KR101740208B1 - 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 - Google Patents

대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 특히 유리 기판인 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈에 관한 것으로서, 본 처리 모듈은, 하우징 커버를 갖는 하우징; 및 대형 기판의 수평 프로세싱을 위한 복수의 운송 요소들을 갖는 운송 디바이스를 포함하고, 상기 처리 모듈은, 상기 처리 모듈의 내부에 처리액을 축적하기 위하여, 상기 처리 모듈의 입구에서 상기 대형 기판의 운송 레벨 위에 배치된 적어도 제 1 액체 노즐과 적어도 가스 노즐, 및 상기 처리 모듈의 출구에서 상기 대형 기판의 운송 레벨 위에 배치된 적어도 다른 제 1 액체 노즐과 적어도 다른 가스 노즐을 더 포함하고, 각 가스 노즐은 개별 제 1 액체 노즐보다 더 외부에 배치되고, 상기 처리 모듈은 상기 대형 기판의 운송 레벨보다 아래에서 각 제 1 액체 노즐 아래에 배치된 적어도 액체 위어를 더 포함하고, 상기 처리 모듈은 상기 처리 모듈의 상기 운송 디바이스 및 액체 위어들을 조정하기 위한 적어도 조정 디바이스를 더 포함한다. 또한, 본 발명은 특히 그러한 처리 모듈을 포함하는 수평 장치에서 대형 기판을 처리하는 방법에 관한 것이다.

Description

대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈{TREATING MODULE OF AN APPARATUS FOR HORIZONTAL WET-CHEMICAL TREATMENT OF LARGE-SCALE SUBSTRATES}
본 발명은, 특히 유리 기판인 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈에 관한 것으로서, 본 처리 모듈은, 하우징 커버를 갖는 하우징; 및 대형 기판의 수평 프로세싱을 위한 복수의 운송 요소들을 갖는 운송 디바이스를 포함하고, 상기 처리 모듈은, 상기 처리 모듈의 내부에 처리액을 축적하기 위하여, 상기 처리 모듈의 입구에서 상기 대형 기판의 운송 레벨 위에 배치된 적어도 제 1 액체 노즐과 적어도 가스 노즐, 및 상기 처리 모듈의 출구에서 상기 대형 기판의 운송 레벨 위에 배치된 적어도 다른 제 1 액체 노즐과 적어도 다른 가스 노즐을 더 포함하고, 각 가스 노즐은 개별 제 1 액체 노즐보다 더 외부에 배치되고, 상기 처리 모듈은 상기 대형 기판의 운송 레벨보다 아래에서 각 제 1 액체 노즐 아래에 배치된 적어도 액체 위어 (liquid weir) 를 더 포함한다.
또한, 본 발명은 본 발명의 그러한 처리 모듈을 포함하는, 복수의 모듈을 포함하는 수평 장치에서 대형 기판을 처리하는 방법에 관한 것이다.
일렉트로닉스 (electronics) 산업에서 기판의 수평 프로세싱을 위한 디바이스 및 장치는 수십 년 전부터 잘 알려져 있다. 본래, 비교적 두꺼운 인쇄 회로 기판은 상이한 프로세스 액체들로 처리하기 위해 그러한 수평 장치를 통해 운송되었다. 그러한 처리는 산업용 인쇄 회로 기판을 제조하기 위한 모든 필요한 프로세스 단계를 포함할 수 있다. 상기 필요한 프로세스 단계는 에칭, 헹굼, 구리 시드 층의 퇴적 (deposition) 등과 같은 다양한 전처리 단계; 후속하여, 무전해 또는 갈바닉 프로세스 단계에 의해 상기한 전처리된 기판의 표면에 금속, 보통 구리, 니켈 또는 주석을 퇴적시키는 적어도 하나의 메인 프로세스 단계; 그리고 마지막으로 헹굼, 건조 등과 같은 다양한 후처리 단계를 포함한다.
그렇지만, 일렉트로닉스 산업은 이제, 통상적인 인쇄 회로 기판보다 훨씬 더 클 뿐만 아니라 인쇄 회로 기판에 보통 사용되는 폴리머 재료 대신에 부서지기 쉬운 유리 재료로 종종 구성되는 대형 기판을 프로세싱하기에 적합한 디바이스 및 장치를 필요로 하고 있다. 대형 텔레비전의 생산 등과 같이 일렉트로닉스 산업에서 플랫 패널 디스플레이와 같은 대형 유리 기판을 운송하고 프로세싱하기에 적합한 장치를 필요로 하는 시장 동향이 존재한다.
이러한 대형 기판에 대한 새로운 도전은 또한 균일한 처리, 특히 불균일을 생성함이 없이 그러한 대형 기판의 표면에 균일한 금속 퇴적을 제공하고 보장하는 것이다.
Tokyo Electron LTD 의 JP 2010 199150 A 는, 기판 운송 통로를 통해 운송되는 개별 기판을 처리하기 위해 기판 운송 통로, 제 1 처리액 공급 수단, 가스 공급 수단, 제 1 헹굼 수단 및 제 2 헹굼 수단을 포함하는 기판 프로세싱 장치를 개시하고 있다.
