JP2005105333A - ウエハ上の銅エッチング液 - Google Patents
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- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 120
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 120
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 120
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 117
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 81
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 65
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 45
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims abstract description 11
- -1 chlorine ions Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 17
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 8
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 6
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 abstract 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 11
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JVCDUTIVKYCTFB-UHFFFAOYSA-N [Bi].[Zn].[Sn] Chemical compound [Bi].[Zn].[Sn] JVCDUTIVKYCTFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide Substances OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 2
- 150000004968 peroxymonosulfuric acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000013 Ammonium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 235000012538 ammonium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- CABDFQZZWFMZOD-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrochloride Chemical compound Cl.OO CABDFQZZWFMZOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;sulfuric acid Chemical compound OO.OS(O)(=O)=O XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
【解決手段】銅エッチング液を、対イオンとして硫酸イオンまたは塩素イオンを有するような銅(II)アンミン錯体を含有するアルカリ性水溶液とすることにより、他の金属の腐食を低く抑えながらウエハ上の銅、例えば、厚み10μm以下の銅層を良好なエッチング速度でエッチングすることができる。
【選択図】 なし
Description
本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、ウエハ上の銅を、他の金属の腐食を極めて低く抑ながら高いエッチング速度でエッチングすることが可能な剥離液を提供することを目的とする。
本発明の好ましい態様として、銅(II)1モルに対する硫酸イオンのモル数が、銅(II)アンミン錯体を形成するための硫酸イオンの化学量論モル数の1〜1.5倍となる範囲において、前記銅濃度は10〜120g/Lの範囲内であるような構成、銅(II)1モルに対する硫酸イオンのモル数が、銅(II)アンミン錯体を形成するための硫酸イオンの化学量論モル数の1.5倍を超え2倍以下となる範囲において、前記銅濃度は15〜80g/Lの範囲内であるような構成、銅(II)1モルに対する硫酸イオンのモル数が、銅(II)アンミン錯体を形成するための硫酸イオンの化学量論モル数の2倍を超え3倍以下となる範囲において、前記銅濃度は15〜60g/Lの範囲内であるような構成とした。
本発明の好ましい態様として、銅(II)1モルに対する塩素イオンのモル数が、銅(II)アンミン錯体を形成するための塩素イオンの化学量論モル数の1〜3倍となる濃度であり、銅濃度は10〜180g/Lの範囲内であるような構成とした。
さらに、本発明の好ましい態様として、pHは8.0〜10.0の範囲内であるような構成とした。
本発明のウエハ上の銅エッチング液は、銅(II)アンミン錯体を含有するアルカリ性水溶液であり、銅(II)アンミン錯体を構成する対イオンとして硫酸イオン(SO4 2-)、または、塩素イオン(Cl-)を有するものである。
このような本発明の銅エッチング液では、含有される銅(II)アンミン錯体が酸化剤として作用してウエハ上の銅のエッチングが行われ、エッチング液中の銅アンミン錯体濃度が増加することによってエッチング作用は更に高くなる。そして、本発明の銅エッチング液は、従来の酸性エッチング液、例えば、酸−過酸化水素溶液、過硫酸溶液に比べてエッチング速度が高く、さらに、他の金属、例えば、はんだ合金やニッケル等に対する腐食が極めて少ないものである。
但し、銅濃度が高い場合であって、硫酸イオン源物質の溶解が限界に達し、この飽和溶液中の硫酸イオン濃度が、銅(II)アンミン錯体を形成する化学量論的モル数の1〜3倍の範囲内に入るときには、この飽和溶液をエッチング液として使用することが可能である。
尚、本発明のエッチング液を用いて銅のエッチング処理を繰り返し行い、エッチング液中の銅濃度が高くなったときには、対イオンである塩素イオン量が銅(II)アンミン錯体を形成する化学量論モル数を下回らないように、エッチング液に予め過剰の塩素イオン源物質を添加しておくか、あるいは、塩素イオン源物質をエッチング液に適宜補充することができる。
上述のような本発明の銅エッチング液を用いて、ウエハ上の銅層のエッチングを行う場合、銅エッチング液(処理浴)の温度には特に制限はないが、例えば、25〜50℃の範囲で設定することが好ましい。
[実施例1]
(エッチング液の調製)
下記の原料を使用して、対イオンとして硫酸イオンを有する銅(II)アンミン錯体を含有する30種のアルカリ性水溶液を調製して、銅エッチング液(試料1〜30)とした。各銅エッチング液の銅濃度、硫酸イオン濃度(銅1モルに対するモル数、および、含有量)は下記の表1、表2に示したものとした。また、各銅エッチング液のpHは9.0、液温は25℃とした。尚、銅1モルに対して、硫酸イオンが銅(II)アンミン錯体を形成するための化学量論モル数は1モルである。
銅エッチング液(試料1〜30)に使用した原料
・硫酸銅五水和物
・硫酸アンモニウム
・炭酸水素アンモニウム
・25%アンモニア水(pH調整用)
・イオン交換水
銅エッチング液(試料31)の組成
・98%硫酸 … 75g/L
・35%過酸化水素水 … 25g/L
・イオン交換水 … 残部
銅エッチング液(試料32)の組成
・過硫酸アンモニウム … 50g/L
・イオン交換水 … 残部
2cm×2cmにカットした銅ハルセル板に対して、上述のように調製した各銅エッチング液(試料1〜32)を用いて下記の条件で浸漬エッチングを施し、処理前後の重量差からエッチング速度を算出して結果を下記の表1、表2に示した。
エッチング条件
・攪拌速度 : 300rpm
・浴温度 : 25℃
・浴量 : 100mL
・エッチング時間 : 3分間
スズ−銀(Sn:Ag=96.5:3.5)のPbフリーはんだボール(直径=0.76mm)を、上述のように調製した各銅エッチング液(試料1〜32)に下記の条件で浸漬した後、取り出し、銅エッチング液中に溶出したスズ濃度(ppm)と銀濃度(ppm)をICP(誘導結合発光分光分析装置)により測定して、結果を下記の表1、表2に示した。
浸漬条件
・浴量 : 100mL
・浸漬時間 : 15分間
・浴温 : 25℃
・はんだ処理面積 : 1cm2 (約60粒)
実施例1と同様の原料を使用して、対イオンとして硫酸イオンを有する銅(II)アンミン錯体を含有する6種のアルカリ性水溶液を調製して、銅エッチング液(試料33〜38)とした。各銅エッチング液の銅濃度、硫酸イオン濃度(銅1モルに対するモル数、および、含有量)、pHは下記の表3に示したものとした。また、各銅エッチング液の液温は25℃とした。尚、銅1モルに対して、硫酸イオンが銅(II)アンミン錯体を形成するための化学量論モル数は1モルである。
上述のように調製した各銅エッチング液(試料33〜38)について、実施例1と同様にして、エッチング速度を測定し、腐食性有無の評価を評価して、結果を下記の表3に示した。
錫−鉛(Sn:Pb=63:37)のはんだボール(直径=0.76mm)を、実施例1で調製した銅エッチング液(試料13)、比較の酸性銅エッチング液(試料31)、比較の酸性銅エッチング液(試料32)に、実施例1と同様の条件で浸漬した後、引き上げ、銅エッチング液中に溶出した錫濃度(ppm)と鉛濃度(ppm)をICP(誘導結合発光分光分析装置)により測定して、結果を下記の表4に示した。
