CN104637785A - 一种金属膜剥离清洗方法 - Google Patents
一种金属膜剥离清洗方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104637785A CN104637785A CN201410689258.7A CN201410689258A CN104637785A CN 104637785 A CN104637785 A CN 104637785A CN 201410689258 A CN201410689258 A CN 201410689258A CN 104637785 A CN104637785 A CN 104637785A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal film
- wafers
- cleaning
- wafer
- cleaning method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明涉及一种电子制造设备技术领域，具体涉及一种金属膜剥离清洗方法。一种金属膜剥离清洗方法，包括以下步骤：（1）将装有晶圆片的上片盒放到上片位置；（2）对晶圆片位置、数量进行扫描记忆；（3）依次从上片盒中吸附取上晶圆片，传输到化学液浸泡槽；（4）从浸泡槽附取上晶圆片，经CCD中心定位后，传输到剥离腔体吸盘上，进行金属膜剥离；（5）完成剥离工艺后传输到清洗腔的卡盘上，进行自动DI水清洗、吹氮气和甩干等工艺；（6）将晶圆片取出放到收片盒中，完成清洗过程。本发明使敏感的半导体器件表面的污染减到最小程度，从而大幅度地改善器件性能，提高产品的可靠性和稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及一种电子制造设备技术领域，具体涉及一种金属膜剥离清洗方法。
背景技术
随着微电子新材料的使用及器件特征尺寸进一步缩小(进入65～90 nm)，对半导体器件的性能、可靠性和稳定性的要求越来越高，传统的槽式批处理清洗技术在诸多工艺因素的驱动下已难以适应。
发明内容
本发明旨在提出一种金属膜剥离清洗方法。
本发明的技术方案在于：
一种金属膜剥离清洗方法，包括以下步骤：
（1）将装有晶圆片的上片盒放到上片位置；
（2）对晶圆片位置、数量进行扫描记忆；
（3）依次从上片盒中吸附取上晶圆片，传输到化学液浸泡槽；
（4）从浸泡槽附取上晶圆片，经CCD中心定位后，传输到剥离腔体吸盘上，进行金属膜剥离；
（5）完成剥离工艺后传输到清洗腔的卡盘上，进行自动DI水清洗、吹氮气和甩干等工艺；
（6）将晶圆片取出放到收片片盒中，完成清洗过程。
优选地，所述的金属剥离步骤为：基层清洗、镀金属膜、涂光阻胶、去胶、刻蚀以及曝光、显影。
优选地，所述的DI水清洗水兆声喷头震荡频率为1MHz。
优选地，所述的干燥的热氮气温度范围为80℃±5℃。
本发明的技术效果在于：
本发明使敏感的半导体器件表面的污染减到最小程度，从而大幅度地改善器件性能，提高产品的可靠性和稳定性。
具体实施方式
一种金属膜剥离清洗方法，包括以下步骤：
（1）将装有晶圆片的上片盒放到上片位置；
（2）对晶圆片位置、数量进行扫描记忆；
（3）依次从上片盒中吸附取上晶圆片，传输到化学液浸泡槽；
（4）从浸泡槽附取上晶圆片，经CCD中心定位后，传输到剥离腔体吸盘上，进行金属膜剥离；
（5）完成剥离工艺后传输到清洗腔的卡盘上，进行自动DI水清洗、吹氮气和甩干等工艺；
（6）将晶圆片取出放到收片片盒中，完成清洗过程。
其中，所述的金属剥离步骤为：基层清洗、镀金属膜、涂光阻胶、去胶、刻蚀以及曝光、显影。
DI水清洗水兆声喷头震荡频率为1MHz。
干燥的热氮气温度范围为80℃±5℃。
Claims (4)
1. 一种金属膜剥离清洗方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）将装有晶圆片的上片盒放到上片位置；
（2）对晶圆片位置、数量进行扫描记忆；
（3）依次从上片盒中吸附取上晶圆片，传输到化学液浸泡槽；
（4）从浸泡槽附取上晶圆片，经CCD中心定位后，传输到剥离腔体吸盘上，进行金属膜剥离；
（5）完成剥离工艺后传输到清洗腔的卡盘上，进行自动DI水清洗、吹氮气和甩干等工艺；
（6）将晶圆片取出放到收片片盒中，完成清洗过程。
2.如权利要求1一种金属膜剥离清洗方法，其特征在于：所述的金属剥离步骤为：基层清洗、镀金属膜、涂光阻胶、去胶、刻蚀以及曝光、显影。
3.如权利要求1一种金属膜剥离清洗方法，其特征在于：所述的DI水清洗水兆声喷头震荡频率为1MHz。
4.如权利要求1一种金属膜剥离清洗方法，其特征在于：所述的干燥的热氮气温度范围为80℃±5℃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410689258.7A CN104637785A (zh) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 一种金属膜剥离清洗方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410689258.7A CN104637785A (zh) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 一种金属膜剥离清洗方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104637785A true CN104637785A (zh) | 2015-05-20 |