이러한 목적을 위해 인쇄 회로 기판 산업의 잘 알려진 장치를 간단히 사용하는 것은 불가능하다. 과거에 인쇄 회로 기판의 생산에 성공적으로 사용된 상기 수평 장치는 대형 기판, 특히 플랫 패널 디스플레이와 같은 유리 기판을 프로세싱하는 이러한 새로운 요구를 충족시킬 수 없다.
따라서, 종래 기술의 관점에서, 본 발명의 목적은 대형 기판, 특히 부서지기 쉬운 대형 유리 기판 (플랫 패널 디스플레이 등) 을 운송 및 프로세싱하기에 적합한 수평 장치의 처리 모듈을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 불균일성을 생성함이 없이 균일한 표면 처리가 제공 및 보장될 수 있는, 대형 기판을 프로세싱하기 위한 수평 장치의 처리 모듈을 제공하는 것이다.
이러한 목적들과 명시적으로 언급되지는 않았지만 도입부에서 논의된 내용으로부터 유도되거나 파악될 수 있는 추가 목적이 청구항 1 의 모든 특징을 갖는 처리 모듈에 의해 달성된다. 본 발명의 모듈 처리에 대한 적절한 수정은 종속 청구항 2 내지 11 에서 보호된다. 또한, 청구항 12 는 그러한 처리 모듈을 사용하는 대형 기판의 처리 방법을 포함하는 한편, 상기한 본 발명의 방법의 적절한 수정은 종속 청구항 13 및 14 에서 보호된다. 또한, 청구항 15 는 대형 유리 기판, 특히 플랫 패널 디스플레이에의 금속, 특히 구리 퇴적을 위한 그러한 처리 모듈의 용도를 포함한다.
따라서, 본 발명은 특히 유리 기판인 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈로서, 하우징 커버를 갖는 하우징; 및 대형 기판의 수평 프로세싱을 위한 복수의 운송 요소들을 갖는 운송 디바이스를 포함하고, 상기 처리 모듈은, 상기 처리 모듈의 내부에 처리액을 축적하기 위하여, 상기 처리 모듈의 입구에서 상기 대형 기판의 운송 레벨 위에 배치된 적어도 제 1 액체 노즐과 적어도 가스 노즐, 및 상기 처리 모듈의 출구에서 상기 대형 기판의 운송 레벨 위에 배치된 적어도 다른 제 1 액체 노즐과 적어도 다른 가스 노즐을 더 포함하고, 각 가스 노즐은 개별 제 1 액체 노즐보다 더 외부에 배치되고, 상기 처리 모듈은 상기 대형 기판의 운송 레벨보다 아래에서 각 제 1 액체 노즐 아래에 배치된 적어도 액체 위어를 더 포함하고, 상기 처리 모듈은 상기 처리 모듈의 상기 운송 디바이스 및 액체 위어들을 조정하기 위한 적어도 조정 디바이스를 더 포함하는, 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈을 제공한다.
따라서, 대형 기판, 특히 부서지기 쉬운 유리 기판 (플랫 패널 디스플레이 등) 을 운송하고 프로세싱하기에 적합한, 수평 장치의 처리 모듈을 예견할 수 없는 방식으로 제공할 수 있다.
더욱이, 본 발명의 처리 모듈에서의 조정 디바이스의 제공이, 상기 처리 모듈의 다른 필수 부품과 함께, 불균일성을 생성함이 없이 균일한 표면 처리가 제공되고 보장될 수 있는 것을 지원한다.
본 발명의 보다 완전한 이해를 위해, 첨부 도면과 함께 고려되는 본 발명의 상세한 설명을 참조한다.
도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 따른 처리 모듈의 개략 사시도를 나타낸다.
도 2 는 본 발명의 도 1 에 도시된 것과 동일한 실시형태에 따른 처리 모듈의 개략 사시도로서, 하우징 커버가 없는 상태를 나타낸다.
도 3a 는 본 발명의 도 1 에 도시된 것과 동일한 실시형태에 따른, 하우징 커버가 개방되어 있는 처리 모듈의 개략 측면도를 나타내고, 도 3b, 도 3c 및 도 3d 는 상기 처리 모듈의 상이한 특징부들의 단면도를 나타낸다.
도 4 는 본 발명의 도 1 에 도시된 것과 동일한 실시형태에 따른 처리 모듈의 하측의 개략 사시도를 나타낸다.
본원에 사용된 바와 같이, 본 발명에 따른 용어 "습식 화학" 처리는 기판에의 금속 퇴적을 달성하기 위한 전류를 이용하지 않는 무전해 처리를 나타낸다. 그러한 습식 화학 처리는, 프로세싱 중에 항상 기판의 상부 표면 위에 있는 처리액 레벨이 처리 모듈의 내부에 제공되는 처리액에 기판을 침지시킴으로써 또는 기판의 적어도 하나의 표면에 처리액을 분무함으로써 수행될 수 있다.
본원에 사용된 바와 같이, 용어 "금속" 은, 본 발명에 따른 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치에 적용되는 때에, 그러한 수평 퇴적법에 적합한 것으로 알려진 금속을 가리킨다. 그러한 금속은 금, 니켈, 주석 및 구리, 바람직하게는 구리를 포함한다.
