JP2017216428A - コイル部品 - Google Patents

Abstract

【課題】小型化を図りつつ高特性のコイル部品を提供する。【解決手段】本発明の一形態に係るコイル部品は、絶縁体部と、コイル部とを具備する。上記絶縁体部は、第１の軸方向に幅方向、第２の軸方向に長さ方向、第３の軸方向に高さ方向を有し、非磁性材料で構成される。上記コイル部は、上記第１の軸方向のまわりに巻回された周回部を有し、上記絶縁体部の内部に配置される。上記絶縁体部の長さ寸法に対する高さ寸法の比率は、上記第２の軸方向に沿った上記周回部の内周部間の長さ寸法に対する上記第３の軸方向に沿った上記周回部の内周部間の高さ寸法の比率の１．５倍以下である。【選択図】図１０

Description

本発明は、絶縁体部とその内部に設けられたコイル部とを有するコイル部品に関する。

従来より、電子機器等にはコイル部品が搭載されており、特に携帯機器で使用されるコイル部品はチップ形状を呈し、携帯機器などに内蔵される回路基板上に表面実装される。従来技術の例として、例えば特許文献１には、硬化物からなる絶縁性樹脂の中に、少なくともその一端が外部電極に接続された螺旋状の導体が内蔵され、導体の螺旋の方向が実装した基板面と平行になるように形成されたチップコイルが開示されている。同様に特許文献２には、コイル状導体の軸心方向が基板面と平行となるように形成された積層型のコイル部品が開示されている。

さらに特許文献３には、樹脂からなる絶縁体と、絶縁体内に設けられたコイル状の内部導体と、内部導体と電気的に接続されている外部電極とを備え、絶縁体は、長さＬ、幅Ｗ、高さＨの直方体状であり、Ｌ、Ｗ、ＨについてはＬ＞Ｗ≧Ｈなる関係が成立し、外部電極は、絶縁体の高さ方向Ｈに垂直な一面において、長さ方向Ｌにみて上記一面の両端部近傍に、それぞれ１つずつ導体により形成され、内部導体は、絶縁体の幅方向Ｗと略平行なコイル軸を有するコイル部品が開示されている。

特開２００６−３２４４８９号公報 特開２００６−３２４３０号公報 特開２０１４−２３２８１５号公報

近年、電子機器の小型化、薄型化に伴い、当該電子機器に搭載されるコイル部品の更なる小型化が進められている。しかしながら、コイル部品の小型化に伴い、コイル部品の特性の低下が顕著となる。このためコイル部品の小型化を図りつつ、特性要求を満足し得る技術が要求されている。

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、小型化を図りつつ高特性のコイル部品を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るコイル部品は、絶縁体部と、コイル部とを具備する。
上記絶縁体部は、第１の軸方向に幅方向、第２の軸方向に長さ方向、第３の軸方向に高さ方向を有し、非磁性材料で構成される。
上記コイル部は、上記第１の軸方向のまわりに巻回された周回部を有し、上記絶縁体部の内部に配置される。
上記絶縁体部の長さ寸法に対する高さ寸法の比率は、上記第２の軸方向に沿った上記周回部の内周部間の長さ寸法に対する上記第３の軸方向に沿った上記周回部の内周部間の高さ寸法の比率の１．５倍以下である。

上記第２の軸方向に沿った上記周回部の内周部間の長さ寸法に対する上記第３の軸方向に沿った上記周回部の内周部間の高さ寸法の比率は、典型的には、０．６以上１．０以下である。

上記第１の軸方向から見た上記絶縁体部の面積に対する上記周回部の内周部で区画される面積の比率は、典型的には、０．２２以上０．４５以下である。

上記絶縁体部は、典型的には、セラミックス又は樹脂材料から構成される。

上記第１の軸方向から見た上記絶縁体部の面積に対する上記周回部の内周部で区画される面積の比率は、０．２２以上０．６５以下である。

上記絶縁体部は、セラミックス又は樹脂材料から構成される。

上記絶縁体部は直方体形状を有してもよい。この場合、上記コイル部品は、上記コイル部と電気的に接続する、上記絶縁体部の１面にのみ配置された外部電極を更に具備する。

上記コイル部と上記外部電極とは、上記コイル部の端部に接続する接続用ビア導体により電気的に接続されてもよい。

上記ビア導体の上記第３の軸に直交する断面は、上記コイル部の端部の上記第３の軸に直交する断面よりも大きい断面形状を有してもよい。

上記外部電極は、上記絶縁体部の上記１面に対向する内面部と、上記内面部に設けられ上記１面に没入する複数の突起部とを有してもよい。

本発明によれば、小型化を図りつつ高特性のコイル部品を提供することができる。

本発明の一実施形態に係る電子部品の概略透視斜視図である。 上記電子部品の概略透視側面図である。 上記電子部品の概略透視上面図である。 上記電子部品の上下を反転して示す概略透視側面図である。 上記電子部品を構成する各電極層の概略上面図である。 上記電子部品の基本製造フローを示す素子単位領域の概略断面図である。 上記電子部品の基本製造フローを示す素子単位領域の概略断面図である。 上記電子部品の基本製造フローを示す素子単位領域の概略断面図である。 コイル部品の高周波特性を説明する模式図である。 上記電子部品の各部の寸法を表記した概略側面図である。 上記電子部品の各部の寸法を表記した概略上面図である。 本発明の他の実施形態に係る電子部品の第１の構成例を示す概略透視斜視図及び外観斜視図である。 図１２に示す電子部品の概略透視側面図及び外観側面図である。 図１２に示す電子部品の概略透視上面図である。 図１２に示す電子部品の上下を反転して示す概略透視側面図である。 図１２に示す電子部品を構成する各電極層の概略上面図である。 上記電子部品の第２の構成例を示す概略透視斜視図である。 図１７に示す電子部品の概略透視側面図である。 図１７に示す電子部品の概略透視上面図である。 上記電子部品の第３の構成例を示す概略透視斜視図である。 図２０に示す電子部品の概略透視側面図である。 図２０に示す電子部品の概略透視上面図である。 本発明の一実施形態及びその変形例に係る電子部品の概略透視側面図である。 上記第１の構成例に係る、サイドマージンを互いに異ならせた電子部品の概略透視側面図である。 図２３及び図２４に示す各電子部品のインダクタンス（Ｌ値）特性を示す図である。 図２３及び図２４に示す各電子部品のＱ値特性を示す図である。 本発明の実施形態に係る電子部品の構成の違いによる内部導体部の形成可能領域を比較する図である。

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。

＜第１の実施形態＞
［基本構成］
図１は、本発明の一実施形態に係る電子部品の概略透視斜視図、図２はその概略透視側面図、図３はその概略透視上面図である。
なお、各図においてＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸方向は相互に直交する３軸方向を示している。

本実施形態の電子部品１００は、表面実装用のコイル部品として構成される。電子部品１００は、絶縁体部１０と、内部導体部２０と、外部電極３０とを備える。

絶縁体部１０は、天面１０１、底面１０２、第１の端面１０３、第２の端面１０４、第１の側面１０５及び第２の側面１０６を有し、Ｘ軸方向に幅方向、Ｙ軸方向に長さ方向、Ｚ軸方向に高さ方向を有する直方体形状に形成される。絶縁体部１０は、例えば、幅寸法が０．０５〜０．２ｍｍ、長さ寸法が０．１〜０．４ｍｍ、高さ寸法が０．０５〜０．４ｍｍに設計される。本実施形態において、幅寸法は約０．２ｍｍ、長さ寸法は約０．３５ｍｍ、高さ寸法は約０．２ｍｍである。

絶縁体部１０は、本体部１１と天面部１２とを有する。本体部１１は、内部導体部２０を内蔵し、絶縁体部１０の主要部を構成する。天面部１２は、絶縁体部１０の天面１０１を構成する。天面部１２は、例えば電子部品１００の型番等を表示する印刷層として構成されてもよい。

本体部１１及び天面部１２は、樹脂を主体とする絶縁材料で構成される。本体部１１を構成する絶縁材料としては、熱、光、化学反応等により硬化する樹脂が用いられ、例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、液晶ポリマ等が挙げられる。一方、天面部１２は、上記材料のほか、樹脂フィルム等で構成されてもよい。あるいは、絶縁体部１０はガラス等のセラミックス材料で構成されてもよい。

絶縁体部１０は、樹脂中にフィラーを含む複合材料が用いられてもよい。フィラーとしては、典型的には、シリカ、アルミナ、ジルコニア等のセラミック粒子が挙げられる。セラミックス粒子の形状は特に限定されず、典型的には球状であるが、これに限られず、針状、鱗片状等であってもよい。

内部導体部２０は、絶縁体部１０の内部に設けられる。内部導体部２０は、複数の柱状導体２１と、複数の連結導体２２とを有し、これら複数の柱状導体２１及び連結導体２２とによりコイル部２０Ｌが構成される。

