JP2017220480A - 被加工物の検査方法、検査装置、レーザー加工装置、及び拡張装置 - Google Patents

被加工物の検査方法、検査装置、レーザー加工装置、及び拡張装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2017220480A
JP2017220480A JP2016111544A JP2016111544A JP2017220480A JP 2017220480 A JP2017220480 A JP 2017220480A JP 2016111544 A JP2016111544 A JP 2016111544A JP 2016111544 A JP2016111544 A JP 2016111544A JP 2017220480 A JP2017220480 A JP 2017220480A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
workpiece
modified layer
image
projection
holding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016111544A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6651257B2 (ja
Inventor
百合子 里
Yuriko Sato
百合子 里
田中 圭
Kei Tanaka
圭 田中
高橋 邦充
Kunimitsu Takahashi
邦充 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2016111544A priority Critical patent/JP6651257B2/ja
Priority to TW106114601A priority patent/TWI708285B/zh
Priority to CN201710405150.4A priority patent/CN107464762B/zh
Priority to KR1020170067755A priority patent/KR102285101B1/ko
Publication of JP2017220480A publication Critical patent/JP2017220480A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6651257B2 publication Critical patent/JP6651257B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/03Observing, e.g. monitoring, the workpiece
    • B23K26/032Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • B23K26/0853Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70Auxiliary operations or equipment
    • B23K26/702Auxiliary equipment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26Bombardment with radiation
    • H01L21/263Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/24Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

【課題】改質層の状態を適切かつ容易に判定できる被加工物の検査方法を提供する。【解決手段】被加工物の検査方法であって、被加工物(11)に対して透過性を有する波長のレーザービーム(L2)を照射することで、被加工物を破断する際の起点となる改質層(17)を被加工物の内部に形成するとともに、改質層に対応する凹凸を被加工物の露出した面に生じさせる改質層形成ステップと、光源(6)から放射される光(L1)を被加工物の露出した面で反射させて投影面(8)に照射することで、凹凸が強調された投影像(31)を形成するとともに、投影像を撮像して画像を形成する撮像ステップと、画像に基づいて、改質層の状態を判定する判定ステップと、を含む。【選択図】図1

