JP2011512645A5 - - Google Patents
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Claims (12)
- シリコンウエハを処理するための方法であって、第一方法の段階で、該シリコンウエハが水平な搬送路に沿って水平位置の状態で搬送されてテクスチャリングのためのエッチング溶液がノズル等の手段によって上方から塗布されるか又は噴霧されることを特徴とし、一方では、該第一方法の段階において、該シリコンウエハの下方からは、全くか又は少しだけしかエッチング溶液が塗布されないことを特徴とし、そして、第二方法の段階において、該第一方法の段階と同様な配向状態の該シリコンウエハが下方からの研磨エッチングのためのエッチング溶液でウェット化されることを特徴とする、方法。
- リンスすることが、前記第一方法のテクスチャリングの段階と、前記第二方法の研磨-エッチングとの段階の間で達成されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記第一方法の段階において、前記シリコンウエハが搬送される搬送ローラーの手段によって、前記エッチング溶液が前記シリコンウエハの下面まで運搬されることを特徴とし、該下面までもたらされた前記エッチング溶液の量が、上面に運搬される前記エッチング溶液の量より相当に少ないことを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記テクスチャリングのための前記第一方法の段階において、およそ4μmから6μmの材料の材料が前記上面で取り除かれて、1μmから3μmの材料が前記下面で取り除かれることを特徴とし、そして、前記上面から取り除かれる量が、前記下面から取り除かれる量の2倍よりもやや多いことを特徴とする、請求項1から3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第一方法の段階がおよそ80秒から120秒間継続することを特徴とし、前記シリコンウエハが、更に連続的に搬送されることを特徴とする、請求項1から4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第一方法の段階において、前記テクスチャリングのための前記エッチング溶液が、前記シリコンウエハの前記搬送路に沿って逐次的に複数の領域に、前記搬送路に対して横方向に走る前記ノズルを備えるサージパイプの手段によって塗布されることを特徴とする、請求項1から5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第二方法の段階において、前記シリコンウエハが連続的に通過しながら前記研磨エッチングのための前記エッチング溶液が塗布されることを特徴とし、前記研磨エッチングのための前記エッチング溶液を用いてウェット化することが前記シリコンウエハのための搬送ローラーの手段によって達成されることを特徴とし、そして、該搬送ローラーが、研磨エッチングのためのエッチング溶液を含有するバス中に大部分浸漬されて、かつ、前記シリコンウエハの前記下面まで前記エッチング溶液を運搬する該搬送ローラーの表面で浸漬されることを特徴とする、請求項1から6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記研磨エッチングのための前記第二方法の段階の継続時間がおよそ200秒であることを特徴とする、請求項7に記載の方法。
- 前記研磨エッチングのために用いられる前記エッチング溶液が、前記テクスチャリングのために用いられる溶液と同一であり、HF及びHNO 3 の混合物を含むことを特徴とし、そして、該HNO 3 の割合が、前記研磨エッチングのための前記エッチング溶液の場合に、更に大きいことを特徴とする、請求項7又は8に記載の方法。
- 請求項1から9のいずれか1項に記載の方法を実行するためのデバイスであって、上方からシリコンウエハの上面にエッチング溶液を塗布するか又は噴霧することによって該シリコンウエハをテクスチャリングするためのテクスチャリングモジュールを、該デバイスが有することを特徴とし、該テクスチャリングモジュールが搬送ローラー等を備える水平の搬送路を有し、また、該エッチング溶液を塗布するか又は噴霧するためのノズル等を有することを特徴とする、デバイス。
- 前記デバイスが、搬送方向であって前記テクスチャリングモジュールの下流方向に、下方から、前記シリコンウエハの下面にエッチング溶液を塗布することによって該下面を研磨エッチングするための研磨−エッチングモジュールを有することを特徴とする、請求項10に記載のデバイス。
- 前記テクスチャリングモジュールが、前記エッチング溶液を収集するための前記搬送路の下方にある収集トラフを有することを特徴とし、該収集トラフが前記シリコンウエハから下方に延び、そして、セパレーターが該収集トラフに提供されて閉じられた領域を形成することを特徴とし、そして前記ノズルが該領域の上方に提供されて、上方から前記シリコンウエハを水で濯ぐために該水が供給される、請求項10又は11に記載のデバイス。
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DE102009032217A1 (de) * | 2009-07-06 | 2011-01-13 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Substraten |
MY158452A (en) * | 2009-09-21 | 2016-10-14 | Basf Se | Aqueous acidic etching solution and method for texturing the surface of single crystal and polycrystal silicon substrates |
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DE102009051847A1 (de) * | 2009-10-29 | 2011-05-19 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung einer Substratoberlfäche eines Substrats |
DE102009060931A1 (de) * | 2009-12-23 | 2011-06-30 | Gebr. Schmid GmbH & Co., 72250 | Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Siliziumsubstraten |
WO2012020274A1 (en) * | 2010-08-10 | 2012-02-16 | Rena Gmbh | Process and apparatus for texturizing a flat semiconductor substrate |
CN102185011A (zh) * | 2010-12-02 | 2011-09-14 | 江阴浚鑫科技有限公司 | 太阳能电池片的制绒方法 |
DE102011109568A1 (de) * | 2011-08-05 | 2013-02-07 | Rena Gmbh | Abluftsystem und Verfahren dazu |
DE102013202138A1 (de) * | 2013-02-08 | 2014-08-14 | Gebr. Schmid Gmbh | Vorrichtung zur Substratnassbehandlung und Verwendung |
CN103258918A (zh) * | 2013-05-31 | 2013-08-21 | 英利集团有限公司 | 硅片的制绒方法、太阳能电池片及其制作方法 |
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DE102013218693A1 (de) * | 2013-09-18 | 2015-03-19 | lP RENA GmbH | Vorrichtung und Verfahren zur asymmetrischen alkalischen Textur von Oberflächen |
CN103985630A (zh) * | 2014-06-03 | 2014-08-13 | 天津源天晟科技发展有限公司 | 液体内吸附传输方法 |
DE102014110222B4 (de) * | 2014-07-21 | 2016-06-23 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zur Strukturierung von Ober- und Unterseite eines Halbleitersubstrats |
DE102015205437A1 (de) * | 2015-03-25 | 2016-09-29 | Rct Solutions Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur chemischen Behandlung eines Halbleiter-Substrats |
DE102015223227A1 (de) * | 2015-11-24 | 2017-05-24 | Rct Solutions Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur chemischen Behandlung eines Halbleiter-Substrats |
CN105696083B (zh) * | 2016-01-29 | 2018-03-09 | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 | 一种太阳能电池绒面的制备方法 |
DE102016210883A1 (de) | 2016-06-17 | 2017-12-21 | Singulus Technologies Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Behandlung von Substraten unter Verwendung einer Auflagerolle mit porösem Material |
DE102017203977A1 (de) | 2017-03-10 | 2018-09-13 | Gebr. Schmid Gmbh | Verfahren zur Herstellung texturierter Wafer und Aufrausprühstrahlbehandlungsvorrichtung |
DE102017212442A1 (de) * | 2017-07-20 | 2019-01-24 | Singulus Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Texturieren einer Oberfläche eines multikristallinen Diamantdraht-gesägten Siliziumsubstrats unter Verwendung von ozonhaltigem Medium |
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FR3084601B1 (fr) * | 2018-07-31 | 2020-06-26 | Safran Aircraft Engines | Procede et dispositif pour l'amelioration de l'etat de surface d'une piece de turbomachine |
DE202018005266U1 (de) | 2018-11-14 | 2019-03-22 | H2GEMINI Technology Consulting GmbH | Vorrichtung zur Ätzung von Silizium Substraten |
CN109340251A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-02-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 轴承和蚀刻机台及蚀刻方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4107464A1 (de) * | 1991-03-08 | 1992-09-10 | Schmid Gmbh & Co Geb | Verfahren und vorrichtung zum einseitigen behandeln von plattenfoermigen gegenstaenden |
US5753135A (en) | 1995-10-23 | 1998-05-19 | Jablonsky; Julius James | Apparatus and method for recovering photoresist developers and strippers |
EP0836370A1 (en) | 1996-10-08 | 1998-04-15 | Takanori Tsubaki | Method and system for etching substrates for printed circuit boards |
JP2001210615A (ja) * | 2000-01-27 | 2001-08-03 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法および電気光学装置の製造装置 |
JP2003170086A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-06-17 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | ノズル装置及びこれを備えた基板処理装置 |
DE10225848A1 (de) | 2002-06-04 | 2003-12-24 | Schmid Gmbh & Co Geb | Vorrichtung und Verfahren zum Lösen von Schichten von der Oberseite von flächigen Substraten |
KR100675628B1 (ko) * | 2002-10-16 | 2007-02-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 절연막 식각장치 및 식각방법 |
DE20304601U1 (de) * | 2003-03-19 | 2003-06-26 | Gebr. Schmid GmbH & Co., 72250 Freudenstadt | Vorrichtung zum Transport von flexiblem Flachmaterial, insbesondere Leiterplatten |
DE20321702U1 (de) * | 2003-05-07 | 2008-12-24 | Universität Konstanz | Vorrichtung zum Texturieren von Oberflächen von Silizium-Scheiben |
JP4323252B2 (ja) * | 2003-08-04 | 2009-09-02 | 住友精密工業株式会社 | レジスト除去装置 |
JP2005136081A (ja) | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
JP2005175106A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコンウェーハの加工方法 |
DE102004017680B4 (de) * | 2004-04-10 | 2008-01-24 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Verfahren zur Behandlung von Substraten mit vorstrukturierten Zinkoxidschichten |
JP4205062B2 (ja) * | 2005-01-12 | 2009-01-07 | 三井金属鉱業株式会社 | 液処理装置 |
JP2006196783A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Sharp Corp | 基板表面処理装置 |
JP2006294696A (ja) | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法および太陽電池用シリコン基板 |
DE102005057109A1 (de) * | 2005-11-26 | 2007-05-31 | Kunze-Concewitz, Horst, Dipl.-Phys. | Vorrichtung und Verfahren für mechanisches Prozessieren flacher, dünner Substrate im Durchlaufverfahren |
DE102005062528A1 (de) * | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Substraten |
JP4776380B2 (ja) * | 2006-01-20 | 2011-09-21 | 株式会社東芝 | 処理装置及び処理方法 |
US20080041526A1 (en) * | 2006-08-16 | 2008-02-21 | Pass Thomas P | Single-sided etching |
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