본원에 사용된 바와 같이, 용어 "대형 기판" 은, 본 발명에 따른 처리 모듈에 적용되는 때에, 플랫 패널 디스플레이의 생산에 요구되는 바와 같은 큰 치수, 바람직하게는 유리 기판의 경우 적어도 제너레이션 8 치수 (220 ㎝ × 250 ㎝) 의 기판을 가리킨다.
기판들은 처리 모듈의 제 1 액체 노즐들 사이의 영역에 의해 정의된 처리 영역을 통해 운송된다. 기판들은 운송 방향으로 수평 운송 평면을 따라 운송된다. 기판들은 처리 영역에 축적되어 있는 처리액을 통해 기판들이 운송되는 방식으로 운송된다.
처리 모듈의 입구와 출구에 있는 제 1 액체 노즐들에 의해 처리액의 유동이 발생되며, 처리 영역으로 향하는 방향으로 처리액의 유동을 배출한다.
가스 노즐에 의해 가스의 유동이 발생된다. 가스 노즐은 간극 (gap) 에 의해 운송 방향을 따라 액체 노즐로부터 이격된다. 가스 노즐에 의해 배출되는 가스의 적어도 일부가 간극을 통해 벗어난다.
제 1 액체 노즐들과 가스 노즐들의 조합은 기판으로부터 처리액을 제거하거나 다시 유지하도록 작동한다. 재료의 민감한 표면에 맞닿는 스퀴즈 롤러가 사용될 필요가 없다. 제 1 액체 노즐들에 의해 배출되는 처리액의 유동은 제 1 액체 노즐들과 운송 평면 사이의 클리어런스를 통한 처리액의 유출을 줄이도록 작동한다. 또한, 제 1 액체 노즐들에 의해 배출되는 처리액의 유동은 기판의 표면에서의 처리액의 교환을 향상시킨다.
가스 노즐과 개별 제 1 액체 노즐 사이의 간극은, 가스가 처리 영역 내로 진입함이 없이 벗어날 수 있게 하는 공간을 제공하면서, 기판으로부터 처리 영역 밖으로 처리액을 제거하기 위한 가스 유동을 허용한다.
용어 처리액은 기판이 습식 화학 처리를 위해 그러한 처리 모듈에서 노출될 수 있는 임의의 프로세스 화학적 액체를 가리킨다.
기판의 상부 표면은 민감한 표면일 수도 있다. 그러면, 기판의 상부 표면의 적어도 대부분은 기판이 처리 영역에 들어가거나 나올 때에 강성 요소와 접촉되지 않아야 한다.
일 실시형태에서, 처리 모듈은 운송 디바이스의 각 운송 요소의 개별 외부 단부를 수용하기 위한 복수의 베어링들, 바람직하게는 볼베어링들을 포함하는 2 개의 베어링 리테이너 스트립들, 바람직하게는 볼베어링 스트립들을 더 포함한다.
일 실시형태에서, 처리 모듈은 제 1 액체 노즐들 사이에서 대형 기판의 운송 레벨 위에 배치된 적어도 제 2 액체 노즐을 더 포함한다.
본 발명의 처리 모듈에서의 그러한 대형 기판의 처리는 처리 모듈의 충분히 높은 처리액 레벨을 보장하기에 충분한 처리액을 제공하기 위해 그러한 부가적인 제 2 액체 노즐들을 필요로 할 수 있다. 대형 기판의 치수가 너무 커지면, 단지 처리 모듈의 입구 및 출구의 제 1 액체 노즐들이 기판의 운송 레벨 위에 처리액 레벨을 수립하기에 충분한 처리액을 더 제공할 수 없는 상황이 발생할 수 있다. 또한 처리된 기판의 상부 표면이 끊임없이 처리액 레벨보다 아래에 있는 것이 보장되어야 한다.
일 실시형태에서, 개별 제 1 액체 노즐의 아래에 운송 시스템의 2 개의 인접한 운송 요소들 사이에 액체 위어가 배치된다.
그러한 액체 위어는 기판이 처리 모듈의 입구 및 출구를 통해 운송되도록 단지 규정된 간극이 유지되는 것을 보장한다. 동시에, 제 1 액체 노즐과 함께 처리 모듈 내부의 처리 영역으로부터 처리액 손실을 최소화한다.
일 실시형태에서, 처리 모듈은 대형 기판의 운송 레벨 아래에 배치된 가스 (바람직하게는, 압축 공기) 전달 요소를 포함하고, 상기 가스 전달 요소는 처리 모듈의 각 가스 노즐 아래에 배치된다.
그러한 가스 전달 요소는 기판이 처리 모듈의 입구 및 출구를 통해 운송되도록 단지 규정된 간극이 유지되는 것을 보장한다. 동시에, 가스 노즐과 함께 처리 모듈 내부의 처리 영역으로부터 처리액 손실을 최소화한다.
일 실시형태에서, 처리 모듈은 운송 디바이스의 운송 요소들의 개별 외부 단부를 수용하기 위한 복수의 베어링들, 바람직하게는 볼베어링들을 포함하는 적어도 제 2 베어링 리테이너 스트립, 바람직하게는 볼베어링 스트립을 더 포함하고, 상기 적어도 제 3 베어링 리테이너 스트립은 2 개의 베어링 리테이너 스트립들 사이에 평행하게 배치된다.
롤러 또는 휠 축과 같은 통상적으로 사용되는 운송 요소에 대해 대형 기판의 치수가 너무 크면, 그러한 부가적인 베어링 리테이너 스트립들이 필요하게 된다. 그러한 운송 요소는 그 제조 동안에 구조상 문제로 인해 야기되는 축선 방향의 요구되는 정확도가 부족하다. 롤러는 보통, 폴리머 재료로 제조된 외부 하우징에 기계적으로 주입된, 스틸 코어와 같은 금속 코어로 구성된다. 그렇지만, 그러한 주입 프로세스는 매우 높은 기계적 힘을 발생시키고, 이는 요구되는 정확도로 그러한 운송 요소가 축선방향 길이로 제조될 수 있는 기술적 한계로 이어진다. 따라서, 단일 운송 요소의 요구되는 축선방향 길이가 상기한 이유 때문에 이용가능하지 않다면, 적어도 2 개의 운송 요소들을 차례로 설치하는 것이 가능하다. 그러면, 이 두 운송 요소들 사이의 축선방향 교차점에서 하나의 부가적인 베이링 리테이너 스트립이 요구된다.
일 실시형태에서, 조정 디바이스는 적어도 제 1 조정 요소 및 적어도 제 2 조정 요소를 포함하고, 제 1 조정 요소들은, 액체 위어들 및 베어링 리테이너 스트립들의 수평 정렬이 조정될 수 있도록 복수의 제 2 조정 요소들에 의해 개별 액체 위어들 또는 베어링 리테이너 스트립들에 연결된다.
이는 대형 기판의 그러한 프로세싱의 경우 매우 유리한데, 그 이유는 그러한 기판의 경우 충분한 정확도로 처리 모듈의 하측 부분에 운송 요소들 및 액체 위어들과 같은 모듈 요소들을 제조하는 것이 매우 종종 어렵기 때문이다. 부가적으로, 상기한 모듈 요소들을 적절하게 수평 정렬하기 위해, 항상 조정이 필요할 수 있다. 그러한 선택적 조정은 처리 모듈의 운송 영역에 수직한 베어링 리테이너 수트립들 및 액체 위어들의 선택적 수직 이동 (심지어 증가하는 정도로 위 또는 아래) 을 가능하게 하는 복수의 제 2 조정 요소들에 의해 제공된다.
일 실시형태에서, 조정 디바이스는 처리액이 실질적으로 없는 별개의 영역에 처리 모듈의 하우징의 저부 아래에 배치된다.
이는 충분한 기계적 안정성을 제공하기 위해 어떤 종류의 조정 디바이스는 종종 금속으로 제조되어야 하기 때문에 유리하다. 조정 디바이스가 금속으로 제조되고 습식 화학적 구리 퇴적 등을 위한 처리액이 상기 조정 디바이스와 접촉할 수 있다면, 이 금속 부분의 표면에 구리가 의도하지 않게 도금될 것이다.
일 실시형태에서, 제 1 조정 요소들은 처리 모듈을 위한 하부구조로서 함께 라켓을 형성하는 바들 또는 스트립들이고, 제 2 조정 요소들은 볼트들, 핀들 또는 나사들이고, 쌍방의 조정 요소들은 바람직하게는 금속으로 제조된다.
일 실시형태에서, 처리 모듈은 처리 모듈의 별개 처리액 순환 시스템의 일부인 적어도 처리액 출구 요소를 더 포함한다.
일 실시형태에서, 하우징 커버는 중앙 영역 및 2 개의 측 영역들을 포함하고, 중앙 영역은 운송 영역에 대해 평행하게 정렬되고 적어도 가스 배출 개구를 포함하고, 쌍방의 측 영역들은 하우징 커버의 중앙 영역으로부터 하우징까지 일정하게 하향 연장된다.
이는 처리 모듈 내부의 기판의 처리를 위해 실온보다 높은 특정 온도가 설정되어 처리액의 성분들의 증발 프로세스로 이어지는 경우에 유리하다. 증발된 휘발성 성분들은 가스 배출 개구에 의해 처리 모듈로부터 배출될 수 있다. 부가적으로, 증발된 처리액 성분들로부터 형성되는 응축물이 자동으로 처리액에 역류하는 것을 측벽들의 배치가 지지한다.
더욱이, 이하의 방법 단계들을 특징으로 하는 복수의 모듈들을 포함하는 수평 장치에서 대형 기판을 처리하는 방법에 의해 본 발명의 목적이 또한 해결된다:
ⅰ) 적어도 전처리 모듈, 적어도 본 발명의 처리 모듈, 및 적어도 후처리 모듈을 포함하는 수평 장치를 제공하는 방법 단계,
ⅱ) 조정 디바이스에 의해 본 발명의 처리 모듈의 운송 요소들 및 액체 위어들을 이들의 정밀한 수평 정렬을 보장하도록 조정하는 방법 단계,
ⅲ) 대형 기판들, 바람직하게는 유리 기판들을 제공하는 방법 단계,
ⅳ) 전처리, 처리 및 후처리를 수행하기 위해 수평 장치의 모듈들을 통해 상기 대형 기판들을 운송하는 방법 단계.
