TWI598309B - 用於大型基板之水平濕式化學處理之裝置的處理模組 - Google Patents

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Description

用於大型基板之水平濕式化學處理之裝置的處理模組
本發明係關於一種用於大型基板(特定言之玻璃基板)之水平濕式化學處理之一裝置的處理模組，其包括：一外殼，其具有一外殼蓋；一傳輸器件，其包括用於水平處理大型基板之複數個傳輸元件，其中該處理模組進一步包括在該處理模組之入口處配置於該等大型基板之傳輸高度上方之至少一第一液體噴嘴及至少一氣體噴嘴及在該處理模組之出口處配置於該等大型基板之該傳輸高度上方之至少另一第一液體噴嘴及至少另一氣體噴嘴以用於累積該處理模組內之處理液體，其中各氣體噴嘴配置成比各自第一液體噴嘴更靠外；及至少一液體堰，其在該等大型基板之傳輸高度下方配置於各第一液體噴嘴下方。
本發明進一步係關於一種用於在包括複數個模組之一水平裝置中處理大型基板之方法，其中包括本發明之此一處理模組。
幾十年來，電子行業中用於水平處理基板之器件及裝置為人熟知。最初，已透過此等水平裝置傳輸相對厚之印刷電路板以便使用不同處理液體來將其處理。此一處理可包括生產該行業之一印刷電路板所需之所有程序步驟。該等所需程序步驟已包含各種預處理處理程序步驟，諸如銅晶種層之蝕刻、沖洗、沈積或類似者；接著，藉由一無 電或電流程序步驟將金屬(通常為銅、鎳或錫)沈積於該預處理基板表面上之至少一主程序步驟；及最後各種後處理步驟，諸如沖洗、乾燥或類似者。
然而，電子行業現需要適於處理大型基板之器件及裝置，該等大型基板不僅遠大於習知印刷電路板，而且常由易碎玻璃材料而非通常用於印刷電路板之聚合物材料構成。存在需要適於傳輸及處理電子行業之大型玻璃基板(諸如平板顯示器)以用於生產諸如大型電視機之一市場趨勢。
此等大型基板帶來的一挑戰亦係提供且確保一均勻處理，特定言之，此等大基板之表面上之一均勻金屬沈積而不產生不均勻性。
Tokyo Electron LTD之JP 2010 199150 A揭示一種基板處理裝置，其包括一基板傳遞路徑、一第一處理液體供應構件、一氣體供應構件、一第一沖洗構件及一第二沖洗構件以用於一各自基板，該基板係透過基板傳遞路徑傳遞。
無法簡單地利用印刷電路板行業之熟知裝置來達到此目的。之前已成功用於生產印刷電路板之該等水平裝置無法滿足處理大型基板(特定言之，玻璃基板，諸如平板顯示器)之此等新的要求。
本發明之目的
鑑於先前技術，因此本發明之一目的係提供適於傳輸且處理大型基板(特定言之易碎大型玻璃基板，諸如平板顯示器)之一水平裝置之一處理模組。
此外，一目的係提供用於處理大型基板之一水平裝置之一處理模組，其中在不產生不均勻性的情況下，可提供且確保一均勻表面處理。
藉由具有技術方案1之所有特徵之一處理模組達成此等目的以及 另外目的，該等另外目的未明確陳述，但可藉由引言之方式自本文討論之聯繫立即推論出或辨識。在附屬技術方案2至11中保護對本發明的處理模組之適當修改。此外，技術方案12包括用於使用此一處理模組來處理大型基板之一方法，而在附屬技術方案13及14中保護該發明方法之適當修改。此外，技術方案15包括將此一處理模組用於大型玻璃基板(特定言之平板顯示器)上之金屬(特定言之，銅)沈積。