複数の柱状導体２１は、Ｚ軸方向に平行な軸心を有する略円柱形状に形成される。複数の柱状導体２１は、概略Ｙ軸方向に相互に対向する２つの導体群で構成される。このうち一方の導体群を構成する第１の柱状導体２１１は、Ｘ軸方向に所定の間隔をおいて配列され、他方の導体群を構成する第２の柱状導体２１２も同様に、Ｘ軸方向に所定の間隔をおいて配列される。

なお、略円柱形状とは、軸直方向（軸心に垂直な方向）の断面形状が円形である柱体のほか、上記断面形状が楕円形または長円形である柱体をも含み、楕円形または長円形としては、例えば、長軸／短軸の比が３以下のものを意味する。

第１及び第２の柱状導体２１１，２１２は、それぞれ同一径及び同一高さで構成される。図示の例において第１及び第２の柱状導体２１１，２１２は、それぞれ５本ずつ設けられている。後述するように、第１及び第２の柱状導体２１１，２１２は、複数のビア導体をＺ軸方向に積層することで構成される。

なお、略同一径とは、抵抗の増加を抑制するためのもので、同一方向で見た寸法のバラツキが例えば１０％以内に収まっていることをいい、略同一高さとは、各層の積み上げ精度を確保するためのもので、高さのバラツキが例えば±１μｍの範囲に収まっていることをいう。

複数の連結導体２２は、ＸＹ平面に平行に形成され、Ｚ軸方向に相互に対向する２つの導体群で構成される。このうち一方の導体群を構成する第１の連結導体２２１は、Ｙ軸方向に沿って延び、Ｘ軸方向に間隔をおいて配列され、第１及び第２の柱状導体２１１，２１２の間を個々に接続する。他方の導体群を構成する第２の連結導体２２２は、Ｙ軸方向に対して所定角度傾斜して延び、Ｘ軸方向に間隔をおいて配列され、第１及び第２の柱状導体２１１，２１２の間を個々に接続する。図示の例において、第１の連結導体２２１は５つの連結導体で構成され、第２の連結導体２２２は４つの連結導体で構成される。

図１において、第１の連結導体２２１は、所定の一組の柱状導体２１１，２１２の上端に接続され、第２の連結導体２２２は、所定の一組の柱状導体２１１，２１２の下端に接続される。より詳細には、第１及び第２の柱状導体２１１，２１２と第１及び第２の連結導体２２１，２２２は、コイル部２０Ｌの周回部Ｃｎ（Ｃ１〜Ｃ５）を構成し、これら周回部ＣｎがＸ軸方向のまわりに矩形の螺旋を描くように相互に接続される。これにより、絶縁体部１０の内部において、Ｘ軸方向に軸心（コイル軸）を有する開口形状が矩形のコイル部２０Ｌが形成される。

本実施形態において周回部Ｃｎは、５つの周回部Ｃ１〜Ｃ５で構成される。各周回部Ｃ１〜Ｃ５の開口形状は、それぞれ概略同一の形状に形成される。

内部導体部２０は、引出し部２３と、櫛歯ブロック部２４とをさらに有し、これらを介してコイル部２０Ｌが外部電極３０（３１，３２）へ接続される。

引出し部２３は、第１の引出し部２３１と、第２の引出し部２３２とを有する。第１の引出し部２３１は、コイル部２０Ｌの一端を構成する第１の柱状導体２１１の下端に接続され、第２の引出し部２３２は、コイル部２０Ｌの他端を構成する第２の柱状導体２１２の下端に接続される。第１及び第２の引出し部２３１，２３２は、第２の連結導体２２２と同一のＸＹ平面上に配置されており、Ｙ軸方向に平行に形成される。

櫛歯ブロック部２４は、Ｙ軸方向に相互に対向するように配置された第１及び第２の櫛歯ブロック部２４１，２４２を有する。第１及び第２の櫛歯ブロック部２４１，２４２は、各々の櫛歯部の先端を図１において上方へ向けて配置される。絶縁体部１０の両端面１０３，１０４及び底面１０２には、櫛歯ブロック部２４１，２４２の一部が露出している。第１及び第２の櫛歯ブロック部２４１，２４２各々の所定の櫛歯部の間には、第１及び第２の引出し部２３１，２３２がそれぞれ接続される（図３参照）。第１及び第２の櫛歯ブロック部２４１，２４２各々の底部には、外部電極３０の下地層を構成する導体層３０１，３０２がそれぞれ設けられる（図２参照）。

外部電極３０は、表面実装用の外部端子を構成し、Ｙ軸方向に相互に対向する第１及び第２の外部電極３１，３２を有する。第１及び第２の外部電極３１，３２は、絶縁体部１０の外面の所定領域に形成される。

より具体的に、第１及び第２の外部電極３１，３２は、図２に示すように、絶縁体層１０の底面１０２のＹ軸方向両端部を被覆する第１の部分３０Ａと、絶縁体層１０の両端面１０３，１０４を所定の高さにわたって被覆する第２の部分３０Ｂとを有する。第１の部分３０Ａは、導体層３０１，３０２を介して第１及び第２の櫛歯ブロック部２４１，２４２の底部に電気的に接続される。第２の部分３０Ｂは、第１及び第２の櫛歯ブロック部２４１，２４２の櫛歯部を被覆するように絶縁体層１０の端面１０３，１０４に形成される。

柱状導体２１、連結導体２２、引出し部２３、櫛歯ブロック部２４及び導体層３０１，３０２は、例えば、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｎｉ（ニッケル）等の金属材料で構成され、本実施形態ではいずれも銅又はその合金のめっき層で構成される。第１及び第２の外部電極３１，３２は、例えばＮｉ／Ｓｎめっきで構成される。

図４は、電子部品１００の上下を反転して示す概略透視側面図である。電子部品１００は、図４に示すように、フィルム層Ｌ１と、複数の電極層Ｌ２〜Ｌ６の積層体で構成される。本実施形態では、天面１０１から底面１０２に向けてフィルム層Ｌ１及び電極層Ｌ２〜Ｌ６をＺ軸方向に順次積層することで作製される。層の数は特に限定されず、ここでは６層として説明する。

フィルム層Ｌ１及び電極層Ｌ２〜Ｌ６は、当該各層を構成する絶縁体部１０及び内部導体部２０の要素を含む。図５Ａ〜Ｆはそれぞれ、図４におけるフィルム層Ｌ１及び電極層Ｌ２〜Ｌ６の概略上面図である。

フィルム層Ｌ１は、絶縁体部１０の天面１０１を形成する天面部１２で構成される（図５Ａ）。電極層Ｌ２は、絶縁体部１０（本体部１１）の一部を構成する絶縁層１１０（１１２）と、第１の連結導体２２１とを含む（図５Ｂ）。電極層Ｌ３は、絶縁層１１０（１１３）と、柱状導体２１１，２１２の一部を構成するビア導体Ｖ１とを含む（図５Ｃ）。電極層Ｌ４は、絶縁層１１０（１１４）、ビア導体Ｖ１のほか、櫛歯ブロック部２４１，２４２の一部を構成するビア導体Ｖ２を含む（図５Ｄ）。電極層Ｌ５は、絶縁層１１０（１１５）、ビア導体Ｖ１，Ｖ２のほか、引出し部２３１，２３２や第２の連結導体２２２を含む（図５Ｅ）。そして、電極層Ｌ６は、絶縁層１１０（１１６）と、ビア導体Ｖ２とを含む（図５Ｆ）。

電極層Ｌ２〜Ｌ６は、接合面Ｓ１〜Ｓ４（図４）を介して高さ方向に積層される。したがって各絶縁層１１０やビア導体Ｖ１，Ｖ２は、同じく高さ方向に境界部を有する。そして電子部品１００は、各電極層Ｌ２〜Ｌ６を、電極層Ｌ２から順に作製しながら積層するビルドアップ工法により製造される。

［基本製造プロセス］
続いて、電子部品１００の基本製造プロセスについて説明する。電子部品１００は、ウェハレベルで複数個同時に作製され、作製後に素子毎に個片化（チップ化）される。

図６〜図８は、電子部品１００の製造工程の一部を説明する素子単位領域の概略断面図である。具体的な製造方法としては、支持基板Ｓ上に天面部１２を構成する樹脂フィルム１２Ａ（フィルム層Ｌ１）が貼着され、その上に電極層Ｌ２〜Ｌ６が順次作製される。支持基板Ｓには、例えば、シリコン、ガラス、あるいはサファイア基板が用いられる。典型的には、内部導体部２０を構成する導体パターンを電気めっき法により作製し、その導体パターンを絶縁性樹脂材料で被覆して絶縁層１１０を作製する工程が繰り返し実施される。

図６及び図７は、電極層Ｌ３の製造工程を示している。

この工程では、まず、電極層Ｌ２の表面に電気めっきのためのシード層（給電層）ＳＬ１が例えばスパッタ法等により形成される（図６Ａ）。シード層ＳＬ１は導電性材料であれば特に限定されず、例えば、Ｔｉ（チタン）又はＣｒ（クロム）で構成される。電極層Ｌ２は、絶縁層１１２と、連結導体２２１とを含む。連結導体２２１は、樹脂フィルム１２Ａと接するように絶縁層１１２の下面に設けられる。

続いて、シード層ＳＬ１の上にレジスト膜Ｒ１が形成される（図６Ｂ）。レジスト膜Ｒ１に対する露光、現像等の処理が順に行われることで、シード層ＳＬ１を介して、柱状導体２１（２１１，２１２）の一部を構成するビア導体Ｖ１３に対応する複数の開口部Ｐ１を有するレジストパターンが形成される（図６Ｃ）。その後、開口部Ｐ１内のレジスト残渣を除去するデスカム処理が行われる（図６Ｄ）。

続いて、支持基板ＳがＣｕめっき浴に浸漬され、シード層ＳＬ１への電圧印加によって開口部Ｐ１内にＣｕめっき層からなる複数のビア導体Ｖ１３が形成される（図６Ｅ）。そして、レジスト膜Ｒ１及びシード層ＳＬ１が除去された後（図７Ａ）、ビア導体Ｖ１３を被覆する絶縁層１１３が形成される（図７Ｂ）。絶縁層１１３は、樹脂材料を電極層Ｌ２の上に印刷、塗布、あるいは樹脂フィルムを貼着した後、硬化させる。硬化後、ＣＭＰ（化学的機械的研磨装置）やグラインダ等の研磨装置を用いて、ビア導体Ｖ１３の先端が露出するまで絶縁層１１３の表面が研磨される（図７Ｃ）。図７Ｃは、一例として、支持基板Ｓがその上下を反転して自転可能な研磨ヘッドＨにセットされ、公転する研磨パッドＰで絶縁層１１３の研磨処理（ＣＭＰ）が行われている様子を示している。
以上のようにして、電極層Ｌ２の上に電極層Ｌ３が作製される（図７Ｄ）。

なお、絶縁層１１２の形成方法について記載を省略したが、典型的には、絶縁層１１２もまた、絶縁層１１３と同様に印刷、塗布、あるいは貼着した後、硬化させ、ＣＭＰ（化学的機械的研磨装置）やグラインダ等により研磨を行う方法で作製される。

以後同様にして、電極層Ｌ３の上に電極層Ｌ４が作製される。

まず、電極層Ｌ３の絶縁層１１３（第２の絶縁層）上に、複数のビア導体Ｖ１３（第１のビア導体）と接続される複数のビア導体（第２のビア導体）が形成される。すなわち、上記第２の絶縁層の表面に上記第１のビア導体の表面を被覆するシード層が形成され、上記シード層の上に、上記第１のビア導体の表面に対応する領域が開口するレジストパターンが形成され、上記レジストパターンをマスクとする電気メッキ法により上記第２のビア導体が形成される。続いて、上記第２の絶縁層上に、上記第２のビア導体を被覆する第３の絶縁層が形成される。その後、上記第２のビア導体の先端が露出するまで上記第３の絶縁層の表面が研磨される。

なお、上記第２のビア導体の形成工程においては、櫛歯ブロック部２４（２４１，２４２）の一部を構成するビア導体Ｖ２もまた同時に形成される（図４、図５Ｄ参照）。この場合、上記レジストパターンとして、上記第２のビア導体の形成領域のほか、ビア導体Ｖ２の形成領域が開口するレジストパターンが形成される。

図８Ａ〜Ｄは、電極層Ｌ５の製造工程の一部を示している。

ここでもまず、電極層Ｌ４の表面に、電気めっき用のシード層ＳＬ３と、開口部Ｐ２，Ｐ３を有するレジストパターン（レジスト膜Ｒ３）とが順に形成される（図８Ａ）。その後、開口部Ｐ２，Ｐ３内のレジスト残渣を除去するデスカム処理が行われる（図８Ｂ）。

電極層Ｌ４は、絶縁層１１４と、ビア導体Ｖ１４，Ｖ２４とを有する。ビア導体Ｖ１４は、柱状導体２１（２１１，２１２）の一部を構成するビア（Ｖ１）に相当し、ビア導体Ｖ２４は櫛歯ブロック部２４（２４１，２４２）の一部を構成するビア（Ｖ２）に相当する（図５Ｃ，Ｄ参照）。開口部Ｐ２は、シード層ＳＬ３を介して電極層Ｌ４内のビア導体Ｖ１４と対向し、開口部Ｐ３は、シード層ＳＬ３を介して電極層Ｌ４内のビア導体Ｖ２４と対向する。開口部Ｐ２は、各連結導体２２２に対応する形状に形成される。

続いて、支持基板ＳがＣｕめっき浴に浸漬され、シード層ＳＬ３への電圧印加によって開口部Ｐ２，Ｐ３内にＣｕめっき層からなるビア導体Ｖ２５と連結導体２２２とがそれぞれ形成される（図８Ｃ）。ビア導体Ｖ２５は、櫛歯ブロック部２４（２４１，２４２）の一部を構成するビア（Ｖ２）に相当する。

続いて、レジスト膜Ｒ３及びシード層ＳＬ３が除去され、ビア導体Ｖ２５と連結導体２２２とを被覆する絶縁層１１５が形成される（図８Ｄ）。その後図示せずとも、ビア導体Ｖ２５の先端が露出するまで絶縁層１１５の表面が研磨され、さらにシード層の形成、レジストパターンの形成、電気めっき処理等の工程を繰り返すことで、図４及び図５Ｅに示す電極層Ｌ５が作製される。

その後、絶縁層１１５の表面（底面１０２）に露出する櫛歯ブロック部２４（２４１，２４２）に導体層３０１，３０２が形成された後、第１及び第２の外部電極３１，３２がそれぞれ形成される。

［本実施形態の構造］
近年における部品の小型化に伴い、コイル特性の確保が困難になる傾向にある。すなわちコイル部品の特性は、内蔵するコイル部の大きさ、形状等に大きく依存し、典型的には、コイル部の開口が大きいほど高いインダクタンス特性が得られる。
しかしながら、部品の小型化により絶縁体部の大きさに制約が生じ、その結果、コイル部の有効面積が減少し、インダクタンス特性の低下を招くことになる。
そこで本実施形態では、コイル部の開口の寸法比率を最適化することで、小型化を図りつつ、コイル部品の高特性化を図るようにしている。

図９Ａ〜Ｃは、コイル部品の高周波特性を説明する模式図である。図９Ａに示すコイル部品２００は、直方体形状の絶縁体部２１０と、その内部に配置されたコイル部２２０Ｃとを有する。ここでは理解を容易にするため、コイル部２２０Ｃの周回部Ｃｎを斜線（ハッチング）が施された単純な矩形環状領域で表すものとする（図１０においても同様）。なお符号２３０は外部電極である。

コイル部品の典型的な小型化手法では、絶縁体部２１０が低背化し、このため周回部Ｃｎの上辺側（以下、Ａ側という）と下辺側（以下、Ｂ側という）とが相互に接近する。周回部ＣｎのＡ側とＢ側とが接近すると、Ａ側とＢ側とで形成される磁束（磁界）間の影響が大きくなる。すなわち図９Ｂに示すように、Ａ側に流れる電流ＩAで形成される磁束ΦAは、Ｂ側に流れる電流ＩBで形成されるΦBと逆向きであるため、Ａ側とＢ側とが接近するほど磁束ΦAと磁束ΦBとの相互干渉（打ち消し合い）が大きくなる。その結果、周回部Ｃｎの開口全体の磁束ΦTも小さくなり、設計通りのインダクタンスを得ることができなくなる。

そこで本実施形態では図９Ｃに示すように、Ａ側とＢ側との間の距離を大きくすることで、双方において形成される磁束ΦA、ΦBの相互干渉を抑制し、周回部Ｃｎ全体の磁束ΦTを大きくして、インダクタンスを高くするようにしている。また、インダクタンスを高くできるということは同時に線路長を短くすることができることにつながり、その結果、抵抗が低く抑えられることからＱ値を高くすることができるようになる。

周回部ＣｎのＡ側及びＢ側の離間距離は、絶縁体部２１０の高背化で実現することができる。これにより、コイル部品の実装面積が大きくなることはないため、コイル部品の小型化を図りつつ、コイル特性の向上が図れることになる。

上記典型的な小型化手法が用いられたコイル部品２００では、チップ部品の外形寸法の制約から、周回部の開口（コア）に当たる導体内周面の寸法比率（hd／ld）が小さくならざるをえなかった（図９Ａ参照）。これに対して本実施形態では、チップ部品の外形寸法から見直し、絶縁体部１０の大きさ（部品体積）を変えることなく、寸法比率（hd／ld）を大きくしたことを特徴としている。これにより、効率よくインダクタンスを高くすることができ、結果としてＱ値の高いコイル部品を得ることができる。

