JP2005169407A - レーザー加工された変質層の確認方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 被加工物に形成された分割予定ラインに沿って被加工物に対して透過性を有するレーザー光線を照射することにより被加工物の内部に分割予定ラインに沿って形成された変質層を確認する確認方法であって、被加工物に形成された分割予定ラインに赤外線撮像手段の顕微鏡を対向して位置付け、該顕微鏡の焦点を被加工物の内部の変質層が形成された位置に合わせる焦点合わせ工程と、赤外線撮像手段と被加工物を分割予定ラインに沿って相対移動して走査しつつ被加工物の内部を撮像する撮像工程とを含み、撮像工程によって撮像された画像に基づいて被加工物の内部に形成された変質層を確認する。
【選択図】 図8
Description
被加工物に形成された分割予定ラインに赤外線撮像手段の顕微鏡を対向して位置付け、該顕微鏡の焦点を被加工物の内部の変質層が形成された位置に合わせる焦点合わせ工程と、
該赤外線撮像手段と被加工物を分割予定ラインに沿って相対移動して走査しつつ被加工物の内部を撮像する撮像工程と、を含み、
該撮像工程によって撮像された画像に基づいて被加工物の内部に形成された変質層を確認する、
ことを特徴とするレーザー加工された変質層の確認方法が提供される。
図4に示す赤外線撮像手段6は、照明手段61と、顕微鏡62と、赤外線撮像素子(赤外線CCD)63とから構成されている。照明手段61は、ケース611と、該ケース611内に配設されたハロゲンランプ等の発光体612と、該発光体612の下側に配設された熱線吸収フィルタ613と、該熱線吸収フィルタ613の下側に配設された赤外線透過の狭帯域フィルタ614とからなっている。このように構成された照明手段61は、発光体612が調光器615を介して図示しない電源に接続され、赤外線透過の狭帯域フィルタ614を通して赤外線を照射するようになっている。
図6には、被加工物としてのシリコン基板からなる半導体ウエーハ20の斜視図が示されている。図6に示す半導体ウエーハ20は、表面20aに複数の分割予定ライン21が格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ライン21によって区画された複数の領域にIC、LSI等の回路22が形成されている。この半導体ウエーハ20の内部に分割予定ライン21に沿って変質層を形成するレーザー加工方法について、図1および図7を参照して説明する。
レーザー :波長1064nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :100kHz
パルス幅 :25ns
ピークパワー密度:3.2×1010W/cm2
集光スポット径 :φ1μm
加工送り速度 :100mm/秒
図9において中央部が上記半導体ウエーハ20に形成された分割予定ライン21の領域Aであり、この分割予定ライン21の領域Aの両側(図9において上側と下側)が回路22が形成されている領域Bである。また、図9には分割予定ライン21の領域Aに変質層210が示されている。このように示された変質層210は、半導体ウエーハ20の所定深さ位置に形成されていることを表している。なお、図9において変質層210は、破線状に表されているが、これは上記変質層形成行程において照射されるレーザー光線としてパルスレーザー光線が用いられたからである。
3:チャックテーブル機構
36:チャックテーブル
37:加工送り手段
38:第1の割り出し送り手段
4:レーザー光線照射ユニット支持機構
43:第2の割り出し送り手段
5:レーザー光線照射ユニット
51:ユニットホルダ
52:レーザー光線照射手段
524:集光器
6:赤外線撮像手段
61:照明手段
62:顕微鏡
63:赤外線撮像素子(赤外線CCD)
10:制御手段
11:表示手段
20:半導体ウエーハ(被加工物)
Claims (3)
- 被加工物に形成された分割予定ラインに沿って被加工物に対して透過性を有するレーザー光線を照射することにより被加工物の内部に分割予定ラインに沿って形成された変質層を確認する確認方法であって、
被加工物に形成された分割予定ラインに赤外線撮像手段の顕微鏡を対向して位置付け、該顕微鏡の焦点を被加工物の内部の変質層が形成された位置に合わせる焦点合わせ工程と、
該赤外線撮像手段と被加工物を分割予定ラインに沿って相対移動して走査しつつ被加工物の内部を撮像する撮像工程と、を含み、
該撮像工程によって撮像された画像に基づいて被加工物の内部に形成された変質層を確認する、
ことを特徴とするレーザー加工された変質層の確認方法。 - 該顕微鏡には該相対移動方向と平行な基準線が形成されており、該基準線と撮像された変質層とのずれ量に基づいて変質層が所定位置に形成されているか否かを確認する、請求項1記載のレーザー加工された変質層の確認方法。
- 該顕微鏡の焦点を被加工物の厚さ方向に移動することにより、該変質層の変動を確認する、請求項1記載のレーザー加工された変質層の確認方法。
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