錫−亜鉛−ビスマス(Sn:Zn:Bi=89.0:8.0:3.0)のはんだボール(直径=0.76mm)を、実施例1で調製した銅エッチング液(試料13)、比較の酸性銅エッチング液(試料31)、比較の酸性銅エッチング液(試料32)に、実施例1と同様の条件で浸漬した後、引き上げ、銅エッチング液中に溶出した錫濃度(ppm)、亜鉛濃度(ppm)およびビスマス濃度(ppm)をICP(誘導結合発光分光分析装置)により測定して、結果を下記の表5に示した。
下記の原料を使用して、対イオンとして塩素イオンを有する銅(II)アンミン錯体を含有する31種のアルカリ性水溶液を調製して、銅エッチング液(試料41〜71)とした。各銅エッチング液の銅濃度、塩素イオン濃度(銅1モルに対するモル数、および、含有量)は下記の表6、表7に示したものとした。また、各銅エッチング液のpHは8.5、液温は25℃とした。尚、銅1モルに対して、塩素イオンが銅(II)アンミン錯体を形成するための化学量論モル数は2モルである。
銅エッチング液(試料41〜71)に使用した原料
・塩化第二銅二水和物
・塩化アンモニウム
・炭酸水素アンモニウム
・25%アンモニア水(pH調整用)
・イオン交換水
実施例5と同様の原料を使用して、対イオンとして塩素イオンを有する銅(II)アンミン錯体を含有する12種のアルカリ性水溶液を調製して、銅エッチング液(試料72〜83)とした。各銅エッチング液の銅濃度、塩素イオン濃度(銅1モルに対するモル数、および、含有量)、pHは下記の表8に示したものとした。また、各銅エッチング液の液温は25℃とした。尚、銅1モルに対して、塩素イオンが銅(II)アンミン錯体を形成するための化学量論モル数は2モルである。
上述のように調製した各銅エッチング液(試料72〜83)について、実施例1と同様にして、エッチング速度を測定し、腐食性有無の評価を評価して、結果を下記の表8に示した。
実施例3、4と同様にして、錫−鉛、錫−亜鉛−ビスマスからなる各はんだボール(直径=0.76mm)を、実施例5で調製した銅エッチング液(試料47)に、実施例1と同様の条件で浸漬した後、引き上げ、銅エッチング液中に溶出した錫濃度(ppm)、鉛濃度(ppm)、亜鉛濃度(ppm)およびビスマス濃度(ppm)をICP(誘導結合発光分光分析装置)により測定して、結果を下記の表9に示した。
Claims (6)
- 銅(II)アンミン錯体を含有するアルカリ性水溶液であり、前記銅(II)アンミン錯体は対イオンとして硫酸イオンまたは塩素イオンを有することを特徴とするウエハ上の銅エッチング液。
- 銅(II)1モルに対する硫酸イオンのモル数が、銅(II)アンミン錯体を形成するための硫酸イオンの化学量論モル数の1〜1.5倍となる範囲において、前記銅濃度は10〜120g/Lの範囲内であることを特徴とする請求項1に記載のウエハ上の銅エッチング液。
- 銅(II)1モルに対する硫酸イオンのモル数が、銅(II)アンミン錯体を形成するための硫酸イオンの化学量論モル数の1.5倍を超え2倍以下となる範囲において、前記銅濃度は15〜80g/Lの範囲内であることを特徴とする請求項1に記載のウエハ上の銅エッチング液。
- 銅(II)1モルに対する硫酸イオンのモル数が、銅(II)アンミン錯体を形成するための硫酸イオンの化学量論モル数の2倍を超え3倍以下となる範囲において、前記銅濃度は15〜60g/Lの範囲内であることを特徴とする請求項1に記載のウエハ上の銅エッチング液。
- 銅(II)1モルに対する塩素イオンのモル数が、銅(II)アンミン錯体を形成するための塩素イオンの化学量論モル数の1〜3倍となる範囲であり、銅濃度は10〜180g/Lの範囲内であることを特徴とする請求項1に記載のウエハ上の銅エッチング液。
- pHは8.0〜10.0の範囲内であることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のウエハ上の銅エッチング液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003339376A JP4129218B2 (ja) | 2003-09-30 | 2003-09-30 | ウエハ上の銅エッチング液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003339376A JP4129218B2 (ja) | 2003-09-30 | 2003-09-30 | ウエハ上の銅エッチング液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005105333A true JP2005105333A (ja) | 2005-04-21 |
JP4129218B2 JP4129218B2 (ja) | 2008-08-06 |
Family
ID=34534576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003339376A Expired - Lifetime JP4129218B2 (ja) | 2003-09-30 | 2003-09-30 | ウエハ上の銅エッチング液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4129218B2 (ja) |
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