具体的に本実施形態のコイル部品１００は、図１０に示すように、絶縁体部１０の長さ寸法（La）に対する高さ寸法（Ha）の比率（Ha／La）は、Ｙ軸方向に沿った周回部Ｃｎの内周部間の長さ寸法（ld）に対するＺ軸方向に沿った周回部Ｃｎの内周部間の高さ寸法（hd）の比率（hd／ld）の１．５倍以下となるように構成される。これにより、コイル部品１００のＱ値を効率良く高めることができる。

ここで、「Ｙ軸方向に沿った周回部Ｃｎの内周部間の長さ寸法（ld）」は、当該周回部Ｃｎを構成する第１及び第２の柱状導体２１１，２１２の対向面間の距離をＹＺ平面に投影したＹ軸方向に関する長さをいう。
また、「Ｚ軸方向に沿った周回部Ｃｎの内周部間の高さ寸法（hd）」は、当該周回部Ｃｎを構成する第１及び第２の連結導体２２１，２２２の対向面間の距離をＹＺ平面に投影したＺ軸方向に関する長さをいう。
寸法の測定については、Ｚ軸方向（高さ方向）から絶縁体の高さ方向の中心を通る面まで断面研磨、ミリングを行い、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による２００倍程度の観察により、第１の柱状導体２１１と第２の柱状導体２１２の間隔を測定し、周回部Ｃｎの内周部間の長さ寸法（ld）とする。また、Ｘ軸方向（幅方向）から絶縁体部の幅方向の中心を通る面まで断面研磨、ミリングを行い、第１の連結導体２２１と第２の連結導体２２２の間隔をＳＥＭにより測定し、周回部Ｃｎの内周部間の高さ寸法（hd）とする。他の部分の寸法測定についても、それぞれ上記の観察試料を用いて行う。

周回部Ｃｎの開口寸法比率（hd／ld）は特に限定されず、本実施形態では、０．６以上１．２以下である。これにより高いインダクタンス値及びＱ値をより安定して確保することができる。

また、コイル軸方向（Ｘ軸方向）から見た絶縁体部１２の面積（Sa）に対する周回部Ｃｎの内周部で区画される面積（Sd）の比率（Sd／Sa）も特に限定されないが、本実施形態では、０．２２以上０．４５以下（２２％以上４５％以下）である。これにより、コイル部品１００のインダクタンス値を効率よく高めることができる。

さらに本実施形態によれば、第１及び第２の櫛歯ブロック部２４１，２４２が各々の櫛歯部の先端を図１において上方へ向けて配置されているため、高背化に伴う絶縁体部１０の剛性不足を補うことができる。これにより、コイル部品１００の信頼性を高めることができる。

＜実験例＞
以下、図１０及び図１１を参照して、本発明者らにより行われた実験例について説明する。周回部Ｃｎの開口をコア部という。

（実験例１）
各部の寸法が以下のとおりであるガラス製の絶縁体部及びコイル部を備えたコイル部品サンプルを作製した。

・絶縁体部：長さ（La）３７０μｍ、幅（Wa）２００μｍ、高さ（Ha）２１５μｍ
・コイル部：Ｙ軸方向の導体寸法（lc）３５μｍ、Ｘ軸方向の導体寸法（wc）１０μｍ、Ｚ軸方向の導体寸法（hc）３５μｍ、Ｘ軸方向に隣接する周回部間の距離（導体間距離g）２０μｍ、Ｙ軸方向のコア部寸法（ld）２００μｍ、全周回部ＣｎにおけるＸ軸方向のコア部寸法（wd）１３０μｍ、Ｚ軸方向のコア部寸法（hd）８５μｍ
・サイドマージン：Ｙ軸方向の寸法（lb）５０μｍ、Ｘ軸方向の寸法（wb）３０μｍ、Ｚ軸方向の寸法（hb）３０μｍ

作製したサンプルについて、ＲＦインピーダンスアナライザ（Ａｇｉｌｅｎｔ社製Ｅ４９９１Ａ）を用いてインダクタンス（Ｌ値）（測定周波数５００ＭＨｚ）及びＱ値（測定周波数１．８ＧＨｚ）をそれぞれ測定したところ、Ｌ値は２．６ｎＨ、Ｑ値は２７であった。

（実験例２）
絶縁体部を長さ（La）３５０μｍ、幅（Wa）２００μｍ、高さ（Ha）２３０μｍ、コア部寸法をＹ軸方向（ld）１８０μｍ、Ｘ軸方向（wd）１３０μｍ、Ｚ軸方向（hd）１００μｍとした以外は、実験例１と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例１と同一の条件でインダクタンス（Ｌ値）及びＱ値を測定したところ、Ｌ値は２．７ｎＨ、Ｑ値は２８であった。

（実験例３）
絶縁体部を長さ（La）３２０μｍ、幅（Wa）２００μｍ、高さ（Ha）２５０μｍ、コア部寸法をＹ軸方向（ld）１５０μｍ、Ｘ軸方向（wd）１３０μｍ、Ｚ軸方向（hd）１２０μｍとした以外は、実験例１と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例１と同一の条件でインダクタンス（Ｌ値）及びＱ値を測定したところ、Ｌ値は２．８ｎＨ、Ｑ値は２９であった。

（実験例４）
絶縁体部を長さ（La）３０５μｍ、幅（Wa）２００μｍ、高さ（Ha）２６５μｍ、コア部寸法をＹ軸方向（ld）１３５μｍ、Ｘ軸方向（wd）１３０μｍ、Ｚ軸方向（hd）１３５μｍとした以外は、実験例１と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例１と同一の条件でインダクタンス（Ｌ値）及びＱ値を測定したところ、Ｌ値は２．９ｎＨ、Ｑ値は３０であった。

（実験例５）
絶縁体部を長さ（La）２７５μｍ、幅（Wa）２００μｍ、高さ（Ha）２９０μｍ、コア部寸法をＹ軸方向（ld）１０５μｍ、Ｘ軸方向（wd）１３０μｍ、Ｚ軸方向（hd）１６０μｍとした以外は、実験例１と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例１と同一の条件でインダクタンス（Ｌ値）及びＱ値を測定したところ、Ｌ値は２．６ｎＨ、Ｑ値は２９であった。

（実験例６）
絶縁体部を長さ（La）２６５μｍ、幅（Wa）２００μｍ、高さ（Ha）３００μｍ、コア部寸法をＹ軸方向（ld）９５μｍ、Ｘ軸方向（wd）１３０μｍ、Ｚ軸方向（hd）１７０μｍとした以外は、実験例１と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例１と同一の条件でインダクタンス（Ｌ値）及びＱ値を測定したところ、Ｌ値は２．３ｎＨ、Ｑ値は２８であった。

（実験例７）
各部の寸法が以下のとおりである樹脂製の絶縁体部及びコイル部を備えたコイル部品サンプルを作製した。

・絶縁体部：長さ（La）４１０μｍ、幅（Wa）２００μｍ、高さ（Ha）１９５μｍ
・コイル部：Ｙ軸方向の導体寸法（lc）３５μｍ、Ｘ軸方向の導体寸法（wc）２４μｍ、Ｚ軸方向の導体寸法（hc）３５μｍ、導体間距離（g）１０μｍ、Ｙ軸方向のコア部寸法（ld）２５０μｍ、Ｘ軸方向のコア部寸法（wd）１６０μｍ、Ｚ軸方向のコア部寸法（hd）８５μｍ
・サイドマージン：Ｙ軸方向の寸法（lb）４５μｍ、Ｘ軸方向の寸法（wb）２０μｍ、Ｚ軸方向の寸法（hb）２０μｍ

作製したサンプルについて、実験例１と同一の条件でインダクタンス（Ｌ値）及びＱ値を測定したところ、Ｌ値は３．０ｎＨ、Ｑ値は３１であった。

（実験例８）
絶縁体部を長さ（La）３８０μｍ、幅（Wa）２００μｍ、高さ（Ha）２１０μｍ、コア部寸法をＹ軸方向（ld）２２０μｍ、Ｘ軸方向（wd）１６０μｍ、Ｚ軸方向（hd）１００μｍとした以外は、実験例７と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例１と同一の条件でインダクタンス（Ｌ値）及びＱ値を測定したところ、Ｌ値は３．２ｎＨ、Ｑ値は３２であった。

（実験例９）
絶縁体部を長さ（La）３５０μｍ、幅（Wa）２００μｍ、高さ（Ha）２３０μｍ、コア部寸法をＹ軸方向（ld）１９０μｍ、Ｘ軸方向（wd）１６０μｍ、Ｚ軸方向（hd）１２０μｍとした以外は、実験例７と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例１と同一の条件でインダクタンス（Ｌ値）及びＱ値を測定したところ、Ｌ値は３．３ｎＨ、Ｑ値は３３であった。

（実験例１０）
絶縁体部を長さ（La）３２０μｍ、幅（Wa）２００μｍ、高さ（Ha）２５０μｍ、コア部寸法をＹ軸方向（ld）１６０μｍ、Ｘ軸方向（wd）１６０μｍ、Ｚ軸方向（hd）１４０μｍとした以外は、実験例７と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例１と同一の条件でインダクタンス（Ｌ値）及びＱ値を測定したところ、Ｌ値は３．４ｎＨ、Ｑ値は３４であった。

（実験例１１）
絶縁体部を長さ（La）３１０μｍ、幅（Wa）２００μｍ、高さ（Ha）２６０μｍ、コア部寸法をＹ軸方向（ld）１５０μｍ、Ｘ軸方向（wd）１６０μｍ、Ｚ軸方向（hd）１５０μｍとした以外は、実験例７と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例１と同一の条件でインダクタンス（Ｌ値）及びＱ値を測定したところ、Ｌ値は３．５ｎＨ、Ｑ値は３４であった。

（実験例１２）
絶縁体部を長さ（La）２７５μｍ、幅（Wa）２００μｍ、高さ（Ha）２９０μｍ、コア部寸法をＹ軸方向（ld）１１５μｍ、Ｘ軸方向（wd）１６０μｍ、Ｚ軸方向（hd）１８０μｍとした以外は、実験例７と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例１と同一の条件でインダクタンス（Ｌ値）及びＱ値を測定したところ、Ｌ値は３．３ｎＨ、Ｑ値は３２であった。

（実験例１３）
絶縁体部を長さ（La）２５５μｍ、幅（Wa）２００μｍ、高さ（Ha）３１５μｍ、コア部寸法をＹ軸方向（ld）９５μｍ、Ｘ軸方向（wd）１６０μｍ、Ｚ軸方向（hd）２０５μｍとした以外は、実験例７と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例１と同一の条件でインダクタンス（Ｌ値）及びＱ値を測定したところ、Ｌ値は３．１ｎＨ、Ｑ値は３１であった。

（実験例１４）
絶縁体部を長さ（La）３１０μｍ、幅（Wa）２００μｍ、高さ（Ha）２６０μｍ、Ｙ軸方向の導体寸法（lc）３０μｍ、Ｘ軸方向の導体寸法（wc）２４μｍ、Ｚ軸方向の導体寸法（hc）３０μｍ、コア部寸法をＹ軸方向（ld）１６０μｍ、Ｘ軸方向（wd）１６０μｍ、Ｚ軸方向（hd）１６０μｍとした以外は、実験例７と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例１と同一の条件でインダクタンス（Ｌ値）及びＱ値を測定したところ、Ｌ値は３．６ｎＨ、Ｑ値は３６であった。

（実験例１５）
絶縁体部を長さ（La）３１０μｍ、幅（Wa）２００μｍ、高さ（Ha）２６０μｍ、Ｙ軸方向の導体寸法（lc）２５μｍ、Ｘ軸方向の導体寸法（wc）２４μｍ、Ｚ軸方向の導体寸法（hc）２５μｍ、コア部寸法をＹ軸方向（ld）１７０μｍ、Ｘ軸方向（wd）１６０μｍ、Ｚ軸方向（hd）１７０μｍとした以外は、実験例７と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例１と同一の条件でインダクタンス（Ｌ値）及びＱ値を測定したところ、Ｌ値は３．８ｎＨ、Ｑ値は３７であった。

（実験例１６）
絶縁体部を長さ（La）３１０μｍ、幅（Wa）２００μｍ、高さ（Ha）２６０μｍ、Ｙ軸方向の導体寸法（lc）２０μｍ、Ｘ軸方向の導体寸法（wc）２４μｍ、Ｚ軸方向の導体寸法（hc）２０μｍ、コア部寸法をＹ軸方向（ld）１８０μｍ、Ｘ軸方向（wd）１６０μｍ、Ｚ軸方向（hd）１８０μｍとした以外は、実験例７と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例１と同一の条件でインダクタンス（Ｌ値）及びＱ値を測定したところ、Ｌ値は４．２ｎＨ、Ｑ値は３７であった。

（実験例１７）
絶縁体部を長さ（La）３１０μｍ、幅（Wa）２００μｍ、高さ（Ha）２６０μｍ、Ｙ軸方向の導体寸法（lc）１５μｍ、Ｘ軸方向の導体寸法（wc）２４μｍ、Ｚ軸方向の導体寸法（hc）１５μｍ、コア部寸法をＹ軸方向（ld）１９０μｍ、Ｘ軸方向（wd）１６０μｍ、Ｚ軸方向（hd）１９０μｍとした以外は、実験例７と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例１と同一の条件でインダクタンス（Ｌ値）及びＱ値を測定したところ、Ｌ値は４．８ｎＨ、Ｑ値は３６であった。

（比較例１）
絶縁体部を長さ（La）４００μｍ、幅（Wa）２００μｍ、高さ（Ha）２００μｍ、コア部寸法をＹ軸方向（ld）２３０μｍ、Ｘ軸方向（wd）１３０μｍ、Ｚ軸方向（hd）７０μｍとした以外は、実験例１と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例１と同一の条件でインダクタンス（Ｌ値）及びＱ値を測定したところ、Ｌ値は２．２ｎＨ、Ｑ値は２２であった。

（比較例２）
絶縁体部を長さ（La）４０７μｍ、幅（Wa）２００μｍ、高さ（Ha）２０２μｍ、コア部寸法をＹ軸方向（ld）２３７μｍ、Ｘ軸方向（wd）１３０μｍ、Ｚ軸方向（hd）７２μｍとした以外は、実験例１と同一の条件でサンプルを作製した。
作製したサンプルについて、実験例１と同一の条件でインダクタンス（Ｌ値）及びＱ値を測定したところ、Ｌ値は２．３ｎＨ、Ｑ値は２３であった。

実験例１〜１７及び比較例１，２の上述した各部の条件、寸法比、コイル軸方向（Ｘ軸方向）から見た絶縁体部及びコア部の面積及びその面積比、ならびにコイル特性を表１〜３にまとめて示す。

表２及び表３に示すように、絶縁体部の寸法比率（Ha／La）がコア部の寸法比率（hd／ld）の１．５倍以下である実験例１〜１７によれば、絶縁体部の寸法比率（Ha／La）がコア部の寸法比率（hd／ld）の１．５倍を超える比較例１，２よりも、高いＱ値が得られることが確認された。

また、コア部の寸法比率（hd／ld）が０．８以上１．５以下である実験例３〜５によれば、実験例１，２，６よりも高い（２９以上の）Ｑ値が得られることが確認された。同様に、コア部の寸法比率（hd／ld）が０．６以上１．０以下である実験例９〜１１，１４〜１７によれば、実験例７，８、１２，１３よりも高い（３２を超える）Ｑ値が得られることが確認された。

また、コア部の寸法比率（hd／ld）が０．６以上１．０以下である実験例２〜４によれば、実験例１，５，６よりも高い（２．７ｎＨ以上）Ｌ値が得られることが確認された。

さらに、絶縁体部の面積（Sa）に対するコア部の面積（Sd）の比率（Sd／Sa）が２２％以上４５％以下である実験例２〜４、７〜１７によれば、２．７ｎＨ以上の高いインダクタンス値が得られることが確認された。

以下個別に見ていくと、実験例１においては、比較例２とほぼ同じのコア面積であるにもかかわらず、コア部の寸法比（wd／ld）が比較例２よりも大きいため、比較例２よりも高いＱ値が得られた。

実験例４においては、コア部の寸法比（wd／ld）がほぼ１となるため、実験例１〜６の中では最も高いＱ値が得られた。

実験例７〜１７においては、実験例１〜６と比較して、絶縁体部の絶縁性が高く、導体寸法を最大限まで大きくすることができるため、インダクタンス値を高くすることができる。これに伴い、Ｑ値も３１以上と高くすることができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。

例えば以上の実施形態では、コイル部品が天面側から底面側に向かって絶縁層及びビア導体を順次積層する方法について説明したが、これに限られず、底面側から天面側に向かって絶縁層及びビア導体が順次積層されてもよい。

また、コイル部の各周回部をコイル軸方向に順次積層するコイル部品の製造方法にも、本発明は適用可能である。

また、上記実施形態では、Ｚ軸方向から見る周回部が、四角形であるが、多角形でも、一部にＲ付けなどが有っても、周回部導体が対向する位置関係にあれば、同様の効果を得ることができる。

また、上記実施形態ではコイル部品のコイル軸をＸ軸方向（幅方向）としているが、コイル軸方向はＺ軸方向（高さ方向）であっても同様の効果を得ることはできる。

更に、絶縁体部は、用いる材料がガラスであっても、樹脂であっても、例えば一部にフェライト粉などを含んでいたとしても、透磁率が２以下であれば、同様の効果を得ることができる。また、絶縁体は、誘電率が５以下であれば、特に高周波特性を良くでき、誘電率が４以下であれば、端子電極との間で生じる浮遊容量を更に小さくでき、高周波でのＱ値を高くできる。

＜第２の実施形態＞
上記第１の実施形態においては櫛歯ブロック部が配置された電子部品について説明したが、上記の図１〜図３に示すように櫛歯ブロック部２４が配置されていない電子部品としてもよく、以下変形例として説明する。下記各構成例においても、絶縁体部の長さ寸法（La）に対する高さ寸法（Ha）の比率（Ha／La）は、Ｙ軸方向に沿った周回部Ｃｎの内周部間の長さ寸法（ld）に対するＺ軸方向に沿った周回部Ｃｎの内周部間の高さ寸法（hd）の比率（hd／ld）の１．５倍以下となるように構成される。