因此，本發明提供用於大型基板(特定言之，玻璃基板)之水平濕式化學處理之一裝置的一處理模組，其包括：一外殼，其具有一外殼蓋；一傳輸器件，其包括用於水平處理大型基板之複數個傳輸元件，其中該處理模組進一步包括在該處理模組之入口處配置於該等大型基板之運輸高度上方之至少一第一液體噴嘴及至少一氣體噴嘴及在該處理模組之出口處配置於該等大型基板之該運輸高度上方之至少另一第一液體噴嘴及至少另一氣體噴嘴以用於累積該處理模組內之處理液體，其中各氣體噴嘴配置成比各自第一液體噴嘴更靠外；至少一液體堰，其在各第一液體噴嘴下方配置於該等大型基板之傳輸高度下方；其特徵在於該處理模組進一步包括至少一調整器件以用於調整該處理模組之該傳輸器件及該等液體堰。
因此，可以一不可預見之方式提供適於傳輸且處理大型基板(特定言之易碎大型玻璃基板，諸如平板顯示器)之一水平裝置之一處理模組。
此外，在發明處理模組中提供一調整器件連同該處理模組之其他必要組件一起支援可在不產生不均勻性的情況下提供且確保一均勻表面處理。
1‧‧‧處理模組
2‧‧‧外殼
3‧‧‧中心區域
4‧‧‧外殼蓋
5‧‧‧側區域
6‧‧‧窗
7‧‧‧氣體排放開口
8‧‧‧傳輸元件
9‧‧‧軸承護圈帶
10‧‧‧氣體噴嘴
11‧‧‧第一液體噴嘴
12‧‧‧第二液體噴嘴
13‧‧‧液體堰
14‧‧‧氣體饋路
15‧‧‧液體饋路
16‧‧‧液體饋路
17‧‧‧傳輸高度
18‧‧‧處理液體出口元件
19‧‧‧第一調整元件
20‧‧‧第二調整元件
21‧‧‧液體饋路
22‧‧‧氣體遞送元件
為更完整理解本發明，參考結合隨附圖式考慮之本發明之下列實施方式，在圖式中： 圖1展現根據本發明之一實施例之一處理模組之一示意透視圖。
圖2展現根據本發明之與圖1中所展示相同之實施例之無外殼蓋之一處理模組之一示意透視圖。
圖3a展現根據本發明之與圖1中所展示相同之實施例之具有敞開之外殼蓋之一處理模組之一示意側視圖，而圖3b、圖3c及圖3d展現該處理模組之不同特徵之截面視圖。
圖4展現根據本發明之與圖1中所展示相同之實施例之一處理模組之下側上之一示意透視圖。
如本文中使用，根據本發明之術語「濕式化學」處理係指不利用電流來達成一基板上之一金屬沈積之一無電處理。可藉由將基板浸沒於處理液體中而進行此一濕式化學處理，其中在處理模組內提供一處理液體液位，其在處理期間始終高於基板之上表面；或藉由將處理液體噴灑於基板之至少一表面上而進行該濕式化學處理。
如本文中使用，當應用於根據本發明之用於水平濕式化學處理一基板之一裝置時，術語「金屬」係指已知適用於此一水平沈積方法之金屬。此等金屬包括金、鎳、錫及銅，較佳地為銅。
如本文中使用，當應用於根據本發明之一處理模組時，術語「大型基板」係指生產平板顯示器所需之大尺寸基板，較佳地高達用於玻璃基板之至少第8代尺寸(220cm x 250cm)。
透過藉由處理模組之第一液體噴嘴之間的區域界定之一處理區域傳輸基板。在一傳輸方向上沿一水平傳輸平面傳輸基板。以使得基板被傳輸通過在處理區域中累積之一處理液體之一方式傳輸基板。
藉由在處理模組之入口及出口處之第一液體噴嘴產生一處理液體流，該液體噴嘴按引導朝向處理區域之一方向噴射處理液體流。
藉由氣體噴嘴產生一氣體流。氣體噴嘴與液體噴嘴沿傳輸方向 藉由一間隙間隔開。由氣體噴嘴噴射之氣體之至少一部分透過該間隙逸出。