Family
ID=53216386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410689258.7A Pending CN104637785A (zh) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 一种金属膜剥离清洗方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104637785A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106409717A (zh) * | 2015-07-27 | 2017-02-15 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种晶圆撕金去胶清洗装置 |
-
2014
- 2014-11-26 CN CN201410689258.7A patent/CN104637785A/zh active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106409717A (zh) * | 2015-07-27 | 2017-02-15 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种晶圆撕金去胶清洗装置 |
| CN106409717B (zh) * | 2015-07-27 | 2019-01-11 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种晶圆撕金去胶清洗装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI700133B (zh) | 基板洗淨方法、基板洗淨系統及記憶媒體 | |
| KR101964568B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 낱장분리방법 및 반도체 웨이퍼를 낱장으로 분리하는 자동화 장치 | |
| WO2004030051A3 (en) | System for substrate processing with meniscus, vacuum, ipa vapor, drying manifold | |
| JP2011512645A5 (zh) | ||
| US20220379356A1 (en) | Cleaning device for cleaning electroplating substrate holder | |
| CN104195575A (zh) | 去除附着于金属零件表面TiN及Ti薄膜的清洗方法 | |
| CN105097438A (zh) | 一种晶片背面清洗装置 | |
| CN104637785A (zh) | 一种金属膜剥离清洗方法 | |
| WO2008021265A3 (en) | Semiconductor substrate cleaning apparatus | |
| CN107919305A (zh) | 一种金属膜剥离清洗方法 | |
| CN104966675B (zh) | 使用蓝膜保护硅片表面部分二氧化硅膜的方法 | |
| JP7257199B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| US20030136429A1 (en) | Vapor cleaning and liquid rinsing process vessel | |
| US6348159B1 (en) | Method and apparatus for etching coated substrates | |
| CN111826632A (zh) | 一种非晶硅薄膜的沉积方法及沉积设备 | |
| JP2019125795A (ja) | 貼合基板の剥離方法および接着剤の除去方法 | |
| US8012307B2 (en) | Separating device and method thereof | |
| CN101944476A (zh) | 晶圆清洗方法 | |
| KR20050104203A (ko) | 기판처리시스템 및 기판처리방법 | |
| CN110651355B (zh) | 粘接剂层形成装置、半导体芯片生产线、及层叠体的制造方法 | |
| CN102243988A (zh) | 半导体硅片的清洗工艺腔及半导体硅片的清洗工艺 | |
| CN111710624A (zh) | 基板处理装置及基板处理方法 | |
| CN204696087U (zh) | 用于承载Foup的装载端口及设备前端装置 | |
| TWI820699B (zh) | 基板處理方法以及基板處理裝置 | |
| JP5427876B2 (ja) | シリコンからなる半導体ウェハを半導体ウェハの研磨のプロセス直後に洗浄するための方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150520 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |