JP4975430B2 - 異方性エッチング液およびそれを用いたエッチング方法 - Google Patents
異方性エッチング液およびそれを用いたエッチング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4975430B2 JP4975430B2 JP2006356166A JP2006356166A JP4975430B2 JP 4975430 B2 JP4975430 B2 JP 4975430B2 JP 2006356166 A JP2006356166 A JP 2006356166A JP 2006356166 A JP2006356166 A JP 2006356166A JP 4975430 B2 JP4975430 B2 JP 4975430B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- solution
- concentration
- added
- ppb
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
Si+2H2O→SiO2+4H++4e- (E0=-0.808V)
(Si+3H2O→SiO3 2-+6H++4e- (E0=-0.455-0.0886pH+0.0148log(SiO3 2-)、
E0=-1.7V at pH=14)
結晶方位面(100)、(111)および(111)の6インチSiウェーハを用意し、レジスト形成およびSiO2パターニングを行い、評価用基板を作製した。このウェーハをダイヤモンドカッターにより大きさ2cm×2cmの固片とした。この固片を0.5%希ふっ酸溶液に30℃で30秒間浸積した後、純水で洗浄し、エッチング試験に使用した。48%KOH水溶液(関東化学株式会社製、製品名:KOHLM)をKOH濃度が30重量%となるように水で希釈し、その液に原子吸光用のCo標準液を添加し、Co濃度が100ppbの実施例1のエッチング液を調製した。このエッチング液をエッチング槽(PFAボトル)に入れ、80℃の温度に保持した後、前処理を施したウェーハ固片を所定時間浸積してエッチング処理を行った。エッチング時間は、面方位(100)および(110)のシリコンウェーハ固片の場合約15分間、面方位(111)のシリコンウェーハ固片は約120分間とした。エッチング処理を行った各固片は純水で洗浄した後、乾燥させた。この固片について干渉式膜厚計によるSiO2膜厚測定と蝕針式段差計によりSi面のエッチング深さを測定し、エッチング速度を求めた。また、蝕針式段差計により表面の平坦度を評価し、目視によりエッチング後の表面状態を観察した。ここでの「平坦度」とはシリコンウェーハのマクロな加工精度であり、同一平面内の最高位と最低位の差である。平坦度の数値が小さいほどエッチング後のSi表面の高低差がなく均一であることを意味する。したがって、「平坦度」はミクロな表面粗さの尺度として使われる表面のラフネスアベレージ(Ra)を示すものではない。実施例2および3では実施例1と同様にCo濃度が100ppbとなるようにCo標準液を添加した30重量%のKOH水溶液に、さらに原子吸光用のCu標準液またはCr標準液を添加し、Cu2+濃度が500ppbおよびCr3+濃度が500ppbの液をそれぞれ調製し、同様のエッチング処理を行った。
実施例1と同様に各面方位のシリコンウェーハの固片を準備し、前処理を施した。48%KOH水溶液(関東化学株式会社製、製品名:KOHLM)をKOH濃度が30重量%となるように水で希釈し、その液に原子吸光用のCo標準液またはFe標準液をそれぞれ添加し、Co2+濃度が50および1000ppbの実施例4および5のエッチング液、およびFe濃度が100および1000ppbの実施例6および7のエッチング液をそれぞれ調製した。これらのエッチング液を用い、実施例1と同様の条件により各面方位のシリコンウェーハ固片をエッチング処理し、エッチング速度を測定した。結果を表2に示す。
実施例1と同様に各面方位のシリコンウェーハの固片を準備し、前処理を施した。48%KOH水溶液(関東化学株式会社製、製品名:KOHLM)をKOH濃度が30重量%となるように水で希釈し、その液に原子吸光用のCo標準液およびPb標準液を添加し、Co2+濃度が1000ppbおよびPb2+濃度が500ppbの実施例8のエッチング液を調製した。このエッチング液を用い、実施例1と同様の条件で各面方位のシリコンウェーハ固片をエッチング処理し、エッチング速度を測定した。
実施例1と同様に各面方位のシリコンウェーハの固片を準備し前処理を施した。48%KOH水溶液(関東化学株式会社製、製品名:KOHLM)をKOH濃度が30重量%となるように水で希釈し、その液に原子吸光用のFe標準液およびCu標準液を添加し、Fe濃度が1000ppbおよびCu濃度が100ppbの実施例9のエッチング液を調製した。このエッチング液を用い、実施例1と同様の条件で各面方位のシリコンウェーハ固片をエッチング処理し、エッチング速度を測定した。
実施例1と同様に各面方位のシリコンウェーハの固片を準備し、前処理を施した。48%KOH水溶液(関東化学株式会社製、製品名:KOHLM)をKOH濃度が30重量%となるように水で希釈し、その液に原子吸光用のCo標準液およびNi標準液またはZn標準液を添加し、Co2+の濃度が100ppb、およびNi2+濃度が500ppbのエッチング液ならびにCo2+の濃度が100ppbおよびZn2+濃度が500ppbのエッチング液をそれぞれ調製した。このエッチング液を用い、実施例1と同様の条件で各面方位のシリコンウェーハ固片をエッチング処理し、エッチング速度を測定した。
実施例1と同様に各面方位のシリコンウェーハの固片を準備し前処理を施した。48%KOH水溶液(関東化学株式会社製、製品名:KOHLM)をKOH濃度が30重量%となるように水で希釈し、その液に原子吸光用のCo標準液を添加したうえで、原子吸光用のMg標準液またはCa標準液を添加し、Co2+濃度が100ppbおよびMg2+濃度が500ppbのエッチング液ならびにCo2+濃度が100ppbおよびCa2+濃度が500ppbのエッチング液をそれぞれ調製した。これらのエッチング液を用い、実施例1と同様の条件で各面方位のシリコンウェーハ固片をエッチング処理し、エッチング速度を測定した。
実施例1と同様に各面方位のシリコンウェーハの固片を準備し、前処理を施した。48%KOH水溶液(関東化学株式会社製、製品名:KOHLM)をKOH濃度が20重量%となるように水で希釈し、その液に原子吸光用のCo標準液を添加し、Co2+濃度が500ppbおよび1000ppbの実施例14および15のエッチング液をそれぞれ調製した。このエッチング液を用い、実施例1と同様の条件で各面方位のシリコンウェーハ固片をエッチング処理し、エッチング速度を測定した。結果を表7に示す。
Claims (3)
- シリコンの異方性エッチングに用いるエッチング液であって、アルカリ水溶液およびコバルト化合物を含有し、80℃における(110)面のエッチング速度が18×103Å/分以上であり、かつ80℃における(110)面面方位と(100)面面方位のエッチング速度比(110)/(100)が1.7以上である、前記エッチング液。
- コバルト化合物の濃度が、コバルトイオンとして0.01ppm〜3ppmである、請求項1に記載のエッチング液。