第一液體噴嘴與氣體噴嘴之組合可操作以自基板移除處理液體或保持處理液體遠離基板。不要求使用抵靠一敏感材料表面之擠壓滾輪。可操作由第一液體噴嘴噴射之處理液體流以減少處理液體通過第一液體噴嘴與傳輸平面之間的一間隙之流出。由第一液體噴嘴噴射之處理液體流亦增強處理液體在基板之一表面處之一交換。
氣體噴嘴與各自第一液體噴嘴之間的間隙容許氣體流自處理區域外之基板移除處理液體，同時提供氣體可透過其逸出而不進入處理區域中之一空間。
術語處理液體係指基板在濕式化學處理之此一處理模組中可經受之任何程序化學液體。
基板之上表面可係一敏感表面。接著，在基板進入或離開處理區域時，不應使基板之上表面之至少一主要部分與剛性元件接觸。
在一項實施例中，處理模組進一步包括兩個軸承護圈帶(較佳地為滾珠軸承帶)，該兩個軸承護圈帶包括複數個軸承(較佳地為滾珠軸承)以用於接納傳輸器件之各傳輸元件之各自外部端。
在一項實施例中，處理模組進一步包括在第一液體噴嘴之間配置於大型基板之傳輸高度上方之至少一第二液體噴嘴。
此大型基板在本發明之一處理模組中之一處理可需要此等額外第二液體噴嘴，以便提供足夠處理液體來確保處理模組內之一足夠高之處理液體液位。若大型基板之尺寸變得過大，則可發生以下情況：僅處理模組之入口及出口處之第一液體噴嘴不再能夠提供足夠之處理液體來建立高於基板之傳輸高度之一處理液體液位。必須確保經處理基板之上表面同樣始終在處理液體液位下方。
在一項實施例中，液體堰配置於各自第一液體噴嘴下方之傳輸 系統之兩個相鄰運輸元件之間。
此一液體堰確保，僅針對基板保留一經界定間隙以用於透過處理模組之入口及出口傳輸基板。同時，其連同第一液體噴嘴最小化自處理模組內之處理區域之處理液體損失。
在一項實施例中，處理模組包括一氣體(較佳地為壓縮空氣)遞送元件，其配置於大型基板之傳輸高度下方，其中該氣體遞送元件配置於處理模組之各氣體噴嘴下方。
此一氣體遞送元件確保，僅針對基板保留一經界定間隙以用於透過處理模組之入口及出口傳輸基板。同時，其連同氣體噴嘴最小化自處理模組內之處理區域之處理液體損失。
在一項實施例中，處理模組進一步包括至少一第三軸承護圈帶(較佳地為滾珠軸承帶)，該第三軸承護圈帶包括複數個軸承(較佳地為滾珠軸承)以用於接納傳輸器件之傳輸元件之各自外部端，其中該至少第三軸承護圈帶並列配置於兩個軸承護圈帶之間。
若針對常用傳輸元件(諸如一滾輪或一輪軸)大型基板之尺寸過大，則此等額外軸承護圈帶變得必要。此等傳輸元件歸因於在其製造期間之構造問題而缺乏軸向方向上之所需準確度。滾輪一般由一金屬核心(諸如一鋼核心)構成，金屬核心經機械注入由聚合物材料製成之一外殼中。然而，此一注入程序產生非常高之機械力而導致一技術限制，在未達到該技術限制的情況下仍可以所需準確度製造此等傳輸元件之軸向長度。因此，若一單一傳輸元件之所需軸向長度歸因於上述原因不可用，則存在前後接連地安裝至少兩個傳輸元件的可能。接著，此需要在此等兩個傳輸元件之間的軸向互連點處之一個額外軸承護圈帶。
在一項實施例中，調整器件包括至少一第一調整元件及至少一第二調整元件，其中以使得可調整各自液體堰及軸承護圈帶之水平對 準之一方式藉由複數個第二調整元件將第一調整元件連接至該等液體堰或軸承護圈帶。
