JP3653416B2

JP3653416B2 - エッチング方法およびエッチング装置

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Publication number: JP3653416B2
Application number: JP13807399A
Authority: JP
Inventors: 良一松本
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1999-05-19
Filing date: 1999-05-19
Publication date: 2005-05-25
Anticipated expiration: 2019-05-19
Also published as: JP2000331982A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造に用いられるエッチング装置に関し、特に、半導体ウエハのエッチング処理に用いるのに好適なエッチング装置およびエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ＩＣ装置の製造では、半導体ウエハ上に多数の集積回路領域が形成された後、この半導体ウエハからそれぞれの集積回路領域がチップとして切り出される。
半導体ウエハへの前記した集積回路領域の形成工程中における半導体ウエハの取扱いを容易とするために、６００μｍを越える厚さ寸法の半導体ウエハが用いられている。
半導体ウエハは、該半導体ウエハへの集積回路領域の形成後、例えばＩＣカード用チップに適するように、半導体ウエハの厚さ寸法の低減を図るべく、その裏面から機械研削を受ける。さらに、半導体ウエハは、この機械研削による半導体裏面の損傷を除去しかつ所定の厚さ寸法となるように、バックエッチと称されるエッチング処理を受ける。
【０００３】
このバックエッチでは、回転する支持台に研削面である裏面を上面として保持された半導体ウエハ上にエッチング液が供給されると、エッチング液は回転する半導体ウエハ上で遠心力を受ける。従って、半導体ウエハ上に供給されたエッチング液は、これに作用する遠心力により、半導体ウエハの裏面にほぼ均一に拡がることから、各半導体ウエハの個々は、局部的な厚さ寸法のばらつきを示すことなくほぼ均一な厚さ寸法となるように、エッチング処理を受ける。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記したような従来のエッチング装置では、支持台に保持される半導体ウエハの多数回の取り替えに拘わらず、すなわち、例えば１ロット分の枚数に対応する多数回のエッチング処理に拘わらず、エッチング液は、取り替えられることなく、このエッチング液を収容する薬液タンクと半導体ウエハを保持する支持台との間を循環する。
【０００５】
エッチング液は、エッチング処理回数の増大に伴って劣化を生じ、エッチング液の劣化の程度に応じてエッチングレート（エッチング速度）は減少する。このことから、半導体ウエハの１ロット分にわたるエッチング処理では、エッチング開始時の１枚目のウエハとそのロットの最終ウエハとにおけるエッチングレートに大きな差が生じ、そのために、同一ロット内での半導体ウエハの最終厚さ寸法に大きなばらつきが生じる。
【０００６】
そこで、ロット内での半導体ウエハの厚さ寸法のばらつきを防止すべく、循環するエッチング液の薬液タンク内に、エッチング液の主剤を適宜補充することが試みられている。
【０００７】
しかしながら、エッチング液への主剤の添加量と、そのエッチングレートの変化との間には、一般的には、主剤の少量の添加によってもエッチングレートが大きく変化する非直線特性が見られる。
そのため、この主剤の補充により、各半導体ウエハの厚さ寸法のばらつきを防止する前記従来技術では、エッチング処理の進行に応じてエッチング液の機能を適正に保持すべく、１ロット分の処理の間に、多数回にわたって逐次、適正量の微量の主剤を補充することが要求され、この主剤の添加量の適正な制御が容易ではない。