상기 방법의 바람직한 실시형태에서, 본 발명의 처리 모듈에서 방법 단계 ⅳ) 중의 대형 기판들의 처리가 대형 기판들의 표면에 금속, 바람직하게는 구리를 퇴적시키기 위한 무전해 습식 화학 처리이다.
그러한 습식 화학 처리는 단지 제한된 두께의 구리 층들을 전달할 수 있는 공지의 스퍼터링 기술에 비해 유리한 것으로 밝혀졌다. 스퍼터링이 최종적으로 1 ㎛ 미만의 구리 층들을 형성하는 반면, 습식 화학 처리는 두꺼운 구리 층들이 스퍼터링되는 경우에 기판의 내부 응력에 의해 야기되는 공지의 굽힘 효과를 발생시킴이 없이 훨씬 더 두꺼운 가능한 구리 층들을 제공한다.
이러한 본 발명의 방법의 추가 이점은 선택적 구리 층들을 생성하기 위해 다양한 추가 처리 단계들에 의해 후속하여 처리되어야 하는 기판의 전체 표면에 구리 층을 먼저 퇴적시킬 필요 없이 기판 표면에 선택적 구리 층들을 직접 형성할 가능성이다. 기판 자체의 재료에 따라 기판에 그러한 선택적 구리 층들을 퇴적시키기 위해, 선택적 팔라듐 층들의 퇴적이 필요할 수 있다. 대형 기판이 플랫 패널 디스플레이용 유리 기판이라면, 상기 팔라듐 층들 위에 후속하는 구리 층들을 갖는 팔라듐 층들의 그러한 퇴적이 바람직하다.
상기 방법의 더 바람직한 실시형태에서, 무전해 습식 화학 처리는 대형 기판을 처리액에 침지함으로써 수행된다.
처리액에 기판을 침지하는 것은 분무 패턴을 생성함으로써 야기되는 불균일한 퇴적물을 생성하는 기판 표면에 처리액을 분무하는 공지 기술에 비해 균일한 금속 퇴적이라는 이점을 제공한다.
본 발명의 그러한 처리 모듈이 대형 유리 기판, 특히 플랫 패널 디스플레이에의 금속, 특히 구리 퇴적을 위해 이용될 수 있다는 것이 부가적으로 발견되었다.
따라서, 본 발명은 대형 기판, 특히 플랫 패널 디스플레이와 같은 부서지기 쉬운 대형 유리 기판을 운송하고 프로세싱하기에 적합한, 수평 장치용 처리 모듈을 제공하는 과제를 다룬다.
이하의 비제한적인 예들은 본 발명의 일 실시형태를 보여주기 위해 그리고 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위해 제공되며, 여기에 첨부된 청구항들에 의해 규정되는 본 발명의 범위를 제한하려는 것이 아니다.
이제 도면들을 참고하면, 도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 따른 처리 모듈 (1) 의 개략 사시도를 보여준다.
상기 처리 모듈 (1) 은 하우징 커버 (4) 를 갖는 하우징 (2) 을 포함하고, 하우징 커버 (4) 는 중앙 영역 (3), 2 개의 측 영역들 (5), 및 2 개의 측 영역들 (5) 각각에 있는 2 개의 윈도우들 (6) 을 포함한다. 중앙 영역 (3) 은 여기서 운송 영역에 대해 평행하게 정렬되고 적어도 가스 배출 개구 (7) 를 포함한다. 쌍방의 측 영역들 (5) 은 하우징 커버 (4) 의 중앙 영역 (3) 으로부터 하우징 (2) 까지 일정하게 하향 연장된다.
처리 모듈 (1) 은 대형 기판들의 수평 프로세싱을 위한 복수의 운송 요소들 (8) 을 갖는 운송 디바이스를 더 포함하고, 운송 요소들 (8) 은 롤러들 또는 휠 축 (wheel axis) 일 수 있다. 도시된 실시형태에서, 각 운송 요소 (8) 는 휠 축이다. 롤러들은 처리 모듈 (1) 의 처리 영역 내부에 이용가능한 체적이 더 적으므로 처리 화학제의 소비가 더 적기 때문에 유리할 수 있다. 기판들의 운송 방향이 도면에 개략적으로 도시되어 있다.
처리 모듈 (1) 은 운송 디바이스의 각 운송 요소 (8) 의 개별 외부 단부들을 수용하기 위한 복수의 볼베어링들을 포함하는 2 개의 볼베어링 스트립들 (9) 을 더 포함한다. 더욱이, 처리 모듈 (1) 은 운송 디바이스의 운송 요소들 (8) 의 개별 외부 단부들을 수용하기 위한 복수의 볼베어링들을 포함하는 제 3 볼베어링 스트립 (9) 을 포함하고, 적어도 상기 제 3 볼베어링 스트립 (9) 은 2 개의 볼베어링 스트립들 (9) 사이에 평행하게 배치된다.
처리 모듈 (1) 은 처리 모듈 (1) 내부에 처리액을 축적하기 위해 처리 모듈 (1) 의 입구와 출구에서 대형 기판의 운송 레벨 위에 배치된 제 1 액체 노즐 (11) 및 가스 노즐 (10) 을 더 포함하고, 각 가스 노즐 (10) 은 개별 제 1 액체 노즐 (11) 보다 더 외부에 배치된다. 더욱이, 처리 모듈 (1) 은 2 개의 제 1 액체 노즐들 (11) 사이에서 대형 기판의 운송 레벨 위에 배치된 2 개의 제 2 액체 노즐들 (12) 을 포함한다.
도 2 는 본 발명의 도 1 에 나타낸 것과 동일한 실시형태에 따른 처리 모듈 (1) 의 개략 사시도로서, 하우징 커버 (4) 가 없는 상태를 보여준다. 도 2 는 기판의 운송 레벨 위의 처리 모듈 (1) 특징들을 더 상세하게 보여주기 위한 것이다. 개별 처리 모듈 (1) 특징들은 그들의 대응 도면부호와 함께 도 1 에서 기재된 것과 동일하고, 불필요한 반복을 피하기 위해 다시 논의하지 않는다.
도 3a 는 본 발명의 도 1 에 나타낸 것과 동일한 실시형태에 따른 처리 모듈 (1) 의 개략 측면도로서, 하우징 커버 (4) 가 개방된 상태를 보여준다.
처리 모듈 (1) 의 이러한 대안적인 도시는 운송 방향으로 기판의 운송 레벨 위의 가스 노즐 (10), 제 1 액체 노즐 (11), 2 개의 제 2 액체 노즐들 (12), 제 1 액체 노즐 (11) 그리고 다시 가스 노즐 (10) 의 결과를 보여준다.
더욱이, 처리 모듈 (1) 은 개별 제 1 액체 노즐들 (11) 아래의 운송 시스템의 2 개의 인접한 운송 요소들 (8) 사이에 배치된 2 개의 액체 위어들 (13) 을 포함한다.
처리 모듈 (1) 은 대형 기판의 운송 레벨 아래에 배치된 가스 전달 요소 (22) 를 더 포함하고, 상기 가스 전달 요소는 처리 모듈 (1) 의 각 가스 노즐 (10) 아래에 배치된다.
도 3b 는 가스 노즐 (10) 을 포함하는 처리 모듈 (1) 의 부위에서의 상세한 배치에 대한 확대도를 제공하기 위해 처리 모듈 (1) 의 이 부위의 단면도를 보여준다. 가스 노즐 (10) 바로 아래에 그리고 대형 기판의 운송 레벨 (17) 아래에 가스 전달 요소 (22) 가 제공된다. 상기 가스 전달 요소 (22) 는 2 개의 인접한 운송 요소들 (8) 사이에 배치된다. 가스 공급부 (14) 는 처리 모듈 (1) 의 입구와 출구에서 배출 가스 유동의 경로를 뚜렷하게 하기 위해 검정색으로 강조되어 있으며, 이는 처리 영역 내부에의 처리액의 축적을 지지하기 위해 처리 영역의 내부로 향하고 있다.
도 3c 는 제 1 액체 노즐 (11) 을 포함하는 처리 모듈 (1) 의 부위에서의 상세한 배치에 대한 확대도를 제공하기 위해 처리 모듈 (1) 의 이 부위의 단면도를 보여준다. 제 1 액체 노즐 (11) 바로 아래에 그리고 대형 기판의 운송 레벨 (17) 아래에 액체 위어 (13) 가 제공된다. 상기 액체 위어 (13) 는 2 개의 인접한 운송 요소들 (8) 사이에 배치된다. 제 1 액체 노즐 (11) 의 가스 공급부 (15) 는 처리 모듈 (1) 의 입구와 출구에서 배출 가스 유동의 경로를 뚜렷하게 하기 위해 검정색으로 강조되어 있으며, 이는 처리 영역 내부에의 처리액의 축적을 지지하기 위해 처리 영역의 내부로 향하고 있다.
도 3d 는 대형 기판의 운송 레벨 (17) 위에 제 2 액체 노즐 (12) 을 포함하는 처리 모듈 (1) 의 부위에서의 상세한 배치에 대한 확대도를 제공하기 위해 처리 모듈 (1) 의 이 부위의 단면도를 보여준다. 제 2 액체 노즐 (12) 의 가스 공급부 (16) 는 제 1 액체 노즐들 (11) 사이에서 처리 모듈 (1) 의 내부에 주입 액체 유동의 경로를 뚜렷하게 하기 위해 검정색으로 강조되어 있다. 대형 기판의 운송 레벨 (17) 위에 운송 방향에 대해 평행하게 주입된 상기 주입 액체 유동은 처리 모듈 (1) 의 내부에 충분한 처리액 레벨을 보장하는 것으로 생각된다.
도 4 는 본 발명의 도 1 에 도시된 것과 동일한 실시형태에 따른 처리 모듈 (1) 의 하측에 대한 개략 사시도를 보여준다. 특히, 처리 모듈 (1) 의 조정 디바이스의 세부가 이 도 4 에 의해 도시되고 명확하게 되는 것으로 생각된다.
상기 조정 디바이스는, 이 바람직한 실시형태에서, 서로 수직하게 연장되는, 2 개의 평행한 제 1 조정 요소들 (19) 및 3 개의 제 2 조정 요소들 (20) 을 포함한다. 제 1 조정 요소들 (19) 은 처리 모듈 (1) 을 위한 하부구조로서 라켓을 함께 형성하는 바아들이다. 제 2 조정 요소들 (20) 은 볼트들이다. 쌍방의 조정 요소들 (19, 20) 은 금속으로 제조된다.
제 1 조정 요소들 (19) 은 상기 액체 위어들 (13) 및 볼베어링 스트립들 (9) 의 수평 정렬이 조정될 수 있도록 복수의 제 2 조정 요소들 (20) 에 의해 개별 액체 위어들 (13) 또는 볼베어링 스트립들 (9) 에 연결된다. 여기서, 조정 디바이스는 처리액이 실질적으로 없는 별개의 영역에 처리 모듈 (1) 의 하우징 (2) 의 저부 아래에 정렬된다.
처리 모듈 (1) 은 처리 모듈 (1) 의 별개 처리액 순환 시스템 (도시 안 됨) 의 일부인 복수의 처리액 출구 요소들 (18) 를 더 포함한다. 처리 모듈 (1) 은 개별 가스 전달 요소들 (22) (도시 안 됨) 의 복수의 액체 공급부들 (21) 을 더 포함한다.
여기에 기재된 실시형태는 단지 예시적인 것이며 본 기술분야의 통상의 기술자가 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서 다양한 변형 및 수정을 가할 수 있다는 것을 이해할 것이다. 전술한 것을 포함하는 그러한 모든 변형 및 수정이 첨부된 청구항들에 의해 규정되는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 의도된다.
1 처리 모듈
2 하우징
3 하우징 커버의 중앙 영역
4 하우징 커버
5 하우징 커버의 측 영역
6 하우징 커버의 윈도우
7 가스 배출 개구
8 운송 요소
9 베어링 리테이너 스트립
10 가스 노즐
11 제 1 액체 노즐
12 제 2 액체 노즐
13 액체 위어 (liquid weir)
14 가스 노즐의 가스 공급부
15 제 1 액체 노즐의 액체 공급부
16 제 2 액체 노즐의 액체 공급부
17 대형 기판의 운송 레벨
18 처리액 출구 요소
19 제 1 조정 요소
20 제 2 조정 요소
21 가스 전달 요소의 액체 공급부
22 가스 전달 요소

Claims (15)

  1. 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 (1) 로서,
    하우징 커버 (4) 를 갖는 하우징 (2); 및
    대형 기판의 수평 프로세싱을 위한 복수의 운송 요소들 (8) 을 갖는 운송 디바이스
    를 포함하고,
    상기 처리 모듈 (1) 은, 상기 처리 모듈 (1) 의 내부에 처리액을 축적하기 위하여, 상기 처리 모듈 (1) 의 입구에서 상기 대형 기판의 운송 레벨 (17) 위에 배치된 적어도 제 1 액체 노즐 (11) 과 적어도 가스 노즐 (10), 및 상기 처리 모듈 (1) 의 출구에서 상기 대형 기판의 운송 레벨 (17) 위에 배치된 적어도 다른 제 1 액체 노즐 (11) 과 적어도 다른 가스 노즐 (10) 을 더 포함하고,
    각 가스 노즐 (10) 은 개별 제 1 액체 노즐 (11) 보다 더 외부에 배치되고,
    상기 처리 모듈 (1) 은 상기 대형 기판의 운송 레벨 (17) 보다 아래에서 각 제 1 액체 노즐 (11) 아래에 배치된 적어도 액체 위어 (liquid weir; 13) 를 더 포함하고,
    상기 처리 모듈 (1) 은 상기 처리 모듈 (1) 의 상기 운송 디바이스 및 액체 위어들 (13) 을 조정하기 위한 적어도 조정 디바이스를 더 포함하는, 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 (1).
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리 모듈 (1) 은 상기 운송 디바이스의 각 운송 요소 (8) 의 개별 외부 단부들을 수용하기 위한 복수의 베어링들을 포함하는 2 개의 베어링 리테이너 스트립들 (9) 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 (1).
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리 모듈 (1) 은 제 1 액체 노즐들 (11) 사이에서 상기 대형 기판의 운송 레벨 (17) 위에 배치된 적어도 제 2 액체 노즐 (12) 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 (1).
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 액체 위어 (13) 는 개별 제 1 액체 노즐 (11) 아래의 운송 시스템의 2 개의 인접한 운송 요소들 (8) 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는, 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 (1).
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리 모듈 (1) 은 상기 대형 기판의 운송 레벨 (17) 아래에 배치된 가스 전달 요소 (22) 를 포함하고, 상기 가스 전달 요소 (22) 는 상기 처리 모듈의 각 가스 노즐 (10) 아래에 배치되는 것을 특징으로 하는, 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 (1).
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 처리 모듈 (1) 은 상기 운송 디바이스의 운송 요소들 (8) 의 개별 외부 단부들을 수용하기 위한 복수의 베어링들을 포함하는 제 3 베어링 리테이너 스트립 (9) 을 더 포함하고, 적어도 상기 제 3 베어링 리테이너 스트립 (9) 은 2 개의 베어링 리테이너 스트립들 (9) 사이에 평행하게 배치되는 것을 특징으로 하는, 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 (1).
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 조정 디바이스는 적어도 제 1 조정 요소 (19) 및 적어도 제 2 조정 요소 (20) 를 포함하고, 제 1 조정 요소들 (19) 은 액체 위어들 (13) 및 베어링 리테이너 스트립들 (9) 의 수평 정렬이 조정될 수 있도록 복수의 제 2 조정 요소들 (20) 에 의해 개별 액체 위어들 (13) 또는 베어링 리테이너 스트립들 (9) 에 연결되는 것을 특징으로 하는, 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 (1).
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 조정 디바이스는 처리액이 없는 별개의 영역에서 상기 처리 모듈 (1) 의 상기 하우징 (2) 의 저부 아래에 배치되는 것을 특징으로 하는, 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 (1).
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 조정 요소들 (19) 은 상기 처리 모듈을 위한 하부구조로서 라켓을 함께 형성하는 바아들 또는 스트립들이고, 상기 제 2 조정 요소들 (20) 은 볼트들, 핀들 또는 나사들인 것을 특징으로 하는, 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 (1).
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리 모듈 (1) 은 상기 처리 모듈 (1) 의 별개 처리액 순환 시스템의 일부인 적어도 처리액 출구 요소 (18) 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 (1).
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 하우징 커버 (4) 는 중앙 영역 (3) 및 2 개의 측 영역들 (5) 을 포함하고,
    상기 중앙 영역 (3) 은 운송 영역에 대해 평행하게 정렬되고 적어도 가스 배출 개구 (7) 를 포함하고,
    쌍방의 측 영역들 (5) 은 상기 하우징 커버 (4) 의 상기 중앙 영역 (3) 으로부터 상기 하우징 (2) 까지 일정하게 하향 연장되는 것을 특징으로 하는, 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 (1).
  12. 복수의 모듈들을 포함하는 수평 장치에서 대형 기판을 처리하기 위한 방법으로서, 이하의 방법 단계들:
    ⅰ) 적어도 전처리 모듈, 적어도 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 처리 모듈, 및 적어도 후처리 모듈을 포함하는 수평 장치를 제공하는 방법 단계,
    ⅱ) 조정 디바이스에 의해 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 각 처리 모듈 (1) 의 운송 요소들 (8) 및 액체 위어들 (13) 을 이들의 정밀한 수평 정렬을 보장하도록 조정하는 방법 단계,
    ⅲ) 대형 기판을 제공하는 방법 단계, 및
    ⅳ) 전처리, 처리 및 후처리를 수행하기 위해 상기 수평 장치의 모듈들을 통해 상기 대형 기판을 운송하는 방법 단계를 포함하고,
    상기 전처리는 에칭, 헹굼 및 구리 시드 층의 퇴적 (deposition) 중 하나 이상을 포함하고, 상기 처리는 대형 기판에 금속을 퇴적시키는 것을 포함하고, 상기 후처리는 헹굼 및 건조 중 하나 이상을 포함하는, 복수의 모듈들을 포함하는 수평 장치에서 대형 기판을 처리하는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 처리 모듈 (1) 에서 방법 단계 ⅳ) 동안의 상기 대형 기판의 처리는 상기 대형 기판의 표면에 금속을 퇴적시키기 위한 무전해 습식 화학 처리인 것을 특징으로 하는, 복수의 모듈들을 포함하는 수평 장치에서 대형 기판을 처리하는 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 무전해 습식 화학 처리는 상기 대형 기판을 상기 처리액에 침지함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는, 복수의 모듈들을 포함하는 수평 장치에서 대형 기판을 처리하는 방법.
  15. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리 모듈은 대형 유리 기판에의 금속 퇴적을 위해 사용되는 것을 특징으로 하는, 대형 기판의 수평 습식 화학 처리를 위한 장치의 처리 모듈 (1).
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6762184B2 (ja) * 2016-09-26 2020-09-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 回収配管洗浄方法および基板処理装置
JP6700605B2 (ja) * 2016-11-16 2020-05-27 日本電気硝子株式会社 ガラス基板の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010199150A (ja) 2009-02-23 2010-09-09 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000062951A (ja) * 1998-08-19 2000-02-29 Daiichi Shisetsu Kogyo Kk 搬送装置
JP2004073743A (ja) * 2002-08-22 2004-03-11 Shinko Seisakusho Co Ltd パチンコ玉揚上装置
JP2011154380A (ja) * 2003-03-20 2011-08-11 Toshiba Mobile Display Co Ltd 表示装置の形成方法
JP2010103383A (ja) * 2008-10-27 2010-05-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
WO2010087435A1 (ja) * 2009-02-02 2010-08-05 シャープ株式会社 基板処理装置
WO2012167285A1 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 Tel Nexx, Inc. Parallel single substrate processing system
DE102011109568A1 (de) * 2011-08-05 2013-02-07 Rena Gmbh Abluftsystem und Verfahren dazu
WO2013050332A2 (en) * 2011-10-05 2013-04-11 Atotech Deutschland Gmbh Formaldehyde-free electroless copper plating solution

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010199150A (ja) 2009-02-23 2010-09-09 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法

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