此對於大型基板之此處理係極有利的，此係因為針對此等基板以一足夠準確度在處理模組之下部分中製造模組元件(諸如傳輸元件)及液體堰通常係非常具有挑戰的。另外，可始終存在一調整的必要以便正確地水平對準前述模組元件。藉由複數個第二調整元件提供此一選擇性調整，該調整使液體堰及軸承護圈帶能夠垂直於處理模組之傳輸區域而選擇性地垂直移動(向上或向下，甚至在增量程度上)。
在一項實施例中，調整器件在處理模組之外殼之底部下方配置於一單獨區域中，該單獨區域實質上不含處理液體。
因為任何種類之調整器件通常必須由金屬製成以便提供足夠機械穩定性，故此係有利的。若調整器件由金屬製成且處理液體(諸如用於一濕式化學銅沈積)可與該調整器件接觸，則銅將無意地於此等金屬部分之表面上析出。
在一項實施例中，第一調整元件係桿或帶，其一起形成一托架作為處理模組之子結構；其中第二調整元件為螺栓、銷或螺絲；且其中兩個調整元件較佳地由金屬製成。
在一項實施例中，處理模組進一步包括至少一處理液體出口元件，其係處理模組之一單獨處理液體循環系統之一部分。
在一項實施例中，外殼蓋包括一中心區域及兩個側區域，其中中心區域經而對準平行於傳輸區域且包括至少一氣體排放開口；且其中兩個側區域自外殼蓋之中心區域一直向下延伸至外殼。
此在其中針對基板在處理模組內之處理建立高於室溫之一特定較高溫度而導致處理液體之組分之蒸發過程之情況下係有利的。可藉由氣體排放開口自處理模組排放經蒸發之揮發性組分。另外，側壁之配置支援，自經蒸發處理液體組分形成之冷凝液將自動回流至處理液 體中。
此外，亦藉由用於在包括複數個模組之一水平裝置中處理大型基板之一方法解決本發明之目的，該方法之特徵為下列方法步驟：i)提供一水平裝置，其包括至少一預處理模組、本發明之至少一發明處理模組及至少一後處理模組，ii)藉由調整器件調整本發明之發明處理模組之傳輸元件及液體堰來確保其精確水平對準，iii)提供大型基板，較佳地為玻璃基板，iv)透過該水平裝置之模組傳輸該等大型基板以用於執行預處理、處理及後處理。
在該方法之一較佳實施例中，大型基板在方法步驟iv)期間在本發明之發明處理模組中之處理係用於將一金屬(較佳地銅)沈積於大型基板之表面上之一無電濕式化學處理。
已發現此一濕式化學處理相較於僅可遞送具有有限厚度之銅層之已知濺鍍技術係有利的。當濺鍍最終產生小於1μm之銅層時，一濕式化學處理提供厚得多的可能銅層而不產生在濺鍍厚銅層的情況下由基板之內部應力造成之已知彎曲效應。
此一發明方法之一進一步優點係可在一基板之表面上直接形成選擇性銅層而無需首先將一銅層沈積於基板之整個表面上，接著藉由各種進一步方法步驟對該銅層進行後續處理以便產生選擇性銅層。取決於基板自身之材料，選擇性鈀層之一沈積對於在基板上沈積此等選擇性銅層可變得必要。若大型基板係平板顯示器之一玻璃基板，則在鈀層之頂部上具有後續銅層之一鈀層沈積係較佳的。
在該方法之一更佳實施例中，藉由將大型基板浸沒於處理液體中而執行無電濕式化學處理。
相較於將產生由產生噴灑圖案造成之不均勻沈積之基板表面上 之已知處理液體噴灑技術，將基板浸沒於處理液體中提供一均勻金屬沈積之優點。
已另外發現，本發明之此一發明處理模組可用於大型玻璃基板(特定言之平板顯示器)上之金屬(特定言之銅)沈積。
因此，本發明解決提供一水平裝置之一處理模組之問題，該處理模組適於傳輸且處理大型基板(尤其易碎大型玻璃基板，諸如平板顯示器)。
提供下列非限制實例來圖解說明本發明之一實施例且促進理解本發明，但該等實例並不意在限制由本發明隨附之申請專利範圍界定之本發明之範疇。
現轉至圖，圖1展示根據本發明之一實施例之一處理模組1之一示意透視圖。
該處理模組1包括具有一外殼蓋4之一外殼2，其中外殼蓋4包括一中心區域3、兩個側區域5及在各兩個側區域5中之兩個窗6。中心區域3在本文中平行於傳輸區域而對準且包括至少一氣體排放開口7。兩個側區域5自外殼蓋4之中心區域3一直向下延伸至外殼2。
處理模組1進一步包括一傳輸器件，其包括用於水平處理大型基板之複數個傳輸元件8，其中該等傳輸元件8可係滾輪或輪軸。在所展示之實施例中，各傳輸元件8係一輪軸。滾輪可係有利的，此係歸因於由處理模組1之處理區域內可用之較小容積造成之處理化學試劑之一較少消耗。在圖中示意性展示基板之傳輸方向。
處理模組1進一步包括兩個滾珠軸承帶9，兩個滾珠軸承帶9包括複數個滾珠軸承以用於接納傳輸器件之各傳輸元件8之各自外部端。此外，處理模組1包括一第三滾珠軸承帶9，第三滾珠軸承帶9包括複數個滾珠軸承以用於接納傳輸器件之傳輸元件8之各自外部端，其中該至少第三滾珠軸承帶9並列配置於兩個滾珠軸承帶9之間。
處理模組1進一步包括在處理模組1之入口及出口處配置於大型基板之傳輸高度上方之一第一液體噴嘴11及一氣體噴嘴10以用於累積處理模組1內之處理液體，其中各氣體噴嘴10配置成比各自第一液體噴嘴11更靠外。此外，處理模組1包括在兩個第一液體噴嘴11之間配置於大型基板之傳輸高度上方之兩個第二液體噴嘴12。
圖2展示根據本發明之與圖1中所展示相同之實施例之無外殼蓋4之一處理模組1之一示意透視圖。圖2意在更詳細繪示基板之傳輸高度上方之處理模組1之特徵部。各自處理模組1特徵部以及其對應元件符號等同於之前針對圖1所述之特徵部以及其對應元件符號且不會再次進行討論以避免不必要的重複。
圖3a展示根據本發明之與圖1中所展示相同之實施例之具有敞開外殼蓋4之一處理模組1之一示意側視圖。
處理模組1之此替代視圖繪示在傳輸方向上基板之傳輸高度上方之氣體噴嘴10、第一液體噴嘴11、兩個第二液體噴嘴12、第一液體噴嘴11及又氣體噴嘴10之結果。
此外，處理模組1包括兩個液體堰13，其配置於各自第一液體噴嘴11下方之傳輸系統之兩個相鄰傳輸元件8之間。
處理模組1進一步包括一氣體遞送元件22，其配置於大型基板之傳輸高度下方，其中該氣體遞送元件配置於處理模組1之各氣體噴嘴10下方。
圖3b展現包括一氣體噴嘴10之處理模組1之位置之一截面視圖，以便提供在處理模組1之此位置處之細節配置之一放大視圖。直接在氣體噴嘴10下方且在大型基板之傳輸高度17下方提供一氣體遞送元件22。該氣體遞送元件22配置於兩個相鄰傳輸元件8之間。氣體噴嘴10之氣體饋路14經粗黑突顯以便闡明噴射氣體流在處理模組1之入口及出口處之路徑，其經引導至處理區域內以支援在處理區域內累積處理 液體。
圖3c展現包括一第一液體噴嘴11之處理模組1之位置之一截面視圖，以便提供在處理模組1之此位置處之細節配置之一放大視圖。直接在第一液體噴嘴11下方且在大型基板之傳輸高度17下方提供一液體堰13。該液體堰13配置於兩個相鄰傳輸元件8之間。第一液體噴嘴11之液體饋路15經粗黑突顯以便闡明噴射液體流在處理模組1之入口及出口處之路徑，其經引導至處理區域內以支援在處理區域內累積處理液體。
圖3d展現包括在大型基板之傳輸高度17上方之一第二液體噴嘴12之處理模組1之位置之一截面視圖，以便提供在處理模組1之此位置處之細節配置之一放大視圖。第二液體噴嘴12之液體饋路16經粗黑突顯以便闡明處理模組1之內之噴射液體流在兩個第一液體噴嘴11之間之路徑。據信，在大型基板之傳輸高度17上方平行於傳輸方向噴射之該噴射液體流確保處理模組1內之一足夠處理液體液位。
圖4展示根據本發明之與圖1中所展示相同之實施例之一處理模組1之下側上之一示意透視圖。特別的是，據信，藉由此圖4繪示且闡明處理模組1之調整器件之細節。
在此較佳實施例中，該調整器件包括兩個平行第一調整元件19及三個第二調整元件20，其垂直於彼此延伸。第一調整元件19係桿，其一起形成一托架作為處理模組1之子結構。第二調整元件20係螺栓。調整元件19、20兩者皆係由金屬製成。
以使得可調整各自液體堰13及滾珠軸承帶9之水平對準之一方式藉由複數個第二調整元件20將第一調整元件19連接至該等液體堰13或滾珠軸承帶9。本文中，調整器件在處理模組1之外殼2之底部下方配置於一單獨區域中，該單獨區域實質上不含處理液體。
處理模組1進一步包括複數個處理液體出口元件18，其係處理模 組1之一單獨處理液體循環系統(未展示)之一部分。處理模組1進一步包括各自氣體遞送元件22(未展示)之複數個液體饋路21。
將理解，本文描述之實施例僅係例示性的且熟習此項技術者可在不脫離本發明之範疇的情況下作出許多變化及修改。所有此等變化及修改(包含上文討論之變化及修改)意在包含於如由隨附申請專利範圍界定之本發明之範疇內。
1‧‧‧處理模組
2‧‧‧外殼
3‧‧‧中心區域
4‧‧‧外殼蓋
5‧‧‧側區域
6‧‧‧窗
7‧‧‧氣體排放開口
8‧‧‧傳輸元件
9‧‧‧軸承護圈帶
10‧‧‧氣體噴嘴
11‧‧‧第一液體噴嘴
12‧‧‧第二液體噴嘴

Claims (21)

  1. 一種用於大型基板之水平濕式化學處理之一裝置的處理模組(1)，其包括：一外殼(2)，其具有一外殼蓋(4)；一傳輸器件，其包括用於水平處理大型基板之複數個傳輸元件(8)，其中該處理模組(1)進一步包括在該處理模組(1)之入口處配置於該等大型基板之傳輸高度(17)上方之至少一第一液體噴嘴(11)及至少一氣體噴嘴(10)及在該處理模組(1)之出口處配置於該等大型基板之該傳輸高度(17)上方之至少另一第一液體噴嘴(11)及至少另一氣體噴嘴(10)以用於累積該處理模組(1)內之處理液體，其中各氣體噴嘴(10)配置成比各自第一液體噴嘴(11)更靠外；至少一液體堰(13)，其在該等大型基板之該傳輸高度(17)下方配置於各第一液體噴嘴(11)下方；其特徵在於該處理模組(1)進一步包括用於調整該處理模組(1)之該傳輸器件及該等液體堰(13)之至少一調整器件；且該調整器件在該處理模組(1)之該外殼(2)之底部下方配置於一單獨區域中，該單獨區域實質上不含處理液體。
  2. 如請求項1之處理模組，其中該處理模組(1)進一步包括兩個軸承護圈帶(9)，該兩個軸承護圈帶(9)包括複數個軸承，以用於接納該傳輸器件之各傳輸元件(8)之各自外部端。
  3. 如請求項1或2之處理模組，其中該處理模組(1)進一步包括在該等第一液體噴嘴(11)之間配置於該等大型基板之該傳輸高度(17)上方之至少一第二液體噴嘴(12)。
  4. 如請求項1或2之處理模組，其中該液體堰(13)配置於該各自第一液體噴嘴(11)下方之傳輸系統之兩個相鄰傳輸元件(8)之間。
  5. 如請求項1或2之處理模組，其中該處理模組(1)包括一氣體遞送 元件(22)，該氣體遞送元件(22)配置於該等大型基板之該傳輸高度(17)下方，其中該氣體遞送元件(22)配置於該處理模組之各氣體噴嘴(10)下方。
  6. 如請求項2之處理模組，其中該處理模組(1)進一步包括至少一第三軸承護圈帶(9)，該第三軸承護圈帶(9)包括複數個軸承，以用於接納該傳輸器件之傳輸元件(8)之各自外部端，其中該至少第三軸承護圈帶(9)並列配置於該兩個軸承護圈帶(9)之間。
  7. 如請求項2之處理模組，其中該調整器件包括至少一第一調整元件(19)及至少一第二調整元件(20)，其中以使得可調整各自液體堰(13)及軸承護圈帶(9)之水平對準之一方式藉由複數個第二調整元件(20)將該等第一調整元件(19)連接至該等液體堰(13)或軸承護圈帶(9)。
  8. 如請求項1之處理模組，其中該等大型基板為玻璃基板。
  9. 如請求項2之處理模組，其中該兩個軸承護圈帶(9)為滾珠軸承帶，且該複數個軸承為滾珠軸承。
  10. 如請求項5之處理模組，其中該氣體遞送元件(22)為一壓縮空氣遞送元件。
  11. 如請求項6之處理模組，其中該至少一第三軸承護圈帶為一滾珠軸承帶，該複數個軸承為滾珠軸承。
  12. 如請求項7之處理模組，其中該第一調整元件(19)係桿或帶，其一起形成一托架作為該處理模組之子結構；其中該第二調整元件(20)為螺栓、銷或螺絲；且其中兩個調整元件(19、20)由金屬製成。
  13. 如請求項1或2之處理模組，其中該處理模組(1)進一步包括至少一處理液體出口元件(18)，其係該處理模組(1)之一單獨處理液體循環系統之一部分。
  14. 如請求項1或2之處理模組，其中該外殼蓋(4)包括一中心區域(3)及兩個側區域(5)，其中該中心區域(3)平行於該傳輸區域而對準且包括至少一氣體排放開口(7)；且其中兩個側區域(5)自該外殼蓋(4)之該中心區域(3)一直向下延伸至該外殼(2)。
  15. 一種用於在包括複數個模組之一水平裝置中處理大型基板之方法，該方法之特徵為下列方法步驟：i)提供一水平裝置，其包括至少一預處理模組、如請求項1至14中任一項之至少一處理模組及至少一後處理模組，ii)藉由調整器件調整如請求項1至14中任一項之各處理模組(1)之傳輸元件(8)及液體堰(13)來確保其精確水平對準，iii)提供大型基板，iv)透過該水平裝置之該等模組傳輸該等大型基板以用於執行預處理、處理及後處理。
  16. 如請求項15之方法，其中該等大型基板為玻璃基板。
  17. 如請求項15之方法，其中該等大型基板在方法步驟iv)期間在如請求項1至14中任一項之該處理模組(1)中之該處理係用於將一金屬沈積於該等大型基板之表面上之一無電濕式化學處理。
  18. 如請求項17之方法，其中該金屬為銅。
  19. 如請求項17之方法，其中藉由將該等大型基板浸沒於該處理液體中而執行該無電濕式化學處理。
  20. 一種如請求項1至14中任一項之一處理模組之用途，其用於大型玻璃基板上之金屬沈積。
  21. 如請求項20之用途，其中該金屬為銅且該等大型玻璃基板為平板顯示器。
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