JP2005105333A - ウエハ上の銅エッチング液 - Google Patents

ウエハ上の銅エッチング液 Download PDF

Info

Publication number
JP2005105333A
JP2005105333A JP2003339376A JP2003339376A JP2005105333A JP 2005105333 A JP2005105333 A JP 2005105333A JP 2003339376 A JP2003339376 A JP 2003339376A JP 2003339376 A JP2003339376 A JP 2003339376A JP 2005105333 A JP2005105333 A JP 2005105333A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
copper
etching
etching solution
concentration
ammine complex
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003339376A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4129218B2 (ja
Inventor
Koji Fujita
康治 藤田
Takashi Nozaki
孝志 野崎
Toru Arai
新井  亨
Akiyoshi Sano
明寿 佐野
Yoshihiro Ishino
由紘 石野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Meltex Inc
Original Assignee
Meltex Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Meltex Inc filed Critical Meltex Inc
Priority to JP2003339376A priority Critical patent/JP4129218B2/ja
Publication of JP2005105333A publication Critical patent/JP2005105333A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4129218B2 publication Critical patent/JP4129218B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

【課題】ウエハ上の銅を、他の金属の腐食を極めて低く抑ながら高いエッチング速度でエッチングすることが可能な銅エッチング液を提供する。
【解決手段】銅エッチング液を、対イオンとして硫酸イオンまたは塩素イオンを有するような銅(II)アンミン錯体を含有するアルカリ性水溶液とすることにより、他の金属の腐食を低く抑えながらウエハ上の銅、例えば、厚み10μm以下の銅層を良好なエッチング速度でエッチングすることができる。
【選択図】 なし

Description

本発明は、ウエハ上に形成された銅層用のエッチング液に係り、特に厚みが10μm以下の銅層のパターンエッチングに使用するエッチング液に関する。
従来からウエハ上に形成された銅層に樹脂レジストパターンを形成し、エッチングによりパターニングして所望の配線パターン等を形成する方法、またはウエハの銅層上にめっき、印刷法およびはんだボールによりはんだバンプを搭載し、下層の銅をエッチングすることによって外部接続端子部を形成する方法が行われている。このような場合、銅層エッチング液として、例えば、酸−過酸化水素系(硫酸−過酸化水素溶液、塩酸−過酸化水素溶液)(特許文献1)、または過硫酸系の酸性エッチング液(特許文献2)が主に使用されている。
特開平10−335364号公報 特開平6−330353号公報
しかしながら、レジストおよびバンプがはんだ、スズ、ニッケル等で形成されている場合には、酸性のエッチング液により腐食が生じるという問題がある。また、上述の酸性エッチング液はエッチング速度が遅く、製造効率の向上に支障を来たすという問題がある。
本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、ウエハ上の銅を、他の金属の腐食を極めて低く抑ながら高いエッチング速度でエッチングすることが可能な剥離液を提供することを目的とする。
このような目的を達成するために、本発明は、銅(II)アンミン錯体を含有するアルカリ性水溶液であり、前記銅(II)アンミン錯体は対イオンとして硫酸イオンまたは塩素イオンを有するような構成とした。
本発明の好ましい態様として、銅(II)1モルに対する硫酸イオンのモル数が、銅(II)アンミン錯体を形成するための硫酸イオンの化学量論モル数の1〜1.5倍となる範囲において、前記銅濃度は10〜120g/Lの範囲内であるような構成、銅(II)1モルに対する硫酸イオンのモル数が、銅(II)アンミン錯体を形成するための硫酸イオンの化学量論モル数の1.5倍を超え2倍以下となる範囲において、前記銅濃度は15〜80g/Lの範囲内であるような構成、銅(II)1モルに対する硫酸イオンのモル数が、銅(II)アンミン錯体を形成するための硫酸イオンの化学量論モル数の2倍を超え3倍以下となる範囲において、前記銅濃度は15〜60g/Lの範囲内であるような構成とした。
本発明の好ましい態様として、銅(II)1モルに対する塩素イオンのモル数が、銅(II)アンミン錯体を形成するための塩素イオンの化学量論モル数の1〜3倍となる濃度であり、銅濃度は10〜180g/Lの範囲内であるような構成とした。
さらに、本発明の好ましい態様として、pHは8.0〜10.0の範囲内であるような構成とした。
本発明によれば、エッチング液を、対イオンとして硫酸イオンまたは塩素イオンを有する銅(II)アンミン錯体を含有したアルカリ性水溶液とし、この銅(II)アンミン錯体が酸化剤として作用して銅をエッチングするので、高いエッチング速度を得ることができ、かつ、特定の対イオン(硫酸イオンまたは塩素イオン)を使用することにより、他の金属、例えば、はんだ合金やニッケル等の腐食を低く抑えながらウエハ上の銅エッチングを行うことができるという効果が奏される。
次に、本発明の最良な実施形態について説明する。
本発明のウエハ上の銅エッチング液は、銅(II)アンミン錯体を含有するアルカリ性水溶液であり、銅(II)アンミン錯体を構成する対イオンとして硫酸イオン(SO4 2-)、または、塩素イオン(Cl-)を有するものである。
このような本発明の銅エッチング液では、含有される銅(II)アンミン錯体が酸化剤として作用してウエハ上の銅のエッチングが行われ、エッチング液中の銅アンミン錯体濃度が増加することによってエッチング作用は更に高くなる。そして、本発明の銅エッチング液は、従来の酸性エッチング液、例えば、酸−過酸化水素溶液、過硫酸溶液に比べてエッチング速度が高く、さらに、他の金属、例えば、はんだ合金やニッケル等に対する腐食が極めて少ないものである。
対イオンとして硫酸イオンを有する本発明の銅エッチング液では、銅(II)1モルに対する硫酸イオン量が、銅(II)アンミン錯体を形成する化学量論的モル数の1〜3倍、好ましくは1〜1.5倍の範囲内で存在することが望ましい。そして、銅(II)1モルに対する硫酸イオンのモル数と、銅(II)アンミン錯体を形成するための硫酸イオンの化学量論モル数との関係に応じて銅濃度を規定することができる。
すなわち、銅(II)1モルに対する硫酸イオンのモル数が、銅(II)アンミン錯体を形成するための硫酸イオンの化学量論モル数の1〜1.5倍となる範囲では、銅濃度は10〜120g/L、より好ましくは15〜90g/L、更に好ましくは60〜90g/Lの範囲内とする。また、銅(II)1モルに対する硫酸イオンのモル数が、銅(II)アンミン錯体を形成するための硫酸イオンの化学量論モル数の1.5倍を超え2倍以下となる範囲では、銅濃度は15〜80g/L、より好ましくは30〜60g/Lの範囲内とする。さらに、銅(II)1モルに対する硫酸イオンのモル数が、銅(II)アンミン錯体を形成するための硫酸イオンの化学量論モル数の2倍を超え3倍以下となる範囲では、銅濃度は15〜60g/L、より好ましくは30〜60g/Lの範囲内とする。
銅濃度が上記の範囲未満であると、銅エッチング液中の銅(II)アンミン錯体濃度が低く、銅(II)アンミン錯体の酸化剤としての作用が不十分となって、エッチング機能に支障を来たすことになる。一方、銅濃度が上記の範囲を超えると、銅(II)アンミン錯体を形成する化学量論モル数以上の過剰の対イオン(硫酸イオン)が存在しても、エッチング速度が低下するので好ましくない。
但し、銅濃度が高い場合であって、硫酸イオン源物質の溶解が限界に達し、この飽和溶液中の硫酸イオン濃度が、銅(II)アンミン錯体を形成する化学量論的モル数の1〜3倍の範囲内に入るときには、この飽和溶液をエッチング液として使用することが可能である。
尚、本発明のエッチング液を用いて銅のエッチング処理を繰り返し行い、エッチング液中の銅濃度が高くなったときには、対イオンである硫酸イオン量が銅(II)アンミン錯体を形成する化学量論モル数を下回らないように、エッチング液に予め過剰の硫酸イオン源物質を添加しておくか、あるいは、硫酸イオン源物質をエッチング液に適宜補充することができる。
対イオンとして塩素イオンを有する本発明の銅エッチング液では、銅(II)1モルに対する塩素イオン量が、銅(II)アンミン錯体を形成する化学量論的モル数の1〜3倍、好ましくは1〜2倍の範囲内で存在することが望ましい。また、銅濃度は10〜180g/L、より好ましくは20〜180g/L、更に好ましくは70〜180g/Lの範囲内とする。銅濃度が20g/L未満であると、銅エッチング液中の銅(II)アンミン錯体濃度が低く、銅(II)アンミン錯体の酸化剤としての作用が不十分となって、エッチング機能に支障を来たすことになる。銅濃度が180g/Lを超えると、銅(II)アンミン錯体を形成する化学量論モル数以上の過剰の対イオン(塩素イオン)が存在しても、エッチング速度が低下するので好ましくない。
但し、銅濃度が高い場合であって、塩素イオン源物質の溶解が限界に達し、この飽和溶液中の塩素イオン濃度が、銅(II)アンミン錯体を形成する化学量論的モル数の1〜3倍の範囲内に入るときには、この飽和溶液をエッチング液として使用することが可能である。
尚、本発明のエッチング液を用いて銅のエッチング処理を繰り返し行い、エッチング液中の銅濃度が高くなったときには、対イオンである塩素イオン量が銅(II)アンミン錯体を形成する化学量論モル数を下回らないように、エッチング液に予め過剰の塩素イオン源物質を添加しておくか、あるいは、塩素イオン源物質をエッチング液に適宜補充することができる。
本発明の銅エッチング液において、pHは8.0〜10.0、好ましくは8.5〜10.0の範囲とする。エッチング液のpHが8.0未満であると、酸化剤である銅(II)アンミン錯体の形成が不十分となり、エッチング速度が低下するので好ましくない。但し、pHによっては、対イオン源物質の溶解が限界に達する場合があるが、飽和溶液中の対イオン濃度が上記の範囲内に入るときには、この飽和溶液をエッチング液として使用することが可能である。
本発明の銅エッチング液は、銅(II)アンミン錯体を構成する硫酸イオンあるいは塩素イオン量、銅濃度、pHを上述の範囲で調整することにより、他の金属、例えば、はんだ合金やニッケル等の腐食を低く抑えながらウエハ上の銅エッチングを行うことができる。
上述のような本発明の銅エッチング液を用いて、ウエハ上の銅層のエッチングを行う場合、銅エッチング液(処理浴)の温度には特に制限はないが、例えば、25〜50℃の範囲で設定することが好ましい。
次に、実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。
[実施例1]
(エッチング液の調製)
下記の原料を使用して、対イオンとして硫酸イオンを有する銅(II)アンミン錯体を含有する30種のアルカリ性水溶液を調製して、銅エッチング液(試料1〜30)とした。各銅エッチング液の銅濃度、硫酸イオン濃度(銅1モルに対するモル数、および、含有量)は下記の表1、表2に示したものとした。また、各銅エッチング液のpHは9.0、液温は25℃とした。尚、銅1モルに対して、硫酸イオンが銅(II)アンミン錯体を形成するための化学量論モル数は1モルである。
銅エッチング液(試料1〜30)に使用した原料
・硫酸銅五水和物
・硫酸アンモニウム
・炭酸水素アンモニウム
・25%アンモニア水(pH調整用)
・イオン交換水
また、比較として下記の組成の酸性の銅エッチング液(試料31)を調製した。
銅エッチング液(試料31)の組成
・98%硫酸 … 75g/L
・35%過酸化水素水 … 25g/L
・イオン交換水 … 残部
また、比較として下記の組成の酸性の銅エッチング液(試料32)を調製した。
銅エッチング液(試料32)の組成
・過硫酸アンモニウム … 50g/L
・イオン交換水 … 残部
(エッチング速度の測定)
2cm×2cmにカットした銅ハルセル板に対して、上述のように調製した各銅エッチング液(試料1〜32)を用いて下記の条件で浸漬エッチングを施し、処理前後の重量差からエッチング速度を算出して結果を下記の表1、表2に示した。
エッチング条件
・攪拌速度 : 300rpm
・浴温度 : 25℃
・浴量 : 100mL
・エッチング時間 : 3分間
(銅エッチング液の腐食性有無の評価)
スズ−銀(Sn:Ag=96.5:3.5)のPbフリーはんだボール(直径=0.76mm)を、上述のように調製した各銅エッチング液(試料1〜32)に下記の条件で浸漬した後、取り出し、銅エッチング液中に溶出したスズ濃度(ppm)と銀濃度(ppm)をICP(誘導結合発光分光分析装置)により測定して、結果を下記の表1、表2に示した。
浸漬条件
・浴量 : 100mL
・浸漬時間 : 15分間
・浴温 : 25℃
・はんだ処理面積 : 1cm2 (約60粒)
Figure 2005105333
Figure 2005105333
表1および表2に示されるように、銅(II)1モルに対する硫酸イオンのモル数が、銅(II)アンミン錯体を形成するための硫酸イオンの化学量論モル数の1倍、1.5倍の場合、銅濃度が10〜120g/Lの範囲内である銅エッチング液、また、銅(II)1モルに対する硫酸イオンのモル数が、銅(II)アンミン錯体を形成するための硫酸イオンの化学量論モル数の2倍の場合、銅濃度が15〜80g/Lの範囲内である銅エッチング液、さらに、銅(II)1モルに対する硫酸イオンのモル数が、銅(II)アンミン錯体を形成するための硫酸イオンの化学量論モル数の3倍の場合、銅濃度が15〜60g/Lの範囲内である銅エッチング液は、実用レベルのエッチング速度(1μm/分以上)をもち、かつ、スズ−銀に対する腐食性が極めて低いことが確認された。
[実施例2]
実施例1と同様の原料を使用して、対イオンとして硫酸イオンを有する銅(II)アンミン錯体を含有する6種のアルカリ性水溶液を調製して、銅エッチング液(試料33〜38)とした。各銅エッチング液の銅濃度、硫酸イオン濃度(銅1モルに対するモル数、および、含有量)、pHは下記の表3に示したものとした。また、各銅エッチング液の液温は25℃とした。尚、銅1モルに対して、硫酸イオンが銅(II)アンミン錯体を形成するための化学量論モル数は1モルである。
上述のように調製した各銅エッチング液(試料33〜38)について、実施例1と同様にして、エッチング速度を測定し、腐食性有無の評価を評価して、結果を下記の表3に示した。
Figure 2005105333
表3に示されるように、pH8.0〜10.0の範囲において、本発明の銅エッチング液は、実用レベルのエッチング速度(1μm/分以上)をもち、かつ、錫−銀に対する腐食性が極めて低いことが確認された。
[実施例3]
錫−鉛(Sn:Pb=63:37)のはんだボール(直径=0.76mm)を、実施例1で調製した銅エッチング液(試料13)、比較の酸性銅エッチング液(試料31)、比較の酸性銅エッチング液(試料32)に、実施例1と同様の条件で浸漬した後、引き上げ、銅エッチング液中に溶出した錫濃度(ppm)と鉛濃度(ppm)をICP(誘導結合発光分光分析装置)により測定して、結果を下記の表4に示した。
Figure 2005105333
表4に示されるように、本発明の銅エッチング液(試料13)は、酸性エッチング液(試料31、32)に比べて、錫−鉛に対する腐食性が極めて低いことが確認された。
[実施例4]
錫−亜鉛−ビスマス(Sn:Zn:Bi=89.0:8.0:3.0)のはんだボール(直径=0.76mm)を、実施例1で調製した銅エッチング液(試料13)、比較の酸性銅エッチング液(試料31)、比較の酸性銅エッチング液(試料32)に、実施例1と同様の条件で浸漬した後、引き上げ、銅エッチング液中に溶出した錫濃度(ppm)、亜鉛濃度(ppm)およびビスマス濃度(ppm)をICP(誘導結合発光分光分析装置)により測定して、結果を下記の表5に示した。
Figure 2005105333
表5に示されるように、本発明の銅エッチング液(試料13)は、酸性エッチング液(試料31、32)に比べて、錫−亜鉛−ビスマスに対する腐食性が極めて低いことが確認された。
[実施例5]
下記の原料を使用して、対イオンとして塩素イオンを有する銅(II)アンミン錯体を含有する31種のアルカリ性水溶液を調製して、銅エッチング液(試料41〜71)とした。各銅エッチング液の銅濃度、塩素イオン濃度(銅1モルに対するモル数、および、含有量)は下記の表6、表7に示したものとした。また、各銅エッチング液のpHは8.5、液温は25℃とした。尚、銅1モルに対して、塩素イオンが銅(II)アンミン錯体を形成するための化学量論モル数は2モルである。
銅エッチング液(試料41〜71)に使用した原料
・塩化第二銅二水和物
・塩化アンモニウム
・炭酸水素アンモニウム
・25%アンモニア水(pH調整用)
・イオン交換水
上述のように調製した各銅エッチング液(試料41〜71)について、実施例1と同様にして、エッチング速度を測定し、腐食性有無の評価を評価して、結果を下記の表6、表7に示した。
Figure 2005105333
Figure 2005105333
表6、表7に示されるように、銅(II)1モルに対する塩素イオンのモル数が、銅(II)アンミン錯体を形成するための塩素イオンの化学量論モル数の1〜3倍となる濃度であり、銅濃度は10〜180g/Lの範囲内である銅エッチング液は、実用レベルのエッチング速度(1μm/分以上)をもち、かつ、錫−銀に対する腐食性が極めて低いことが確認された。
[実施例6]
実施例5と同様の原料を使用して、対イオンとして塩素イオンを有する銅(II)アンミン錯体を含有する12種のアルカリ性水溶液を調製して、銅エッチング液(試料72〜83)とした。各銅エッチング液の銅濃度、塩素イオン濃度(銅1モルに対するモル数、および、含有量)、pHは下記の表8に示したものとした。また、各銅エッチング液の液温は25℃とした。尚、銅1モルに対して、塩素イオンが銅(II)アンミン錯体を形成するための化学量論モル数は2モルである。
上述のように調製した各銅エッチング液(試料72〜83)について、実施例1と同様にして、エッチング速度を測定し、腐食性有無の評価を評価して、結果を下記の表8に示した。
Figure 2005105333
表8に示されるように、pH8.0〜10.0の範囲において、本発明の銅エッチング液は、実用レベルのエッチング速度(1μm/分以上)をもち、かつ、錫−銀に対する腐食性が極めて低いことが確認された。
[実施例7]
実施例3、4と同様にして、錫−鉛、錫−亜鉛−ビスマスからなる各はんだボール(直径=0.76mm)を、実施例5で調製した銅エッチング液(試料47)に、実施例1と同様の条件で浸漬した後、引き上げ、銅エッチング液中に溶出した錫濃度(ppm)、鉛濃度(ppm)、亜鉛濃度(ppm)およびビスマス濃度(ppm)をICP(誘導結合発光分光分析装置)により測定して、結果を下記の表9に示した。
Figure 2005105333
表9に示されるように、本発明の銅エッチング液(試料47)は、実施例3、4(表4、5参照)に示される酸性エッチング液(試料31、32)に比べて、腐食性が極めて低いことが確認された。
本発明は銅層のエッチング全般、特にウエハ上の銅層のパターンエッチングに有用である。

Claims (6)

  1. 銅(II)アンミン錯体を含有するアルカリ性水溶液であり、前記銅(II)アンミン錯体は対イオンとして硫酸イオンまたは塩素イオンを有することを特徴とするウエハ上の銅エッチング液。
  2. 銅(II)1モルに対する硫酸イオンのモル数が、銅(II)アンミン錯体を形成するための硫酸イオンの化学量論モル数の1〜1.5倍となる範囲において、前記銅濃度は10〜120g/Lの範囲内であることを特徴とする請求項1に記載のウエハ上の銅エッチング液。
  3. 銅(II)1モルに対する硫酸イオンのモル数が、銅(II)アンミン錯体を形成するための硫酸イオンの化学量論モル数の1.5倍を超え2倍以下となる範囲において、前記銅濃度は15〜80g/Lの範囲内であることを特徴とする請求項1に記載のウエハ上の銅エッチング液。
  4. 銅(II)1モルに対する硫酸イオンのモル数が、銅(II)アンミン錯体を形成するための硫酸イオンの化学量論モル数の2倍を超え3倍以下となる範囲において、前記銅濃度は15〜60g/Lの範囲内であることを特徴とする請求項1に記載のウエハ上の銅エッチング液。
  5. 銅(II)1モルに対する塩素イオンのモル数が、銅(II)アンミン錯体を形成するための塩素イオンの化学量論モル数の1〜3倍となる範囲であり、銅濃度は10〜180g/Lの範囲内であることを特徴とする請求項1に記載のウエハ上の銅エッチング液。
  6. pHは8.0〜10.0の範囲内であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のウエハ上の銅エッチング液。
JP2003339376A 2003-09-30 2003-09-30 ウエハ上の銅エッチング液 Expired - Lifetime JP4129218B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003339376A JP4129218B2 (ja) 2003-09-30 2003-09-30 ウエハ上の銅エッチング液

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003339376A JP4129218B2 (ja) 2003-09-30 2003-09-30 ウエハ上の銅エッチング液

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005105333A true JP2005105333A (ja) 2005-04-21
JP4129218B2 JP4129218B2 (ja) 2008-08-06

Family

ID=34534576

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003339376A Expired - Lifetime JP4129218B2 (ja) 2003-09-30 2003-09-30 ウエハ上の銅エッチング液

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4129218B2 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009013491A (ja) * 2007-07-09 2009-01-22 Meltex Inc 超微細金属加工品の保護・パターン形成方法
JP2009094448A (ja) * 2007-10-11 2009-04-30 Tai-Sol Electronics Co Ltd Ledを装着可能な導熱装置の製造法
WO2011078335A1 (ja) * 2009-12-25 2011-06-30 三菱瓦斯化学株式会社 エッチング液及びこれを用いた半導体装置の製造方法
WO2011105129A1 (ja) 2010-02-25 2011-09-01 旭化成株式会社 酸化銅用エッチング液及びそれを用いたエッチング方法
JP2011184748A (ja) * 2010-03-09 2011-09-22 Murata Mfg Co Ltd めっき方法
WO2013002283A1 (ja) 2011-06-30 2013-01-03 旭化成株式会社 エッチング液及びそれを用いたエッチング方法
KR101461180B1 (ko) * 2012-04-26 2014-11-18 (주)삼성화학 비과산화수소형 구리 에칭제
WO2019013160A1 (ja) * 2017-07-14 2019-01-17 メルテックス株式会社 銅エッチング液

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009013491A (ja) * 2007-07-09 2009-01-22 Meltex Inc 超微細金属加工品の保護・パターン形成方法
JP2009094448A (ja) * 2007-10-11 2009-04-30 Tai-Sol Electronics Co Ltd Ledを装着可能な導熱装置の製造法
CN102696097A (zh) * 2009-12-25 2012-09-26 三菱瓦斯化学株式会社 蚀刻液及使用其的半导体装置的制造方法
WO2011078335A1 (ja) * 2009-12-25 2011-06-30 三菱瓦斯化学株式会社 エッチング液及びこれを用いた半導体装置の製造方法
US9177827B2 (en) 2009-12-25 2015-11-03 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Etchant and method for manufacturing semiconductor device using same
US9139771B2 (en) 2010-02-25 2015-09-22 Asahi Kasei E-Materials Corporation Copper oxide etchant and etching method using the same
WO2011105129A1 (ja) 2010-02-25 2011-09-01 旭化成株式会社 酸化銅用エッチング液及びそれを用いたエッチング方法
JP2011184748A (ja) * 2010-03-09 2011-09-22 Murata Mfg Co Ltd めっき方法
WO2013002283A1 (ja) 2011-06-30 2013-01-03 旭化成株式会社 エッチング液及びそれを用いたエッチング方法
US9121101B2 (en) 2011-06-30 2015-09-01 Asahi Kasei E-Materials Corporation Etchant and etching method using the same
KR101461180B1 (ko) * 2012-04-26 2014-11-18 (주)삼성화학 비과산화수소형 구리 에칭제
WO2019013160A1 (ja) * 2017-07-14 2019-01-17 メルテックス株式会社 銅エッチング液
CN110997981A (zh) * 2017-07-14 2020-04-10 美录德有限公司 铜蚀刻液

Also Published As

Publication number Publication date
JP4129218B2 (ja) 2008-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103258727B (zh) 蚀刻剂、蚀刻方法及蚀刻剂制备液
KR101825493B1 (ko) 금속 배선용 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조방법
KR101397363B1 (ko) 모노과황산칼륨 용액
US11129282B2 (en) Method for manufacturing ceramic circuit board
JP4129218B2 (ja) ウエハ上の銅エッチング液
US20050194564A1 (en) Titanium stripping solution
KR102280838B1 (ko) 추가 금속의 존재 하에 구리를 선택적으로 처리하는 방법
JP2009132571A (ja) Sn合金めっき液へのSn成分補給用酸化第一錫粉末
KR102506715B1 (ko) 루테늄의 반도체용 처리액 및 그 제조 방법
KR101069113B1 (ko) 칼륨 하이드로젠 퍼옥시모노설페이트 용액
EP0722512A1 (en) Copper etchant solution additives
KR920002710B1 (ko) 화학동도금방법
JP2006522003A5 (ja)
GB2086808A (en) Improved ammoniacal alkaline cupric etchant solution for and method of recucting etchant undercut
US3837945A (en) Process of etching copper circuits with alkaline persulfate and compositions therefor
KR20140126680A (ko) 배선 기판의 처리 방법 및 그 방법을 이용하여 제조되는 배선 기판
US3753818A (en) Ammoniacal etching solution and method utilizing same
JP2005105411A (ja) 銅エッチング液及びエッチング方法
JPH07114311B2 (ja) パターンエッチング方法
US3582415A (en) Method of etching cu with use of pb and sn layers as a mask
CN106702385A (zh) 一种镍或镍合金的选择性蚀刻液及其制备方法和应用
JPH0122330B2 (ja)
RU2470093C1 (ru) Селективный травитель для снятия оловянно-свинцовых покрытий с медной основы
CN117535778A (zh) 一种晶圆上剥金速率高度可控的逆电镀剥金剂及使用方法
US4525240A (en) Dissolution of metals utilizing tungsten

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060512

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20071029

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080212

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080408

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080430

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080516

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4129218

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110523

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120523

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120523

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130523

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140523

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term