ６までの区間であり、前記第２の隆起部２ｂの頂上からそれよりも所定量（たとえば１０〜２５ｍｍ）低い位置（第２のボトム位置とする）まで所定の傾斜角で下る下り傾斜の搬走路を有している。
第６の搬送区間Ｍ６は、リンス部４内で前記第５の区間変更点Ｐ５からそれよりも所定の距離だけ下流側の位置に設定された第６の区間変更点Ｐ６までの区間であり、前記第２の隆起部２ｂの頂上からそれよりも所定量（たとえば１０〜２５ｍｍ）低い位置（第２のボトム位置とする）まで所定の傾斜角で下る下り傾斜の搬走路を有している。
第７の搬送区間Ｍ７は、リンス部４内で前記第６の区間変更点Ｐ６からそれよりも所定の距離だけ下流側の位置、即ち出口より少し手前（上流側）の位置に設定された第７の区間変更点Ｐ７までの区間であり、前記第２のボトム位置と同じ高さでほぼ水平一直線に延びる水平搬送路を有している。
第８の搬送区間Ｍ８は、前記第７の区間変更点Ｐ７からリンス部４と乾燥部５との境界付近に設定された第８の区間変更点Ｐ８までの区間であり、前記第２のボトム位置よりも所定量（たとえば４〜２５ｍｍ）高い段差部２ｃの上段位置まで所定の傾斜角で上る上り傾斜の搬送路を有している。
第９の搬送区間Ｍ９は、前記第８の区間変更点Ｐ８から乾燥部５および後段の処理部まで至る区間であり、前記段差部２ｃの上段位置の高さを一定に保ったまま水平一直線に延びる水平搬送路を有している。
第８の搬送区間Ｍ８は、前記第７の区間変更点Ｐ７からリンス部４と乾燥部５との境界付近に設定された第８の区間変更点Ｐ８までの区間であり、前記第２のボトム位置よりも所定量（たとえば４〜２５ｍｍ）高い段差部２ｃの上段位置まで所定の傾斜角で上る上り傾斜の搬送路を有している。
第９の搬送区間Ｍ９は、前記第８の区間変更点Ｐ８から乾燥部５および後段の処理部まで至る区間であり、前記段差部２ｃの上段位置の高さを一定に保ったまま水平一直線に延びる水平搬送路を有している。
また、現像部３においては、第１の搬送区間Ｍ１内の所定位置に、搬送ライン２上をコロ搬送で移動する水平姿勢の基板Ｇに向けて、上方から基準濃度の現像液（第１の処理液）を吐出する第１の処理液供給手段としての現像液供給ノズル（以下、現像ノズルと呼ぶ）９が配置されている。現像ノズル９は、基板幅方向に延びる例えばスリット状の吐出口または１列に配置された多数の微細径吐出口を有する長尺型のノズルからなり、図示しない現像液供給源から配管を介して現像液を給液されるようになっている。
現像部３内には、搬送ライン２の下に落ちた現像液を受け集めるためのパン１０が設けられている。このパン１０の排液口は排液管１１を介して現像液再利用機構１２に通じている。現像液再利用機構１２は、現像液ノズル９により基板Ｇ上に現像液を盛る際にこぼれ落ちた現像液をパン１０および排液管１１を介して回収し、回収した現像液に原液や溶媒を加え、基準濃度に調整したリサイクルの現像液を前記現像液供給源に送るようになっている。
また、現像部３の出口付近の第２の搬送区間Ｍ２において、第１の隆起部２ａよりも少し手前（上流側）の上方位置には、鉛直方向乃至搬送方向下流側のいずれかに向けて所定のガス流、具体的には基板幅方向に直線状に延びるカーテン状のガス流を噴出するエアノズル２１（気体供給手段）が設けられている。このエアカーテン状のガス流によって、基板傾斜面を流れ落ち薄膜状となった現像液を前記第１の隆起部２ａ付近まで引き伸ばし、基板Ｇ上の液切れ領域を微小とするようになされている。
また、現像部３とリンス部４との間、即ち前記第２の搬送区間と第３の搬送区間とによって形成された前記第１の隆起部２ａの上方には、現像液が流れ落ちた基板Ｇ上に直ぐさま純水等のリンス液（第２の処理液）を低流速で、即ち吐出時のインパクト（衝撃）が小さくなる流速で供給するための第１のリンスノズル２２（第１のリンス手段）が配置されている。
尚、この第１のリンスノズル２２から供給されたリンス液は、前記エアノズル２１により形成されるエアカーテンによって、第２の搬送区間Ｍ２を搬送方向反対側に流れ落ちないよう堰き止められる。
また、第３の搬送区間Ｍ３には、前記リンスノズル２２よりも高流速で、即ち吐出時のインパクトがより大きくなる流速で、液置換（現像停止）用のリンス液を供給する第２のリンスノズル２３（第２のリンス手段）が配置されている。
尚、この第１のリンスノズル２２から供給されたリンス液は、前記エアノズル２１により形成されるエアカーテンによって、第２の搬送区間Ｍ２を搬送方向反対側に流れ落ちないよう堰き止められる。
また、第３の搬送区間Ｍ３には、前記リンスノズル２２よりも高流速で、即ち吐出時のインパクトがより大きくなる流速で、液置換（現像停止）用のリンス液を供給する第２のリンスノズル２３（第２のリンス手段）が配置されている。
また、中心部の第５の搬送区間Ｍ５内の所定位置に、搬送ライン２の前記第２の隆起部２ｂの上り斜面を通過する基板Ｇに向けて上方から洗浄用のリンス液を吐出する第３のリンスノズル２４が搬送方向に沿って配置されている。
また、その下流側隣の第６の搬送区間Ｍ６内の所定位置に、搬送ライン２の第２の隆起部２ｂの下り斜面を通過する基板Ｇに向けて上方から仕上げ洗浄用のリンス液を吐出する第４のリンスノズル２５が搬送方向に沿って配置されている。
また、その下流側隣の第６の搬送区間Ｍ６内の所定位置に、搬送ライン２の第２の隆起部２ｂの下り斜面を通過する基板Ｇに向けて上方から仕上げ洗浄用のリンス液を吐出する第４のリンスノズル２５が搬送方向に沿って配置されている。
さらに、出口付近にて第８の搬送区間Ｍ８内の所定位置に、搬送ライン２の上り段差部２ｃを上る基板Ｇに向けて上方から最終洗浄用のリンス液を吐出する第５リンスノズル２６が搬送方向に沿って配置されている。各リンスノズル２２〜２６は、前記現像液ノズル９と同様の構成を有する長尺型ノズルからなり、図示しないリンス液供給源から配管を介してリンス液を給液されるようになっている。
リンス部４内には、搬送ライン２の下に落ちたリンス液を受け集めるためのパン１７が設けられている。このパン１７の排液口は排液管１８を介してリンス液回収部（図示せず）に通じている。図示省略するが、搬送ライン２の下から基板Ｇの下面に対して洗浄用のリンス液を噴き掛ける下部リンスノズルを設けることもできる。