【０００８】
このことから、半導体ウエハのような半導体基板に、それぞれの厚さ寸法に大きなばらつきを生じることなく、比較的容易にエッチング処理を施し得るエッチング処理装置およびエッチング方法が望まれていた。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前述の課題を解決するため次の構成を採用する。
〈構成〉
所定の複数の半導体ウエハのエッチング方法において、複数の半導体ウエハのエッチング処理に少なくとも必要な量のエッチング液を薬液タンクに収容する工程と、半導体ウエハ１枚分の分量のエッチング液を薬液タンクから各半導体ウエハに供給して、該各半導体ウエハにエッチング処理を施すと共に、当該エッチング処理に用いたエッチング液を廃液タンクに回収する工程と、複数の半導体ウエハの全ての前記エッチング処理が終了した後、廃液タンク内のエッチング液を次の所定の複数の半導体ウエハに対するエッチング処理に活用すべく、薬液タンクに供給する工程とを備えることを特徴とする。
【００１２】
エッチング液は、弗酸及び硝酸を含むことができる。
廃液内のエッチング液の再使用時におけるエッチング液の劣化を防止すべく、エッチング液は、弗酸を主剤に硝酸を補助剤としており、主剤および補助剤は、必要に応じて廃液タンク内に添加されることを特徴とする。
硝酸の濃度は、８０パーセント以上であることを特徴とする。
【００１４】
前記添加ノズルからの前記主成分あるいは補助成分のような添加剤の補充は、例えば１ロット分の処理の間に、従来のような微量の添加量でもって、多数回にわたって行われることはない。
すなわち、例えば１ロット分のエッチング処理の繰り返し中に、微量の添加剤を高精度で多数回にわたって補充することなく、前記した添加剤の補充は、廃液タンク内のエッチング液を再使用するに先立って、一括的に行われる。
【００１５】
従って、エッチング液への前記添加剤の添加量について、必要とされる制御精度および制御回数の低減を図ることができることから、たとえ１ロット分の半導体基板のエッチング処理においても、比較的容易に均一な厚さ寸法を有する半導体基板を得ることができ、しかもエッチング液の反復使用が可能となることから、経済的なエッチング処理が可能となる。
半導体ウエハをエッチング処理する装置において、所定の複数の半導体ウエハのエッチング処理に少なくとも必要な量のエッチング液を収容する薬液タンクと、前記薬液タンクから半導体ウエハ１枚分の分量のエッチング液を前記各半導体ウエハに供給する供給制御手段と、各半導体ウエハのエッチング処理に用いた前記エッチング液を回収する廃液タンクと、前記複数の半導体ウエハのエッチング処理が終了した後、前記廃液タンク内の前記エッチング液を次の所定の複数の半導体ウエハのエッチング処理に活用すべく、前記薬液タンクに供給する制御機構とを備えることを特徴とする。
所定の複数の半導体ウエハをエッチング処理する装置において、複数の半導体ウエハのエッチング処理に少なくとも必要な量のエッチング液を収容する第１の薬液タンクと、第１の薬液タンクから半導体ウエハ１枚分の量のエッチング液が供給される第２の薬液タンクと、第２の薬液タンクからエッチング液を各半導体ウエハに供給して、該各半導体ウエハにエッチング処理を施した後、当該エッチング処理に用いたエッチング液を回収する廃液タンクと、複数の半導体ウエハの全てのエッチング処理が終了した後、廃液タンク内のエッチング液を次の所定の複数の半導体ウエハに対するエッチング処理に活用すべく、第１の薬液タンクに供給する制御機構とを備えることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施の形態について詳細に説明する。
〈具体例１〉
図１は、具体例１のエッチング装置を概略的に示す。
本発明に係るエッチング装置１０は、図１に示されているように、例えばシリコン結晶基板からなる半導体ウエハ１１がその機械研削を受けた裏面１１ａを上方にして配置される支持台１２と、エッチング液１３を収容する薬液タンク１４と、支持台１２上の半導体ウエハ１１へ薬液タンク１４内のエッチング液１３を案内すべく薬液タンク１４から支持台１２の上方に伸びる管路１５と、該管路を経てエッチング液１３を半導体ウエハ１１上に送給するための例えばベローズポンプのような加圧ポンプ１６と、該加圧ポンプの作動を制御するための制御機構１７とを含む。
【００１７】
管路１５には、半導体ウエハ１１上に供給されるエッチング液１３の温度を制御するための液温調整器１８が設けられている。前記制御機構１７により制御を受ける加圧ポンプ１６の作動によって、薬液タンク１４内のエッチング液１３は、管路１５に設けられた液温調整器１８により適正温度に加温された状態で、管路１５を経て支持台１２上の半導体ウエハ１１へ向けて圧送される。
【００１８】
支持台１２には、半導体ウエハ１１を保持するための爪１９が設けられ、該爪により保持された半導体ウエハ１１は、支持台１２の回転軸１２ａの回りの一方向の駆動回転により、支持台１２と一体的に回転される。
薬液タンク１４から管路１５を経て圧送されたエッチング液１３は、回転する半導体ウエハ１１の裏面１１ａ上に、順次、流下される。半導体ウエハ１１上に流下されたエッチング液は回転する半導体ウエハ１１の裏面１１ａ上で遠心力を受ける。
半導体ウエハ１１の裏面１１ａ上に流下されたエッチング液は、これに作用する遠心力により、半導体ウエハの裏面１１ａ上にほぼ均一に拡がることから、半導体ウエハ１１は、局部的な厚さ寸法のばらつきを示すことなくほぼ均一な厚さ寸法となるように、エッチング処理を受ける。
【００１９】
支持台１２の縁部を取り巻いて、従来よく知られた環状の液受け２０が設けられている。半導体ウエハ１１上に流下されたエッチング液１３は、液受け２０を経て廃棄することができるが、図示の例では、液受け２０には、ドレイン管２１を介して、廃棄されたエッチング液を回収するための廃液タンク２２が接続されている。また、廃液タンク２２内の使用済みのエッチング液の再利用のために、図示の例では、廃液タンク２２内のエッチング液を薬液タンク１４に戻すための移送ポンプ２３が設けられている。
【００２０】
移送ポンプ２３は、制御機構１７の制御を受け、通常、廃液タンク２２および薬液タンク１４間を遮断状態におく。移送ポンプ２３は、廃液タンク２２内の使用済みのエッチング液を再利用するために、廃液タンク２２内のエッチング液を薬液タンク１４に戻すときのみ、両タンク２２および１４を連通状態におき、廃液タンク２２から薬液タンク１４へ向けてエッチング液を圧送すべく動作する。
【００２１】
半導体ウエハ１１がシリコン結晶基板のとき、エッチング液として、例えば弗酸を主剤とし、硝酸を補助剤とする硝弗酸系のエッチング液を用いることができる。
薬液タンク１４内には、例えば１ロット分のエッチング処理に必要な量の新たなエッチング液１３が収容される。
例えば１ロット分として、支持台１２に２５枚の半導体ウエハ１１が、１葉ずつ、順次取り替えられ、各半導体ウエハ１１のエッチング処理にＮccのエッチング液が必要な場合、薬液タンク１４内には、少なくとも２５×Ｎccのエッチング液１３が収容される。
また、廃液タンク２２内から薬液タンク１４へのエッチング液の戻りを防止するために、移送ポンプ２３は両タンク１４および２２を遮断状態におく。
【００２２】
支持台１２の半導体ウエハ１１が支持台１２と一体的に回転を始めると、前記したとおり、制御機構１７の制御を受ける加圧ポンプ１６の作動により、１回のエッチング処理に必要な量（Ｎcc）のエッチング液１３が管路１５から半導体ウエハ１１上へ、流下により、順次供給される。
半導体ウエハ１１上に順次流下されたエッチング液（Ｎcc）は、前記したとおり、半導体ウエハ１１の裏面１１ａに適正なエッチング処理を施した後、ドレイン管２１を経て廃液タンク２２内に回収される。
【００２３】
この必要な量（Ｎcc）のエッチング液１３の供給により、前記した半導体ウエハ１１への所定のエッチング処理が終わると、支持台１２上の半導体ウエハ１１が新たな１葉のそれに取り替えられる。
この新たな半導体ウエハ１１への取り替え後、この新たな半導体ウエハ１１のエッチング処理のために必要な量（Ｎcc）のエッチング液１３が、前記したと同様に、加圧ポンプ１６の作動により、半導体ウエハ１１上に供給され、該半導体ウエハ１１へのエッチング処理後に廃液タンク２２に回収される。
【００２４】
以下、１ロット分の半導体ウエハ１１のエッチング処理のために、前記した工程が反復されると、薬液タンク１４内のほぼ全てのエッチング液１３は、廃液タンク２２内に回収される。
【００２５】
前記したエッチング処理における１回のエッチング処理に必要な量（Ｎcc）、この必要な量（Ｎcc）を供給し終えるに必要なエッチング所要時間、支持台１２の回転数等の運転条件は、エッチング液１３のエッチング能力に応じて適宜選択され、エッチング装置１０の運転に先立って、適正となるように予め設定されている。
【００２６】
本発明に係るエッチング装置１０では、前記したとおり、半導体ウエハ１１のエッチング処理毎に、薬液タンク１４内の新たなエッチング液１３が支持台１２上の半導体ウエハ１１上に供給される。
そのため、支持台１２上に取り付けられる半導体ウエハ１１は、順次薬液タンク１４からの新たなエッチング液１３すなわち所定のエッチング能力を有するエッチング液１３によりエッチング処理を受ける。
【００２７】
従って、たとえ２５枚のような１ロット分の半導体ウエハ１１のエッチング処理であっても、ロットの先頭ウエハからロットの最終ウエハに至るまで、半導体ウエハ１１は同一処理能力を有するエッチング液によりエッチング処理を受ける。
その結果、たとえ１ロット分の多量の半導体ウエハ１１のエッチング処理においても各半導体ウエハ１１毎のばらつきを招くことなく、均一な厚さ寸法を有する半導体ウエハ１１を得ることができる。
【００２８】
廃液タンク２２内のエッチング液は、１回のエッチング処理により劣化する。この劣化した廃液タンク２２内のエッチング液を移送ポンプ２３の作動により薬液タンク１４に戻し、戻されたエッチング液を薬液タンク１４内から、再度、前記したと同様なエッチング処理に使用することができる。
このとき、エッチング液１３の前記した劣化に応じて、所定のエッチング効果が得られるように、エッチング装置１０の前記運転条件を適正に変更することが望ましい。
【００２９】
また、エッチング液１３の前記した再使用に際し、前記運転条件の変更に代えて、例えば、廃液タンク２２内に前記主剤を添加するための添加ノズル２４ａおよび前記補助剤を添加するための添加ノズル２４ｂを設けることができる。
両ノズル２４ａおよび２４ｂから例えば５０％濃度の弗酸および８０％濃度以上の硝酸のそれぞれを適正量添加することにより、エッチング液１３に当初のエッチング能力を与えることができ、これにより当初とほぼ同一の運転条件で多数のロットにわたってエッチング処理を施すことが可能となる。
【００３０】
前記した添加剤の添加は、従来におけるような１ロット分のエッチング処理中での多数回にわたる微量の添加ではなく、例えば各ロット毎で廃液タンク２２内の多量のエッチング液に対して一括的に行われる。従って、添加剤の添加に従来のような微妙な制御が不要となることから、比較的容易にかつ高精度で適正に添加剤を添加することができる。
【００３１】
廃液タンク２２に設けられる添加ノズルは、必要に応じて、前記主剤あるいは前記補助剤のいずれか一方の添加ノズルとすることができる。
また、添加ノズル（２４ａおよび２４ｂ、２４ａまたは２４ｂ）は、廃液タンク２２に代えて、薬液タンク１４に設けることができる。
【００３２】
〈具体例２〉
具体例１では、薬液タンク１４および廃液タンク２２が支持台１２に関して相互に直列的に配置された。
図２は、薬液タンク１４および廃液タンク２２が支持台１２に関して相互に並列的に配置された例を示す。
【００３３】
支持台１２の液受け２０の互いに反対の側から一対の管２１ａおよび２１ｂが伸長する。各管２１ａおよび２１ｂには、それぞれの管路を開閉すべく制御機構１７により制御を受ける開閉バルブ機構２５ａおよび２５ｂがそれぞれ設けられている。
一方の管２１ａには、薬液タンク１４が接続され、他方の管２１ｂには廃液タンク２２が接続されている。
【００３４】
薬液タンク１４からは、管路１５ａが伸長する。管路１５ａの先端は、前記したと同様な加圧ポンプ１６および液温調整器１８が設けられた管路１５ｂに、切換バルブ機構２６を介して接続されている。また、廃液タンク２２からは、管路１５ｃが伸長する。１５ｃの先端は、前記切換バルブ機構２６に接続されている。
切換バルブ機構２６は、制御機構１７の制御を受け、管路１５ｂを管路１５ａまたは管路１５ｃに選択的に接続する。
【００３５】
薬液タンク１４には、具体例１における薬液タンク１４と同様、例えば１ロット分のエッチング処理に必要な量の新たなエッチング液１３が収容される。
また、薬液タンク１４の管２１ａに関連して設けられた一方の開閉バルブ機構２５ａは閉鎖状態におかれ、廃液タンク２２の管２１ｂに関連して設けられた他方の開閉バルブ機構２５ｂは開放状態におかれる。
【００３６】
切換バルブ機構２６が管路１５ｂを管路１５ａに選択的に接続した状態で、制御機構１７により加圧ポンプ１６が作動されると、１回のエッチング処理に必要な量（Ｎcc）のエッチング液１３が薬液タンク１４から管路１５ａおよび１５ｂを経て、前記したと同様に支持台１２と一体的に回転する半導体ウエハ１１上に、流下により、順次供給される。
また、半導体ウエハ１１上に流下されたエッチング液（Ｎcc）は、前記したとおり、半導体ウエハ１１の裏面１１ａに適正なエッチング処理を施した後、管２１ｂを経て、廃液タンク２２内に回収される。
【００３７】
以下、１ロット分の半導体ウエハ１１のエッチング処理のために、前記した工程が反復されると、薬液タンク１４内のほぼ全てのエッチング液１３は、廃液タンク２２内に回収される。
具体例２のエッチング装置１０では、廃液タンク２２内のエッチング１３を薬液タンク１４に戻すことなく、この廃液タンク２２から再び支持台１２上の半導体ウエハ１１に供給することができ、そのとき前記薬液タンク１４を廃液のための廃液タンクとして利用することができる。
【００３８】
すなわち、薬液タンク１４内のほぼ全てのエッチング液１３が廃液タンク２２内に回収されると、薬液タンク１４に関連して設けられた一方の開閉バルブ機構２５ａが開放状態におかれ、廃液タンク２２に関連して設けられた他方の開閉バルブ機構２５ｂが閉鎖状態におかれる。
また、切換バルブ機構２６の作動により、管路１５ｂが管路１５ａに代えて管路１５ｃに接続されることから、管路１５ｂが薬液タンク１４に代えて廃液タンク２２に連通される。
【００３９】
そのため、制御機構１７の制御下で加圧ポンプ１６が前記したと同様に作動されると、廃液タンク２２内のエッチング液が管路１５ｂを経て半導体ウエハ１１上に供給される。
また、半導体ウエハ１１上に供給されたエッチング液は、管２１ａを経て、薬液タンク１４に戻される。
従って、薬液タンク１４が廃液タンクとして機能し、廃液タンク２２が薬液タンクとして機能することとなる。
各タンク１４および２２の前記した機能は、一方のタンク１４または２２内の全エッチング液１３が他方のタンク２２または１４に移動する毎に交互に変換する。
【００４０】
前記した機能の変換毎に、エッチング液は劣化が進行することから、その都度、所定のエッチング処理を得るべく、エッチング装置１０の前記した運転条件を適正に修正することが望ましい。
また、この運転条件を一定に維持すべく、必要に応じて、薬液タンク１４および廃液タンク２２の双方もしくはいずれか一方に、前記したと同様な添加ノズル（２４ａおよび２４ｂ、２４ａまたは２４ｂ）を設けることができる。
【００４１】
〈具体例３〉
図３は、薬液タンク１４が相互に直列接続された第１のタンク１４ａおよび第２のタンク１４ｂからなる例を示す。
第１のタンク１４ａは、前記薬液タンク１４におけると同様に、例えば１ロット分の半導体ウエハ１１のエッチングに必要な量の新たなエッチング液１３を収容する。
第１のタンク１４ａ内のエッチング液１３は、前記制御機構１７の作動により制御を受ける定量ポンプ２７を経て、１回のエッチング処理分として、例えば１〜２Ｌの定量分が、第２のタンク１４ｂに送られる。
【００４２】
第２のタンク１４ｂに送られた前記定量分のエッチング液１３ａは、加圧ポンプ１６の作動により、管路１５を経て支持台１２上の半導体ウエハ１１に流下される。
半導体ウエハ１１上へ流下されたエッチング液１３ａは、液受け２０からドレイン管２１を経て、再び第２のタンク１４ｂに戻されるが、管路１５を経て、支持台１２、ドレイン管２１および、第２のタンク１４ｂを巡る循環路が形成されることから、加圧ポンプ１６の作動が続く限り、管路１５を経て、支持台１２上の半導体ウエハ１１、第２のタンク１４ｂを循環する。
【００４３】
前記循環路を経るエッチング液１３ａの所定の循環により、支持台１２上の半導体ウエハ１１のエッチング処理が終了すると、加圧ポンプ１６の作動が停止し、第２のタンク１４ｂ内のエッチング液１３ａが、制御機構１７の制御下におかれる移送ポンプ２８の作動により、廃液タンク２２に圧送される。
【００４４】
廃液タンク２２へのエッチング液１３ａの圧送により第２のタンク１４ｂ内が空になると、定量ポンプ２７の作動により、第１のタンク１４ａから前記定量分の新たなエッチング液１３ａが第２のタンク１４ｂ内に供給され、これにより第２のタンク１４ｂ内のエッチング液１３ａが新たなそれに置き換えられる。
この第２のタンク１４ｂ内の新たなエッチング液１３ａは、支持台１２に取り替えられた新たな半導体ウエハ１１のエッチング処理のために、前記したと同様な加圧ポンプ１６の作動により、管路１５、支持台１２、ドレイン管２１および第２のタンク１４ｂを巡る循環路を流れる。
【００４５】
以下、前記したと同様な工程の反復により、例えば１ロット分の半導体ウエハ１１が、各半導体ウエハ１１毎に更新されるエッチング液１３ａでエッチング処理を受ける。
従って、１ロット分の半導体ウエハ１１のエッチング処理であっても、ロットの先頭ウエハからロットの最終ウエハに至るまで、半導体ウエハ１１は同一処理能力を有するエッチング液によりエッチング処理を受けることから、各半導体ウエハ１１毎のばらつきを招くことなく、均一な厚さ寸法を有する半導体ウエハ１１を得ることができる。
【００４６】
廃液タンク２２内に回収される使用済みのエッチング液１３を移送ポンプ２３の作動により第１のタンク１４ａに戻し、これを再使用することができる。
また、エッチング液１３の再使用のために、第１のタンク１４ａあるいは廃液タンク２２に、前記したと同様な添加ノズル（２４ａおよび２４ｂ、２４ａまたは２４ｂ）を設け、必要に応じて添加剤をエッチング液１３に添加することができる。
【００４７】
また、具体例３のエッチング装置１０では、１回のエッチング処理毎に第２のタンク１４ｂ内の更新された定量分のエッチング液１３ａが、前記循環路（１５、１２、２１および１４ｂ）を巡る。
そのため、前記循環路を巡る単位時間あたりの循環量あるいは循環回数を、定量分に拘束されることなく、加圧ポンプ１６の設定により、比較的自由に設定することができる。従って、エッチング液１３の再使用毎に、単位時間あたりの前記循環量あるいは前記循環回数を適宜増大させることにより、添加剤を添加することなく、多数のロット間にわたってほぼ均一な厚さ寸法となるように、比較的容易に半導体ウエハ１１にエッチング処理を施すことができる。
【００４８】
前記したところでは、半導体基板として、集積回路領域が形成された半導体ウエハの例について説明したが、本願発明は、半導体ウエハに限らず、種々の半導体基板のエッチング処理に適用することができる。
また、前記したところでは、弗酸を主剤とし、硝酸を補助剤とする硝弗酸系のエッチング液について説明したが、これに限らず、例えば弗酸ガスあるいは二酸化窒素を添加剤とするエッチング液等、種々のエッチング液を用いることができる。
【００４９】
【発明の効果】
本発明によれば、前記したように、支持台上に保持された半導体基板の取り替えを伴う各エッチング処理毎に、エッチング液が更新されることから、主剤のような添加剤の添加量の制御を行うことなく、たとえ１ロット分の半導体基板のエッチング処理においても、均一な厚さ寸法を有する半導体基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るエッチング装置の具体例１を概略的に示す構成図である。
【図２】本発明に係るエッチング装置の具体例２を概略的に示す構成図である。
【図３】本発明に係るエッチング装置の具体例３を概略的に示す構成図である。
【符号の説明】
１０エッチング装置
１１半導体基板（半導体ウエハ）
１２支持台
１３エッチング液
１４（１４ａ、１４ｂ）薬液タンク
１７制御機構

Claims

所定の複数の半導体ウエハのエッチング方法において、
前記複数の半導体ウエハのエッチング処理に少なくとも必要な量のエッチング液を薬液タンクに収容する工程と、
半導体ウエハ１枚分の分量のエッチング液を前記薬液タンクから前記各半導体ウエハに供給して、該各半導体ウエハにエッチング処理を施すと共に、当該エッチング処理に用いた前記エッチング液を廃液タンクに回収する工程と、
前記複数の半導体ウエハの全ての前記エッチング処理が終了した後、前記廃液タンク内の前記エッチング液を次の所定の複数の半導体ウエハに対するエッチング処理に活用すべく、前記薬液タンクに供給する工程とを備えることを特徴とするエッチング方法。
前記所定の複数の半導体ウエハは、生産単位としての１ロット分の複数の半導体ウエハであることを特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
前記エッチング液は、弗酸及び硝酸を含むことを特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
前記エッチング液は、弗酸を主剤に硝酸を補助剤としており、
前記主剤および前記補助剤は、必要に応じて前記廃液タンク内に添加されることを特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
前記硝酸の濃度は、８０パーセント以上であることを特徴とする請求項３又は請求項４記載のエッチング方法。
半導体ウエハをエッチング処理する装置において、
所定の複数の半導体ウエハのエッチング処理に少なくとも必要な量のエッチング液を収容する薬液タンクと、
前記薬液タンクから半導体ウエハ１枚分の分量のエッチング液を前記各半導体ウエハに供給する供給制御手段と、
各半導体ウエハのエッチング処理に用いた前記エッチング液を回収する廃液タンクと、
前記複数の半導体ウエハのエッチング処理が終了した後、前記廃液タンク内の前記エッチング液を次の所定の複数の半導体ウエハのエッチング処理に活用すべく、前記薬液タンクに供給する制御機構とを備えることを特徴とするエッチング装置。
所定の複数の半導体ウエハをエッチング処理する装置において、
前記複数の半導体ウエハのエッチング処理に少なくとも必要な量のエッチング液を収容する第１の薬液タンクと、
前記第１の薬液タンクから半導体ウエハ１枚分の量のエッチング液が供給される第２の薬液タンクと、
前記第２の薬液タンクからエッチング液を前記各半導体ウエハに供給して、該各半導体ウエハにエッチング処理を施した後、当該エッチング処理に用いた前記エッチング液を回収する廃液タンクと、
前記複数の半導体ウエハの全ての前記エッチング処理が終了した後、前記廃液タンク内の前記エッチング液を次の所定の複数の半導体ウエハに対するエッチング処理に活用すべく、前記第１の薬液タンクに供給する制御機構とを備えることを特徴とするエッチング装置。
前記所定の複数の半導体ウエハは、生産単位としての１ロット分の複数の半導体ウエハであることを特徴とする請求項６又は請求項７記載のエッチング装置。
前記エッチング液は、弗酸及び硝酸を含むことを特徴とする請求項６又は請求項７記載のエッチング装置。
前記エッチング液は、弗酸を主剤に硝酸を補助剤としており、
前記主剤および前記補助剤を、必要に応じて前記廃液タンク内に添加するための添加ノズルを備えることを特徴とする請求項６又は請求項７記載のエッチング装置。
前記硝酸の濃度は、８０パーセント以上であることを特徴とする請求項９又は請求項１０記載のエッチング装置。