JP5801821B2 - シリコン基板を処理する方法及び装置 - Google Patents
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Claims (13)
- シリコン基板、特に、単結晶シリコンウェーハを加工する方法であって、
シリコン基板は、水平方向の搬送経路に沿って平坦に配置された状態で搬送され、表面を微細加工するエッチング溶液を上からスプレーする方法において、
エッチング溶液は、連続的に数回に亘りシリコン基板の上面に適用され、そこに残ってシリコン基板と反応し、
エッチング溶液は、数重量%の微量のアルコール、界面活性剤、グリコールを含むグループからの添加剤を含み、
該添加剤は、エッチングの進行と共に又は処理方向において前記エッチング溶液に加えられ、添加剤の比率を高めることを特徴とする方法。 - エッチング溶液に添加剤を添加することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- エッチング溶液には、連続的に添加剤が添加されることを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
- 添加剤の比率が、最後にはより高くなることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- エッチング溶液は、アルカリ性であることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の方法。
- エッチング溶液は1〜10重量%の微量の水酸化カリウム又は水酸化ナトリウムを含むことを特徴とする請求項5に記載の方法。
- エッチング溶液は、シリコン基板上に適用される前に加熱されることを特徴とする請求項1〜6の何れか一項に記載の方法。
- シリコン基板の下方を向く下面を、下からスプレーすることにより又は一つ以上のウェッティングローラによりエッチング溶液で濡らし、ウェッティングローラで、シリコン基板を搬送し、シリコン基板の下面でエッチング溶液を移すために、表面をエッチング溶液で濡らすことを特徴とする請求項1〜7の何れか一項に記載の方法。
- 請求項1〜8の何れか一項に記載の方法を実施するために、シリコン基板を加工する装置であって、
装置は、該装置内を通過するシリコン基板を平坦にして搬送し、平坦な状態でシリコン基板を加工するための水平方向の搬送経路を有し、
複数のウェッティング装置が、搬送経路の上に配置されると共に、搬送経路の幅方向に延びている装置において、
ウェッティング装置が下向きの開口を有してエッチング溶液を供給し、更に、エッチング溶液に添加剤を添加するために、添加剤加入口がウェッティング装置に設け、
前記エッチング溶液は、添加剤がエッチングの進行と共に又は処理方向においてエッチング溶液に加えられ、添加剤の比率が高まるように供給されることを特徴とする装置。 - ウェッティング装置又はエッチング溶液のためのヒータが設けられている請求項9に記載の装置。
- 前記ヒータが、ウェッティング装置又はエッチング溶液の容器に設けられている請求項10に記載の装置。
- ウェッティング装置は、直線的に形成され、シリコン基板の搬送経路の上で横に延びており、また、ウェッティング装置は複数備わることを特徴とする請求項9又は10に記載の装置。
- 前記ウェッティング装置は、搬送経路に沿って10〜20cmの間隔で配置されていることを特徴とする請求項12に記載の装置。
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