CN102485974B - 一种采用cvd反应直接生长单晶硅的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种生长单晶硅晶体的方法。具体地,是一种采用CVD反应直接生长单晶硅的方法,具体实施步骤为:(1)在硅衬底表面镀上一层厚度为1-100微米的金属薄层;(2)将该镀有金属薄层的硅衬底放入CVD反应器腔体内,腔体内升温至高于硅衬底与金属共晶点温度,使共晶层液化,形成液态共晶层;其中,所述的共晶点温度低于1000℃;(3)通入含硅原料气至腔体内,同时腔体内升温至该原料气的还原分解温度,生成气相硅原子;(4)生成的气相硅原子被步骤(2)所形成的液态共晶层吸收至过饱和后,在硅衬底下方析出单晶结构的晶体硅。本发明节省了生产工序,降低了成产成本;同时可以选择分解温度较低的硅源气,降低生产能耗。
Description
技术领域
本发明涉及一种生长单晶硅晶体的方法。具体地,是一种采用CVD反应直接生长单晶硅的方法属光伏材料领域。
技术背景
随着能源危机和环境恶化日趋严重,太阳能电池作为一种清洁、可再生能源逐渐成为人们关注的焦点。目前,太阳电池的硅片主要是由多晶硅、单晶硅制得。而制造单晶硅常用的方法主要是将高纯多晶硅作为原材料,重新铸锭,切片而得。目前常用的多晶硅原料的生产技术主要有硅烷法、硫化床法、冶金法、西门子法和改良西门子法。相比于其他方法,改良西门子法实现了SiCl4氢化工艺、还原尾气干法回收和闭路循环,是目前生产多晶硅的主要方法。
西门子/改良西门子法技术主要是通过将金属级硅氢化,精馏分离等,最后高温沉积在硅芯上,形成高纯度的原生多晶硅,然后将该高纯多晶硅作为产业链后端的原材料,以其生长硅锭,完成后的硅锭则进一步采用机加工的方法将其截断,切割成满足一定尺寸的硅片。而硅锭的生长是指多晶定向凝固及单晶的提拉,都是先将前期所得高纯的硅原料放置在坩埚中融化,然后完成硅锭生长,该步骤中需要将前期得到的高纯硅原材料破碎并重新装炉,融化来实现硅锭的生长,造成了二次污染,增加了生产成本。并且,产业链上端的西门子法/改良西门子法生产硅原材料属于高能耗,高污染的过程,尤其在多晶硅还原沉积阶段,其反应温度需一直保持在1000℃以上,还原电耗大约70-80度/公斤,整个多晶硅生产过程中的电耗达到300度/公斤左右。
目前,还未见在硅原料气相还原时直接生长单晶硅的方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种采用CVD反应直接生长单晶硅的方法,具体地,是生长太阳电池硅片所用单晶硅的方法,在较低温度下,硅气源在化学气相沉积(CVD)反应腔体的环境中直接生长出单晶结构的硅晶体,生长出的晶体硅锭可直接切片加工成光伏电池组件。
本发明提供了一种采用CVD反应直接生长单晶硅的方法,它是通过以下步骤实施的:
(1)在硅衬底表面镀上一层厚度为1-100微米的金属薄层;
(2)将该镀有金属薄层的硅衬底放入CVD反应器腔体内,腔体内升温至高于硅衬底与金属共晶点温度,使共晶层液化,形成液态共晶层;其中,所述的共晶点温度低于1000℃;
(3)通入含硅原料气至腔体内,同时腔体内升温至该原料气的还原分解温度,生成气相硅原子,该温度应高于或等于共晶点温度;如果还原分解温度低于共晶点温度,则应保持共晶点温度,同时满足原料气分解及形成液态共晶层的条件;
(4)生成的气相硅原子被步骤(2)所得的液态共晶层吸收至过饱和后,在硅衬底下方析出单晶结构的晶体硅,形成了一个动态的溶解析出过程来实现硅晶体的生长。上述反应中无需使用催化剂,即可得到较好的生长效果。
其中,所述的硅衬底选用晶向(111)、尺寸6-8英寸的硅晶片。
进一步地,所述的金属薄层的厚度为1-10微米,该金属薄层太厚则减缓沉积速度,太薄则可能破裂,一般以1-10微米为最佳。
其中,所述的金属薄层是由铝、金、锌或铜制备得到的,所选择的金属能够与硅在较低温度下共晶液化,形成液态共晶层,同时所选用的金属也不能破坏下游的电池生产质量,可以选用处于硅能带结构浅能级的金属,因此,可以优选铝、锌等对晶体硅质量影响较小的金属。
其中,所述的金属薄层是通过磁空溅射或热蒸发沉积得到。
其中,所述含硅原料气是指硅烷、TCS或者其混合物。
其中,所述含硅原料气是硅烷。
本发明中硅衬底起到了结晶取向生长的“晶种”作用,在硅衬底选用取向高的单晶硅,则新生长的硅晶体与硅衬底晶向一致,保证了新生晶体的高度取向,使得新生晶体质量达到或接近单晶的水平。
本发明方法对硅衬底进行了选择,在硅晶体生长完成后,将晶体顶部的金属薄层去掉,即可以达到满足切片标准的硅锭,省去了高纯多晶硅原材料的破碎,铸锭等工序,可将生长的硅锭直接切割成满足太阳电池标准的硅片,大大缩短了产业链步骤及周期,降低了光伏发电的成本。
在本发明中,通过对硅源气的选择,使得仅在高于金属与硅的共晶温度,500℃左右即可沉积生长单晶硅,克服了传统西门子法中硅芯必须保持高于1000℃的沉积温度的缺点,从而降低了能耗,进一步降低了生产成本。
下面通过具体实施例的方式对本发明做进一步详述,但不应理解为是对本发明保护范围的限制,凡基于上述技术思想,利用本领域普通技术知识和惯用手段所做的修改、替换、变更均属于本发明的范围。
具体实施方式
实施例1
在硅衬底表面通过磁空溅射沉积的方法镀上一层10微米厚的金薄层,将该硅衬底放入CVD反应腔体内,升温至363℃,该温度高于硅衬底与金属共晶点温度,形成液态共晶层;然后通入硅烷至CVD反应腔体,同时腔体升温至500℃,将该硅烷还原分解;生成的气相硅原子被液态共晶层吸收至过饱和,并不断在下方硅衬底的晶面上析出硅晶体;制备时,硅衬底选用半导体级抛光硅片,其晶向以(111)为佳,尺寸以6-8英寸适合光伏级硅片大小的为佳。
采用上述方法生长得到的硅晶体,经过足够的生长时间后,其高度可以达到10-20厘米,晶向与原硅衬底一致,将晶体顶部的金属薄层去掉后,即达到单晶硅锭的要求,可以直接用于切割单晶硅片。
由该试验可知,本发明通过金属薄层与硅衬底在较低温度下形成液态共晶层,使得仅在稍高于硅烷分解温度时即能沉积生长单晶硅。试验表明,本方法可生长出直接用于切片的硅锭,节省了生产工序,降低了生产成本;并且在该方法中,使用较低分解温度的硅源气,使单晶硅能够在较低温度下生长(最高温度在500℃),与现有技术相比,进一步降低了生产能耗。
实施例2
在硅衬底表面通过热蒸发沉积方法镀上一层5微米厚的铝薄层,将该硅衬底放入CVD反应腔体内,升温至527℃,形成液态共晶层,然后通入三氯氢硅(TCS)至CVD反应腔体,同时通入氢气,腔体升温至1150℃左右,将该TCS还原分解为硅及其他副产品,生成的气相硅原子被液态共晶层吸收至过饱和,并不断在下方硅衬底的晶面上析出硅晶体。也可以选用实施例1中的硅衬底,生长直接用于切片的硅锭。
用上述方法生长的硅晶体,经过足够的生长时间后,,其高度可以达到10-20厘米,晶向与原硅衬底一致,将晶体顶部的金属薄层去掉后,即达到单晶硅锭的要求,可以直接用于切割成单晶硅片。
由该试验可知,形成液态共晶层后,在TCS分解温度时也能生长出直接用于切片的硅锭。试验表明了,在硅源气分解温度较高的情况下,本方法也可以直接生长出满足切片标准的硅锭,同样节省了生产工序,降低了成本。
实施例3
在其他条件不变的情况下,对金属薄层的厚度进行了筛选:
由试验结果可知,当金属薄层的厚度在1-10微米时,硅晶体生长速率正常,且金属薄层无裂纹,晶体层未见分裂;厚度小于1微米时,无法得到较好的硅晶体;而厚度大于10微米时,虽然晶体生长较好,但生长的速率明显变慢。因此,考虑到晶体的生长效果以及生产成本,本发明优选1-10微米厚的金属薄层。
综上所述,利用本发明方法可以直接生长出满足切片标准的硅锭,省去了高纯多晶硅原材料的破碎,铸锭等工序,可将生长的硅锭直接切割成满足太阳电池标准的硅片,大大缩短了产业链步骤及周期,降低了太阳电池的生产成本,并且可以选择分解温度较低的硅源气,进一步降低生产能耗,为光伏领域提供了一种制备原料的新方法。
Claims (7)
1.一种采用CVD反应直接生长单晶硅的方法,其特征在于:它是通过以下步骤实施的:
(1)在硅衬底表面镀上一层厚度为1-10微米的金属薄层;
(2)将该镀有金属薄层的硅衬底放入CVD反应器腔体内,腔体内升温至高于硅衬底与金属共晶点温度,使共晶层液化,形成液态共晶层;所述的共晶点温度低于1000℃;
(3)通入含硅原料气至腔体内,同时腔体内升温至该原料气的还原分解温度,生成气相硅原子;
(4)生成的气相硅原子被步骤(2)所得的液态共晶层吸收至过饱和后,在硅衬底下方析出单晶结构的晶体硅。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述的硅衬底采用晶向(111)、尺寸为6-8英寸的硅晶片。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述的金属薄层为铝、金、锌或铜。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:所述金属薄层为铝或锌。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述金属薄层是通过磁空溅射或热蒸发沉积得到。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述含硅原料气是指硅烷、TCS或者其混合物。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于:所述含硅原料气是指硅烷。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201010572202.5A CN102485974B (zh) | 2010-12-03 | 2010-12-03 | 一种采用cvd反应直接生长单晶硅的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201010572202.5A CN102485974B (zh) | 2010-12-03 | 2010-12-03 | 一种采用cvd反应直接生长单晶硅的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102485974A CN102485974A (zh) | 2012-06-06 |
CN102485974B true CN102485974B (zh) | 2014-10-15 |
Family
ID=46151544
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201010572202.5A Expired - Fee Related CN102485974B (zh) | 2010-12-03 | 2010-12-03 | 一种采用cvd反应直接生长单晶硅的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102485974B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6498635B2 (ja) * | 2016-06-23 | 2019-04-10 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせsoiウェーハの製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1796267A (zh) * | 2004-12-23 | 2006-07-05 | 中国科学院半导体研究所 | 硅纳米线的制备方法 |
-
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN1796267A (zh) * | 2004-12-23 | 2006-07-05 | 中国科学院半导体研究所 | 硅纳米线的制备方法 |
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CN102485974A (zh) | 2012-06-06 |
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