JP2017228686A - 貼り合わせsoiウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1,2で説明した貼り合わせSOIウェーハの製造方法を用いて貼り合わせSOIウェーハを作製した。その際、ベースウェーハとして、直径200mm、結晶方位<100>、抵抗率1300Ω・cm、p型のシリコン単結晶ウェーハを用い、ベースウェーハへの酸化膜の形成及び多結晶シリコン層の堆積は以下の条件で行った。
SC1+SC2洗浄 酸化膜厚約1nm
投入温度:850℃
850℃〜1070℃の1段階堆積(昇温開始と同時に原料ガスを供給)
常圧
膜厚3.0μm(研磨後の膜厚2.0μm)
キャリアガス:H2ガス
原料ガス:トリクロロシランガス(TCSガス)
このとき、1070℃での堆積速度は3.0μm/分であった。
実施例と同様にして貼り合わせSOIウェーハの作製を行った。ただし、多結晶シリコン層の堆積条件は、図4に示される条件とした。即ち、昇温する際にはTCSガスを供給せず、900℃と1070℃の2段階の条件でTCSガスを供給することによって多結晶シリコン層の堆積を行った。また、900℃における堆積速度は0.3μm/分であり、1070℃における堆積速度は3.0μm/分であった。
実施例と同様にして貼り合わせSOIウェーハの作製を行った。ただし、多結晶シリコン層の堆積条件は、図5に示される条件とした。即ち、昇温する際にはTCSガスを供給せず、1020℃のみの1段階の条件でTCSガスを供給することによって多結晶シリコン層の堆積を行った。また、堆積速度は2.2μm/分であった。
4…イオン注入層、 5…酸化膜(ベース酸化膜)、 6…多結晶シリコン層、
7…SOI層、 8…貼り合わせSOIウェーハ。
Claims (4)
- いずれもシリコン単結晶からなるボンドウェーハとベースウェーハとを絶縁膜を介して貼り合わせて貼り合わせSOIウェーハを製造する方法であって、
前記ベースウェーハの貼り合わせ面側に多結晶シリコン層を堆積する工程と、
該多結晶シリコン層の表面を研磨して研磨面を得る工程と、
前記ボンドウェーハの貼り合わせ面に前記絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を介して前記ベースウェーハの前記多結晶シリコン層の前記研磨面と前記ボンドウェーハとを貼り合わせる工程と、
貼り合わせられた前記ボンドウェーハを薄膜化してSOI層を形成する工程とを有し、
前記ベースウェーハとして抵抗率が100Ω・cm以上のシリコン単結晶ウェーハを用い、
前記多結晶シリコン層を堆積する工程は、前記ベースウェーハの前記多結晶シリコン層を堆積する表面に予め酸化膜を形成する段階をさらに含み、
前記多結晶シリコン層の堆積は、1000℃以上の所定温度まで昇温し、該所定温度において前記多結晶シリコン層の原料ガスを供給することによって行い、さらに、
前記所定温度まで昇温する際においても前記多結晶シリコン層の原料ガスを供給することを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの製造方法。 - 前記酸化膜を、ウェット洗浄によって形成することを特徴とする請求項1に記載の貼り合わせSOIウェーハの製造方法。
- 前記所定温度を、1150℃以下とすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の貼り合わせSOIウェーハの製造方法。
- 前記所定温度まで昇温する際における前記多結晶シリコン層の原料ガスの供給を開始する温度を、600℃〜980℃の範囲内の温度とすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の貼り合わせSOIウェーハの製造方法。
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