また、周回部Ｃｎの開口寸法比率（hd／ld）は特に限定されないが、本実施形態では、０．６以上１．０以下である。これにより高いインダクタンス値及びＱ値をより安定して確保することができる。

また、コイル軸方向（Ｘ軸方向）から見た絶縁体部の面積（Sa）に対する周回部Ｃｎの内周部で区画される面積（Sd）の比率（Sd／Sa）も特に限定されないが、本実施形態では、０．２２以上０．６５以下（２２％以上６５％以下）である。これにより、コイル部品のインダクタンス値を効率よく高めることができる。

（第１の構成例）
第１の構成例に係る電子部品は、櫛歯ブロック部が配置されていない。これにより、同じ体積の絶縁体部内に内部導体部を配置する場合、櫛歯ブロック部が配置される場合と比較して、コイル部の設計範囲が広くなりコイル部の開口面積を拡大することが可能となってＬ値、Ｑ値を向上させることができる。

また、本構成例では、櫛歯ブロック部が配置されていないので、直方体形状の絶縁体部の１つの面にのみ外部電極が形成される構造が可能となり、１面実装タイプの電子部品とすることができる。上記実施形態のコイル部品は、直方体形状の絶縁体部の３つの面１０２、１０３、１０４に外部電極が形成された３面実装タイプの電子部品であるが、これに限定されず、本構成例のように絶縁体部の１つの面にのみ外部電極が形成された１面実装タイプの電子部品としてもよい。
更に、上記実施形態ではコイル部と外部電極との接続は櫛歯ブロック部及び引出し線を介して行われているが、本構成例ではコイル部と外部電極との接続は接続用ビア導体層を介して行われる。

以下、図１２〜図１４を用いて第１の構成例に係る電子部品について説明する。
図１２Ａは、本実施形態の第１の構成例に係るコイル部品の概略透視斜視図、図１２Ｂはその外観斜視図、図１３Ａはその概略透視側面図、図１３Ｂはその外観側面図、図１４はその概略透視上面図である。
なお、各図においてＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸方向は相互に直交する３軸方向を示している。

本構成例の電子部品１１００は、表面実装用のコイル部品として構成される。電子部品１１００は、絶縁体部１０１０と、内部導体部１０２０と、外部電極１０３０とを備える。

絶縁体部１０１０は、天面１１０１、底面１１０２、第１の端面１１０３、第２の端面１１０４、第１の側面１１０５及び第２の側面１１０６を有し、Ｘ軸方向に幅方向、Ｙ軸方向に長さ方向、Ｚ軸方向に高さ方向を有する直方体形状に形成される。底面１１０２は実装面となる。

絶縁体部１０１０は、本体部１０１１と天面部１２とを有する。本体部１０１１は、内部導体部１０２０を内蔵し、絶縁体部１０１０の主要部を構成する。天面部１２は、絶縁体部１０１０の天面１１０１を構成する。絶縁体部１０１０に用いられる材料は上記実施形態と同様である。

内部導体部１０２０は、絶縁体部１０１０の内部に設けられる。内部導体部１０２０は、複数の柱状導体１０２１と、複数の連結導体１０２２と、接続用ビア導体層Ｖ１０２３を有し、これら複数の柱状導体１０２１及び連結導体１０２２とによりコイル部１０２０Ｌが構成される。また、接続用ビア導体層Ｖ１０２３は、コイル部１０２０Ｌの両端部それぞれに接続される。

複数の柱状導体１０２１は、Ｚ軸方向に平行な軸心を有する略円柱形状に形成される。複数の柱状導体１０２１は、概略Ｙ軸方向に相互に対向する２つの導体群で構成される。このうち一方の導体群を構成する第１の柱状導体１０２１１は、Ｘ軸方向に所定の間隔をおいて配列され、他方の導体群を構成する第２の柱状導体１０２１２も同様に、Ｘ軸方向に所定の間隔をおいて配列される。

なお、略円柱形状とは、軸直方向（軸心に垂直な方向）の断面形状が円形である柱体のほか、上記断面形状が楕円形または長円形である柱体をも含み、楕円形または長円形としては、例えば、長軸／短軸の比が３以下のものを意味する。

第１及び第２の柱状導体１０２１１，１０２１２は、それぞれ同一径及び同一高さで構成される。図示の例において第１及び第２の柱状導体１０２１１，１０２１２は、それぞれ５本ずつ設けられている。後述するように、第１及び第２の柱状導体１０２１１，１０２１２は、複数のビア導体をＺ軸方向に積層することで構成される。

なお、略同一径とは、抵抗の増加を抑制するためのもので、同一方向で見た寸法のバラツキが例えば１０％以内に収まっていることをいい、略同一高さとは、各層の積み上げ精度を確保するためのもので、高さのバラツキが例えば±１０μｍの範囲に収まっていることをいう。

複数の連結導体１０２２は、ＸＹ平面に平行に形成され、Ｚ軸方向に相互に対向する２つの導体群で構成される。このうち一方の導体群を構成する第１の連結導体１０２２１は、Ｙ軸方向に沿って延び、Ｘ軸方向に間隔をおいて配列され、第１及び第２の柱状導体１０２１１，１０２１２の間を個々に接続する。他方の導体群を構成する第２の連結導体１０２２２は、Ｙ軸方向に対して所定角度傾斜して延び、Ｘ軸方向に間隔をおいて配列され、第１及び第２の柱状導体１０２１１，１０２１２の間を個々に接続する。図示の例において、第１の連結導体１０２２１は５つの連結導体で構成され、第２の連結導体１０２２２は４つの連結導体で構成される。

図１２において、第１の連結導体１０２２１は、所定の一組の柱状導体１０２１１，１０２１２の上端に接続され、第２の連結導体１０２２２は、所定の一組の柱状導体１０２１１，１０２１２の下端に接続される。より詳細には、第１及び第２の柱状導体１０２１１，１０２１２と第１及び第２の連結導体１０２２１，１０２２２は、コイル部１０２０Ｌの周回部Ｃｎ（Ｃ１〜Ｃ５）を構成し、これら周回部ＣｎがＸ軸方向のまわりに矩形の螺旋を描くように相互に接続される。これにより、絶縁体部１０１０の内部において、Ｘ軸方向に軸心（コイル軸）を有する開口形状が矩形のコイル部１０２０Ｌが形成される。

本実施形態において周回部Ｃｎは、５つの周回部Ｃ１〜Ｃ５で構成される。各周回部Ｃ１〜Ｃ５の開口形状は、それぞれ概略同一の形状に形成される。

接続用ビア導体層Ｖ１０２３は第１の接続用ビア導体層Ｖ１０２３１と、第２の接続用ビア導体層Ｖ１０２３２とを有する。第１の接続用ビア導体層Ｖ１０２３１は、コイル部１０２０Ｌの一端を構成する第１の柱状導体１０２１１の下端に連結して接続され、第２の接続用ビア導体層Ｖ１０２３２は、コイル部１０２０Ｌの他端を構成する第２の柱状導体１０２１２の下端に連結して接続される。第１及び第２の接続用ビア導体層Ｖ１０２３１，Ｖ１０２３２は、Ｚ軸方向に垂直な断面形状が略円形であり、柱状導体１０２１のＺ軸方向に垂直な断面とほぼ同じ大きさ及び形状を有している。

外部電極１０３０は、表面実装用の外部端子を構成し、Ｙ軸方向に相互に対向する第１及び第２の外部電極１０３１，１０３２を有する。第１及び第２の外部電極１０３１，１０３２は、絶縁体部１０１０の１面としての底面１１０２にのみ形成される。外部電極１０３０は絶縁体部１０１０の外側に形成される。

柱状導体１０２１、連結導体１０２２、接続用ビア導体層Ｖ１０２３は、例えば、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｎｉ（ニッケル）等の金属材料で構成され、本実施形態ではいずれも銅又はその合金のめっき層で構成される。第１及び第２の外部電極１０３１，１０３２は、例えばＮｉ／Ｓｎめっきで構成される。

図１５は、電子部品１１００の上下を反転して示す概略透視側面図である。電子部品１１００は、図１５に示すように、フィルム層Ｌ１００１と、複数の電極層Ｌ１００２〜Ｌ１００６の積層体で構成される。本実施形態では、天面１１０１から底面１１０２に向けてフィルム層Ｌ１００１及び電極層Ｌ１００２〜Ｌ１００６をＺ軸方向に順次積層することで作製される。層の数は特に限定されず、ここでは６層として説明する。

フィルム層Ｌ１００１及び電極層Ｌ１００２〜Ｌ１００６は、当該各層を構成する絶縁体部１０１０、内部導体部１０２０及び外部電極１０３０の要素を含む。図１６Ａ〜Ｆはそれぞれ、図１５におけるフィルム層Ｌ１００１及び電極層Ｌ１００２〜Ｌ１００６の概略上面図である。

フィルム層Ｌ１００１は、絶縁体部１０１０の天面１１０１を形成する天面部１２で構成される（図１６Ａ）。電極層Ｌ１００２は、絶縁体部１０１０（本体部１０１１）の一部を構成する絶縁層１０１１０（１０１１２）と、第１の連結導体１０２２１とを含む（図１６Ｂ）。電極層Ｌ１００３は、絶縁層１０１１０（１０１１３）と、柱状導体１０２１１，１０２１２の一部を構成するビア導体Ｖ１００１とを含む（図１６Ｃ）。電極層Ｌ１００４は、絶縁層１０１１０（１０１１４）、ビア導体Ｖ１００１のほか、第２の連結導体１０２２２を含む（図１６Ｄ）。電極層Ｌ１００５は、絶縁層１０１１０（１０１１５）と、接続用ビア導体層Ｖ１０２３（第１の接続用ビア導体層Ｖ１０２３１、第２の接続用ビア導体層Ｖ１０２３２）を含む（図１６Ｅ）。そして、電極層Ｌ１００６は、外部電極１０３０（第１の外部電極１０３１、第２の外部電極１０３２）を含む（図１６Ｆ）。

電極層Ｌ１００２〜Ｌ１００６は、接合面Ｓ１〜Ｓ４（図１５）を介して高さ方向に積層される。したがって各絶縁層１０１１０、ビア導体Ｖ１００１、接続用ビア導体層Ｖ１０２３、外部電極１０３０は、同じく高さ方向に境界部を有する。そして電子部品１１００は、各電極層Ｌ１００２〜Ｌ１００６を、電極層Ｌ１００２から順に作製しながら積層する上記実施形態と同様のビルドアップ工法により製造される。

以上のように、第１の構成例における電子部品１１００は、櫛歯ブロック部が配置されていないためＹ軸方向のコア部寸法（ld）を拡大することができる。これによりコイル部１０２０Ｌの開口面積を拡大することができ、Ｌ値及びＱ値を高くすることが可能となる。

また、本構成例では、表面実装用の外部端子となる外部電極１０３０が電子部品１１００の１面にのみ形成されているので、電子部品１１００をはんだ付けにより実装する際、実装面は１面のみになるため、半田フィレットが形成されず、高密度実装が可能となる。

また、コイル部１０２０Ｌと外部電極１０３０を接続用ビア導体層Ｖ１０２３により接続するため、櫛歯ブロック部が配置される場合と比較し、外部電極からコイル部１０２０に至るまでの電流経路を短くとることができる。これにより、ノイズの発生が少なく特性劣化が少ない電子部品１１００を得ることができる。

（第２の構成例）
上記第１の構成例では、接続用ビア導体層Ｖ１０２３はＺ軸方向に垂直な断面形状が略円形を有していたがこれに限定されず、例えば長円形を有していてもよく、以下、第２の構成例として説明する。第１の構成例と異なる構成について主に説明し、同様の構成については同様の符号を付し、説明を省略する場合がある。本構成例においても、第１の構成例と同様に、コイル部の開口面積を大きくとることが可能であり、これによりＬ値、Ｑ値を高くすることが可能となっている。

以下、図１７〜図１９を用いて第２の構成例に係るコイル部品について説明する。
図１７はコイル部品の概略透視斜視図である。図１８はその概略透視側面図である。図１９はその概略透視上面図である。

本構成例の電子部品２１００は、表面実装用のコイル部品として構成される。電子部品２１００は、絶縁体部２０１０と、内部導体部２０２０と、外部電極１０３０とを備える。

絶縁体部２０１０は、本体部２０１１と天面部１２とを有する。本体部２０１１は、内部導体部２０２０を内蔵し、絶縁体部２０１０の主要部を構成する。

絶縁体部２０１０は、天面２１０１、底面２１０２、第１の端面２１０３、第２の端面２１０４、第１の側面２１０５及び第２の側面２１０６を有し、Ｘ軸方向に幅方向、Ｙ軸方向に長さ方向、Ｚ軸方向に高さ方向を有する直方体形状に形成される。

内部導体部２０２０は、絶縁体部２０１０の内部に設けられる。内部導体部２０２０は、複数の柱状導体１０２１と、複数の連結導体１０２２と、接続用ビア導体層Ｖ２０２３を有し、これら複数の柱状導体１０２１及び連結導体１０２２とによりコイル部１０２０Ｌが構成される。また、接続用ビア導体層Ｖ２０２３は、コイル部１０２０Ｌの両端部それぞれに接続される。

接続用ビア導体層Ｖ２０２３は第１の接続用ビア導体層Ｖ２０２３１と、第２の接続用ビア導体層Ｖ２０２３２とを有する。第１の接続用ビア導体層Ｖ２０２３１は、コイル部１０２０Ｌの一端を構成する第１の柱状導体１０２１１の下端に接続され、第２の接続用ビア導体層Ｖ２０２３２は、コイル部１０２０Ｌの他端を構成する第２の柱状導体１０２１２の下端に接続される。第１及び第２の接続用ビア導体層Ｖ２０２３１，Ｖ２０２３２は、Ｚ軸方向に垂直な断面形状が長円形であり、柱状導体１０２１のＺ軸方向に垂直な断面よりも大きい断面形状を有している。言い換えると、柱状導体１０２１と接続用ビア導体層Ｖ２０２３をＸＹ平面に投影したとき、柱状導体１０２１の略円形の投影図は、接続用ビア導体層Ｖ２０２３の略長円形の投影図の中に全て含まれる。

外部電極１０３０は、表面実装用の外部端子を構成し、Ｙ軸方向に相互に対向する第１及び第２の外部電極１０３１，１０３２を有する。第１及び第２の外部電極１０３１，１０３２は、絶縁体部２０１０の１面としての底面２１０２にのみ形成される。

以上のように、本構成例では、接続用ビア導体層Ｖ２０２３の断面形状を長円として、コイル部１０２０Ｌの一部を構成する柱状導体１０２１の断面よりも大きな断面形状とすることにより、コイル部１０２０Ｌと外部電極１０３０との接触面積を大きくすることができる。

（第３の構成例）
上記各構成例において、接続用ビア導体層Ｖ１０２３、Ｖ２０２３と同層で、コイル部１０２０Ｌと外部電極１０３０とを電気的に接続しない、ダミービア導体層を設けてもよく、以下、第３の構成例として説明する。ダミービア導体層は外部電極１０３０と接触して絶縁体内に複数形成される。ダミービア導体層を設けることにより外部電極１０３０と絶縁体部１０１０との密着強度を向上させることができる。ダミービア導体層の設置は、上記構成例及び上記実施形態に適用可能である。

図２０は第３の構成例に係るコイル部品の概略透視斜視図である。図２１はその概略透視側面図である。図２２はその概略透視上面図である。第３の構成例においては、上記第１の構成例にダミービア導体層を設けた場合を例に挙げて説明し、第１の構成例と同様の構成については同様の符号を付し、説明を省略する。

本構成例の電子部品３１００は、表面実装用のコイル部品として構成される。電子部品３１００は、絶縁体部３０１０と、内部導体部１０２０と、外部電極１０３０とを備える。

絶縁体部３０１０は、本体部３０１１と天面部１２とを有する。本体部３０１１は、内部導体部１０２０及びダミービア導体層３０４０を内蔵し、絶縁体部３０１０の主要部を構成する。

絶縁体部３０１０は、天面３１０１、底面３１０２、第１の端面３１０３、第２の端面３１０４、第１の側面３１０５及び第２の側面３１０６を有し、Ｘ軸方向に幅方向、Ｙ軸方向に長さ方向、Ｚ軸方向に高さ方向を有する直方体形状に形成される。

ダミービア導体層３０４０は、直方体形状の絶縁体部３０１０の底面３１０２に対向する外部電極１０３０の内面部に設けられた複数の突起部で構成され、図２１に示すように絶縁体部３０１０の底面３１０２の内部に没入される。ダミービア導体層３０４０の先端部は、絶縁体部３０１０を構成する絶縁材料を介して内部導体部１０２０と対向し、したがってコイル部１０２０Ｌとは接触していない。

ダミービア導体層３０４０は、接続用ビア導体層Ｖ１０２３と同層で形成される。複数のダミービア導体層３０４０は、Ｙ軸方向に相互に対向する２つの導体層群で構成される。このうち一方の導体層群を構成する第１のダミービア導体層３０４１は、ＸＹ平面における形状が略矩形の第１の外部電極１０３１の四隅に対応してそれぞれ１つずつ配置される。他方の導体層群を構成する第２のダミービア導体層３０４２は、ＸＹ平面における形状が略矩形の第２の外部電極１０３２の四隅に対応してそれぞれ１つずつ配置される。ダミービア導体層３０４０は、絶縁体部３０１１を構成する絶縁層によって内部導体部１０２０と電気的に絶縁されている。

本変形例では、ダミービア導体層３０４０を設けることにより、外部電極１０３０と絶縁体部３０１１との密着強度が向上する。
すなわち、外部電極１０３０の作製方法においては、例えば上記実施形態の内部導体部を構成する導体パターンを電気めっき法により作製する方法と同様に、電気めっき用のシード層を設け、開口部を有するレジストパターンを設けた後、電気めっき法により外部電極を形成する手法をとることができる。このような手法で外部電極１０３０を作製することにより、ダミービア導体層３０４０と外部電極１０３０との強い接着が生じ、絶縁体部３０１１と外部電極１０３０との密着強度が向上する。

＜電子部品特性＞
本発明の電子部品は上記の各実施形態に限定されず、例えば図２３及び図２４に示す構成をとってもよい。図２３、図２４の各図は、上記実施形態に係る電子部品の概略透視図である。図２３の各図は上記第１の実施形態のように櫛歯ブロック部２４が配置される電子部品の図を示し、図２４の各図は上記第２の実施形態のように櫛歯ブロック部が配置されていない電子部品の図を示す。上記各実施形態と同様の構成については同様の符号を付している。

図２３及び図２４に示される各電子部品の外形寸法はいずれも同じであり、いずれの電子部品においても、絶縁体部の長さ寸法（La）に対する高さ寸法（Ha）の比率（Ha／La）は、Ｙ軸方向に沿った周回部Ｃｎの内周部間の長さ寸法（ld）に対するＺ軸方向に沿った周回部Ｃｎの内周部間の高さ寸法（hd）の比率（hd／ld）の１．５倍以下となるように構成される。

図２３Ａは上記第１の実施形態の電子部品１００の概略透視側面図である。図２３Ｂは、電子部品１００と比較して、引出し部２３が設けられておらず、上記第２の実施形態のように接続用ビア導体層Ｖ１０２３を介して外部電極３０とコイル部１０２０Ｌとが接続する形態の電子部品４１００の概略透視側面図である。図２３Ｃは、図２３Ｂの電子部品３１００と比較して、櫛歯ブロック部２４のＹ軸方向における長さが短く、コイル部１０２０Ｌと櫛歯ブロック部２４との距離が長い場合の電子部品５１００の概略透視側面図である図２３の各図においては、Ｙ軸方向（図中左右方向）におけるコイル部２０Ｌと絶縁体部端面との間のサイドマージンの寸法（１ｂ）はいずれも４５μｍである。

図２４の各図は上記第２の実施形態（第１の構成例）に係る電子部品１１００に対応するものであり、Ｙ軸方向におけるサイドマージンの寸法（１ｂ）が異なるのみで基本的な構成は同じである。図２４Ａに示す電子部品１１００Ａのサイドマージン１ｂは４５μｍであり、図２４Ｂに示す電子部品１１００Ｂのサイドマージン１ｂは２０μｍであり、図２４Ｃに示す電子部品１１００Ｃのサイドマージン１ｂは１０μｍである。

図２５は、図２３及び図２４に示す各電子部品のインダクタンス（Ｌ値）特性を示す。図２６は、図２３及び図２４に示す各電子部品のＱ値特性を示す。図２５及び図２６において、横軸の２３Ａは図２３Ａに示される電子部品に相当し、以下同様に、２３Ｂ、２３Ｃ、２４Ａ、２４Ｂ及び２４Ｃはそれぞれ図２３Ｂ、図２３Ｃ、図２４Ａ、図２４Ｂ及び図２４Ｃに示される電子部品に相当し、各電子部品のインダクタンス及びＱ値がプロットされている。

図２５及び図２６に示すように、いずれの電子部品においてもＬ値は３.０ｎｈ以上、Ｑ値は３０以上を示し、高いインダクタンス値及びＱ値を得ることができる。更に、コイル部の開口（コア）を拡大することにより、インダクタンス特性及びＱ値特性をより向上せせることができる。

図２７は、電子部品の構成の違いによる内部導体部の形成可能領域を比較する図である。図２７の各図では、電子部品の外形が２００μｍ（幅）×４００μｍ（横）×２００μｍ（高さ）であるものを例にして各寸法を記載している。
図２７Ｂは、上記第２の実施形態（第１の構成例）に示す１面実装タイプの電子部品１１００の概略外観側面図である。図２７Ｃは、上記第１の実施形態に示す３面実装タイプの電子部品１００の概略透視側面図を示す。図２７Ｄは、従来の５面実装タイプの電子部品７１００の概略外観側面図を示し、符号７０３０は外部電極を示す。いずれの電子部品においても、外部電極の厚みは１０μｍとした。図２７Ａは絶縁体部の外形と電子部品の外形が等しいと仮定した場合を例に示し、この時の絶縁体部６０１０の体積を１００％とし、図２７Ｂ〜図２７Ｄの各図に示す電子部品における絶縁体部の占める割合を計算した。

図２７Ｂの１面実装タイプの電子部品１１００においては絶縁体部１０１０の占める割合は９５％となり、図２７Ｃの３面実装タイプの電子部品１００においては絶縁体部１０の占める割合は８４％となり、図２７Ｄの５面実装タイプの電子部品７１００においては絶縁体部の占める割合は７６．９５％である。電子部品における絶縁体部の占める割合が高いほど、絶縁体部の内部に配置される内部導体部の形成可能領域が大きくなる。したがって、１面実装タイプの電子部品１１００及び３面実装タイプの電子部品１００は、いずれも従来の５面実装タイプの電子部品７１００と比較して、内部導体部の形成可能領域が大きくなり、コイル部の開口（コア）を拡大することができる。これにより、Ｌ値及びＱ値を高くすることが可能となる。

１０、１０１０、２０１０、３０１０…絶縁体部
２０、１０２０、２０２０…内部導体部
２０Ｌ、１０２０Ｌ…コイル部
２１，２１１，２１２、１０２１，１０２１１，１０２１２…柱状導体
２２，２２１，２２２、１０２２，１０２２１，１０２２２…連結導体
１００，１１００，１１００Ａ，１１００Ｂ，１１００Ｃ、２１００、３１００、４１００、５１００…電子部品（コイル部品）
１１０２，２１０２，３１０２…底面
Ｖ１０２３，Ｖ１０２３１，Ｖ１０２３２、Ｖ２０２３，Ｖ２０２３１，Ｖ２０２３２…接続用ビア導体層
３０４０，３０４１，３０４２…ダミービア導体層
Ｃｎ…周回部

Claims (10)

1. 第１の軸方向に幅方向、第２の軸方向に長さ方向、第３の軸方向に高さ方向を有し、非磁性材料で構成された絶縁体部と、
   前記第１の軸方向のまわりに巻回された周回部を有し、前記絶縁体部の内部に配置されたコイル部と
   を具備し、
   前記絶縁体部の長さ寸法に対する高さ寸法の比率は、前記第２の軸方向に沿った前記周回部の内周部間の長さ寸法に対する前記第３の軸方向に沿った前記周回部の内周部間の高さ寸法の比率の１．５倍以下である
   コイル部品。
2. 請求項１に記載のコイル部品であって、
   前記第２の軸方向に沿った前記周回部の内周部間の長さ寸法に対する前記第３の軸方向に沿った前記周回部の内周部間の高さ寸法の比率は、０．６以上１．０以下である
   コイル部品。
3. 請求項１又は２に記載のコイル部品であって、
   前記第１の軸方向から見た前記絶縁体部の面積に対する前記周回部の内周部で区画される面積の比率は、０．２２以上０．４５以下である
   コイル部品。
4. 請求項１〜３のいずれか１つに記載のコイル部品であって、
   前記絶縁体部は、セラミックス又は樹脂材料から構成される
   コイル部品。
5. 請求項１又は２に記載のコイル部品であって、
   前記第１の軸方向から見た前記絶縁体部の面積に対する前記周回部の内周部で区画される面積の比率は、０．２２以上０．６５以下である
   コイル部品。
6. 請求項５に記載のコイル部品であって、
   前記絶縁体部は、セラミックス又は樹脂材料から構成される
   コイル部品。
7. 請求項１〜６のいずれか１つに記載のコイル部品であって、
   前記絶縁体部は直方体形状を有し、
   前記コイル部品は、前記コイル部と電気的に接続する、前記絶縁体部の１面にのみ配置された外部電極を更に具備する
   コイル部品。
8. 請求項７に記載のコイル部品であって、
   前記コイル部と前記外部電極とは、前記コイル部の端部に接続する接続用ビア導体により電気的に接続される
   コイル部品。
9. 請求項８に記載のコイル部品であって、
   前記ビア導体の前記第３の軸に直交する断面は、前記コイル部の端部の前記第３の軸に直交する断面よりも大きい断面形状を有する
   コイル部品。
10. 請求項７から９のいずれか１つに記載のコイル部品であって、
    前記外部電極は、前記絶縁体部の前記１面に対向する内面部と、前記内面部に設けられ前記１面に没入する複数の突起部とを有する
    コイル部品。