Description

本発明は、被加工物を破断する際の起点となる改質層の状態を確認できる被加工物の検査方法や検査装置等に関する。
シリコンやSiC、サファイア等の材料でなるウェーハを複数のチップへと分割する際には、例えば、透過性のレーザービームを集光して多光子吸収を発生させることで、ウェーハの内部を局所的に改質して改質層(改質領域)を形成する(例えば、特許文献1参照)。この改質層は他の領域に比べて脆いので、後に小さな力を加えるだけで、ウェーハを破断して複数のチップへと分割できる。
ところで、上述した方法でウェーハ等の被加工物を分割する際には、被加工物に設定される分割予定ライン(ストリート)に沿って改質層を確実に形成する必要がある。そこで、赤外線領域に感度のあるカメラ等を用いて被加工物の内部を撮像し、改質層の位置を確認する確認方法等が提案されている(例えば、特許文献2参照)。
特開2005−223284号公報 特開2005−169407号公報
しかしながら、被加工物の内部に形成される改質層の幅は狭く、上述のような確認方法を用いたとしても改質層の状態を容易には把握できない。そのため、被加工物を実際に破断してみるまでは、必要な改質層が形成されているか否かを適切に判定できないというのが実情であった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、改質層の状態を適切かつ容易に判定できる被加工物の検査方法、検査装置、レーザー加工装置、又は拡張装置を提供することである。
本発明の第1態様によれば、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザービームを照射することで、被加工物を破断する際の起点となる改質層を被加工物の内部に形成するとともに、該改質層に対応する凹凸を被加工物の露出した面に生じさせる改質層形成ステップと、光源から放射される光を被加工物の露出した該面で反射させて投影面に照射することで、該凹凸が強調された投影像を形成するとともに、該投影像を撮像して画像を形成する撮像ステップと、該画像に基づいて、該改質層の状態を判定する判定ステップと、を備える被加工物の検査方法が提供される。
本発明の第1態様において、被加工物は、複数の分割予定ラインによって区画された表面側の領域にデバイスが形成されたウェーハであり、該改質層は、該分割予定ラインに沿って形成されていても良い。
また、本発明の第1態様において、該改質層形成ステップの前に、被加工物にダイシングテープを貼着するダイシングテープ貼着ステップと、該改質層形成ステップの後に、該ダイシングテープを拡張して被加工物に力を付与し、該改質層を破断の起点として被加工物を複数のチップに分割する拡張分割ステップと、を備え、該拡張分割ステップは、該撮像ステップと並行して実施されても良い。
本発明の第2態様によれば、透過性を有する波長のレーザービームが照射されることで、内部に破断の起点となる改質層が形成されるとともに、露出した面に該改質層に対応する凹凸が生じた被加工物の該改質層を検査するための検査装置であって、被加工物を保持する保持テーブルと、該保持テーブルに保持された被加工物の露出した該面に光を照射する光源と、被加工物で反射された光源からの光を照射することで、該凹凸を強調した投影像が形成される投影面と、該投影面に形成された該投影像を撮像して画像を形成する撮像手段と、形成された該画像と、予め設定された条件とを比較して該改質層の状態を判定する判定手段と、を備える検査装置が提供される。
本発明の第3態様によれば、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザービームを照射することで、被加工物を破断する際の起点となる改質層を被加工物の内部に形成するとともに、該改質層に対応する凹凸を被加工物の露出した面に生じさせるレーザービーム照射手段と、該レーザービームが照射された後の被加工物を保持する保持テーブルと、該保持テーブルに保持された被加工物の露出した該面に光を照射する光源と、被加工物で反射された光源からの光を照射することで、該凹凸を強調した投影像が形成される投影面と、該投影面に形成された該投影像を撮像して画像を形成する撮像手段と、形成された該画像と、予め設定された条件とを比較して該改質層の状態を判定する判定手段と、各構成要素を制御する制御手段と、を備えるレーザー加工装置が提供される。
本発明の第3態様において、該保持テーブルは、該チャックテーブルでも良い、すなわち、チャックテーブルを保持テーブルとして用いることができる。
本発明の第4態様によれば、透過性を有する波長のレーザービームが照射されることで、内部に破断の起点となる改質層が形成されるとともに、露出した面に該改質層に対応する凹凸が生じた被加工物を、該被加工物に貼着されたダイシングテープを介して支持する支持基台と、該ダイシングテープを拡張する拡張手段と、該被加工物を保持する保持テーブルと、該保持テーブルに保持された被加工物の露出した該面に光を照射する光源と、被加工物で反射された光源からの光を照射することで、該凹凸を強調した投影像が形成される投影面と、該投影面に形成された該投影像を撮像して画像を形成する撮像手段と、形成された該画像と、予め設定された条件とを比較して該改質層の状態を判定する判定手段と、各構成要素を制御する制御手段と、を備える拡張装置が提供される。
本発明の第4態様において、該保持テーブルは、該支持基台でも良い。すなわち、支持基台を保持テーブルとして用いることができる。
本発明の第1態様に係る被加工物の検査方法では、光源から放射される光を改質層に対応する微細な凹凸が生じた被加工物の面で反射させて投影面に照射することで、面内の凹凸が強調された投影像を形成するとともに、この投影像を撮像して形成される画像に基づいて改質層の状態を判定するので、改質層に対応する強調された凹凸を含む画像に基づいて、改質層の状態を適切かつ容易に判定できる。
また、本発明の第2態様に係る検査装置、第3態様に係るレーザー加工装置、及び第4態様に係る拡張装置は、いずれも、被加工物の露出した面に光を照射する光源と、被加工物で反射された光源からの光が投影されることで、面内の凹凸を強調した投影像が形成される投影面と、投影面に投影された投影像を撮像して画像を形成する撮像手段と、形成された画像と、予め設定された条件とを比較して改質層の状態を判定する判定手段と、を備えるので、上述した被加工物の検査方法を実施して、改質層の状態を適切かつ容易に判定できる。
検査装置の構成例等を模式的に示す図である。 テープ貼着ステップを模式的に示す斜視図である。 裏面研削ステップを模式的に示す斜視図である。 裏面研削ステップを模式的に示す側面図である。 改質層形成ステップを模式的に示す斜視図である。 改質層形成ステップを模式的に示す一部断面側面図である。 被加工物に適切な改質層が形成された場合の投影像の例を示す図である。 被加工物に適切な改質層が形成されていない場合の投影像の例を示す図である。 レーザー加工装置の構成例を模式的に示す斜視図である。 図10(A)及び図10(B)は、拡張装置の構成例及び拡張分割ステップを模式的に示す一部断面側面図である。 拡張分割ステップの後の投影像の例を示す図である。
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図1は、検査装置の構成例等を模式的に示す図である。図1に示すように、本実施形態に係る検査装置2は、改質層(改質領域)が内部に形成された板状の被加工物11を保持するための保持テーブル4を備えている。保持テーブル4の上面の一部は、被加工物11(又は被加工物11に貼付されたテープ(ダイシングテープ)21)を保持する保持面4aになっている。
保持テーブル4の上方には、保持テーブル4によって保持される被加工物11の全体に光L1を放射するための光源6が配置されている。光源6としては、例えば、白熱電球やLED等が用いられる。ただし、光源6の種類や位置等に制限はない。また、光L1は、平行光でも良いし非平行光でも良い。光L1を平行光とする場合には、例えば、光源6に対してレンズ等の光学素子を組み合わせると良い。一方で、光L1を非平行光とする場合には、発光領域が小さく点光源とみなせる光源6を用いることが好ましい。
図1に示すように、被加工物11で反射される光L1の経路(光路)上には、反射後の光L1を照射することによって投影像が形成される投影面8が設けられている。投影面8は、代表的には、平坦なスクリーンであり、被加工物11と同程度の大きさに形成される。なお、この投影面8は、少なくとも被加工物11の全体を投影できる態様(位置、大きさ、形状等)で設けられていれば良い。
本実施形態では、保持テーブル4の斜め上方に光源6を配置するとともに、被加工物11で反射される光L1の経路上に、被加工物11の裏面11bに対して概ね垂直な投影面8を配置している。そのため、光源6から斜め下方に進行する光L1を被加工物11に放射すると、この光L1は、被加工物11の露出した面(ここでは、裏面11b)で反射されて投影面8に照射される。その結果、投影面8には、被加工物11の露出した面(すなわち、裏面11b)の状態を反映した投影像が形成される。
投影面8と対面する位置には、投影面8に形成される投影像を撮像して画像を形成するための撮像ユニット(撮像手段)10が配置されている。この撮像ユニット10は、例えば、CCDやCMOS等の撮像素子にレンズ等の光学素子を組み合わせたデジタルカメラであり、投影像を撮像して形成した画像(映像)を外部へと出力する。なお、この撮像ユニット10としては、静止画を形成するデジタルスチルカメラ、動画を形成するデジタルビデオカメラのいずれを用いることもできる。
撮像ユニット10には、撮像ユニット10から出力される画像と、予め設定された条件とを比較して、被加工物11に形成されている改質層の状態を判定するための判定ユニット(判定手段)12が接続されている。判定ユニット12で行われる処理等の詳細については後述する。
次に、上述した検査装置2を用いる被加工物11の検査方法の例について説明する。本実施形態に係る被加工物11の検査方法では、まず、被加工物11に対してテープ(ダイシングテープ)21を貼り付けるテープ貼着ステップ(ダイシングテープ貼着ステップ)を実施する。図2は、テープ貼着ステップを模式的に示す斜視図である。
図2に示すように、被加工物11は、例えば、シリコン、SiC、ガラス、サファイア等の材料でなる円盤状のウェーハであり、その表面11a側は、中央のデバイス領域と、デバイス領域を囲む外周余剰領域とに分けられている。デバイス領域は、格子状に設定された複数の分割予定ライン(ストリート)13で更に複数の領域に区画されており、各領域には、IC(LSI)、LED等のデバイス15が形成されている。
なお、本実施形態では、シリコン、SiC、ガラス、サファイア等の材料でなるウェーハを被加工物11として用いるが、被加工物11の材質、形状、構造等に制限はない。例えば、任意の半導体、セラミック、樹脂、金属等の材料でなる被加工物11を用いることもできる。同様に、分割予定ライン13の配置やデバイス15の種類等にも制限はない。
テープ貼着ステップでは、上述した被加工物11の表面11a側に、例えば、保護部材等としての機能を持つテープ21を貼り付ける。テープ21は、例えば、被加工物11と同等以上の大きさ(例えば、直径)に形成された樹脂製のフィルムであり、その第1面21a側には、接着力のある樹脂等でなる接着層(糊層)が設けられている。
よって、図2に示すように、被加工物11の表面11a側にテープ21の第1面21a側を接触させることで、被加工物11にテープ21を貼り付けることができる。このようなテープ21を被加工物11に貼り付けることで、例えば、後の研削の際に加わる荷重等によるデバイス15の破損を防止できる。
なお、本実施形態では、被加工物11と同等の大きさを持つテープ21を被加工物11の表面11a側に貼り付けているが、より大きいテープ21を被加工物11に貼り付けることもできる。この場合には、テープ21の外周部分に環状のフレームを固定して、この環状のフレームで被加工物11を間接的に支持できるようにすると良い。
テープ貼着ステップの後には、被加工物11の裏面11bを研削して被加工物11を所定の厚みにする裏面研削ステップを実施する。図3は、裏面研削ステップを模式的に示す斜視図であり、図4は、裏面研削ステップを模式的に示す側面図である。裏面研削ステップは、例えば、図3及び図4に示す研削装置22で実施される。
研削装置22は、被加工物11を吸引、保持するためのチャックテーブル24を備えている。チャックテーブル24は、モータ等の回転駆動源(不図示)に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル24の下方には、テーブル移動機構(不図示)が設けられており、チャックテーブル24は、このテーブル移動機構によって水平方向に移動する。
チャックテーブル24の上面の一部は、被加工物11に貼り付けられたテープ21の第2面21b側を吸引、保持する保持面24aとなっている。この保持面24aには、チャックテーブル24の内部に形成された流路(不図示)等を通じて吸引源(不図示)の負圧が作用し、テープ21を吸引するための吸引力が発生する。
チャックテーブル24の上方には、研削ユニット26が配置されている。研削ユニット26は、研削ユニット昇降機構(不図示)に支持されたスピンドルハウジング(不図示)を備える。スピンドルハウジングには、スピンドル28が収容されており、スピンドル28の下端部には、円盤状のマウント30が固定されている。このマウント30の下面には、マウント30と概ね同径の研削ホイール32が装着される。
研削ホイール32は、ステンレス、アルミニウム等の金属材料で形成されたホイール基台34を備えている。ホイール基台34の下面には、複数の研削砥石36が環状に配列されている。スピンドル28の上端側(基端側)には、モータ等の回転駆動源(不図示)が連結されており、研削ホイール32は、この回転駆動源から伝達される回転力によって、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。
裏面研削ステップでは、まず、被加工物11に貼り付けられているテープ21の第2面21bをチャックテーブル24の保持面24aに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、被加工物11は、裏面11b側が上方に露出した状態でチャックテーブル24に吸引、保持される。
次に、チャックテーブル24を研削ホイール32の下方に移動させる。そして、図3及び図4に示すように、チャックテーブル24と研削ホイール32とをそれぞれ回転させ、純水等の研削液を供給しながらスピンドルハウジング(スピンドル28)を下降させる。スピンドルハウジングの下降量は、被加工物11の裏面11bに研削砥石36の下面が押し当てられる程度に調整される。
これにより、裏面11b側を研削して被加工物11を薄くできる。この裏面研削ステップは、例えば、被加工物11の厚みを測定しながら遂行される。被加工物11が所定の厚み(代表的には、デバイスチップの仕上がり厚み)まで薄くなると、裏面研削ステップは終了する。
裏面研削ステップの後には、被加工物11に対して透過性を有する波長のレーザービームを被加工物11に照射、集光して、被加工物11を破断する際の起点となる改質層を被加工物11の内部に形成する改質層形成ステップを実施する。図5は、改質層形成ステップを模式的に示す斜視図であり、図6は、改質層形成ステップを模式的に示す一部断面側面図である。改質層形成ステップは、例えば、図5及び図6に示すレーザー加工装置42で実施される。
レーザー加工装置42は、被加工物11を吸引、保持するためのチャックテーブル44を備えている。チャックテーブル44は、モータ等の回転駆動源(不図示)に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル44の下方には、テーブル移動機構(不図示)が設けられており、チャックテーブル44は、このテーブル移動機構によって水平方向に移動する。
チャックテーブル44の上面の一部は、被加工物11に貼り付けられたテープ21の第2面21b側を吸引、保持する保持面44aとなっている。この保持面44aには、チャックテーブル44の内部に形成された流路(不図示)等を通じて吸引源(不図示)の負圧が作用し、テープ21を吸引するための吸引力が発生する。
チャックテーブル44の上方には、レーザー照射ユニット46が配置されている。レーザー照射ユニット46に隣接する位置には、被加工物11を撮像するための撮像ユニット48が設置されている。レーザー照射ユニット46は、レーザー発振器(不図示)でパルス発振されたレーザービームL2を所定の位置に照射、集光する。レーザー発振器は、被加工物11に対して透過性を有する波長(吸収され難い波長)のレーザービームL2をパルス発振できるように構成されている。
改質層形成ステップでは、まず、被加工物11に貼り付けられているテープ21の第2面21bをチャックテーブル44の保持面44aに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、被加工物11は、裏面11b側が上方に露出した状態でチャックテーブル44に吸引、保持される。
次に、被加工物11を保持したチャックテーブル44を移動、回転させて、レーザー照射ユニット46を加工対象の分割予定ライン13の端部に合わせる。そして、レーザー照射ユニット46から被加工物11の裏面11bに向けてレーザービームL2を照射しつつ、チャックテーブル44を加工対象の分割予定ライン13に平行な方向に移動させる。すなわち、被加工物11の裏面11b側から分割予定ライン13に沿ってレーザービームL2を照射する。
この時、レーザービームL2の集光点の位置を被加工物11の内部に合せておく。これにより、レーザービームL2の集光点近傍を多光子吸収で改質して、加工対象の分割予定ライン13に沿う改質層(改質領域)17を形成できる。チャックテーブル44の移動、回転と、レーザービームL2の照射、集光とを繰り返し、例えば、全ての分割予定ライン13に沿って改質層17が形成されると、改質層形成ステップは終了する。
なお、この改質層形成ステップで被加工物11にレーザービームL2を照射、集光すると、レーザービームL2の集光点近傍で被加工物11が膨張し、表面11a及び裏面11bの改質層17に対応する位置には目視できない程度の微細な凸部(代表的には、サブミクロン単位)が形成される。すなわち、被加工物11の内部に改質層17が形成されるのとほぼ同じタイミングで凸部が形成され、改質層形成ステップが終了した状態では、改質層17に対応する微細な凹凸が被加工物11の表面11a及び裏面11bに存在する。
本実施形態に係る被加工物の検査方法では、この凹凸を利用して改質層17の状態を判定する。具体的には、改質層形成ステップの後に、光L1を被加工物11で反射させて凹凸が強調された投影像を形成するとともに、撮像ユニット12で投影像を撮像して画像を形成する撮像ステップを実施する。
撮像ステップは、上述した検査装置2で実施される。まず、被加工物11を保持テーブル4に載せる。具体的には、図1に示すように、被加工物11に貼り付けられているテープ21の第2面21bを保持テーブル4の保持面4aに接触させる。これにより、被加工物11は、裏面11b側が上方に露出した状態で保持テーブル4に保持される。
次に、図1に示すように、光源6から光L1を放射する。光源6は、保持テーブル4によって保持される被加工物11の全体に対して光L1を照射できる態様(位置、向き等)で設けられている。よって、光源6から放射された光L1は、被加工物11の裏面11bで反射される。
また、被加工物11で反射される光L1の経路上には、投影面8が配置されている。よって、被加工物11の裏面11bで反射された光L1は、投影面8に照射され、被加工物11の裏面11bの状態に応じた投影像が形成される。図7は、被加工物11に適切な改質層17が形成された場合の投影像の例を示す図である。
被加工物11の裏面11bは、改質層17による微細な凸部を除いて概ね平坦である。つまり、裏面11bの凸部を除く領域に照射された光L1は、裏面11bでの反射後にも殆ど拡散しない。一方で、裏面11bの凸部に照射された光L1は、凸部の凸面鏡のような機能で拡散される。
よって、被加工物11の裏面11bで反射された光L1を投影面8に照射すると、図7に示すような投影像31が得られる。この投影像31では、改質層17に対応する凹凸が強調されて影33になる。その後、撮像ユニット10で投影像31を撮像し、投影像31の情報を含む画像を形成する。撮像ユニット10によって形成された画像が判定ユニット12に送られると、撮像ステップは終了する。
撮像ステップの後には、撮像ユニット10で形成された画像と、予め設定された条件とを比較して改質層17の状態を判定する判定ステップを実施する。図7に示すように、被加工物11の破断に適した改質層17が形成されている場合には、例えば、改質層17に対応して形成される影33の幅も太くなる。
よって、この影33の幅を画像処理等によって検出し、あらかじめ設定しておいた基準の幅(基準値、条件)と比較することで、適切な改質層17が形成されているか否かを判定できる。具体的には、例えば、影33の幅が基準値以上の場合に、判定ユニット12は、適切な改質層17が形成されていると判定する。一方で、影33の幅が基準値より狭い場合、判定ユニット12は、適切な改質層17が形成されていないと判定する。
なお、撮像ユニット10によって形成される画像内の領域を複数の微小な領域(微笑領域)に区画して、各微小領域内で検出される影33の幅を基準値と比較することで、各微小領域において適切な改質層17が形成されているか否かを判定できる。また、この方法を用いれば、適切な改質層17が形成されていない不良領域の位置を特定することもできる。
図8は、被加工物11に適切な改質層17が形成されていない場合の投影像31の例を示す図である。図8に示すように、適切な改質層17が形成されていない場合には、投影像31中に影33の幅が基準値より狭い不良領域35a,35b,35c,35dが存在する。各微小領域に適切な改質層17が形成されているか否かを判定する上述の方法で、この不良領域35a,35b,35c,35dの位置を特定できる。
被加工物11中に不良領域35a,35b,35c,35dが見つかった場合には、例えば、改質層形成ステップを再び実施し、不良領域35a,35b,35c,35dに改質層17を形成しても良い。また、その後の加工不良を防止できるように、改質層形成ステップの加工条件を変更しても良い。
以上のように、本実施形態に係る被加工物の検査方法では、光源6から放射される光L1を改質層17に対応する微細な凹凸が生じた被加工物11の裏面11bで反射させて投影面8に照射することで、面内の凹凸が強調された投影像31を形成するとともに、この投影像31を撮像して形成される画像に基づいて改質層17の状態を判定するので、改質層17に対応する強調された凹凸を含む画像に基づいて、改質層17の状態を適切かつ容易に判定できる。
また、本実施形態に係る検査装置2は、被加工物11の裏面(露出した面)11bに光L1を照射する光源6と、被加工物11で反射された光源6からの光L1が投影されることで、面内の凹凸を強調した投影像31が形成される投影面8と、投影面8に投影された投影像31を撮像して画像を形成する撮像ユニット(撮像手段)10と、形成された画像と、予め設定された条件とを比較して改質層17の状態を判定する判定ユニット(判定手段)12と、を備えるので、上述した被加工物の検査方法を実施して、改質層17の状態を適切かつ容易に判定できる。
なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態に係る検査装置2をレーザー加工装置に組み込んでも良い。図9は、検査装置2が組み込まれたレーザー加工装置の構成例を模式的に示す斜視図である。図9に示すように、レーザー加工装置102は、各構造を支持する基台104を備えている。基台104の端部には、Z軸方向(鉛直方向、高さ方向)に延在する支持構造106が設けられている。
支持構造106から離れた基台104の角部には、上方に突き出た突出部104aが設けられている。突出部104aの内部には空間が形成されており、この空間には、昇降可能なカセットエレベータ108が設置されている。カセットエレベータ108の上面には、複数の被加工物11を収容可能なカセット110が載せられる。
突出部104aに近接する位置には、上述した被加工物11を仮置きするための仮置き機構112が設けられている。仮置き機構112は、例えば、Y軸方向(割り出し送り方向)に平行な状態を維持しながら接近、離隔される一対のガイドレール112a,112bを含む。
各ガイドレール112a,112bは、被加工物11(環状のフレーム)を支持する支持面と、支持面に概ね垂直な側面とを備え、搬送機構(不図示)によってカセット110から引き出された被加工物11(環状のフレーム)をX軸方向(加工送り方向)において挟み込んで所定の位置に合わせる。
基台104の中央には、移動機構(加工送り機構、割り出し送り機構)116が設けられている。移動機構116は、基台104の上面に配置されY軸方向に平行な一対のY軸ガイドレール118を備えている。Y軸ガイドレール118には、Y軸移動テーブル120がスライド可能に取り付けられている。
Y軸移動テーブル120の裏面側(下面側)には、ナット部(不図示)が設けられており、このナット部には、Y軸ガイドレール118に平行なY軸ボールネジ122が螺合されている。Y軸ボールネジ122の一端部には、Y軸パルスモータ124が連結されている。Y軸パルスモータ124でY軸ボールネジ122を回転させれば、Y軸移動テーブル120は、Y軸ガイドレール118に沿ってY軸方向に移動する。
Y軸移動テーブル120の表面(上面)には、X軸方向に平行な一対のX軸ガイドレール126が設けられている。X軸ガイドレール126には、X軸移動テーブル128がスライド可能に取り付けられている。
X軸移動テーブル128の裏面側(下面側)には、ナット部(不図示)が設けられており、このナット部には、X軸ガイドレール126に平行なX軸ボールネジ130が螺合されている。X軸ボールネジ130の一端部には、X軸パルスモータ(不図示)が連結されている。X軸パルスモータでX軸ボールネジ130を回転させれば、X軸移動テーブル128は、X軸ガイドレール126に沿ってX軸方向に移動する。
X軸移動テーブル128の表面側(上面側)には、テーブルベース132が設けられている。テーブルベース132の上部には、被加工物11を吸引、保持するためのチャックテーブル(保持テーブル)134が配置されている。チャックテーブル134の周囲には、被加工物11を支持する環状のフレームを四方から固定する4個のクランプ136が設けられている。
チャックテーブル134は、モータ等の回転駆動源(不図示)に連結されており、Z軸方向(鉛直方向、高さ方向)に概ね平行な回転軸の周りに回転する。上述した移動機構116でX軸移動テーブル128をX軸方向に移動させれば、チャックテーブル134はX軸方向に加工送りされる。また、移動機構116でY軸移動テーブル120をY軸方向に移動させれば、チャックテーブル134はY軸方向に割り出し送りされる。
チャックテーブル134の上面は、被加工物11を保持する保持面134aとなっている。この保持面134aは、X軸方向及びY軸方向に対して概ね平行に形成されており、チャックテーブル134やテーブルベース132の内部に形成された流路(不図示)等を通じて吸引源(不図示)に接続されている。
支持構造106には、基台104の中央側に向けて突出する支持アーム106aが設けられており、この支持アーム106aの先端部には、下方に向けてレーザービームを照射するレーザー照射ユニット138が配置されている。また、レーザー照射ユニット138に隣接する位置には、被加工物11を撮像する撮像ユニット140が設置されている。
レーザー照射ユニット138は、被加工物11に対して透過性を有する波長のレーザービームをパルス発振するレーザー発振器(不図示)を備えている。例えば、シリコン等の半導体材料でなる被加工物11に改質層17を形成したい場合には、波長が1064nmのレーザービームをパルス発振するNd:YAG等のレーザー媒質を備えたレーザー発振器を用いることができる。
また、レーザー照射ユニット138は、レーザー発振器からパルス発振されたレーザービームを集光する集光器(不図示)を備えており、チャックテーブル134に保持された被加工物11等に対してこのレーザービームを照射、集光する。レーザー照射ユニット138でレーザービームを照射しながら、チャックテーブル134をX軸方向に加工送りさせることで、被加工物11をX軸方向に沿ってレーザー加工(改質)できる。
加工後の被加工物11は、例えば、仮置き機構112に隣接する検査装置2の保持テーブル4へと搬送される。支持構造106の保持テーブル4側には、投影面8が形成されている。なお、図9では、検査装置2の構成の一部を省略している。検査装置2で検査された被加工物11は、例えば、搬送機構で仮置き機構112に載せられ、カセット110に収容される。
搬送機構、移動機構116、チャックテーブル134、レーザー照射ユニット138、撮像ユニット140等の構成要素は、それぞれ、制御ユニット(制御手段)142に接続されている。この制御ユニット142は、被加工物11の加工に必要な一連の工程に合わせて、上述した各構成要素を制御する。
なお、レーザー加工装置102のチャックテーブル134に検査装置2の保持テーブル4としての機能を持たせても良い。このように、チャックテーブル134を保持テーブル4として用いることで、保持テーブル4を省略できる。この場合には、光源6、投影面8、撮像ユニット(撮像手段)10等をチャックテーブル134に合わせて配置することになる。同様に、制御ユニット142に検査装置2の判定ユニット12としての機能を持たせても良い。この場合、判定ユニット12を省略できる。
また、上記実施形態に係る検査装置2を、テープ(ダイシングテープ)を拡張するための拡張装置に組み込んでも良い。図10(A)及び図10(B)は、検査装置2が組み込まれた拡張装置の構成例及びこの拡張装置を用いる拡張分割ステップを模式的に示す一部断面側面図である。なお、この拡張装置を用いる場合には、上述したテープ貼着ステップ(ダイシングテープ貼着ステップ)等において、被加工物11より径の大きいテープ41を被加工物11に貼り付け、テープ41の外周部分に環状のフレーム43を固定しておく。
図10(A)及び図10(B)に示すように、拡張装置52は、テープ41及びフレーム43を介して被加工物11を側方から支持する支持構造(保持テーブル)54と、テープ41を介して被加工物11を下方から支持する円筒状の拡張ドラム(支持基台、保持テーブル)56と、を備えている。例えば、拡張ドラム56の内径は、被加工物11の直径より大きく、拡張ドラム56の外径は、テープ41に固定されるフレーム43の内径より小さい。
支持構造54は、フレーム41を支持するフレーム支持テーブル58を含む。このフレーム支持テーブル58の上面は、テープ41の外周部分に固定されたフレーム43を支持する支持面となっている。フレーム支持テーブル58の外周部分には、フレーム41を固定するための複数のクランプ60が設けられている。
支持構造54の下方には、昇降機構(拡張手段)62が設けられている。昇降機構62は、下方の基台(不図示)に固定されたシリンダケース64と、シリンダケース64に挿入されたピストンロッド66とを備えている。ピストンロッド66の上端部には、フレーム支持テーブル58が固定されている。
この昇降機構62は、拡張ドラム56の上端に等しい高さの基準位置と、拡張ドラム56の上端より下方の拡張位置との間でフレーム支持テーブル58の上面(支持面)が移動するように、支持構造54を昇降させる。昇降機構62の動作は、例えば、昇降機構62に接続された制御ユニット(制御手段)68によって制御される。
支持構造54及び拡張ドラム56の上方には、検査装置2を構成する光源6、投影面8、撮像ユニット(撮像手段)10等が配置されている。なお、この拡張装置52の支持構造54や拡張ドラム56は、検査装置2の保持テーブル4として機能する。もちろん、支持構造54や拡張ドラム56とは別に、保持テーブル4を設けても良い。
テープ41を拡張して被加工物11を分割する拡張分割ステップを実施する際には、まず、図10(A)に示すように、基準位置に移動させたフレーム支持テーブル58の上面にフレーム43を載せ、このフレーム43をクランプ60で固定する。これにより、拡張ドラム56の上端は、被加工物11とフレーム43との間でテープ41に接触する。
次に、昇降機構62で支持構造54を下降させ、図10(B)に示すように、フレーム支持テーブル58の上面を拡張ドラム56の上端より下方の拡張位置に移動させる。その結果、拡張ドラム56はフレーム支持テーブル58に対して上昇し、テープ41は拡張ドラム56で押し上げられるようにして放射状に拡張される。
テープ41が拡張されると、被加工物11にはテープ41を拡張する方向の力(放射状の力)が付与される。これにより、被加工物11は、改質層17を破断の起点として複数のチップへと分割され、更に、隣接するチップ同士の間隔が拡げられる。この拡張分割ステップの前後には、例えば、上述した撮像ステップを実施して、被加工物11を検査すると良い。
図11は、拡張分割ステップの後の投影像の例を示す図である。拡張分割ステップにおいて被加工物11が複数のチップへと分割され、隣接するチップ同士の間隔が拡げられると、影33の幅も広くなる。また、改質層17を起点に分割されたチップには、被加工物11の研削時に発生する応力(内部応力)が残留しているので、この応力によって、チップは僅かに湾曲した状態になる。これにより、チップに放射された光L1は僅かに集光され、チップ同士の間隔が更に強調された影33を含む投影像が得られる。
よって、この影33の幅を画像処理等によって検出し、あらかじめ設定しておいた基準の幅(基準値、条件)と比較することで、被加工物11が適切に分割されたか否か、チップ同士の間隔が適切か否か等を確実に判定できる。なお、被加工物11の裏面11bを研削する研削ステップを実施していない場合には、デバイス15等のパターンを形成する際に発生する応力(内部応力)が被加工物11に残留した状態になる。この応力によるチップの湾曲によって、影33を強調する同様の効果が得られる。
なお、拡張分割ステップと並行(同時)に撮像ステップを実施しても良い。例えば、撮像ユニット6としてハイスピード撮影のできるビデオカメラを用い、拡張分割ステップ中の投影像31を撮像することで、破断の進行状況を確認できる。そして、この確認の結果に基づいて、テープ41を拡張する際の速度や拡張の方向、テープ41の種類等を設定することで、被加工物11をより確実に分割できるようになる。
また、制御ユニット68に検査装置2の判定ユニット12としての機能を持たせても良い。この場合、判定ユニット12を省略できる。
なお、上記実施形態では、改質層形成ステップの前に裏面研削ステップを実施しているが、裏面研削ステップ等を省略することもできる。また、改質層形成ステップの後に裏面研削ステップを実施しても良い。また、上記実施形態では、被加工物11の裏面11bを露出させているが、被加工物11の表面11aを露出させる場合にも同様の方法で被加工物11を検査できる。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
11 被加工物
11a 表面
11b 裏面
13 分割予定ライン(ストリート)
15 デバイス
17 改質層(改質領域)
21 テープ(ダイシングテープ)
21a 第1面
21b 第2面
31 投影像
33 影
35a,35b,35c,35d 不良領域
41 テープ(ダイシングテープ)
43 フレーム
L1 光
L2 レーザービーム
2 検査装置
4 保持テーブル
4a 保持面
6 光源
8 投影面
10 撮像ユニット(撮像手段)
12 判定ユニット(判定手段)
22 研削装置
24 チャックテーブル
24a 保持面
26 研削ユニット
28 スピンドル
30 マウント
32 研削ホイール
34 ホイール基台
36 研削砥石
42 レーザー加工装置
44 チャックテーブル
44a 保持面
46 レーザー照射ユニット
48 撮像ユニット
52 拡張装置
54 支持構造(保持テーブル)
56 拡張ドラム(支持基台、保持テーブル)
58 フレーム支持テーブル
60 クランプ
62 昇降機構(拡張手段)
64 シリンダケース
66 ピストンロッド
68 制御ユニット(制御手段)
102 レーザー加工装置
104 基台
104a 突出部
106 支持構造
106a 支持アーム
108 カセットエレベータ
110 カセット
112 仮置き機構
112a,112b ガイドレール
116 移動機構(加工送り機構、割り出し送り機構)
118 Y軸ガイドレール
120 Y軸移動テーブル
122 Y軸ボールネジ
124 Y軸パルスモータ
126 X軸ガイドレール
128 X軸移動テーブル
130 X軸ボールネジ
132 テーブルベース
134 チャックテーブル(保持テーブル)
134a 保持面
136 クランプ
138 レーザー照射ユニット
140 撮像ユニット
142 制御ユニット(制御手段)

Claims (8)

  1. 被加工物に対して透過性を有する波長のレーザービームを照射することで、被加工物を破断する際の起点となる改質層を被加工物の内部に形成するとともに、該改質層に対応する凹凸を被加工物の露出した面に生じさせる改質層形成ステップと、
    光源から放射される光を被加工物の露出した該面で反射させて投影面に照射することで、該凹凸が強調された投影像を形成するとともに、該投影像を撮像して画像を形成する撮像ステップと、
    該画像に基づいて、該改質層の状態を判定する判定ステップと、を備えることを特徴とする被加工物の検査方法。
  2. 被加工物は、複数の分割予定ラインによって区画された表面側の領域にデバイスが形成されたウェーハであり、
    該改質層は、該分割予定ラインに沿って形成されていることを特徴とする請求項1に記載の被加工物の検査方法。
  3. 該改質層形成ステップの前に、被加工物にダイシングテープを貼着するダイシングテープ貼着ステップと、
    該改質層形成ステップの後に、該ダイシングテープを拡張して被加工物に力を付与し、該改質層を破断の起点として被加工物を複数のチップに分割する拡張分割ステップと、を備え、
    該拡張分割ステップは、該撮像ステップと並行して実施されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の被加工物の検査方法。
  4. 透過性を有する波長のレーザービームが照射されることで、内部に破断の起点となる改質層が形成されるとともに、露出した面に該改質層に対応する凹凸が生じた被加工物の該改質層を検査するための検査装置であって、
    被加工物を保持する保持テーブルと、
    該保持テーブルに保持された被加工物の露出した該面に光を照射する光源と、
    被加工物で反射された光源からの光を照射することで、該凹凸を強調した投影像が形成される投影面と、
    該投影面に形成された該投影像を撮像して画像を形成する撮像手段と、
    形成された該画像と、予め設定された条件とを比較して該改質層の状態を判定する判定手段と、を備えることを特徴とする検査装置。
  5. 被加工物を保持するチャックテーブルと、
    該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザービームを照射することで、被加工物を破断する際の起点となる改質層を被加工物の内部に形成するとともに、該改質層に対応する凹凸を被加工物の露出した面に生じさせるレーザービーム照射手段と、
    該レーザービームが照射された後の被加工物を保持する保持テーブルと、
    該保持テーブルに保持された被加工物の露出した該面に光を照射する光源と、
    被加工物で反射された光源からの光を照射することで、該凹凸を強調した投影像が形成される投影面と、
    該投影面に形成された該投影像を撮像して画像を形成する撮像手段と、
    形成された該画像と、予め設定された条件とを比較して該改質層の状態を判定する判定手段と、
    各構成要素を制御する制御手段と、を備えることを特徴とするレーザー加工装置。
  6. 該保持テーブルは、該チャックテーブルであることを特徴とする請求項5に記載のレーザー加工装置。
  7. 透過性を有する波長のレーザービームが照射されることで、内部に破断の起点となる改質層が形成されるとともに、露出した面に該改質層に対応する凹凸が生じた被加工物を、該被加工物に貼着されたダイシングテープを介して支持する支持基台と、
    該ダイシングテープを拡張する拡張手段と、
    該被加工物を保持する保持テーブルと、
    該保持テーブルに保持された被加工物の露出した該面に光を照射する光源と、
    被加工物で反射された光源からの光を照射することで、該凹凸を強調した投影像が形成される投影面と、
    該投影面に形成された該投影像を撮像して画像を形成する撮像手段と、
    形成された該画像と、予め設定された条件とを比較して該改質層の状態を判定する判定手段と、
    各構成要素を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする拡張装置。
  8. 該保持テーブルは、該支持基台であることを特徴とする請求項7に記載の拡張装置。
JP2016111544A 2016-06-03 2016-06-03 被加工物の検査方法、検査装置、レーザー加工装置、及び拡張装置 Active JP6651257B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016111544A JP6651257B2 (ja) 2016-06-03 2016-06-03 被加工物の検査方法、検査装置、レーザー加工装置、及び拡張装置
TW106114601A TWI708285B (zh) 2016-06-03 2017-05-03 被加工物的檢查方法、檢查裝置、雷射加工裝置、及擴張裝置
CN201710405150.4A CN107464762B (zh) 2016-06-03 2017-05-31 被加工物的检查方法、检查装置、激光加工装置、扩展装置
KR1020170067755A KR102285101B1 (ko) 2016-06-03 2017-05-31 피가공물의 검사 방법, 검사 장치, 레이저 가공 장치 및 확장 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016111544A JP6651257B2 (ja) 2016-06-03 2016-06-03 被加工物の検査方法、検査装置、レーザー加工装置、及び拡張装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017220480A true JP2017220480A (ja) 2017-12-14
JP6651257B2 JP6651257B2 (ja) 2020-02-19

Family

ID=60543977

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016111544A Active JP6651257B2 (ja) 2016-06-03 2016-06-03 被加工物の検査方法、検査装置、レーザー加工装置、及び拡張装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6651257B2 (ja)
KR (1) KR102285101B1 (ja)
CN (1) CN107464762B (ja)
TW (1) TWI708285B (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019098184A1 (ja) 2017-11-15 2019-05-23 日本電信電話株式会社 複合配線、信号取得部材、及びそれらの製造方法
JP2019175907A (ja) * 2018-03-27 2019-10-10 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
JP2019190957A (ja) * 2018-04-24 2019-10-31 トヨタ自動車株式会社 レーザ照射されたニッケル膜の検査方法
JP2021041444A (ja) * 2019-09-12 2021-03-18 株式会社ディスコ レーザー加工装置および保護ウィンドウ確認方法
JP2021163934A (ja) * 2020-04-03 2021-10-11 株式会社ディスコ ウエーハの検査装置及びウエーハの検査方法
KR20210147883A (ko) 2020-05-28 2021-12-07 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼 검사 장치, 및 웨이퍼 검사 방법
DE102022207871A1 (de) 2021-08-05 2023-02-09 Disco Corporation Überprüfungsvorrichtung
WO2023209904A1 (ja) * 2022-04-27 2023-11-02 ヤマハ発動機株式会社 ダイシング装置、半導体チップの製造方法および半導体チップ
WO2023209887A1 (ja) * 2022-04-27 2023-11-02 ヤマハ発動機株式会社 エキスパンド装置、半導体チップの製造方法および半導体チップ

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7112204B2 (ja) * 2018-02-07 2022-08-03 株式会社ディスコ 非破壊検出方法
JP7256604B2 (ja) * 2018-03-16 2023-04-12 株式会社ディスコ 非破壊検出方法
JP7217165B2 (ja) * 2019-02-14 2023-02-02 株式会社ディスコ チャックテーブル及び検査装置
US20220181157A1 (en) * 2019-04-19 2022-06-09 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and processing method
JP2022030051A (ja) * 2020-08-06 2022-02-18 Towa株式会社 切断装置、及び、切断品の製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5587004A (en) * 1978-12-25 1980-07-01 Hitachi Zosen Corp Surface-property measuring method
JP2005109324A (ja) * 2003-10-01 2005-04-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd レーザーダイシング装置
JP2005169407A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工された変質層の確認方法
JP2005177763A (ja) * 2003-12-16 2005-07-07 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工された変質層の確認装置
JP2013258365A (ja) * 2012-06-14 2013-12-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP2014037006A (ja) * 2008-03-07 2014-02-27 Imra America Inc 超短パルスレーザによる透明材料処理
JP2014223672A (ja) * 2013-04-25 2014-12-04 三菱マテリアル株式会社 回転体のレーザ加工方法及び加工装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4402973B2 (ja) 2004-02-09 2010-01-20 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP2008012542A (ja) * 2006-07-03 2008-01-24 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP5101073B2 (ja) * 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5833362B2 (ja) * 2011-07-05 2015-12-16 株式会社ディスコ サファイア基板の加工方法
JP2014082418A (ja) * 2012-10-18 2014-05-08 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
JPWO2014080918A1 (ja) * 2012-11-20 2017-01-05 古河電気工業株式会社 半導体チップの製造方法およびそれに用いる薄膜研削用表面保護テープ
JP5603453B1 (ja) * 2013-04-26 2014-10-08 古河電気工業株式会社 半導体ウェハ保護用粘着テープ
JP6224462B2 (ja) * 2014-01-09 2017-11-01 株式会社ディスコ レーザー加工装置における加工送り機構の作動特性検出方法およびレーザー加工装置
JP2015207604A (ja) * 2014-04-17 2015-11-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6604715B2 (ja) * 2014-09-12 2019-11-13 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6347714B2 (ja) * 2014-10-02 2018-06-27 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6360411B2 (ja) * 2014-10-09 2018-07-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5587004A (en) * 1978-12-25 1980-07-01 Hitachi Zosen Corp Surface-property measuring method
JP2005109324A (ja) * 2003-10-01 2005-04-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd レーザーダイシング装置
JP2005169407A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工された変質層の確認方法
JP2005177763A (ja) * 2003-12-16 2005-07-07 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工された変質層の確認装置
JP2014037006A (ja) * 2008-03-07 2014-02-27 Imra America Inc 超短パルスレーザによる透明材料処理
JP2013258365A (ja) * 2012-06-14 2013-12-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP2014223672A (ja) * 2013-04-25 2014-12-04 三菱マテリアル株式会社 回転体のレーザ加工方法及び加工装置

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019098184A1 (ja) 2017-11-15 2019-05-23 日本電信電話株式会社 複合配線、信号取得部材、及びそれらの製造方法
JP7027215B2 (ja) 2018-03-27 2022-03-01 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
JP2019175907A (ja) * 2018-03-27 2019-10-10 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法およびウエーハの生成装置
JP2019190957A (ja) * 2018-04-24 2019-10-31 トヨタ自動車株式会社 レーザ照射されたニッケル膜の検査方法
JP2021041444A (ja) * 2019-09-12 2021-03-18 株式会社ディスコ レーザー加工装置および保護ウィンドウ確認方法
JP7373950B2 (ja) 2019-09-12 2023-11-06 株式会社ディスコ レーザー加工装置および保護ウィンドウ確認方法
JP2021163934A (ja) * 2020-04-03 2021-10-11 株式会社ディスコ ウエーハの検査装置及びウエーハの検査方法
JP7427337B2 (ja) 2020-04-03 2024-02-05 株式会社ディスコ ウエーハの検査方法
KR20210147883A (ko) 2020-05-28 2021-12-07 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼 검사 장치, 및 웨이퍼 검사 방법
JP7455476B2 (ja) 2020-05-28 2024-03-26 株式会社ディスコ ウエーハ検査装置、及びウエーハ検査方法
DE102022207871A1 (de) 2021-08-05 2023-02-09 Disco Corporation Überprüfungsvorrichtung
KR20230021582A (ko) 2021-08-05 2023-02-14 가부시기가이샤 디스코 검사 장치
WO2023209904A1 (ja) * 2022-04-27 2023-11-02 ヤマハ発動機株式会社 ダイシング装置、半導体チップの製造方法および半導体チップ
WO2023209887A1 (ja) * 2022-04-27 2023-11-02 ヤマハ発動機株式会社 エキスパンド装置、半導体チップの製造方法および半導体チップ

Also Published As

Publication number Publication date
JP6651257B2 (ja) 2020-02-19
CN107464762B (zh) 2022-10-18
KR102285101B1 (ko) 2021-08-02
TWI708285B (zh) 2020-10-21
CN107464762A (zh) 2017-12-12
TW201743373A (zh) 2017-12-16
KR20170137639A (ko) 2017-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6651257B2 (ja) 被加工物の検査方法、検査装置、レーザー加工装置、及び拡張装置
TWI761544B (zh) 雷射加工裝置以及雷射加工方法
CN107305863B (zh) 晶片的加工方法
TWI574314B (zh) Wafer processing method
TWI469200B (zh) Processing method of optical element wafers (3)
JP6071775B2 (ja) ウェーハの加工方法
TW201828341A (zh) 雷射加工裝置
JP2009064905A (ja) 拡張方法および拡張装置
JP6757185B2 (ja) レーザー光線の検査方法
TWI741151B (zh) 工件的檢查方法、工件的檢查裝置及加工裝置
JP2005332841A (ja) ウエーハの分割方法
JP2012049164A (ja) 発光デバイスの製造方法
JP2006040988A (ja) ウエーハの分割方法および分割装置
JP7214308B2 (ja) ウェーハの加工方法
TWI736760B (zh) 晶圓加工方法
JP7043124B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP6152013B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP2005251986A (ja) ウエーハの分離検出方法および分離検出装置
JP2011056576A (ja) 板状物の加工方法
JP7334065B2 (ja) チップの製造方法
TW202125604A (zh) 裝置晶片的製造方法
JP2019046923A (ja) ウエーハの加工方法
JP6989392B2 (ja) 板状物の加工方法
TWI837411B (zh) 工件之確認方法以及加工方法
JP2019145665A (ja) ウエーハの分割方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190424

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200114

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200121

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200121

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6651257

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250