乾燥部５においては、第９の搬送区間Ｍ９の始端付近の所定位置に、搬送ライン２の前記段差部２ｃを上ってきた直後の基板Ｇに向けて上方から搬送方向と逆向きに液切りないし乾燥用の高圧ガス流（通常はエア流）を当てる長尺型のガスノズルまたはエアナイフ２０が搬送方向に沿って１本または複数本配置されている。搬送ライン２の下から基板Ｇの下面に向けて液切りないし乾燥用の高圧ガス流を当てる下部エアナイフ（図示せず）も設置可能である。また、乾燥部５内で搬送ライン２の下に落ちた液を受け集めるためのパン（図示せず）を設けてもよい。
尚、現像ユニット（ＤＥＶ）１は、一体的なハウジング３０内に現像部３，リンス部４および乾燥部５を収容しており、異なる処理部間の境界には搬送ライン２に沿った周囲の空間を上流側と下流側とに隔てるための鉛直方向に延在する隔壁３０ａ，３０ｂを設けている。より詳細には、現像部３とリンス部４との境界つまり第２の搬送区間Ｍ２と第３の搬送区間Ｍ３との境界付近に隔壁３０ａが設けられ、リンス部４と乾燥部５との境界つまり第８の搬送区間Ｍ８と第９の搬送区間Ｍ９との境界付近に隔壁３０ｂが設けられる。各隔壁３０ａ，３０ｂには、搬送ライン２を通す開口３１，３２がそれぞれ形成されている。
また、この現像ユニット（ＤＥＶ）１において、各処理部３，４，５内の空間は隔壁３０ａ，３０ｂの開口３１，３２を介して相互に連通している。現像部３および乾燥部５では、室外の空気を引き込むためのファン３３，３４と、これらのファン３３，３４からの空気流を除塵するエアフィルタ３５，３６とによって、天井から清浄な空気がダウンフローで室内に供給されるようになっている。このうち、現像部３の天井から供給される清浄空気は、現像処理時に発生する現像液のミストを巻き込むようにして前記隔壁３０ａの開口３１を通ってリンス部４の室内に流入する。
一方、乾燥部５の天井から供給される清浄空気は、乾燥（液切り）処理で発生するリンス液のミストを巻き込むようにして前記隔壁３０ｂの開口３２を通ってリンス部４の室内に流入するようになっている。リンス部４の底部には、たとえば排気ポンプまたは排気ファンを有する排気機構３７に通じる排気口３８が設けられている。
前記のようにして現像部３側から流入してきたミスト混じりの空気と、乾燥部５側から流入してきたミスト混じりの空気は、リンス部４内で発生するミストをも巻き込んで左右から合流して排気口３８から排出されるようなっている。
前記のようにして現像部３側から流入してきたミスト混じりの空気と、乾燥部５側から流入してきたミスト混じりの空気は、リンス部４内で発生するミストをも巻き込んで左右から合流して排気口３８から排出されるようなっている。
続いて、第２の搬送区間Ｍ２及び第３の搬送区間における液処理の構成について、さらに詳しく説明する。
図２（ａ）は、搬送区間Ｍ２、Ｍ３により形成された第１の隆起部２ａを通過する基板Ｇの状態を示す平面図であり、図２（ｂ）はその側面図である。また、図３は、前記搬送区間Ｍ２、Ｍ３に配置されたエアナイフ２１、第１のリンスノズル２２、第２のリンスノズル２３の相互の配置関係をより具体的に示す側面図である。
図２に示すように、第１の隆起部２ａにおいて、基板幅方向に延びる長尺型のエアナイフ２１、第１のリンスノズル２２、第２のリンスノズル２３が基板搬送方向に沿って順に配置されている。
図２（ａ）は、搬送区間Ｍ２、Ｍ３により形成された第１の隆起部２ａを通過する基板Ｇの状態を示す平面図であり、図２（ｂ）はその側面図である。また、図３は、前記搬送区間Ｍ２、Ｍ３に配置されたエアナイフ２１、第１のリンスノズル２２、第２のリンスノズル２３の相互の配置関係をより具体的に示す側面図である。
図２に示すように、第１の隆起部２ａにおいて、基板幅方向に延びる長尺型のエアナイフ２１、第１のリンスノズル２２、第２のリンスノズル２３が基板搬送方向に沿って順に配置されている。
前記エアナイフ２１は、上り傾斜の搬送区間Ｍ２を搬送される基板Ｇに対し、所定の高圧ガス流を鉛直方向乃至搬送方向下流側のいずれかに向けて吹き付けるように、基板面から例えば５〜１５ｍｍの高さ位置に配置されている。即ち、図３に示すようにエアナイフ２１は、搬送区間Ｍ２の上方において、その噴射方向が、垂直下方（鉛直方向）を０°として下流側に所定角度θ１（例えば０°〜１０°）傾斜した状態で設けられている。
具体的には、このエアナイフ２１により、基板Ｇから流れ落ちる現像液Ｄの先端部分に対し、基板幅方向に直線状に延びるカーテン状の高圧ガス流が、基板搬送方向（下流側）に向けて所定流量（例えば３００〜５００リットル／ｍｉｎ）で吹き付けられる。これにより、基板後方（上流側）に流れ落ちる現像液Ｄが筋状にならず、薄膜の状態が基板隆起部Ｇａ付近まで引き伸ばされるようになされている。
また、前記ガス流を、基板搬送方向（下流側）に向けて吹き付けることにより、現像液Ｄの波打ちを防止し、微小な現像斑の発生を抑制するようになされている。
具体的には、このエアナイフ２１により、基板Ｇから流れ落ちる現像液Ｄの先端部分に対し、基板幅方向に直線状に延びるカーテン状の高圧ガス流が、基板搬送方向（下流側）に向けて所定流量（例えば３００〜５００リットル／ｍｉｎ）で吹き付けられる。これにより、基板後方（上流側）に流れ落ちる現像液Ｄが筋状にならず、薄膜の状態が基板隆起部Ｇａ付近まで引き伸ばされるようになされている。
また、前記ガス流を、基板搬送方向（下流側）に向けて吹き付けることにより、現像液Ｄの波打ちを防止し、微小な現像斑の発生を抑制するようになされている。
また、基板隆起部Ｇａ付近に配置された第１のリンスノズル２２は、基板後方（上流側）に現像液Ｄが流れ落ちた基板上に直ぐさま低流速（例えば０．０２４７〜０．０７４ｍ／ｓ）でリンス液Ｓを吐出供給し、基板上で液切れする領域を極力小さくするために設けられている。この第１のリンスノズル２２は、基板面から例えば２ｍｍの高さに配置され、その吐出方向は、略垂直下方（垂直下方を０°として±１０°傾斜）に向けられている。
また、搬送区間Ｍ３に配置された第２のリンスノズル２３は、下り斜面である搬送区間Ｍ３を搬送される基板Ｇに対し、より高流速（例えば１．７５８１ｍ／ｓ）でリンス液Ｓを吐出供給し、現像液Ｄを完全にリンス液Ｓに置換するためのノズルである。この第２のリンスノズル２３は、例えば基板面から１０〜３０ｍｍの高さに配置され、その吐出方向は、基板搬送方向（下流側）となるよう配置されている。即ち、図３に示すようにリンスノズル２３は、搬送区間Ｍ３の上方において、その噴射方向が、垂直下方（鉛直方向）を０°として下流側に所定角度θ２（例えば０°〜７０°）傾斜した状態で設けられている。
また、第２の搬送区間Ｍ２と第３の搬送区間Ｍ３において第１の隆起部２ａを構成するための搬送コロ６は、例えば図３に示すように配置される。即ち、基板の隆起部Ｇａが形成される最も高い位置の搬送コロ６は、第１の隆起部２ａにおいて最も低い位置の搬送コロ６の高さを０ｍｍとすれば、例えば０〜９ｍｍ（好ましくは６ｍｍ）の高さとなされる。この高さは、従来、高低差が大きく設定されていた隆起部段差よりも小さくなるよう設定されることが望ましく、それにより筋状に流れ落ちる現像液の発生を抑制し、エアナイフ２１から吹き付けるガス流により、現像液Ｄを薄く引き伸ばし易くすることができる。
また、基板Ｇ上において、エアナイフ２１により噴出されるガス流の供給位置と第１のリンスノズル２２によるリンス液の供給位置との距離は、例えば２０〜４０ｍｍ（好ましくは３０ｍｍ）に設定されている。また、基板Ｇ上において、エアナイフ２１により噴出されるガス流の供給位置と第２のリンスノズル２３によるリンス液の供給位置との距離は、例えば１５０〜３５０ｍｍ（好ましくは２００ｍｍ）に設定されている。
また、基板Ｇ上において、エアナイフ２１により噴出されるガス流の供給位置と第１のリンスノズル２２によるリンス液の供給位置との距離は、例えば２０〜４０ｍｍ（好ましくは３０ｍｍ）に設定されている。また、基板Ｇ上において、エアナイフ２１により噴出されるガス流の供給位置と第２のリンスノズル２３によるリンス液の供給位置との距離は、例えば１５０〜３５０ｍｍ（好ましくは２００ｍｍ）に設定されている。
続いて、この現像ユニット（ＤＥＶ）１における全体の動作を、図４、図５の状態遷移図を適宜用いて説明する。尚、図４は搬送区間Ｍ２、Ｍ３を搬送される基板Ｇに対する処理液置換の状態を示す側面図であり、図５はそのときの基板Ｇ上の現像液Ｄ及びリンス液Ｓの状態を示している。
前段処理部を搬出された基板Ｇが一定速度（例えば６０ｍｍ／ｓ）のコロ搬送で現像ユニット（ＤＥＶ）１に搬入されると、最初に現像部３において、基板Ｇが搬送ライン２の第１の搬送区間Ｍ１内を水平姿勢で移動する間に定置の現像ノズル９より現像液Ｄを供給される。基板Ｇ上には基板前端から基板後端に向かって搬送速度と等しい走査速度で現像液Ｄが盛られる。基板Ｇからこぼれた現像液Ｄはパン１０に受け集められる。
前段処理部を搬出された基板Ｇが一定速度（例えば６０ｍｍ／ｓ）のコロ搬送で現像ユニット（ＤＥＶ）１に搬入されると、最初に現像部３において、基板Ｇが搬送ライン２の第１の搬送区間Ｍ１内を水平姿勢で移動する間に定置の現像ノズル９より現像液Ｄを供給される。基板Ｇ上には基板前端から基板後端に向かって搬送速度と等しい走査速度で現像液Ｄが盛られる。基板Ｇからこぼれた現像液Ｄはパン１０に受け集められる。
前記のようにして現像液Ｄを盛られた基板Ｇは、直後に山なりの第１の隆起部２ａの上り傾斜を形成する第２の搬送区間Ｍ２に搬送される。
基板Ｇが第２の搬送区間Ｍ２を搬送されると、基板上の現像液Ｄが下方つまり後方へ重力で移動し始める。ここで、図４（ａ）に示すように、エアナイフ２１からは、その下方を通過する基板Ｇに対し、所定流量（例えば３００〜５００リットル／ｍｉｎ）の高圧ガス流が吹き付けられる。エアナイフ２１の下方を基板Ｇが通過する間、搬送される基板Ｇから流れ落ちる現像液Ｄの上端部分（先端部分）には、基板搬送方向に向けて常にカーテン状のガス流が当てられる。
基板Ｇから流れ落ちる現像液Ｄの上端部分（先端部分）は、前記ガス流によって基板搬送方向に引き伸ばされ、図５（ａ）に示すように現像液Ｄの薄膜部Ｄ２が広く形成される（尚、基板後方側（下流側）は厚膜部Ｄ１となる）。また、この薄膜部Ｄ２の先端部分は、隆起部２ａ頂上（基板隆起部Ｇａ）付近まで引き伸ばされる。
基板Ｇが第２の搬送区間Ｍ２を搬送されると、基板上の現像液Ｄが下方つまり後方へ重力で移動し始める。ここで、図４（ａ）に示すように、エアナイフ２１からは、その下方を通過する基板Ｇに対し、所定流量（例えば３００〜５００リットル／ｍｉｎ）の高圧ガス流が吹き付けられる。エアナイフ２１の下方を基板Ｇが通過する間、搬送される基板Ｇから流れ落ちる現像液Ｄの上端部分（先端部分）には、基板搬送方向に向けて常にカーテン状のガス流が当てられる。
基板Ｇから流れ落ちる現像液Ｄの上端部分（先端部分）は、前記ガス流によって基板搬送方向に引き伸ばされ、図５（ａ）に示すように現像液Ｄの薄膜部Ｄ２が広く形成される（尚、基板後方側（下流側）は厚膜部Ｄ１となる）。また、この薄膜部Ｄ２の先端部分は、隆起部２ａ頂上（基板隆起部Ｇａ）付近まで引き伸ばされる。
また、図４（ｂ）に示すように、基板先端が第３の搬送区間Ｍ３（第１の隆起部２ａ）に差し掛かると、直ぐさま第１のリンスノズル２２から低流速（例えば０．０２４７〜０．０７４ｍ／ｓ）で、即ち吐出時のインパクトが小さくなる流速でリンス液Ｓ１が基板Ｇに供給される。
これにより図５（ｂ）に示すように基板上には、現像液Ｄ（薄膜部Ｄ２）の先端部分から、さほど距離を空けずにリンス液Ｓの薄膜部Ｓ１が形成される。
即ち、現像液Ｄの薄膜部Ｄ２とリンス液Ｓの薄膜部Ｓ１との間に形成される液切れ領域Ｅの基板搬送方向の幅は現像斑の発生に影響しない微小なものとなる。
これにより図５（ｂ）に示すように基板上には、現像液Ｄ（薄膜部Ｄ２）の先端部分から、さほど距離を空けずにリンス液Ｓの薄膜部Ｓ１が形成される。
即ち、現像液Ｄの薄膜部Ｄ２とリンス液Ｓの薄膜部Ｓ１との間に形成される液切れ領域Ｅの基板搬送方向の幅は現像斑の発生に影響しない微小なものとなる。
前記第１のリンスノズル２２からリンス液Ｓ１が供給された基板Ｇには、リンス液Ｓが途切れないように図４（ｃ）に示すように第２のリンスノズル２３からさらに高流速（例えば１．７５８１ｍ／ｓ）で、即ち吐出時のインパクトがより大きくなる流速でリンス液Ｓ２が供給される。これにより図５（ｃ）に示すようにリンス液Ｓの薄膜部Ｓ１に続けて厚膜部Ｓ２が形成される。
このようにして基板Ｇが第２の搬送区間Ｍ２から第３の搬送区間Ｍ３に搬送されるにしたがい、基板上の現像液Ｄはリンス液Ｓに置換されていく。即ち、図４（ｄ）に示すように基板Ｇの全体が第３の搬送区間Ｍ３まで搬送された時点では、図５（ｄ）に示すように基板Ｇの上面は全てリンス液Ｓ２に置換され、現像が停止する。
尚、基板Ｇの前方へ流れおちた現像液およびリンス液はパン１７に受け集められる。
このようにして基板Ｇが第２の搬送区間Ｍ２から第３の搬送区間Ｍ３に搬送されるにしたがい、基板上の現像液Ｄはリンス液Ｓに置換されていく。即ち、図４（ｄ）に示すように基板Ｇの全体が第３の搬送区間Ｍ３まで搬送された時点では、図５（ｄ）に示すように基板Ｇの上面は全てリンス液Ｓ２に置換され、現像が停止する。
尚、基板Ｇの前方へ流れおちた現像液およびリンス液はパン１７に受け集められる。
このように基板Ｇ上の処理液を現像液Ｄからリンス液Ｓに置き換える処理においては、エアノズル２１から吹き付けられるエアカーテン状のガス流によって、基板傾斜面を流れ落ち薄膜状となった現像液Ｄが基板隆起部Ｇａ付近まで引き伸ばされ、直ぐさま第１のリンスノズル２２によって基板隆起部Ｇａ付近にリンス液Ｓが供給される。このため、基板Ｇ上の液切れ領域が微小となり、時間を殆ど空けずに基板上の現像液Ｄをリンス液Ｓに置換することができる。
さらには、前記エアカーテン状のガス流によって、第１のリンスノズル２２から供給されたリンス液Ｓが搬送方向反対側（第２の搬送区間Ｍ２）に流れ落ちないよう堰き止められるため、現像液Ｄとリンス液Ｓとが殆ど混ざらない状態とすることができる。
したがって、従来のように現像液Ｄが流れ落ちて斑に残った状態で放置される時間が殆ど無く、現像斑の発生を抑制することができる。
また、エアノズル２１から噴射されるエアカーテン状のガス流が、基板搬送方向（下流側）に向けられているため、現像液Ｄが波打つこともなく、微小な現像斑の発生を抑制することができる。
さらには、前記エアカーテン状のガス流によって、第１のリンスノズル２２から供給されたリンス液Ｓが搬送方向反対側（第２の搬送区間Ｍ２）に流れ落ちないよう堰き止められるため、現像液Ｄとリンス液Ｓとが殆ど混ざらない状態とすることができる。
したがって、従来のように現像液Ｄが流れ落ちて斑に残った状態で放置される時間が殆ど無く、現像斑の発生を抑制することができる。
また、エアノズル２１から噴射されるエアカーテン状のガス流が、基板搬送方向（下流側）に向けられているため、現像液Ｄが波打つこともなく、微小な現像斑の発生を抑制することができる。
現像処理を終えた基板Ｇは、水平な第４の搬送区間Ｍ４を通過し、次の第５の搬送区間Ｍ５で第２の隆起部２ｂの上り傾斜路を上る。この時、基板Ｇ上に残っている置換用のリンス液が基板前端側から後方へ重力で移動して基板後端から流れ落ちる。さらに、上方のリンスノズル２４より基板Ｇ上に一次洗浄用のリンス液が供給され、古いリンス液を追い出しながらこの新たなリンス液も基板後端から流れ落ちる。
基板の後方に流れ落ちたリンス液はパン１７に受け集められる。こうして、第２の隆起部２ｂの頂点を越える基板Ｇは、その上面に一次洗浄用のリンス液が薄い液膜で残っている状態で、第２の隆起部２ｂの下り傾斜路（第６の搬送区間Ｍ６）に差し掛かる。
基板の後方に流れ落ちたリンス液はパン１７に受け集められる。こうして、第２の隆起部２ｂの頂点を越える基板Ｇは、その上面に一次洗浄用のリンス液が薄い液膜で残っている状態で、第２の隆起部２ｂの下り傾斜路（第６の搬送区間Ｍ６）に差し掛かる。
次いで、第２の隆起部２ｂの下り傾斜路（Ｍ６）を基板Ｇが下りる際には、上方のリンスノズル２５により基板Ｇ上に二次洗浄用の新たなリンス液が供給され、基板Ｇ上に薄く残っていた一次洗浄液を前方に追いやりながら新たなリンス液も基板前端から流れ落ちる。基板Ｇの前方に流れ落ちたリンス液はパン１７に受け集められる。
前記のようにしてリンス処理を終えた基板Ｇは、水平な第７の搬送区間Ｍ７を通過し、次の第８の搬送区間Ｍ８で上り段差部２ｃの傾斜路を上る。この時、基板Ｇ上に残っている仕上げ用リンス液が基板前端側から後方へ重力で移動して基板後端から流れ落ちる。さらに、上方のリンスノズル２６より基板Ｇ上に最終洗浄用のリンス液が供給され、古いリンス液を追い出しながらこの新たなリンス液も基板後端から流れ落ちる。基板Ｇの後方に流れ落ちたリンス液はパン１７に受け集められる。
そして、基板Ｇが段差部２ｃを上り、乾燥部５側つまり第９の搬送区間Ｍ９内の上段搬走路に入ると、エアナイフ２０が基板Ｇに対して搬送方向と逆向きに高圧ガス流を当てることにより、基板Ｇ上の残っていたリンス液が基板後方へ寄せられて基板後端から追い出される（液切りされる）。基板Ｇの後方に飛ばされたリンス液はパン１７に受け集められる。
こうして現像ユニット（ＤＥＶ）１内で一連の現像処理工程を終えた基板Ｇは、そのまま搬送ライン２上をまっすぐ移動して後段の処理部に送られる。
こうして現像ユニット（ＤＥＶ）１内で一連の現像処理工程を終えた基板Ｇは、そのまま搬送ライン２上をまっすぐ移動して後段の処理部に送られる。
以上のように、本発明に係る実施の形態によれば、現像液Ｄが供給され平流し搬送される基板Ｇに対し、前記現像液Ｄの回収時にエアナイフ２１により基板幅方向に直線状に延びるカーテン状のガス流が鉛直方向乃至搬送方向下流側のいずれかに向けて吹き付けられる。これにより、基板Ｇから除去される現像液Ｄの前端部（上流側）が引き伸ばされる。
そして、現像液Ｄが除去された基板面に対し直ぐさま第１のリンスノズル２２により低流速（吐出時のインパクトが小さい流速）でリンス液Ｓが供給され、さらに第２のリンスノズル２３から、より高流速（吐出時のインパクトがより大きい流速）でリンス液Ｓが供給される。これにより、基板Ｇ上の現像液Ｄがリンス液Ｓに置き換えられる間の液切れ領域が微小なものとなり、現像液Ｄを直ぐさまリンス液Ｓに置換することができる。
その結果、従来のように現像液Ｄが流れ落ちて斑上に残った状態で放置される時間が殆ど無く、現像斑の発生を抑制することができる。
そして、現像液Ｄが除去された基板面に対し直ぐさま第１のリンスノズル２２により低流速（吐出時のインパクトが小さい流速）でリンス液Ｓが供給され、さらに第２のリンスノズル２３から、より高流速（吐出時のインパクトがより大きい流速）でリンス液Ｓが供給される。これにより、基板Ｇ上の現像液Ｄがリンス液Ｓに置き換えられる間の液切れ領域が微小なものとなり、現像液Ｄを直ぐさまリンス液Ｓに置換することができる。
その結果、従来のように現像液Ｄが流れ落ちて斑上に残った状態で放置される時間が殆ど無く、現像斑の発生を抑制することができる。
尚、前記実施の形態においては、前記エアナイフ２１、第１のリンスノズル２２、第２のリンスノズル２３を第１の隆起部２ａの上方に配置し、第２の搬送区間Ｍ２の上り傾斜により基板上から現像液Ｄを除去する構成としたが、本発明にあっては、それに限定されるものではない。
例えば、水平な搬送路の上方に前記エアナイフ２１、第１のリンスノズル２２、第２のリンスノズル２３を全て並べて配置した構成であってもよい。その場合、基板上の現像液の除去は、エアナイフ２１から噴射する前記カーテン状の高圧ガス流によって行うことができる。
また、前記実施の形態においては、エアナイフ２１と第１のリンスノズル２２とを別体として示したが、一体物として構成してもよい。
また、前記実施の形態に示した各リンスノズルは、基板幅方向に延びる長尺型のノズルとして示したが、それに限定されず、微細径吐出口をそれぞれ有する複数のノズル（例えばスプレータイプのノズル）を基板幅方向に並べて構成するようにしてもよい。
例えば、水平な搬送路の上方に前記エアナイフ２１、第１のリンスノズル２２、第２のリンスノズル２３を全て並べて配置した構成であってもよい。その場合、基板上の現像液の除去は、エアナイフ２１から噴射する前記カーテン状の高圧ガス流によって行うことができる。
また、前記実施の形態においては、エアナイフ２１と第１のリンスノズル２２とを別体として示したが、一体物として構成してもよい。
また、前記実施の形態に示した各リンスノズルは、基板幅方向に延びる長尺型のノズルとして示したが、それに限定されず、微細径吐出口をそれぞれ有する複数のノズル（例えばスプレータイプのノズル）を基板幅方向に並べて構成するようにしてもよい。
また、前記実施の形態においては、第１のリンスノズル２２による吐出時のインパクトが、第２のリンスノズル２３の吐出よりも小さくなるよう、吐出流速を規定したが、第１のリンスノズル２２と第２のリンスノズル２３のノズル形状が同一であれば、吐出流量により規定することもできる。
１ 現像ユニット（基板処理装置）
２ 搬送ライン（基板搬送路）
９ 現像液供給ノズル（第１の処理液供給手段）
２１ エアナイフ（気体供給手段）
２２ 第１のリンスノズル（第１のリンス手段）
２３ 第２のリンスノズル（第２のリンス手段）
Ｇ 被処理基板
Ｄ 現像液（第１の処理液）
Ｍ１ 第１の搬送区間
Ｍ２ 第２の搬送区間
Ｍ３ 第３の搬送区間
Ｓ リンス液（第２の処理液）
２ 搬送ライン（基板搬送路）
９ 現像液供給ノズル（第１の処理液供給手段）
２１ エアナイフ（気体供給手段）
２２ 第１のリンスノズル（第１のリンス手段）
２３ 第２のリンスノズル（第２のリンス手段）
Ｇ 被処理基板
Ｄ 現像液（第１の処理液）
Ｍ１ 第１の搬送区間
Ｍ２ 第２の搬送区間
Ｍ３ 第３の搬送区間
Ｓ リンス液（第２の処理液）
Claims (8)
- 被処理基板に第１の処理液を供給して所定の液処理を施し、前記第１の処理液を回収して第２の処理液により洗浄する基板処理装置であって、
前記被処理基板を平流し搬送する基板搬送路と、
前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に第１の処理液を供給する第１の処理液供給手段と、
前記基板搬送路を搬送され、前記第１の処理液が供給された前記被処理基板の基板面に対し、所定のガス流を鉛直方向乃至搬送方向下流側のいずれかに向けて吹き付ける気体供給手段と、
前記気体供給手段によりガス流が吹き付けられ、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板の基板面に対し、所定の流速で前記第２の処理液を供給する第１のリンス手段と、
前記第２の処理液が供給され、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板の基板面に対し、前記第１のリンス液供給手段よりも高流速で前記第２の処理液を供給する第２のリンス手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板搬送路は、水平な搬送路を形成する第１の搬送区間と、前記第１の搬送区間に続く上り傾斜の搬送路を形成する第２の搬送区間と、前記第２の搬送区間に続く下り傾斜の搬送路を形成する第３の搬送区間とを有し、
前記第１の処理液供給手段は前記第１の搬送区間に設けられ、前記気体供給手段は前記第２の搬送区間に設けられ、前記第１のリンス手段及び第２のリンス手段は、前記第２の搬送区間と第３の搬送区間とによって搬送路に形成される隆起部の上方に配置されることを特徴とする請求項１に記載された基板処理装置。 - 前記気体供給手段により前記被処理基板の基板面に吹き付けられるガス流は、基板幅方向に直線状に延びるカーテン状のガス流であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された基板処理装置。
- 前記第２のリンス手段は、前記第２の処理液を吐出するリンスノズルを有し、
前記リンスノズルは、前記基板搬送路を搬送される被処理基板の基板面に対し、その吐出方向が鉛直方向乃至搬送方向下流側のいずれかに向けられた状態で配置されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載された基板処理装置。 - 被処理基板に第１の処理液を供給して所定の液処理を施し、前記第１の処理液を回収して第２の処理液により洗浄する基板処理方法であって、
基板搬送路において前記被処理基板を平流し搬送し、基板上に第１の処理液を供給するステップと、
前記基板搬送路を搬送され、前記第１の処理液が供給された前記被処理基板の基板面に対し、所定のガス流を鉛直方向乃至搬送方向下流側のいずれかに向けて吹き付けるステップと、
前記所定のガス流が吹き付けられ、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板の基板面に対し、所定の流速で前記第２の処理液を供給するステップと、
前記第２の処理液が供給され、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板の基板面に対し、より高流速で前記第２の処理液を供給するステップとを実行することを特徴とする基板処理方法。 - 前記第１の処理液が供給された前記被処理基板の基板面に対し、所定のガス流を鉛直方向乃至搬送方向下流側のいずれかに向けて吹き付けるステップは、上り傾斜となされた前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対し実行されることを特徴とする請求項５に記載された基板処理方法。
- 前記所定の流速で第２の処理液が供給され、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板の基板面に対し、より高流速で前記第２の処理液を供給するステップは、前記上り傾斜の基板搬送路に続く下り傾斜の基板搬送路を搬送される前記被処理基板に対し実行されることを特徴とする請求項６に記載された基板処理方法。
- 前記基板搬送路を搬送される被処理基板の基板面に対し、鉛直方向乃至搬送方向下流側のいずれかに向けて前記第２の処理液が吐出されることを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれかに記載された基板処理方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009039683A JP4812847B2 (ja) | 2009-02-23 | 2009-02-23 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| TW099104993A TWI426553B (zh) | 2009-02-23 | 2010-02-22 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
| KR1020100015604A KR101677288B1 (ko) | 2009-02-23 | 2010-02-22 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| CN2010101196459A CN101814424B (zh) | 2009-02-23 | 2010-02-23 | 基板处理装置及基板处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009039683A JP4812847B2 (ja) | 2009-02-23 | 2009-02-23 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010199150A true JP2010199150A (ja) | 2010-09-09 |
| JP4812847B2 JP4812847B2 (ja) | 2011-11-09 |
Family
ID=42621637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009039683A Expired - Fee Related JP4812847B2 (ja) | 2009-02-23 | 2009-02-23 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4812847B2 (ja) |
| KR (1) | KR101677288B1 (ja) |
| CN (1) | CN101814424B (ja) |
| TW (1) | TWI426553B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012124309A (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法、現像装置、およびこれを備える塗布現像処理システム |
| KR20130036700A (ko) | 2011-10-04 | 2013-04-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| JP2015204322A (ja) * | 2014-04-11 | 2015-11-16 | 株式会社ディスコ | 洗浄装置 |
| EP3035375A1 (en) * | 2014-12-19 | 2016-06-22 | ATOTECH Deutschland GmbH | Treating module of an apparatus for horizontal wet-chemical treatment of large-scale substrates |
| CN117839974A (zh) * | 2024-03-04 | 2024-04-09 | 江苏兴虹科技有限公司 | 一种铜箔表面涂层胶加工处理装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1405986B1 (it) * | 2011-02-03 | 2014-02-06 | Perini Fabio Spa | "polmone per accumulare rotoli di carta o altri prodotti allungati e relativo metodo" |
| JP2013191779A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Toshiba Corp | 処理装置および処理方法 |
| CN110349856B (zh) * | 2019-06-28 | 2021-04-27 | Tcl华星光电技术有限公司 | 湿式蚀刻方法及装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005347326A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| JP2007250592A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-27 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、コンピュータ読取可能な記憶媒体 |
| JP2007300129A (ja) * | 2001-11-12 | 2007-11-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004074021A (ja) * | 2002-08-19 | 2004-03-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板洗浄ユニット |
| JP4040074B2 (ja) * | 2004-04-23 | 2008-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、コンピュータプログラムおよびプログラム記憶媒体 |
| JP4523498B2 (ja) | 2005-06-27 | 2010-08-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置及び現像処理方法 |
| KR101043769B1 (ko) * | 2006-07-31 | 2011-06-22 | 세메스 주식회사 | 인샤워, 흡입 및 건조 공정을 수행하는 공정 장치 |
| JP4762098B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2011-08-31 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| KR101020778B1 (ko) * | 2008-08-08 | 2011-03-09 | 주식회사 디엠에스 | 에어나이프 장치 |
-
2009
- 2009-02-23 JP JP2009039683A patent/JP4812847B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-02-22 TW TW099104993A patent/TWI426553B/zh active
- 2010-02-22 KR KR1020100015604A patent/KR101677288B1/ko active IP Right Grant
- 2010-02-23 CN CN2010101196459A patent/CN101814424B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007300129A (ja) * | 2001-11-12 | 2007-11-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| JP2005347326A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| JP2007250592A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-27 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、コンピュータ読取可能な記憶媒体 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012124309A (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Tokyo Electron Ltd | 現像方法、現像装置、およびこれを備える塗布現像処理システム |
| KR20130036700A (ko) | 2011-10-04 | 2013-04-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| JP2013080808A (ja) * | 2011-10-04 | 2013-05-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| KR101927536B1 (ko) * | 2011-10-04 | 2019-03-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| JP2015204322A (ja) * | 2014-04-11 | 2015-11-16 | 株式会社ディスコ | 洗浄装置 |
| EP3035375A1 (en) * | 2014-12-19 | 2016-06-22 | ATOTECH Deutschland GmbH | Treating module of an apparatus for horizontal wet-chemical treatment of large-scale substrates |
| WO2016096227A1 (en) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | Atotech Deutschland Gmbh | Treating module of an apparatus for horizontal wet-chemical treatment of large-scale substrates |
| JP2017510708A (ja) * | 2014-12-19 | 2017-04-13 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングＡｔｏｔｅｃｈ Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ ＧｍｂＨ | 大型基板の横型湿式化学処理用装置の処理モジュール |
| KR101740208B1 (ko) | 2014-12-19 | 2017-05-25 | 아토테크더치랜드게엠베하 | 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 |
| CN117839974A (zh) * | 2024-03-04 | 2024-04-09 | 江苏兴虹科技有限公司 | 一种铜箔表面涂层胶加工处理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101814424B (zh) | 2012-01-25 |
| JP4812847B2 (ja) | 2011-11-09 |
| TW201032267A (en) | 2010-09-01 |
| KR101677288B1 (ko) | 2016-11-17 |
| TWI426553B (zh) | 2014-02-11 |
| KR20100096023A (ko) | 2010-09-01 |
| CN101814424A (zh) | 2010-08-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4812847B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP4523498B2 (ja) | 現像処理装置及び現像処理方法 | |
| JP4056858B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| TWI389238B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
| CN101219427A (zh) | 基板处理装置 | |
| KR20060136336A (ko) | 기판처리장치 | |
| KR20130023113A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| CN104952765B (zh) | 基板处理装置、喷嘴以及基板处理方法 | |
| CN102435051A (zh) | 干燥基板的方法和使用该方法制造图像显示装置的方法 | |
| JP4579268B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2009178672A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP4675113B2 (ja) | 基板洗浄装置 | |
| JP2013080808A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP2014017316A (ja) | 現像処理装置及び現像処理方法 | |
| KR20030039318A (ko) | 기판처리장치 | |
| CN107579019A (zh) | 基板处理装置 | |
| KR101150022B1 (ko) | 에칭장치 | |
| KR20210146796A (ko) | 현상 처리 장치 및 현상 처리 방법 | |
| JP2005064312A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP3766968B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| JP2007073649A (ja) | レジスト剥離洗浄装置、レジスト剥離洗浄方法および基板製造方法 | |
| JP2008227195A (ja) | 液処理装置 | |
| JP4365192B2 (ja) | 搬送式基板処理装置 | |
| KR20060027597A (ko) | 기판세정장치 및 기판세정방법 | |
| JP2011129758A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100910 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110107 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110114 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110311 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110817 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110823 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4812847 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140902 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |