JP3653416B2 - エッチング方法およびエッチング装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造に用いられるエッチング装置に関し、特に、半導体ウエハのエッチング処理に用いるのに好適なエッチング装置およびエッチング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体IC装置の製造では、半導体ウエハ上に多数の集積回路領域が形成された後、この半導体ウエハからそれぞれの集積回路領域がチップとして切り出される。
半導体ウエハへの前記した集積回路領域の形成工程中における半導体ウエハの取扱いを容易とするために、600μmを越える厚さ寸法の半導体ウエハが用いられている。
半導体ウエハは、該半導体ウエハへの集積回路領域の形成後、例えばICカード用チップに適するように、半導体ウエハの厚さ寸法の低減を図るべく、その裏面から機械研削を受ける。さらに、半導体ウエハは、この機械研削による半導体裏面の損傷を除去しかつ所定の厚さ寸法となるように、バックエッチと称されるエッチング処理を受ける。
【0003】
このバックエッチでは、回転する支持台に研削面である裏面を上面として保持された半導体ウエハ上にエッチング液が供給されると、エッチング液は回転する半導体ウエハ上で遠心力を受ける。従って、半導体ウエハ上に供給されたエッチング液は、これに作用する遠心力により、半導体ウエハの裏面にほぼ均一に拡がることから、各半導体ウエハの個々は、局部的な厚さ寸法のばらつきを示すことなくほぼ均一な厚さ寸法となるように、エッチング処理を受ける。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記したような従来のエッチング装置では、支持台に保持される半導体ウエハの多数回の取り替えに拘わらず、すなわち、例えば1ロット分の枚数に対応する多数回のエッチング処理に拘わらず、エッチング液は、取り替えられることなく、このエッチング液を収容する薬液タンクと半導体ウエハを保持する支持台との間を循環する。
【0005】
エッチング液は、エッチング処理回数の増大に伴って劣化を生じ、エッチング液の劣化の程度に応じてエッチングレート(エッチング速度)は減少する。このことから、半導体ウエハの1ロット分にわたるエッチング処理では、エッチング開始時の1枚目のウエハとそのロットの最終ウエハとにおけるエッチングレートに大きな差が生じ、そのために、同一ロット内での半導体ウエハの最終厚さ寸法に大きなばらつきが生じる。
【0006】
そこで、ロット内での半導体ウエハの厚さ寸法のばらつきを防止すべく、循環するエッチング液の薬液タンク内に、エッチング液の主剤を適宜補充することが試みられている。
【0007】
しかしながら、エッチング液への主剤の添加量と、そのエッチングレートの変化との間には、一般的には、主剤の少量の添加によってもエッチングレートが大きく変化する非直線特性が見られる。
そのため、この主剤の補充により、各半導体ウエハの厚さ寸法のばらつきを防止する前記従来技術では、エッチング処理の進行に応じてエッチング液の機能を適正に保持すべく、1ロット分の処理の間に、多数回にわたって逐次、適正量の微量の主剤を補充することが要求され、この主剤の添加量の適正な制御が容易ではない。
【0008】
このことから、半導体ウエハのような半導体基板に、それぞれの厚さ寸法に大きなばらつきを生じることなく、比較的容易にエッチング処理を施し得るエッチング処理装置およびエッチング方法が望まれていた。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前述の課題を解決するため次の構成を採用する。
〈構成〉
所定の複数の半導体ウエハのエッチング方法において、複数の半導体ウエハのエッチング処理に少なくとも必要な量のエッチング液を薬液タンクに収容する工程と、半導体ウエハ1枚分の分量のエッチング液を薬液タンクから各半導体ウエハに供給して、該各半導体ウエハにエッチング処理を施すと共に、当該エッチング処理に用いたエッチング液を廃液タンクに回収する工程と、複数の半導体ウエハの全ての前記エッチング処理が終了した後、廃液タンク内のエッチング液を次の所定の複数の半導体ウエハに対するエッチング処理に活用すべく、薬液タンクに供給する工程とを備えることを特徴とする。
【0012】
エッチング液は、弗酸及び硝酸を含むことができる。
廃液内のエッチング液の再使用時におけるエッチング液の劣化を防止すべく、エッチング液は、弗酸を主剤に硝酸を補助剤としており、主剤および補助剤は、必要に応じて廃液タンク内に添加されることを特徴とする。
硝酸の濃度は、80パーセント以上であることを特徴とする。
【0014】
前記添加ノズルからの前記主成分あるいは補助成分のような添加剤の補充は、例えば1ロット分の処理の間に、従来のような微量の添加量でもって、多数回にわたって行われることはない。
すなわち、例えば1ロット分のエッチング処理の繰り返し中に、微量の添加剤を高精度で多数回にわたって補充することなく、前記した添加剤の補充は、廃液タンク内のエッチング液を再使用するに先立って、一括的に行われる。
【0015】
従って、エッチング液への前記添加剤の添加量について、必要とされる制御精度および制御回数の低減を図ることができることから、たとえ1ロット分の半導体基板のエッチング処理においても、比較的容易に均一な厚さ寸法を有する半導体基板を得ることができ、しかもエッチング液の反復使用が可能となることから、経済的なエッチング処理が可能となる。
半導体ウエハをエッチング処理する装置において、所定の複数の半導体ウエハのエッチング処理に少なくとも必要な量のエッチング液を収容する薬液タンクと、前記薬液タンクから半導体ウエハ1枚分の分量のエッチング液を前記各半導体ウエハに供給する供給制御手段と、各半導体ウエハのエッチング処理に用いた前記エッチング液を回収する廃液タンクと、前記複数の半導体ウエハのエッチング処理が終了した後、前記廃液タンク内の前記エッチング液を次の所定の複数の半導体ウエハのエッチング処理に活用すべく、前記薬液タンクに供給する制御機構とを備えることを特徴とする。
所定の複数の半導体ウエハをエッチング処理する装置において、複数の半導体ウエハのエッチング処理に少なくとも必要な量のエッチング液を収容する第1の薬液タンクと、第1の薬液タンクから半導体ウエハ1枚分の量のエッチング液が供給される第2の薬液タンクと、第2の薬液タンクからエッチング液を各半導体ウエハに供給して、該各半導体ウエハにエッチング処理を施した後、当該エッチング処理に用いたエッチング液を回収する廃液タンクと、複数の半導体ウエハの全てのエッチング処理が終了した後、廃液タンク内のエッチング液を次の所定の複数の半導体ウエハに対するエッチング処理に活用すべく、第1の薬液タンクに供給する制御機構とを備えることを特徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施の形態について詳細に説明する。
〈具体例1〉
図1は、具体例1のエッチング装置を概略的に示す。
本発明に係るエッチング装置10は、図1に示されているように、例えばシリコン結晶基板からなる半導体ウエハ11がその機械研削を受けた裏面11aを上方にして配置される支持台12と、エッチング液13を収容する薬液タンク14と、支持台12上の半導体ウエハ11へ薬液タンク14内のエッチング液13を案内すべく薬液タンク14から支持台12の上方に伸びる管路15と、該管路を経てエッチング液13を半導体ウエハ11上に送給するための例えばベローズポンプのような加圧ポンプ16と、該加圧ポンプの作動を制御するための制御機構17とを含む。
【0017】
管路15には、半導体ウエハ11上に供給されるエッチング液13の温度を制御するための液温調整器18が設けられている。前記制御機構17により制御を受ける加圧ポンプ16の作動によって、薬液タンク14内のエッチング液13は、管路15に設けられた液温調整器18により適正温度に加温された状態で、管路15を経て支持台12上の半導体ウエハ11へ向けて圧送される。
【0018】
支持台12には、半導体ウエハ11を保持するための爪19が設けられ、該爪により保持された半導体ウエハ11は、支持台12の回転軸12aの回りの一方向の駆動回転により、支持台12と一体的に回転される。
薬液タンク14から管路15を経て圧送されたエッチング液13は、回転する半導体ウエハ11の裏面11a上に、順次、流下される。半導体ウエハ11上に流下されたエッチング液は回転する半導体ウエハ11の裏面11a上で遠心力を受ける。
半導体ウエハ11の裏面11a上に流下されたエッチング液は、これに作用する遠心力により、半導体ウエハの裏面11a上にほぼ均一に拡がることから、半導体ウエハ11は、局部的な厚さ寸法のばらつきを示すことなくほぼ均一な厚さ寸法となるように、エッチング処理を受ける。
【0019】
支持台12の縁部を取り巻いて、従来よく知られた環状の液受け20が設けられている。半導体ウエハ11上に流下されたエッチング液13は、液受け20を経て廃棄することができるが、図示の例では、液受け20には、ドレイン管21を介して、廃棄されたエッチング液を回収するための廃液タンク22が接続されている。また、廃液タンク22内の使用済みのエッチング液の再利用のために、図示の例では、廃液タンク22内のエッチング液を薬液タンク14に戻すための移送ポンプ23が設けられている。
【0020】
移送ポンプ23は、制御機構17の制御を受け、通常、廃液タンク22および薬液タンク14間を遮断状態におく。移送ポンプ23は、廃液タンク22内の使用済みのエッチング液を再利用するために、廃液タンク22内のエッチング液を薬液タンク14に戻すときのみ、両タンク22および14を連通状態におき、廃液タンク22から薬液タンク14へ向けてエッチング液を圧送すべく動作する。
【0021】
半導体ウエハ11がシリコン結晶基板のとき、エッチング液として、例えば弗酸を主剤とし、硝酸を補助剤とする硝弗酸系のエッチング液を用いることができる。
薬液タンク14内には、例えば1ロット分のエッチング処理に必要な量の新たなエッチング液13が収容される。
例えば1ロット分として、支持台12に25枚の半導体ウエハ11が、1葉ずつ、順次取り替えられ、各半導体ウエハ11のエッチング処理にNccのエッチング液が必要な場合、薬液タンク14内には、少なくとも25×Nccのエッチング液13が収容される。
また、廃液タンク22内から薬液タンク14へのエッチング液の戻りを防止するために、移送ポンプ23は両タンク14および22を遮断状態におく。
【0022】
支持台12の半導体ウエハ11が支持台12と一体的に回転を始めると、前記したとおり、制御機構17の制御を受ける加圧ポンプ16の作動により、1回のエッチング処理に必要な量(Ncc)のエッチング液13が管路15から半導体ウエハ11上へ、流下により、順次供給される。
半導体ウエハ11上に順次流下されたエッチング液(Ncc)は、前記したとおり、半導体ウエハ11の裏面11aに適正なエッチング処理を施した後、ドレイン管21を経て廃液タンク22内に回収される。
【0023】
この必要な量(Ncc)のエッチング液13の供給により、前記した半導体ウエハ11への所定のエッチング処理が終わると、支持台12上の半導体ウエハ11が新たな1葉のそれに取り替えられる。
この新たな半導体ウエハ11への取り替え後、この新たな半導体ウエハ11のエッチング処理のために必要な量(Ncc)のエッチング液13が、前記したと同様に、加圧ポンプ16の作動により、半導体ウエハ11上に供給され、該半導体ウエハ11へのエッチング処理後に廃液タンク22に回収される。
【0024】
以下、1ロット分の半導体ウエハ11のエッチング処理のために、前記した工程が反復されると、薬液タンク14内のほぼ全てのエッチング液13は、廃液タンク22内に回収される。
【0025】
前記したエッチング処理における1回のエッチング処理に必要な量(Ncc)、この必要な量(Ncc)を供給し終えるに必要なエッチング所要時間、支持台12の回転数等の運転条件は、エッチング液13のエッチング能力に応じて適宜選択され、エッチング装置10の運転に先立って、適正となるように予め設定されている。
【0026】
本発明に係るエッチング装置10では、前記したとおり、半導体ウエハ11のエッチング処理毎に、薬液タンク14内の新たなエッチング液13が支持台12上の半導体ウエハ11上に供給される。
そのため、支持台12上に取り付けられる半導体ウエハ11は、順次薬液タンク14からの新たなエッチング液13すなわち所定のエッチング能力を有するエッチング液13によりエッチング処理を受ける。
【0027】
従って、たとえ25枚のような1ロット分の半導体ウエハ11のエッチング処理であっても、ロットの先頭ウエハからロットの最終ウエハに至るまで、半導体ウエハ11は同一処理能力を有するエッチング液によりエッチング処理を受ける。
その結果、たとえ1ロット分の多量の半導体ウエハ11のエッチング処理においても各半導体ウエハ11毎のばらつきを招くことなく、均一な厚さ寸法を有する半導体ウエハ11を得ることができる。
【0028】
廃液タンク22内のエッチング液は、1回のエッチング処理により劣化する。この劣化した廃液タンク22内のエッチング液を移送ポンプ23の作動により薬液タンク14に戻し、戻されたエッチング液を薬液タンク14内から、再度、前記したと同様なエッチング処理に使用することができる。
このとき、エッチング液13の前記した劣化に応じて、所定のエッチング効果が得られるように、エッチング装置10の前記運転条件を適正に変更することが望ましい。
【0029】
また、エッチング液13の前記した再使用に際し、前記運転条件の変更に代えて、例えば、廃液タンク22内に前記主剤を添加するための添加ノズル24aおよび前記補助剤を添加するための添加ノズル24bを設けることができる。
両ノズル24aおよび24bから例えば50%濃度の弗酸および80%濃度以上の硝酸のそれぞれを適正量添加することにより、エッチング液13に当初のエッチング能力を与えることができ、これにより当初とほぼ同一の運転条件で多数のロットにわたってエッチング処理を施すことが可能となる。
【0030】
前記した添加剤の添加は、従来におけるような1ロット分のエッチング処理中での多数回にわたる微量の添加ではなく、例えば各ロット毎で廃液タンク22内の多量のエッチング液に対して一括的に行われる。従って、添加剤の添加に従来のような微妙な制御が不要となることから、比較的容易にかつ高精度で適正に添加剤を添加することができる。
【0031】
廃液タンク22に設けられる添加ノズルは、必要に応じて、前記主剤あるいは前記補助剤のいずれか一方の添加ノズルとすることができる。
また、添加ノズル(24aおよび24b、24aまたは24b)は、廃液タンク22に代えて、薬液タンク14に設けることができる。
【0032】
〈具体例2〉
具体例1では、薬液タンク14および廃液タンク22が支持台12に関して相互に直列的に配置された。
図2は、薬液タンク14および廃液タンク22が支持台12に関して相互に並列的に配置された例を示す。
【0033】
支持台12の液受け20の互いに反対の側から一対の管21aおよび21bが伸長する。各管21aおよび21bには、それぞれの管路を開閉すべく制御機構17により制御を受ける開閉バルブ機構25aおよび25bがそれぞれ設けられている。
一方の管21aには、薬液タンク14が接続され、他方の管21bには廃液タンク22が接続されている。
【0034】
薬液タンク14からは、管路15aが伸長する。管路15aの先端は、前記したと同様な加圧ポンプ16および液温調整器18が設けられた管路15bに、切換バルブ機構26を介して接続されている。また、廃液タンク22からは、管路15cが伸長する。15cの先端は、前記切換バルブ機構26に接続されている。
切換バルブ機構26は、制御機構17の制御を受け、管路15bを管路15aまたは管路15cに選択的に接続する。
【0035】
薬液タンク14には、具体例1における薬液タンク14と同様、例えば1ロット分のエッチング処理に必要な量の新たなエッチング液13が収容される。
また、薬液タンク14の管21aに関連して設けられた一方の開閉バルブ機構25aは閉鎖状態におかれ、廃液タンク22の管21bに関連して設けられた他方の開閉バルブ機構25bは開放状態におかれる。
【0036】
切換バルブ機構26が管路15bを管路15aに選択的に接続した状態で、制御機構17により加圧ポンプ16が作動されると、1回のエッチング処理に必要な量(Ncc)のエッチング液13が薬液タンク14から管路15aおよび15bを経て、前記したと同様に支持台12と一体的に回転する半導体ウエハ11上に、流下により、順次供給される。
また、半導体ウエハ11上に流下されたエッチング液(Ncc)は、前記したとおり、半導体ウエハ11の裏面11aに適正なエッチング処理を施した後、管21bを経て、廃液タンク22内に回収される。
【0037】
以下、1ロット分の半導体ウエハ11のエッチング処理のために、前記した工程が反復されると、薬液タンク14内のほぼ全てのエッチング液13は、廃液タンク22内に回収される。
具体例2のエッチング装置10では、廃液タンク22内のエッチング13を薬液タンク14に戻すことなく、この廃液タンク22から再び支持台12上の半導体ウエハ11に供給することができ、そのとき前記薬液タンク14を廃液のための廃液タンクとして利用することができる。
【0038】
すなわち、薬液タンク14内のほぼ全てのエッチング液13が廃液タンク22内に回収されると、薬液タンク14に関連して設けられた一方の開閉バルブ機構25aが開放状態におかれ、廃液タンク22に関連して設けられた他方の開閉バルブ機構25bが閉鎖状態におかれる。
また、切換バルブ機構26の作動により、管路15bが管路15aに代えて管路15cに接続されることから、管路15bが薬液タンク14に代えて廃液タンク22に連通される。
【0039】
そのため、制御機構17の制御下で加圧ポンプ16が前記したと同様に作動されると、廃液タンク22内のエッチング液が管路15bを経て半導体ウエハ11上に供給される。
また、半導体ウエハ11上に供給されたエッチング液は、管21aを経て、薬液タンク14に戻される。
従って、薬液タンク14が廃液タンクとして機能し、廃液タンク22が薬液タンクとして機能することとなる。
各タンク14および22の前記した機能は、一方のタンク14または22内の全エッチング液13が他方のタンク22または14に移動する毎に交互に変換する。
【0040】
前記した機能の変換毎に、エッチング液は劣化が進行することから、その都度、所定のエッチング処理を得るべく、エッチング装置10の前記した運転条件を適正に修正することが望ましい。
また、この運転条件を一定に維持すべく、必要に応じて、薬液タンク14および廃液タンク22の双方もしくはいずれか一方に、前記したと同様な添加ノズル(24aおよび24b、24aまたは24b)を設けることができる。
【0041】
〈具体例3〉
図3は、薬液タンク14が相互に直列接続された第1のタンク14aおよび第2のタンク14bからなる例を示す。
第1のタンク14aは、前記薬液タンク14におけると同様に、例えば1ロット分の半導体ウエハ11のエッチングに必要な量の新たなエッチング液13を収容する。
第1のタンク14a内のエッチング液13は、前記制御機構17の作動により制御を受ける定量ポンプ27を経て、1回のエッチング処理分として、例えば1〜2Lの定量分が、第2のタンク14bに送られる。
【0042】
第2のタンク14bに送られた前記定量分のエッチング液13aは、加圧ポンプ16の作動により、管路15を経て支持台12上の半導体ウエハ11に流下される。
半導体ウエハ11上へ流下されたエッチング液13aは、液受け20からドレイン管21を経て、再び第2のタンク14bに戻されるが、管路15を経て、支持台12、ドレイン管21および、第2のタンク14bを巡る循環路が形成されることから、加圧ポンプ16の作動が続く限り、管路15を経て、支持台12上の半導体ウエハ11、第2のタンク14bを循環する。
【0043】
前記循環路を経るエッチング液13aの所定の循環により、支持台12上の半導体ウエハ11のエッチング処理が終了すると、加圧ポンプ16の作動が停止し、第2のタンク14b内のエッチング液13aが、制御機構17の制御下におかれる移送ポンプ28の作動により、廃液タンク22に圧送される。
【0044】
廃液タンク22へのエッチング液13aの圧送により第2のタンク14b内が空になると、定量ポンプ27の作動により、第1のタンク14aから前記定量分の新たなエッチング液13aが第2のタンク14b内に供給され、これにより第2のタンク14b内のエッチング液13aが新たなそれに置き換えられる。
この第2のタンク14b内の新たなエッチング液13aは、支持台12に取り替えられた新たな半導体ウエハ11のエッチング処理のために、前記したと同様な加圧ポンプ16の作動により、管路15、支持台12、ドレイン管21および第2のタンク14bを巡る循環路を流れる。
【0045】
以下、前記したと同様な工程の反復により、例えば1ロット分の半導体ウエハ11が、各半導体ウエハ11毎に更新されるエッチング液13aでエッチング処理を受ける。
従って、1ロット分の半導体ウエハ11のエッチング処理であっても、ロットの先頭ウエハからロットの最終ウエハに至るまで、半導体ウエハ11は同一処理能力を有するエッチング液によりエッチング処理を受けることから、各半導体ウエハ11毎のばらつきを招くことなく、均一な厚さ寸法を有する半導体ウエハ11を得ることができる。
【0046】
廃液タンク22内に回収される使用済みのエッチング液13を移送ポンプ23の作動により第1のタンク14aに戻し、これを再使用することができる。
また、エッチング液13の再使用のために、第1のタンク14aあるいは廃液タンク22に、前記したと同様な添加ノズル(24aおよび24b、24aまたは24b)を設け、必要に応じて添加剤をエッチング液13に添加することができる。
【0047】
また、具体例3のエッチング装置10では、1回のエッチング処理毎に第2のタンク14b内の更新された定量分のエッチング液13aが、前記循環路(15、12、21および14b)を巡る。
そのため、前記循環路を巡る単位時間あたりの循環量あるいは循環回数を、定量分に拘束されることなく、加圧ポンプ16の設定により、比較的自由に設定することができる。従って、エッチング液13の再使用毎に、単位時間あたりの前記循環量あるいは前記循環回数を適宜増大させることにより、添加剤を添加することなく、多数のロット間にわたってほぼ均一な厚さ寸法となるように、比較的容易に半導体ウエハ11にエッチング処理を施すことができる。
【0048】
前記したところでは、半導体基板として、集積回路領域が形成された半導体ウエハの例について説明したが、本願発明は、半導体ウエハに限らず、種々の半導体基板のエッチング処理に適用することができる。
また、前記したところでは、弗酸を主剤とし、硝酸を補助剤とする硝弗酸系のエッチング液について説明したが、これに限らず、例えば弗酸ガスあるいは二酸化窒素を添加剤とするエッチング液等、種々のエッチング液を用いることができる。
【0049】
【発明の効果】
本発明によれば、前記したように、支持台上に保持された半導体基板の取り替えを伴う各エッチング処理毎に、エッチング液が更新されることから、主剤のような添加剤の添加量の制御を行うことなく、たとえ1ロット分の半導体基板のエッチング処理においても、均一な厚さ寸法を有する半導体基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るエッチング装置の具体例1を概略的に示す構成図である。
【図2】本発明に係るエッチング装置の具体例2を概略的に示す構成図である。
【図3】本発明に係るエッチング装置の具体例3を概略的に示す構成図である。
【符号の説明】
10 エッチング装置
11 半導体基板(半導体ウエハ)
12 支持台
13 エッチング液
14(14a、14b) 薬液タンク
17 制御機構
Claims (11)
- 所定の複数の半導体ウエハのエッチング方法において、
前記複数の半導体ウエハのエッチング処理に少なくとも必要な量のエッチング液を薬液タンクに収容する工程と、
半導体ウエハ1枚分の分量のエッチング液を前記薬液タンクから前記各半導体ウエハに供給して、該各半導体ウエハにエッチング処理を施すと共に、当該エッチング処理に用いた前記エッチング液を廃液タンクに回収する工程と、
前記複数の半導体ウエハの全ての前記エッチング処理が終了した後、前記廃液タンク内の前記エッチング液を次の所定の複数の半導体ウエハに対するエッチング処理に活用すべく、前記薬液タンクに供給する工程とを備えることを特徴とするエッチング方法。 - 前記所定の複数の半導体ウエハは、生産単位としての1ロット分の複数の半導体ウエハであることを特徴とする請求項1記載のエッチング方法。
- 前記エッチング液は、弗酸及び硝酸を含むことを特徴とする請求項1記載のエッチング方法。
- 前記エッチング液は、弗酸を主剤に硝酸を補助剤としており、
前記主剤および前記補助剤は、必要に応じて前記廃液タンク内に添加されることを特徴とする請求項1記載のエッチング方法。 - 前記硝酸の濃度は、80パーセント以上であることを特徴とする請求項3又は請求項4記載のエッチング方法。
- 半導体ウエハをエッチング処理する装置において、
所定の複数の半導体ウエハのエッチング処理に少なくとも必要な量のエッチング液を収容する薬液タンクと、
前記薬液タンクから半導体ウエハ1枚分の分量のエッチング液を前記各半導体ウエハに供給する供給制御手段と、
各半導体ウエハのエッチング処理に用いた前記エッチング液を回収する廃液タンクと、
前記複数の半導体ウエハのエッチング処理が終了した後、前記廃液タンク内の前記エッチング液を次の所定の複数の半導体ウエハのエッチング処理に活用すべく、前記薬液タンクに供給する制御機構とを備えることを特徴とするエッチング装置。 - 所定の複数の半導体ウエハをエッチング処理する装置において、
前記複数の半導体ウエハのエッチング処理に少なくとも必要な量のエッチング液を収容する第1の薬液タンクと、
前記第1の薬液タンクから半導体ウエハ1枚分の量のエッチング液が供給される第2の薬液タンクと、
前記第2の薬液タンクからエッチング液を前記各半導体ウエハに供給して、該各半導体ウエハにエッチング処理を施した後、当該エッチング処理に用いた前記エッチング液を回収する廃液タンクと、
前記複数の半導体ウエハの全ての前記エッチング処理が終了した後、前記廃液タンク内の前記エッチング液を次の所定の複数の半導体ウエハに対するエッチング処理に活用すべく、前記第1の薬液タンクに供給する制御機構とを備えることを特徴とするエッチング装置。 - 前記所定の複数の半導体ウエハは、生産単位としての1ロット分の複数の半導体ウエハであることを特徴とする請求項6又は請求項7記載のエッチング装置。
- 前記エッチング液は、弗酸及び硝酸を含むことを特徴とする請求項6又は請求項7記載のエッチング装置。
- 前記エッチング液は、弗酸を主剤に硝酸を補助剤としており、
前記主剤および前記補助剤を、必要に応じて前記廃液タンク内に添加するための添加ノズルを備えることを特徴とする請求項6又は請求項7記載のエッチング装置。 - 前記硝酸の濃度は、80パーセント以上であることを特徴とする請求項9又は請求項10記載のエッチング装置。
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