- 請求項1または2に記載のエッチング液を用いる、エッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006356166A JP4975430B2 (ja) | 2006-12-28 | 2006-12-28 | 異方性エッチング液およびそれを用いたエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006356166A JP4975430B2 (ja) | 2006-12-28 | 2006-12-28 | 異方性エッチング液およびそれを用いたエッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008166600A JP2008166600A (ja) | 2008-07-17 |
JP4975430B2 true JP4975430B2 (ja) | 2012-07-11 |
Family
ID=39695655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006356166A Expired - Fee Related JP4975430B2 (ja) | 2006-12-28 | 2006-12-28 | 異方性エッチング液およびそれを用いたエッチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4975430B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009060931A1 (de) * | 2009-12-23 | 2011-06-30 | Gebr. Schmid GmbH & Co., 72250 | Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Siliziumsubstraten |
WO2012091395A2 (ko) * | 2010-12-31 | 2012-07-05 | 동우화인켐 주식회사 | 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 |
JP2012227304A (ja) * | 2011-04-19 | 2012-11-15 | Hayashi Junyaku Kogyo Kk | エッチング液組成物およびエッチング方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3081171B2 (ja) * | 1996-08-12 | 2000-08-28 | 株式会社デンソー | エッチング液及びエッチング加工方法 |
JP2001068444A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-03-16 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 半導体基板への金属の吸着を抑制した半導体基板用処理液及びこの処理液の調製方法並びにこれを用いた半導体基板の処理方法 |
JP4684869B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2011-05-18 | 株式会社トクヤマ | シリコンエッチング液 |
JP2007067358A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-03-15 | Seiko Epson Corp | エッチング液及びエッチング加工方法並びに液体噴射ヘッドの製造方法 |
-
2006
- 2006-12-28 JP JP2006356166A patent/JP4975430B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008166600A (ja) | 2008-07-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111684570B (zh) | 含有次氯酸根离子的半导体晶圆的处理液 | |
JP4684869B2 (ja) | シリコンエッチング液 | |
WO2013136555A1 (ja) | 選択的エッチング方法 | |
CN105887089B (zh) | 蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法 | |
JP5885971B2 (ja) | 銅および銅合金のエッチング液 | |
CN109112545A (zh) | 一种铜钼合金膜的化学蚀刻用组合物 | |
JP4696565B2 (ja) | エッチング液及びエッチング方法 | |
CN103060810A (zh) | 含有铜层和/或铜合金层的金属膜用蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法 | |
JP4975430B2 (ja) | 異方性エッチング液およびそれを用いたエッチング方法 | |
CN105603425A (zh) | 铜选择性蚀刻液和钛选择性蚀刻液 | |
WO2010013562A1 (ja) | シリコンエッチング液およびエッチング方法 | |
CN102027579B (zh) | 硅蚀刻液和蚀刻方法 | |
WO2006068091A1 (ja) | 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法 | |
CN100415934C (zh) | 用于蚀刻硅晶片的高纯度碱蚀刻溶液及硅晶片的碱蚀刻方法 | |
Gajda et al. | Anisotropic etching of silicon in hydrazine | |
JP2005105411A (ja) | 銅エッチング液及びエッチング方法 | |
JP7305679B2 (ja) | シリコンエッチング液 | |
JP4104454B2 (ja) | エッチング液 | |
JPH06280031A (ja) | 無電解パラジウムめっき方法及びそれに用いる無電解めっき浴 | |
KR20220136262A (ko) | 반도체용 처리액 | |
JP2005105333A (ja) | ウエハ上の銅エッチング液 | |
CN114540816A (zh) | 一种厚铜蚀刻组合物及其应用 | |
JP5671793B2 (ja) | 仕上研磨を施したシリコンウェーハの洗浄方法 | |
US20040061092A1 (en) | Wet etch for selective removal of alumina | |
JP4978548B2 (ja) | エッチング方法及び半導体デバイス用基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20081024 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091228 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101202 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111220 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120313 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120411 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150420 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |